專利名稱：帶有絕緣材料體的設(shè)備以及絕緣材料體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶有絕緣材料體的設(shè)備，所述設(shè)備具有沿軸向定向的導(dǎo)體容器， 且由至少一個基本上在周向上向軸向延伸的表面限定邊界。
背景技術(shù)：
此類設(shè)備例如從公開文獻DE19725311A1中已知。在所述文獻中示出了呈盤形絕 緣體形式的絕緣材料體，所述絕緣材料體關(guān)于導(dǎo)體容器的軸向具有基本上圓形的輪廓。多 個相互鄰接的基本上在周向方向上向軸向延伸的表面包圍絕緣材料體且限定其邊界。在圓 周上分布地布置了多個將圓形輪廓斷開的模制成型件。在絕緣材料體的位于模制成型件之間的區(qū)域內(nèi)，絕緣材料體可不具有絕緣作用， 因為相應(yīng)的絕緣材料在此不存在。因此，降低了所需的絕緣材料量。特別在將絕緣材料體 用作流體屏障以用于制造流體密封的通道時，需提供相應(yīng)的昂貴的密封裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題因此在于設(shè)計一種前述類型的設(shè)備，所述設(shè)備具有減少 的絕緣材料需求且可被簡化地用作流體屏障。根據(jù)本發(fā)明，此技術(shù)問題在前述類型的設(shè)備中通過如下方式解決，即使得盤形絕 緣體具有帶有進入口的凹部，其中，至少一個橫向于軸向延伸的限定了進入口的段開口到 表面內(nèi)。絕緣材料體優(yōu)選地用于將電導(dǎo)體相對于其他物體定位，其中絕緣材料體具有限制 了電導(dǎo)體和其它物體之間的電流路徑的擴展的高阻抗。例如，可使用具有導(dǎo)體容器的盤形 絕緣體作為絕緣材料體。導(dǎo)體容器在此定向為使得電導(dǎo)體可在軸向上貫穿絕緣材料體，其 中，絕緣材料體圍繞且包圍電導(dǎo)體。盤形絕緣體在此具有基本上盤形的結(jié)構(gòu)，其中，此盤形 絕緣體也可具有肋、彎曲、拱形、腹板式結(jié)構(gòu)等，由此改進絕緣材料體的電絕緣特性以及機 械特性。在周向上向軸向延伸的表面可例如此類形成圓柱體的外表面的一部分。此外，也 可提供另外的表面延伸，使得例如多個表面相互銜接或過渡，且在徑向方向上限定絕緣材 料體的邊界。表面可構(gòu)造為平的或彎曲的表面?；旧蠙M向于軸向定向的表面應(yīng)環(huán)繞絕緣 材料體布置。表面優(yōu)選在與軸向同軸的環(huán)繞軌道上延伸。在理想情況中，表面設(shè)計為繞軸 向環(huán)繞的封閉的圓形。通過在絕緣材料體內(nèi)提供凹部，可降低用于形成絕緣材料體的盤形結(jié)構(gòu)所需的絕 緣材料的量，而同時對于絕緣材料體的流體密封性無不利影響。在合適地引入并形成凹部 的情況下，一方面可形成質(zhì)量更小的、需要相應(yīng)地削減絕緣材料量的絕緣材料體；另一方面 雖然質(zhì)量減少了，但形成了機械上穩(wěn)定的絕緣材料體。因此，例如可能的是，在絕緣材料體的沿軸向延伸的俯視圖中形成近似環(huán)形的輪 廓，其中至少在其邊緣區(qū)域內(nèi)設(shè)有一個或多個環(huán)繞的表面。因此，可沿軸向例如在絕緣材料 體上布置密封裝置，以產(chǎn)生例如與壓縮氣體絕緣的電能傳輸裝置的封裝殼體的凸緣的流體密封連接。因此，可將絕緣材料體作為屏障安裝在封裝殼體上，且通過絕緣材料體防止流體 進入封裝殼體的內(nèi)部和相鄰空間之間。為此，優(yōu)選地建議使導(dǎo)體容器流體密封地圍繞被容 納的導(dǎo)體延伸。導(dǎo)體容器可呈通道狀地沿軸向延伸，且例如設(shè)計為旋轉(zhuǎn)對稱的。