專(zhuān)利名稱(chēng)：充電電路以及其充電電流調(diào)整方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用充電電流檢測(cè)用電阻實(shí)行二次電池充電的充電電 路以及其充電電流調(diào)整方法，所述充電電流檢測(cè)用電阻用于檢測(cè)對(duì)二 次電池提供的充電電流。
背景技術(shù)：
圖1是表示以往的充電電路的電路例。
在圖1所示的充電電路100中，電流-電壓轉(zhuǎn)換電路101將流過(guò)充電 電流檢測(cè)用電阻Rsen的電流轉(zhuǎn)換為電壓，生成與充電電流ichg相對(duì)應(yīng) 的充電電流監(jiān)控電壓CCMON，然后將其輸出，所述充電電流檢測(cè)用電阻 Rsen用于檢測(cè)對(duì)二次電池120提供的充電電流ichg。另外，充電電流控 制電路102對(duì)PMOS晶體管104的動(dòng)作實(shí)行控制，以使得充電電流監(jiān)控電 壓CCMON成為規(guī)定的基準(zhǔn)電壓CCREF 。
這里，對(duì)于流過(guò)充電電流檢測(cè)用電阻Rsen的充電電流ichg，為了 生成芷確的充電電流監(jiān)控電壓CCMON，實(shí)行偏移調(diào)整，以消除差動(dòng)放大 電路lll中的輸入偏移，其中，所述差動(dòng)放大電路lll構(gòu)成電流-電壓轉(zhuǎn) 換電路IOI。
圖2是表示圖1的差動(dòng)放大電路l 11的電路例。
在圖2中，麗0S晶體管M111與M112構(gòu)成差動(dòng)對(duì)。微調(diào)電阻R111對(duì)應(yīng) 所述麗0S晶體管M111串聯(lián)連接，微調(diào)電阻R112對(duì)應(yīng)所述麗0S晶體管 M112串聯(lián)連接。對(duì)所述微調(diào)電阻R111與R112實(shí)行微調(diào)，調(diào)整其電阻值， 并實(shí)行偏移調(diào)整，以消除差動(dòng)放大電路lll中的輸入偏移(例如，參照曰 本特許第2962246號(hào)公報(bào))。
但是，在對(duì)上述差動(dòng)放大電路lll實(shí)行偏移調(diào)整的情況下，由于電 阻的微調(diào)精度的不同，差動(dòng)放大電路lll的輸入偏移電壓產(chǎn)生O. 5mV的 偏差。在將充電電路檢測(cè)用電阻Rsen的電阻值設(shè)定為rsen的情況下，
若差動(dòng)放大電路lll的輸入偏移電壓發(fā)生0.5mV的偏差，則充電電流 ichg與希望值產(chǎn)生l / (2Xrsen)mA的偏差。其意味著，例如rsen二O. 1 Q，則充電電流ichg至少產(chǎn)生5mA的偏差，無(wú)法將該充電電流ichg的偏 差控制到比5mA更小的值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題而提出的，本發(fā) 明的目的在于能夠?qū)?duì)二次電池提供的充電電流精度良好地控制在希 望值的二次電池充電電路以及其充電電流的調(diào)整方法。
本發(fā)明涉及一種充電電路，對(duì)二次電池實(shí)行充電，其特征在于， 包括
充電用晶體管，根據(jù)輸入的控制信號(hào)，控制對(duì)所述二次電池提供 充電電流；
充電電流檢測(cè)用電阻，與所述充電用晶體管串聯(lián)連接，用于檢測(cè) 所述充電電流；
電流-電壓轉(zhuǎn)換電路，根據(jù)所述充電電流檢測(cè)用電阻的兩端的電壓 生成與所述充電電流相對(duì)應(yīng)的監(jiān)控電壓，將該監(jiān)控電壓輸出；
基準(zhǔn)電壓生成電路部，生成規(guī)定的基準(zhǔn)電壓，將該基準(zhǔn)電壓輸出；
充電電流控制電路部，對(duì)所述充電用晶體管的動(dòng)作實(shí)行控制，以 使得所述監(jiān)控電壓成為所述基準(zhǔn)電壓；
所述基準(zhǔn)電壓生成電路部具有電壓調(diào)整裝置，所述電壓調(diào)整裝置 使得所述充電電流成為希望的電流值。
更具體地說(shuō)，所述基準(zhǔn)電壓生成電路包括
恒壓電路，生成規(guī)定的恒壓，將該恒壓輸出；
分壓電路，使用可變電阻分壓所述恒壓，并且，將分壓而得的電 壓作為基準(zhǔn)電壓輸出；
