專(zhuān)利名稱(chēng)：薄型焊接式整流橋堆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二極管橋式整流器，具體涉及一種薄型焊接式整流橋堆.
背景技術(shù)：
橋式整流器是由四個(gè)整流二極管組成的一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，它利用二極管的單 向?qū)щ娞匦詫?duì)交流電進(jìn)行整流，由于橋式整流器對(duì)輸入正弦波的利用效率比 半波整流高一倍，是對(duì)二極管半波整流的一種顯著改進(jìn)，故被廣泛應(yīng)用于交 流電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中.
隨著電子產(chǎn)品向小型化方向尤艮，要求半導(dǎo)體電子器件的外形做得又小又 薄，而傳統(tǒng)的微型橋堆采用的是上下兩層的方式將四個(gè)整流二極管按照電路結(jié)構(gòu)焊接組M來(lái)，因此加上環(huán)氣樹(shù)脂層的厚度，該產(chǎn)品的總厚度一般在2.5 ~ 2.7mm左右，不僅占用了電子產(chǎn)品內(nèi)部比較多的容置空間，且由于多層結(jié)構(gòu) 的設(shè)置使得橋堆生產(chǎn)加工的工藝步驟增多，同時(shí)給各層部件安裝定位提出了 較高的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種薄型焊接式整流橋堆，其目的在于解決現(xiàn)有二極管整 流橋堆厚度大、各部件定位難及生產(chǎn)工藝復(fù)雜的問(wèn)題。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是 一種薄型焊接式整流橋 堆，該整流橋堆的環(huán)氧封裝體內(nèi)部由兩塊連接片、四個(gè)二極管芯片和兩塊框 架支撐片組成；在整流橋堆的厚度方向上，兩塊連接片位于上層，四個(gè)二極 管芯片位于中間層，兩塊框架支撐片位于下層；在整流橋堆的俯視平面上， 第一連接片與第一、第二二極管芯片的正極端固定連接；第二連接片與第三、 第四二極管芯片的負(fù)極端固定連接；第一框架支撐片與第一二極管芯片的負(fù) 極端和第四二極管芯片的正極端固定連接；第二框架支撐片與第二二極管芯 片的負(fù)極端和第三二極管芯片的正極端固定連接；第一連接片上的引腳作為 正極輸出端，第二連接片上的引腳作為負(fù)極輸出端，兩塊框架支撐片上的引 腳作為交流輸入端.
上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下
1、上述方案中，所述框架支撐片是框架的一部分，設(shè)于整流橋堆的底部， 用于承栽二極管芯片等其他部件.
2、上述方案中，所述"在整流橋堆的厚度方向上，兩塊連接片位于上層， 四個(gè)二極管芯片位于中間層，兩塊框架支撐片位于下層"是指笫一層是連接 片設(shè)置層，第二層是二極管芯片布置層，第三層是框架支撐片設(shè)置層，各部 件在各層平鋪設(shè)置，有助于減小整流橋堆的整體厚度。
本實(shí)用新型工作原理及優(yōu)點(diǎn)為本實(shí)用新型采用將各部件分層平鋪設(shè)置的 方式，有效的降低了整流橋堆的厚度，并解決了原有整流橋堆各部件定位難 的問(wèn)題，同時(shí)簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝。

附圖1為二極管整流橋堆電路結(jié)構(gòu)示意附圖2為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)俯視示意附圖3為本實(shí)用新型框架支撐片結(jié)構(gòu)俯視示意附圖4為本實(shí)用新型連接片結(jié)構(gòu)俯視示意附圖5為圖2的A-A向截面剖視示意圖。
以上附圖中1、連接片；2、 二極管芯片；3、框架支撐片；4、正極輸入 端；5、負(fù)極輸入端；6、交流輸出端；7、環(huán)氧封裝體；11、第一連接片；12、 第二連接片；21、第一二極管芯片；22、笫一二極管芯片；23、第三二極管 芯片；24、第四二極管芯片；31、第一框架支撐片；32、第二框架支撐片。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述
實(shí)施例參見(jiàn)附圖2~5所示，
一種薄型焊接式整流橋堆，該整流橋堆的環(huán)氧封裝體7內(nèi)部由兩塊連接片 1、四個(gè)二極管芯片2和兩塊框架支撐片3組成；
其中在整流橋堆的厚度方向上(如圖5)，兩塊連接片l位于上層，四個(gè) 二極管芯片2位于中間層，兩塊框架支撐片3位于下層，即第一層是連接片1 設(shè)置層，第二層是二極管芯片2布置層，第三層是框架支撐片3設(shè)置層，各 部件在各層平鋪設(shè)置，有助于減小整流橋堆的^厚度.