導(dǎo)體可齊 平地引入導(dǎo)體容器內(nèi)。根據(jù)需求，可另外建議設(shè)置沿軸向中斷絕緣材料體的若干凹部，從而 構(gòu)成使流體溢流出絕緣材料體的通道。此類通道也可另外地或唯一地提供在導(dǎo)體容器內(nèi)布 置的導(dǎo)體上。由此使得結(jié)構(gòu)上類似的絕緣材料體一方面作為流體密封的屏障安裝在封裝殼 體上，或者通過對相應(yīng)通道的簡易改造使不同空間的流體的連通能夠通過帶有絕緣材料體 的設(shè)備實現(xiàn)。 為保證絕緣材料體的盡可能對稱的構(gòu)造，至少一個壁應(yīng)保持在凹部上，所述壁具 有與在周向上延伸的表面的連接。進入口應(yīng)優(yōu)選地基本上徑向地向軸向延伸，以形成袋狀 凹部，所述凹部例如也可由其它部件填充。由此，更好地利用了為絕緣目的所需的空間，因 為在根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)造中，目前例如需布置在絕緣材料體附近的部件也可整合在絕緣材料 體自身內(nèi)。在使用帶有絕緣材料體(例如具有圓形的環(huán)繞結(jié)構(gòu))的設(shè)備的情況下，實現(xiàn)了 將端子或供電導(dǎo)線沿徑向(例如朝向布置在凹部內(nèi)的裝置)穿過環(huán)形環(huán)繞的結(jié)構(gòu)引入絕緣 材料體內(nèi)部內(nèi)的可能性，由此使橫向于軸向的表面仍可自由改造。因此，可以使必要時承受 流體的表面被設(shè)計為盡可能無干擾位置。因此，例如可建議使得帶有蓋式的絕緣材料體的 設(shè)備覆蓋封裝殼體的開口。在此，在封裝殼體的內(nèi)部內(nèi)可布置電絕緣氣體，例如六氟化硫 等。所述電絕緣氣體通常被施加以高壓以提高其電絕緣性。如果現(xiàn)在將凹部在絕緣材料體 上沿徑向定向，則橫向于軸向定向的表面就保持無凹部。但也可以建議使得凹部具有進入 口，所述進入口實現(xiàn)了向著軸向的徑向入口以及沿軸向的軸向入口。在此情況中，對于基本 上橫向于軸向定向的平面，僅形成沿軸向在凹部旁設(shè)置的壁，使得此壁無凹部的進入口。在 對置側(cè)沿軸向布置在凹部旁的壁在此情況中例如不完整地形成，使得此壁不開口到該表面 內(nèi)。由此也通過進入口實現(xiàn)了一種偏離于徑向的傾斜接近。如果設(shè)備以端蓋類型的絕緣 材料體(例如封裝殼體)封閉，則此凹部例如是有利的，以防止處于封裝殼體內(nèi)部的流體出 來。絕緣材料體的背對內(nèi)部的區(qū)域例如也可通過進入口的在絕緣材料體的側(cè)壁內(nèi)延伸的部 分從外部接近。因此，例如設(shè)在凹部內(nèi)的裝置也可在安裝狀態(tài)下操作、維護等。凹部和進入 口的開口區(qū)域一方面在基本上徑向地或偏斜地(windschief)定向的表面內(nèi)延伸，且另一 方面在基本上橫向于軸向定向的表面內(nèi)延伸。有利地，可進一步建議使得凹部由至少一個橫向于軸向延伸的平的壁限定邊界。相對于軸向在凹部的兩側(cè)的此類邊界限定使得一種預(yù)定的進入口得以形成，所述 進入口可以以簡單方式從徑向方向上接近。因此，在外部輪廓中，在軸向上的投影上不直接 可見凹部在絕緣材料體內(nèi)的存在。在此情況中，凹部在其開口區(qū)域內(nèi)在整個周長上由一個 或多個基本上在周向上環(huán)繞軸向的表面限定邊界。因此實現(xiàn)了在所述裝置安置在凹部內(nèi)的 情況下利用絕緣材料體的絕緣材料的絕緣特性的可能性。在有利的情況中，袋狀凹陷類型 的此凹部在徑向方向上關(guān)于軸向安裝在絕緣材料體內(nèi)。