通過(guò)對(duì)所述可變電阻的電阻值實(shí)行調(diào)整，調(diào)整所述基準(zhǔn)電壓。 在該情況下，通過(guò)對(duì)所述可變電阻實(shí)行微調(diào)，調(diào)整其電阻值。 所述電流-電壓轉(zhuǎn)換部具有差動(dòng)放大電路，所述差動(dòng)放大電路的輸
入端中分別對(duì)應(yīng)地輸入所述充電電流檢測(cè)用電阻的兩端電壓，所述差 動(dòng)放大電路對(duì)所述兩端電壓的差電壓實(shí)行放大，然后將其輸出；
所述差動(dòng)放大電路的各輸入晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力各不相同，以 使得所述差動(dòng)放大電路的輸入偏移電壓成為規(guī)定值以上。
在該情況下，所述差動(dòng)放大電路的各輸入晶體管是由尺寸不同的
MOS晶體管構(gòu)成。
本發(fā)明涉及一種充電電路的充電電流調(diào)整方法，所述充電電路包
括
充電用晶體管，根據(jù)輸入的控制信號(hào)，控制對(duì)所述二次電池提供 充電電流；
充電電流檢測(cè)用電阻，與所述充電用晶體管串聯(lián)連接，用于檢測(cè) 所述充電電流；
所述充電電路的充電電流調(diào)整方法包括
生成與所述充電電流相對(duì)應(yīng)的電壓，并且，對(duì)所述充電用晶體管 的動(dòng)作實(shí)行控制，以使得所述的生成的電壓成為規(guī)定的基準(zhǔn)電壓，對(duì) 所述二次電池實(shí)行充電；其特征在于
對(duì)所述基準(zhǔn)電壓實(shí)行調(diào)整，以使得所述充電電流成為希望的電流值。
更具體地說(shuō)，分壓規(guī)定的恒壓，生成所述基準(zhǔn)電壓，并且，對(duì)所 述分壓的比率實(shí)行調(diào)整，以使得所述充電電流成為希望的電流值。
在該情況下，調(diào)整可變電阻的電阻值，以使得所述充電電流成為 希望的電流值，所述可變電阻用于分壓所述規(guī)定的恒壓。
通過(guò)對(duì)所述可變電阻實(shí)行微調(diào)，調(diào)整其電阻值。'
下面說(shuō)明本發(fā)明的效果。
按照本發(fā)明的充電電路以及其充電電流調(diào)整方法，對(duì)所述基準(zhǔn)電 壓實(shí)行電壓調(diào)整，使得對(duì)二次電池提供的充電電流成為希望的電流值， 因此，能夠更高精度地將對(duì)二次電池提供的充電電流控制在所希望的 電流值。
進(jìn)而，在本發(fā)明的充電電路中，所述電流-電壓轉(zhuǎn)換電路部包括差
動(dòng)放大電路，所述差動(dòng)放大電路的輸入端中分別對(duì)應(yīng)地輸入所述充電 電流檢測(cè)用電阻的兩端的電壓，所述差動(dòng)放大電路對(duì)該兩端的電壓的 差電壓實(shí)行放大，然后輸出。設(shè)定該差動(dòng)放大電路的各輸入晶體管的 電流驅(qū)動(dòng)能力互不相同，以使得該差動(dòng)放大電路的輸入偏移電壓增大 成為規(guī)定值以上。因此，能夠防止盡管電流流過(guò)充電電流檢測(cè)用電阻，
來(lái)自電流-電壓轉(zhuǎn)換電路部的監(jiān)控電壓卻為ov的現(xiàn)象，能夠更正確地對(duì)
充電電流實(shí)行電流-電壓轉(zhuǎn)換，同時(shí)，能夠更正確地對(duì)用于得到希望充 電電流的基準(zhǔn)電壓實(shí)行調(diào)整。


圖l是表示以往的充電電路的電路例；
圖2是表示圖1的差動(dòng)放大電路111的電路例。
圖3是表示本發(fā)明第一實(shí)施例中充電電路的電路例；
圖4是表示圖3的基準(zhǔn)電壓生成電路3的可變電阻R11與R12的具體 電路例；
圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施例中充電電路的電路例； 圖6是表示圖5的差動(dòng)放大電路lla的內(nèi)部電路例；
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。 第一實(shí)施例
圖3是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的充電電路的電路例。 圖3的充電電路1用于對(duì)例如鋰離子電池等二次電池5實(shí)行充電，并 且，以AC適配器6為電源，使用規(guī)定的充電電流ichg對(duì)二次電池5實(shí)行