在整流橋堆的俯視平面上(如圖2~4)，第一連接片11與第一、第二二極 管芯片21、 22的正極端固定連接；笫二連接片12與第三、第四二極管芯片 23、 24的負(fù)極端固定連接；笫一框架支撐片31與笫一二極管芯片21的負(fù)極 端和第四二極管芯片24的正極端固定連接；第二框架支撐片32與第二二極 管芯片22的負(fù)極端和第三二級(jí)管芯片23的正極端固定連接；
第一連接片U上的引腳作為正極輸出端4，第二連接片12上的引腳作為負(fù)極輸出端5，兩塊框架支撐片3上的引腳作為交流輸入端6。
所述框架支撐片3是框架的一部分，設(shè)于整流橋堆的底部，用于承載二極
管芯片2及其他部件。
本實(shí)用新型采用將各部件分層平鋪設(shè)置的方式，有效的降低了整流橋堆的
厚度，并解決了原有整流橋堆各部件定位難的問(wèn)題，同時(shí)簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝. 上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此
項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)
用新型的保護(hù)范圍.凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都
應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi).
權(quán)利要求1、一種薄型焊接式整流橋堆，其特征在于該整流橋堆的環(huán)氧封裝體內(nèi)部由兩塊連接片、四個(gè)二極管芯片和兩塊框架支撐片組成；在整流橋堆的厚度方向上，兩塊連接片位于上層，四個(gè)二極管芯片位于中間層，兩塊框架支撐片位于下層；在整流橋堆的俯視平面上，第一連接片與第一、第二二極管芯片的正極端固定連接；第二連接片與第三、第四二極管芯片的負(fù)極端固定連接；第一框架支撐片與第一二極管芯片的負(fù)極端和第四二極管芯片的正極端固定連接；第二框架支撐片與第二二極管芯片的負(fù)極端和第三二極管芯片的正極端固定連接；第一連接片上的引腳作為正極輸出端，第二連接片上的引腳作為負(fù)極輸出端，兩塊框架支撐片上的引腳作為交流輸入端。
專(zhuān)利摘要一種薄型焊接式整流橋堆，該整流橋堆的環(huán)氧封裝體內(nèi)部由兩塊連接片、四個(gè)二極管芯片和兩塊框架支撐片組成；在厚度方向上，連接片、二極管芯片、框架支撐片分別位于上、中、下三層；在俯視平面上，第一連接片與第一、第二二極管芯片的正極端固定連接；第二連接片與第三、第四二極管芯片的負(fù)極端固定連接；第一框架支撐片與第一二極管芯片的負(fù)極端和第四二極管芯片的正極端固定連接；第二框架支撐片與第二二極管芯片的負(fù)極端和第三二極管芯片的正極端固定連接；第一連接片上的引腳作為正極輸出端，第二連接片上的引腳作為負(fù)極輸出端，兩塊框架支撐片上的引腳作為交流輸入端。這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有效的降低了整流橋堆的厚度，解決了各部件定位難的問(wèn)題，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝。
文檔編號(hào)H02M7/219GK201181702SQ20082003473
公開(kāi)日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2008年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月18日
發(fā)明者周根明, 張洪海, 葛永明 申請(qǐng)人:蘇州固锝電子股份有限公司