在此，可有利地建議使凹部基本上為狹縫形的。凹部的狹縫形構(gòu)造使絕緣材料體的扇形部分內(nèi)的可供使用的空間能夠得到有利 的利用。在此可建議使凹部例如具有弓形的延伸，從而提供相對較大體積的結(jié)構(gòu)空間，以將其它裝置定位在絕緣材料體內(nèi)。有利地可進一步建議使限定凹部邊界的壁彎曲。限定凹部邊界的壁可有利地具有彎曲。由此能夠根據(jù)導(dǎo)體容器的位置，在符合所 需的電絕緣距離的情況下，在絕緣材料體上提供盡可能大的用于凹部的體積。例如，可建議 使絕緣材料體具有圓形輪廓，其中凹部與導(dǎo)體容器同軸布置。但也可建議在圓形外輪廓內(nèi) 提供多個導(dǎo)體容器，使得多個導(dǎo)體可貫穿絕緣材料體。因此，例如可提供 布置在絕緣材料體 內(nèi)處于等邊三角形的頂點上的三個導(dǎo)體容器。通過對壁的彎曲，可進一步提供合適的容器， 以將相應(yīng)地鏡像對稱地形成的裝置定位在凹部內(nèi)。為此有利地建議使圓柱體外表面類型的壁向圓柱體軸線彎曲。圓柱體外表面類型的彎曲可有利地用于將例如屏蔽設(shè)備、天線或類似物定位在凹 部內(nèi)部。在此，相應(yīng)的裝置的彎曲與壁的彎曲相互符合，從而給出鏡像對稱的形式。由此保 證使裝置相對近地位于絕緣材料體的彎曲壁上，使得在裝置和導(dǎo)體容器內(nèi)的電導(dǎo)體之間以 絕緣材料體的絕緣材料填充盡可能大的部分。由此保證在裝置上給出預(yù)定的外圍環(huán)境。例 如，絕緣材料體的絕緣特性的邊界條件可與未定義的材料混合物相比簡化地確定。另外的有利的構(gòu)造可建議使彎曲的壁的圓柱體軸線基本上與軸向平行地走向。通過彎曲的壁的圓柱體軸線與軸向的基本上平行的布置，使帶有絕緣材料體的設(shè) 備能夠?qū)崿F(xiàn)對稱的結(jié)構(gòu)。通過對稱結(jié)構(gòu)，可將相對大的凹部布置在絕緣材料體內(nèi)，從而實現(xiàn) 對絕緣材料的材料節(jié)約，而并不明顯地影響絕緣材料體的機械穩(wěn)定性。有利地，可進一步建議使至少一個壁在凹部的底部區(qū)域內(nèi)具有底切。底切例如可用于將引入到凹部內(nèi)的裝置定位。有利地可建議使兩個相互對置的壁具有相互相反定向的凹部。因此，例如在被引 入到凹部內(nèi)的裝置的保持元件發(fā)生彈性變形的情況下，可進行該裝置的形狀配合定位。在此可有利地建議使凹部容納測量裝置。測量裝置例如可用于監(jiān)測待定位在導(dǎo)體容器內(nèi)的電導(dǎo)體的狀態(tài)。因此，測量裝置 例如可檢測電導(dǎo)體上的電壓或電流。有利地，例如可建議為電壓測量而在測量裝置的測量 表面上進行充電，從而例如可以定性或定量地估計出電導(dǎo)體上所施加的電壓。在此，有利地可建議使測量裝置具有圍繞軸向彎曲的測量表面。通過圍繞軸向彎曲的測量表面，可有利地使用為將測量表面容納在凹部內(nèi)而提供 的結(jié)構(gòu)空間。為了改善對于測量信號的估值，彎曲的測量表面應(yīng)布置在彎曲的壁上。由此， 例如基本上通過絕緣材料體的絕緣材料限定了布置在導(dǎo)體容器內(nèi)的電導(dǎo)體和測量表面之 間的電介質(zhì)。因此，測量裝置的環(huán)境可在長時期內(nèi)視作穩(wěn)定。另外的有利的構(gòu)造可建議在彎曲的壁和測量表面之間布置流體。將流體引入到布置在彎曲的壁和彎曲的測量表面之間的空間內(nèi)導(dǎo)致此區(qū)域的介 電穩(wěn)定。為此，測量表面可與彎曲的壁有距離地布置。測量表面和彎曲的壁的直接接觸具 有促進此區(qū)域內(nèi)的局部放電的風險。局部放電可不利地影響絕緣材料以及測量表面。