充電o
在圖3中，充電電路l包括充電電流檢測(cè)用電阻Rsen與充電用晶體 管M1。其中，所述充電電流檢測(cè)用電阻Rsen用于檢測(cè)充電電流ichg; 所述充電用晶體管M1由PM0S晶體管構(gòu)成，用于將充電電流ichg提供給 二次電池5，所述充電電流ichg與輸入充電用晶體管M1的柵極的控制信
號(hào)相對(duì)應(yīng)。充電電路l還包括電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2、基準(zhǔn)電壓生成電路 3、以及充電電流控制電路4。其中，所述電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2將流過(guò) 充電電流檢測(cè)用電阻Rsen的電流轉(zhuǎn)換為電壓，作為充電電流監(jiān)控電壓 (以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為"監(jiān)控電壓")CCMON輸出；所述基準(zhǔn)電壓生成電路3生成 基準(zhǔn)電壓CCREF，然后將該基準(zhǔn)電壓CCREF輸出；所述充電電流控制電路 4對(duì)充電用晶體管M1的動(dòng)作實(shí)行控制，以使得監(jiān)控電壓CCMON成為基準(zhǔn) 電壓CCREF。電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2構(gòu)成電流-電壓轉(zhuǎn)換電路部，基準(zhǔn)電 壓生成電路3構(gòu)成基準(zhǔn)電壓生成電路部，充電電流控制電路4構(gòu)成充電 電流控制電路部。另外，也可以將電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2，基準(zhǔn)電壓生 成電路3以及充電電流控制電路4集成在一個(gè)IC芯片中。
電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2由差動(dòng)放大電路11、 PMOS晶體管Mll、以及電 阻Rl與R2構(gòu)成。基準(zhǔn)電壓生成電路3是由生成規(guī)定的恒壓Vref輸出的恒 壓電路13以及可變電阻R11、 R12構(gòu)成。充電電流控制電路4是由誤差放 大電路15構(gòu)成。下面，將充電電流檢測(cè)用電阻Rsen的電阻值設(shè)為rsen， 將電阻R1的電阻值設(shè)為r 1 ，將電阻R2的電阻值設(shè)為r2 。
AC適配器6的輸出端輸出電源電壓Vdd，在該輸出端與二次電池5的 正電極之間，串聯(lián)連接充電電流檢測(cè)用電阻Rsen和充電用晶體管M1 ， AC適配器6的輸出端和充電電流檢測(cè)用電阻Rsen的連接點(diǎn)與連接端子7 相連接。充電電流檢測(cè)用電阻Rsen和充電用晶體管Ml的源極的連接點(diǎn) 與連接端子8相連接。
在連接端子7與接地電壓之間，串聯(lián)連接電阻R1、 PM0S晶體管M11以 及電阻R2，電阻R1與PM0S晶體管M11的連接點(diǎn)與差動(dòng)放大電路11的非反 相輸入端連接。差動(dòng)放大電路11的反相輸入端與連接端子8連接，差動(dòng) 放大電路11的輸出端與PM0S晶體管M11的柵極連接。PM0S晶體管M11與 電阻R2的連接點(diǎn)構(gòu)成電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2的輸出端，從該輸出端輸出 監(jiān)控電壓CCMON。
可變電阻Rll與R12串聯(lián)連接在規(guī)定的恒壓Vref與接地電壓之間。 從可變電阻R11與R12的連接點(diǎn)輸出基準(zhǔn)電壓CCREF。
誤差放大電路15中，監(jiān)控電壓CCMON輸入非反相輸入端，基準(zhǔn)電壓
CCREF輸入反相輸入端，輸出端經(jīng)連接端子9與充電用晶體管M1的柵極 連接。
在上述構(gòu)成中，若充電電流ichg流過(guò)充電電流檢測(cè)用電阻Rsen， 則充電電流檢測(cè)用電阻Rsen的兩端產(chǎn)生電壓差(ichg x rsen)。充電電 流檢測(cè)用電阻Rsen兩端的電壓分別輸入電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2，在差動(dòng) 放大電路ll以(r2/rl)的比率對(duì)該電壓差(ichg x rsen )實(shí)行放大， 并作為監(jiān)控電壓CCM0N輸出。在差動(dòng)放大電路11中，相對(duì)于反相輸入端， 若非反相輸入端具有輸入偏移電壓+Vl，則監(jiān)控電壓CCMON可以用以下 式(1)表示。
CCMON = (ichg x rsen - VI) x (r2/rl) ——(1)
充電電流控制電路4的誤差放大電路15對(duì)充電用晶體管M1的動(dòng)作 進(jìn)行控制，以使得監(jiān)控電壓CCMON等于基準(zhǔn)電壓CCREF。
這里，在誤差放大電路15中，相對(duì)于反相輸入端，若非反相輸入端 具有輸入偏移電壓+V2 ，則通過(guò)誤差放大電路l5控制充電用晶體管M1的 動(dòng)作，以成為式(2)。
CCREF = CCMON - V2 ——(2)
從上述式(1)和(2)可以得到式(3)所示的基準(zhǔn)電壓CCREF與充電電 流ichg的關(guān)系。
CCREF = (ichg x rsen - VI) x (r2/rl) - V2——(3) 在上述式(3)中，rsen是已知的數(shù)值，因此，只要測(cè)定出V1、 V2以
及(r2/rl)，就能夠通過(guò)式(4)得到基準(zhǔn)電壓CCREF的電壓值CCREF1，以
使得充電電流ichg成為設(shè)定值ichgl。
CCREF1 二 (ichgl x rsen - VI) x (r2/rl) - V2——(4) 因此，通過(guò)對(duì)可變電阻R11以及/或R12實(shí)行微調(diào)，調(diào)整其電阻值，
以使得基準(zhǔn)電壓CCREF成為上述式(4)所示的電壓值CCREF1，從而，能夠
使得充電電流i chg的電流值成為設(shè)定值i chgl 。
通過(guò)上述處理，可以不受由于制造工序所引起的偏壓電流的偏差
和電阻值的絕對(duì)值的偏差所產(chǎn)生的影響，能夠精度良好地將充電電流
ichg調(diào)整到所希望的值。基準(zhǔn)電壓CCREF的lmV相當(dāng)于充電電流ichg的
(rl/r2) X (1/rsen)mA，通過(guò)使得r2/rl減小，能夠提高微調(diào)精度。例 如，當(dāng)rsen:O. 1Q， r2/rl=0. 1，則基準(zhǔn)電壓CCREF的lmV相當(dāng)于充電電 流ichg的lmA，與以往相比，更能夠提高微調(diào)精度。
圖4是表示基準(zhǔn)電壓生成電路3的可變電阻R11與R12的具體電路例。
在圖4中，可變電阻Rll由串聯(lián)連接的m(m為正整數(shù))個(gè)固定電阻 RAl-Ram與熔絲FA1-FAm構(gòu)成，所述熔絲FA1-FAm與所述m個(gè)固定電阻 RA1-Ram分別對(duì)應(yīng)地并聯(lián)連接?？勺冸娮鑂12由串聯(lián)連接的n(n為正整數(shù)) 個(gè)固定電阻RB1-RBn與熔絲FBl-FBn構(gòu)成，所述熔絲FB1-FBn與所述n個(gè) 固定電阻RBl-RBn分別對(duì)應(yīng)地并聯(lián)連接。通過(guò)微調(diào)，選擇性地切斷熔絲 FA卜FAm以及FBl-FBn，調(diào)整可變電阻R11與R12的電阻值，以使得基準(zhǔn)電 壓CCREF成為如式(4)所示的電壓值CCREF1，從而，能夠?qū)⒊潆婋娏鱥chg 的電流值調(diào)整為設(shè)定值ichgl。固定電阻RAl-RAm與RB1-RBn可以具有相 同的電阻值，也可以具有不同的電阻值。
這樣，本第一實(shí)施例的充電電路l將流過(guò)充電電流檢測(cè)用電阻Rsen 的電流轉(zhuǎn)換成電壓，生成監(jiān)控電壓CCMON，并且，對(duì)充電用晶體管M1的 動(dòng)作實(shí)行控制，以使得所述監(jiān)控電壓CCMON成為基準(zhǔn)電壓CCREF，所述 基準(zhǔn)電壓CCREF是通過(guò)可變電阻Rll與R12分壓規(guī)定的恒壓Vref生成，其 作為用于使得充電電流ichg成為希望電流值的設(shè)定值。由于能夠可變 地設(shè)定充電電流ichg，因此，能夠?qū)?duì)二次電池實(shí)行充電的充電電流 更精度良好地控制在所希望的值。