本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題在于給出一種適于制造絕緣材料體的簡化方法，所 述絕緣材料體帶有在軸向上延伸的導(dǎo)體容器，且?guī)в性谠摻^緣材料體內(nèi)的凹部。目前用于制造絕緣材料體的方法建議例如通過切削加工實現(xiàn)絕緣材料體的最終 形狀。此類后處理是費時且昂貴的。因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是給出以降低的成本產(chǎn)生改進的設(shè)備的方法。
根據(jù)本發(fā)明，此技術(shù)問題在前述類型的方法中通過如下方式解決，即為形成凹部 而將測量裝置與絕緣材料體澆鑄在一起。將測量裝置與絕緣材料體澆鑄在一起給出了將測量裝置直接定位在絕緣材料體 上的可能性。在此，測量裝置的形狀用于在絕緣材料體內(nèi)引入凹部，即測量裝置至少部分地 用作絕緣材料體的鑄模，其中，在進行澆鑄后使此鑄模例如保留在絕緣材料體上。由此一方 面給出了測量裝置的簡單的定位，另一方面使測量裝置向絕緣材料體內(nèi)的引入可以盡可能 無干擾異物地進行。此外，可有利地建議在測量裝置處布置至少一個密封裝置，所述密封裝置防止了 流態(tài)的絕緣材料在背對測量表面的一側(cè)在測量裝置后方流動。密封裝置的使用允許在絕緣材料體上提供凹部，所述凹部具有基本上徑向地向軸 向延伸的進入口。密封裝置在此構(gòu)造為使得流態(tài)的絕緣材料在測量裝置后方的流動被阻 止，且因此在絕緣材料體內(nèi)形成了可從外部接近的袋。例如，環(huán)繞的密封圈適合于用作密封 裝置，所述密封圈一方面起到了密封作用，且另一方面在絕緣材料體硬化后保證了對測量 裝置的彈性支承。由于測量裝置的背對測量表面的一側(cè)至少部分地保持開放，所以，此外可 觸及測量裝置，且例如可進行對測量裝置的維護或安裝工作。如果在測量裝置的區(qū)域內(nèi)布 置相應(yīng)的分離裝置，則在絕緣材料體硬化完成后測量裝置可從絕緣材料體移除且必要時被 替換。


下文中將在附圖中示意性地示出本發(fā)明的實施例，且然后對其詳細描述。在此，各 圖為圖1示出了第一構(gòu)造變體中絕緣材料體的軸向俯視圖；圖2示出了第二構(gòu)造變體中絕緣材料體的軸向俯視圖；圖3示出了帶有凹部的第一構(gòu)造變體中通過絕緣材料體的截面；圖4示出了局部剖開的絕緣材料體的第三構(gòu)造變體；和圖5示出了沿圖4中標出的軸I-I的剖視圖。
具體實施例方式圖1中描繪了絕緣材料體的第一構(gòu)造變體la。第一構(gòu)造變體Ia具有圓形橫截面。 絕緣材料體的第一構(gòu)造變體Ia在此圍繞限定軸向的軸線2同軸地布置。軸線2在此垂直 于圖1圖面地向外指向。另外，絕緣材料體Ia的第一構(gòu)造變體Ia設(shè)有第一導(dǎo)體容器3a、第 二導(dǎo)體容器3b和第三導(dǎo)體容器3c。導(dǎo)體容器3a、3b、3c沿軸線2的方向完全貫穿絕緣材料 體的第一構(gòu)造變體la。導(dǎo)體容器3a、3b、3c基本上構(gòu)造為以旋轉(zhuǎn)對稱的走向完全貫穿絕緣 材料體的第一構(gòu)造變體Ia的凹部。在導(dǎo)體容器3a、3b、3c內(nèi)可安裝電導(dǎo)體。電導(dǎo)體應(yīng)優(yōu)選 地在導(dǎo)體容器3a、3b、3c內(nèi)流體密封地安裝。導(dǎo)體容器3a、3b、3c每個具有與軸線2相同的 徑向距離，且圍繞軸線2均勻分布地布置。絕緣材料體的第一構(gòu)造變體Ia在圖1中以截面形式示出。