第二實(shí)施例
上述第一實(shí)施例中，在對(duì)可變電阻R11與R12實(shí)行微調(diào)的時(shí)候，若 電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2的差動(dòng)放大電路11中具有使得電阻R1的兩端所產(chǎn) 生的電壓差變小的輸入偏移電壓，則盡管電流流過(guò)充電電流檢測(cè)用電 阻Rsen，監(jiān)控電壓CCMON仍有可能成為OV。于是，在本發(fā)明的第二實(shí)施 例中，對(duì)電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2的差動(dòng)放大電路11實(shí)行偏移調(diào)整，以使 其具有比由于制造上的偏差所產(chǎn)生的輸入偏移電壓更大的輸入偏移電 壓。
圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施例的充電電路的電路例。圖3中與圖1相 同的部分使用相同符號(hào)表示，并且，這里省略說(shuō)明，僅對(duì)與圖l不同的 部分進(jìn)行說(shuō)明。
圖5與圖3的不同點(diǎn)在于，對(duì)圖3的差動(dòng)放大電路11實(shí)行偏移調(diào)整，
以使其具有比由于制造上的偏差所產(chǎn)生的輸入偏移電壓更大的輸入偏
移電壓。同時(shí)，將圖3的差動(dòng)放大電路ll設(shè)為差動(dòng)放大電路lla，將圖3 的電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2設(shè)為電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2a，將圖3的充電電路1 設(shè)為充電電路la。
圖5的充電電路la用于對(duì)例如鋰離子電池等二次電池5實(shí)行充電， 以AC適配器6為電源，.使用規(guī)定的充電電流ichg對(duì)二次電池5實(shí)行充電。
在圖5中，充電電路la包括檢測(cè)充電電流用電阻Rsen、充電用晶體 管M1、電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2a、基準(zhǔn)電壓生成電路3、以及充電電流控 制電路4。其中，所述電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2a將流過(guò)檢測(cè)充電電流用電 阻Rsen的電流轉(zhuǎn)換成電壓，并將該電壓作為監(jiān)控電壓CCMON輸出。所述 電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2a由差動(dòng)放大電路lla、 PMOS晶體管Mll、以及電阻 Rl、 R2構(gòu)成。另外，電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2a構(gòu)成電流-電壓轉(zhuǎn)換電路部， 也可以將電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2a、基準(zhǔn)電壓生成電路3、以及充電電流 控制電路4集成在一個(gè)IC芯片中。
圖6是表示圖5的差動(dòng)放大電路lla內(nèi)部的電路例。
在圖6中，差動(dòng)放大電路lla是由一對(duì)麗0S晶體管M21與M22、 PMOS 晶體管M23與M24、以及恒流源21構(gòu)成。其中，所述一對(duì)麗0S晶體管M21 與M22作為一對(duì)輸入晶體管；所述PM0S晶體管M23與M24分別作為所述各 輸入晶體管的負(fù)載，形成電流反射鏡電路；所述恒流源21對(duì)所述各輸入
晶體管提供規(guī)定的恒流。
PM0S晶體管M23、 M24的各源極分別與電源電壓Vdd連接，PMOS晶體 管M23、 M24的各柵極的連接點(diǎn)與PM0S晶體管M24的漏極連接。
PMOS晶體管M23的漏極與麗OS晶體管M21的漏極連接，PMOS晶體管 M24的漏極與麗OS晶體管M22的漏極連接。麗OS晶體管M21的源極與麗OS 晶體管M22的源極連接，恒流源21連接在接地電壓與麗0S晶體管M21的
源極和NMOS晶體管M22的源極的連接點(diǎn)之間。麗OS晶體管M21的柵極作 為差動(dòng)放大電路lla的反相輸入端，麗0S晶體管M22的柵極作為差動(dòng)放 大電路lla的非反相輸入端。