絕緣材料體的第一構(gòu)造 變體Ia在此具有基本上圓柱形的外輪廓，其中在保持圓形外周的同時，絕緣材料體的第一構(gòu)造變體Ia的表面也可設(shè)有肋、拱形等，且絕緣材料體自身也可設(shè)有拱形或類似的造型。 在周長上對稱地布置第一凹部4a、第二凹部4b以及第三凹部4c。凹部4a、4b、4c每個對稱 地布置在導(dǎo)體容器3a、3b、3c上方。在此，凹部4a、4b、4c的每個分別配設(shè)給導(dǎo)體容器3a、 3b、3c。凹部4a、4b、4c具有狹縫結(jié)構(gòu)，其中其進入口分別開口到環(huán)繞絕緣材料體的第一構(gòu) 造變體Ia的周長的表面內(nèi)。與圖面平行定向的限定了凹部4a、4b、4c邊界的壁具有平的結(jié) 構(gòu)。凹部4a、4b、4c的底部區(qū)域提供有拱形壁。在此，這些拱形的彎曲軸線平行于軸線2。 此外，凹部4a、4b、4c沿表面的環(huán)繞方向在端側(cè)限定邊界的壁具有底切5。此底切5加工在 絕緣材料體的第一構(gòu)造變體Ia內(nèi)在彎曲的底壁和與之垂直布置的端側(cè)壁之間的過渡內(nèi)。例如，樹脂或其他有機以及無機材料適于作為絕緣材料。圖2示出了絕緣材料體的第二構(gòu)造變體lb。與圖1所示的不同，絕緣材料體的第 二構(gòu)造變體Ib僅具有唯一的導(dǎo)體容器3d。唯一的導(dǎo)體容器3d以其圓形橫截面相對于軸線 2居中地布置。因為僅設(shè)有唯一的導(dǎo)體容器3d，所以絕緣材料體的第二構(gòu)造變體Ib也僅與 唯一的凹部4d相關(guān)。軸線2和唯一的凹部4d的底部區(qū)域的彎曲軸線全等地布置。另外的 結(jié)構(gòu)和作用方式對應(yīng)于圖1所示。 圖3示出了絕緣材料體的第一構(gòu)造變體Ia的第一凹部4a的一部分。在第一凹部 4a中安裝了測量裝置7。測量裝置7具有弓形延伸的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)緊靠第一凹部4a的底 壁。測量裝置7的弓形結(jié)構(gòu)在此基本上形成為中空圓柱體段的類型。在此，在前述情況中 測量裝置具有電絕緣的支承材料，所述支承材料在其朝向第一導(dǎo)體容器的一側(cè)上具有可充 電的測量表面。在測量裝置7以及第一凹部4a的相互面對的區(qū)域之間設(shè)有距離，由此形成 空腔6?？涨?可填充流體，例如填充以電絕緣的氣體。測量裝置7的端部插入到第一凹部 4a的底切5內(nèi)，使得測量裝置7在凹部4a內(nèi)的位置被固定。例如可建議將測量裝置7設(shè)計 為可彈性變形的，且測量裝置7通過彈性變形插入到凹部5內(nèi)。例如，硅樹脂可提供為可彈 性變形的支承材料，所述支承材料可提供有相應(yīng)的導(dǎo)電涂層以用于形成測量表面。絕緣材料體的第一構(gòu)造變體Ia的圓形結(jié)構(gòu)與包圍了絕緣材料體的第一構(gòu)造變體 Ia的環(huán)8相對應(yīng)。環(huán)8包圍了絕緣材料體的第一構(gòu)造變體la，且將其完全圍繞。通過該環(huán) 覆蓋了第一凹部4a的在徑向上朝向軸線2的進入口。因此，位于第一凹部4a內(nèi)的測量裝 置全面地被絕緣材料體Ia的壁以及環(huán)8限定邊界或覆蓋。環(huán)8另外具有通道9，用于測量 裝置 的連接導(dǎo)線10穿過所述通道9。為將測量裝置7定位，在測量裝置7的背對第一導(dǎo)體容器3a的一側(cè)上布置了密封 元件11a。所述密封元件Ila構(gòu)造為密封圈的形式，所述密封圈安放在測量裝置7的弓形部 分的體邊緣的區(qū)域內(nèi)。