在上述結(jié)構(gòu)中，將麗0S晶體管M21與M22分別形成為尺寸不同的晶 體管，這樣，使得差動(dòng)放大電路lla具有輸入偏移電壓。
通常，若將柵極-源極之間的電壓設(shè)為Vgs，閾值電壓設(shè)為Vth，則 可以用以下式(5)表示M0S晶體管的飽和電流id。為了簡(jiǎn)略說(shuō)明，在以 下式(5)中省略調(diào)制溝道長(zhǎng)度的項(xiàng)目。
<formula>formula see original document page 12</formula> ——(5)
其中，y表示絕對(duì)電容率，Cox表示每單位面積所包含的氧化膜容 量，W表示溝道寬度，L表示溝道長(zhǎng)度。
根據(jù)上述式(5)，柵極-源極之間的電壓Vgs成為以下式(6)。
<formula>formula see original document page 12</formula>——(6)
這里，將麗0S晶體管M21的e設(shè)為Pl時(shí)，麗0S晶體管M22的P為 4x e 1，在該情況下，NM0S晶體管M21的柵極-源極之間的電壓Vgs與麗0S 晶體管M22的柵極-源極之間的電壓Vgs的電壓差△ Vgs可以通過(guò)以下式 (7)表示。
<formula>formula see original document page 12</formula> —— (7)
這樣，通過(guò)將差動(dòng)放大電路lla的二個(gè)麗0S晶體管M21、 M22的e設(shè) 為不同值，使得麗OS晶體管M21的柵極-源極之間的電壓Vgs與麗OS晶體 管M21的柵極-源極之間的電壓Vgs成為不同值，因此，能夠使得差動(dòng)放 大電路lla具有比由于制造上的偏差產(chǎn)生的輸入偏移電壓更大的輸入 偏移電壓。
這樣，在本第二實(shí)施例的充電電路，由于將作為輸入晶體管的麗OS 晶體管M21與M22的P設(shè)為不同值，使得在電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2a實(shí)行電 流-電壓轉(zhuǎn)換的差動(dòng)放大電路lla中具有比由于制造上的偏差產(chǎn)生的輸 入偏移電壓更大的輸入偏移電壓，因此，能夠取得與上述第一實(shí)施例
相同的效果，同時(shí)，能夠防止盡管電流流過(guò)檢測(cè)充電電流用電阻Rsen， 監(jiān)控電壓CCMON卻為OV的現(xiàn)象，能夠更正確地對(duì)充電電流實(shí)行電流-電 壓變換，同時(shí)，能夠更正確地對(duì)基準(zhǔn)電壓CCREF實(shí)行電壓調(diào)整，得到所 希望的充電電流ichg。
上面參照

了本發(fā)明的實(shí)施例，但本發(fā)明并不局限于上述 實(shí)施例。在本發(fā)明技術(shù)思想范圍內(nèi)可以作種種變更，它們都屬于本發(fā)明 的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種充電電路，對(duì)二次電池實(shí)行充電，其特征在于，包括:充電用晶體管，根據(jù)輸入的控制信號(hào)，控制對(duì)所述二次電池提供充電電流；充電電流檢測(cè)用電阻，與所述充電用晶體管串聯(lián)連接，用于檢測(cè)所述充電電流；電流-電壓轉(zhuǎn)換電路，根據(jù)所述充電電流檢測(cè)用電阻的兩端的電壓生成與所述充電電流相對(duì)應(yīng)的監(jiān)控電壓，將該監(jiān)控電壓輸出；基準(zhǔn)電壓生成電路部，生成規(guī)定的基準(zhǔn)電壓，將該基準(zhǔn)電壓輸出；充電電流控制電路部，對(duì)所述充電用晶體管的動(dòng)作實(shí)行控制，以使得所述監(jiān)控電壓成為所述基準(zhǔn)電壓；所述基準(zhǔn)電壓生成電路部具有電壓調(diào)整裝置，所述電壓調(diào)整裝置使得所述充電電流成為希望的電流值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l中記載的充電電路，其特征在于 所述基準(zhǔn)電壓生成電路包括恒壓電路，生成規(guī)定的恒壓，將該恒壓輸出；分壓電路，使用可變電阻分壓所述恒壓，并且，將分壓而得的電 壓作為基準(zhǔn)電壓輸出；通過(guò)對(duì)所述可變電阻的電阻值實(shí)行調(diào)整，調(diào)整所述基準(zhǔn)電壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2中記載的充電電路，其特征在于 通過(guò)對(duì)所述可變電阻實(shí)行微調(diào)，調(diào)整其電阻值。