由此，一方面支持了測量裝置在第一凹部內(nèi)的定位，另一方面構(gòu)造了 相對于空腔6密封的測量裝置7上方的在測量裝置7和環(huán)8之間延伸的空間。因此可能使 例如測量裝置7以其朝向第一導(dǎo)體容器3a的部分以及空腔6暴露于例如一種另外的介質(zhì)， 作為在測量裝置7上方的在測量裝置和環(huán)8之間延伸的空間。因此，例如可以建議以高壓 力的電絕緣氣體填充空腔6，且將測量裝置7上方在測量裝置7和環(huán)8之間形成的空間例如 以環(huán)境空氣填充。根據(jù)圖3現(xiàn)在描述可如何在絕緣材料體的第一構(gòu)造變體Ia中實現(xiàn)第一凹部4a。為制造絕緣材料體的第一構(gòu)造變體la，首先準備鑄模。例如，環(huán)8可用作鑄模。然 后將測量裝置7相對于鑄模定位且優(yōu)選地為其提供密封元件11。在準備好了鑄模后，將流體形式的絕緣材料引入到鑄模內(nèi)。絕緣材料適應(yīng)鑄模且在鑄模處硬化。在絕緣材料硬化后可除去鑄模，其中，測量裝置7保持與絕緣材料連接。在澆鑄過程中，密封元件11用于防止 液體絕緣材料在測量裝置7的后方流動(hinterflieii en)?？山ㄗh，如在圖3的例子中所 示，使得鑄模另外作為環(huán)形框架與絕緣材料體保持連接。在澆鑄期間，此外形成導(dǎo)體容器 3a、3b、3c。在此可建議，使得在澆鑄期間通過形成導(dǎo)體容器3a、3b、3c而將電導(dǎo)體插入導(dǎo)體 容器3a、3b、3c內(nèi)。圖4和圖5示出了絕緣材料體的第三構(gòu)造變體Ic。在圖4中，絕緣材料體的第三 構(gòu)造變體Ic以截面方式示出。絕緣材料體的第三構(gòu)造變體Ic也具有基本上圓形的輪廓。 在邊緣區(qū)域內(nèi)，絕緣材料體的第三構(gòu)造變體Ic環(huán)繞地臺階狀下降。由此，在邊緣區(qū)域內(nèi)形 成圓形的環(huán)繞槽12a、12b，所述槽12a、12b例如用于引導(dǎo)框架。在圍繞軸線2的環(huán)繞地限定 了絕緣材料體的第三構(gòu)造變體Ic的邊界的表面13內(nèi)引入了凹部4e。如根據(jù)切開部分可 見，凹部具有進入口，所述進入口關(guān)于軸線2僅可從徑向方向接近。橫向于軸線2限定了凹 部4e邊界的壁在此形成為使得此壁相同地延伸直至表面13內(nèi)。因此，在絕緣材料體的第 三構(gòu)造變體Ic的盤形構(gòu)造的兩側(cè)給出了凹部的邊界。凹部4e在此具有狹縫結(jié)構(gòu)，使得在 絕緣材料體內(nèi)部形成一種可用于容納其他設(shè)備的袋。不過，作為替代，也可以建議使橫向于軸線2限定了凹部4e邊界的兩個壁中的僅 一個到達表面13，使得凹部4e的進入口的僅一部分開口在表面13內(nèi)。在側(cè)向壁相應(yīng)地縮 短時，因此也可實現(xiàn)對凹部4的進入口的至少部分的軸向接近。圖5在沿軸線I-I的截面內(nèi)示出了圖4所示絕緣材料體的第三構(gòu)造變體Ic的補 充?？蚣?a環(huán)繞軸線2安放在絕緣材料體的第三構(gòu)造變體Ic上。在此，框架8a由凹部 12a、12b引導(dǎo)?？蚣?a在徑向方向上覆蓋了凹部4e的進入口。凹部4e在軸向上由絕緣材 料體的第三構(gòu)造變體Ic的同樣的壁限定了兩側(cè)的邊界。進入口具有弓形彎曲，且開口到與 軸線2同軸地環(huán)繞的表面13內(nèi)。
權(quán)利要求
一種帶有絕緣材料體(1a、1b、1c)的設(shè)備，所述絕緣材料體具有在軸向(2)上定向的導(dǎo)體容器(3a、3b、3c、3d)且由至少一個基本上在周向上向軸向(2)延伸的表面(13)限定邊界，其特征在于，所述絕緣材料體(1a、1b、1c、1d)具有帶有進入口的凹部(4a、4b、4c、4d、4e)，其中，至少一個在周向上向軸向(2)延伸的限定了所述進入口邊界的段開口在所述表面(13)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述凹部(4a、4b、4C、4d、4e)由至少一個 橫向于軸向(2)延伸的平的壁限定邊界。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，所述凹部(4a、4b、4C、4d、4e)基本上 為狹縫形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，限定所述凹部(4a、4b、4c、 4d、4e)的壁是彎曲的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，形式為圓柱體外表面的所述壁向圓柱體 軸線彎曲。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，彎曲的壁的圓柱體軸線基本上平行于軸 向(2)走向。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，至少一個壁在所述凹部的底 部區(qū)域內(nèi)具有底切(5)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述凹部(4a、4b、4c、4d、 4e)容納有測量裝置(7)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述測量裝置(7)具有圍繞軸向⑵彎曲 的測量表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述測量表面與所述凹部(4a、4b、4c、 4d、4e)的彎曲的壁有距離地布置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述彎曲的壁和所述測量表面之間布置有流體。
12.一種用于制造絕緣材料體(la、lb、lc、Id)的方法，所述絕緣材料體(laUbUc)具 有在軸向(2)上延伸的導(dǎo)體容器(3a、3b、3c、3d)和凹部(4a、4b、4C、4d、4e)，其特征在于，為 形成所述凹部(4a、4b、4C、4d、4e)將所述測量裝置(7)與所述絕緣材料體(la、lb、lc、Id)澆鑄在一起。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述測量裝置(7)上布置有至少一個密 封裝置(11)，所述密封裝置(11)防止了流體絕緣材料在所述測量裝置(7)的背對測量表面 的一側(cè)在所述測量裝置(7)的后方流動。
全文摘要
一種絕緣材料體(1a、1b、1c、1d)，該絕緣材料體具有穿透絕緣材料體(1a、1b、1c、1d)的導(dǎo)體容器(3a、3b、3c、3d)。該絕緣材料體(1a、1b、1c、1d)由環(huán)繞表面(13)限定邊界。凹部(4a、4b、4c、4d、4e)在表面(13)內(nèi)開口。為形成凹部(4a、4b、4c、4d、4e)，將測量裝置(7)澆鑄在絕緣材料體(1a、1b、1c、1d)內(nèi)。
文檔編號H02G5/06GK101868896SQ200880116486
公開日2010年10月20日 申請日期2008年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日
發(fā)明者彼得·米萊斯基, 拉斯·赫爾維克, 斯蒂芬·莫勒, 曼弗雷德·梅恩赫茲 申請人:西門子公司