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3中記載的充電電路，其特征在于 所述電流-電壓轉(zhuǎn)換部具有差動(dòng)放大電路，所述差動(dòng)放大電路的輸入端中分別對(duì)應(yīng)地輸入所述充電電流檢測(cè)用電阻的兩端電壓，所述差 動(dòng)放大電路對(duì)所述兩端電壓的差電壓實(shí)行放大，然后將其輸出；所述差動(dòng)放大電路的各輸入晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力各不相同，以 使得所述差動(dòng)放大電路的輸入偏移電壓成為規(guī)定值以上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4中記載的充電電路，其特征在于 所述差動(dòng)放大電路的各輸入晶體管是由尺寸不同的MOS晶體管構(gòu)成。
6. —種充電電路的充電電流調(diào)整方法，所述充電電路包括 充電用晶體管，根據(jù)輸入的控制信號(hào)，控制對(duì)所述二次電池提供 充電電流；充電電流檢測(cè)用電阻，與所述充電用晶體管串聯(lián)連接，用于檢測(cè) 所述充電電流；生成與所述充電電流相對(duì)應(yīng)的電壓，并且，對(duì)所述充電用晶體管 的動(dòng)作實(shí)行控制，以使得所述的生成的電壓成為規(guī)定的基準(zhǔn)電壓，對(duì) 所述二次電池實(shí)行充電；其特征在于對(duì)所述基準(zhǔn)電壓實(shí)行調(diào)整，以使得所述充電電流成為希望的電流值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6中記載的充電電路的充電電流調(diào)整方法，其特 征在于分壓規(guī)定的恒壓，生成所述基準(zhǔn)電壓，并且，對(duì)所述分壓的比率 實(shí)行調(diào)整，以使得所述充電電流成為希望的電流值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7中記載的充電電路的充電電流調(diào)整方法，其特 征在于調(diào)整可變電阻的電阻值，以使得所述充電電流成為希望的電流值， 所述可變電阻用于分壓所述規(guī)定的恒壓。
9. 權(quán)利要求8中記載的充電電路的充電電流調(diào)整方法，其特征在于通過(guò)對(duì)所述可變電阻實(shí)行微調(diào)，調(diào)整其電阻值。
全文摘要
本發(fā)明涉及二次充電電池的充電電路以及其充電電流的調(diào)整方法，能夠更高精度地將對(duì)二次充電電池提供的充電電路控制在希望的值。電流-電壓轉(zhuǎn)換電路2將流過(guò)充電電流檢測(cè)用電阻Rsen的電流轉(zhuǎn)換為電壓，生成監(jiān)控電壓CCMON；充電電流控制電路4對(duì)充電用晶體管M1的動(dòng)作實(shí)行控制，以使得所述監(jiān)控電壓CCMON成為基準(zhǔn)電壓CCREF，所述基準(zhǔn)電壓CCREF是通過(guò)可變電阻R11與R12分壓規(guī)定的恒壓Vref生成的。通過(guò)可變地設(shè)定基準(zhǔn)電壓生成電路3的可變電阻R11與R12的各電阻值，能夠可變地設(shè)定基準(zhǔn)電壓CCREF，所述基準(zhǔn)電壓CCREF作為用于使得充電電流ichg成為希望的電流值的設(shè)定值。
文檔編號(hào)H02J7/10GK101373902SQ20081021331
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2008年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月23日
發(fā)明者蘆田馨一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光