專利名稱：一種用于單片集成開關(guān)型調(diào)整器的軟啟動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)，特別是指一種用于單片集成開關(guān)型調(diào)整器的軟 啟動電^各。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的開關(guān)型調(diào)整器，如圖1所示的典型的升壓型變換器中，在啟動期間，
由于輸出電壓比較小，反饋端FB電壓比較低，而參考電壓已經(jīng)為正常值，誤 差放大器的輸出快速給補償電容C103充電，這可能會導(dǎo)致使輸入過載的浪涌， 或者在輸出端產(chǎn)生過高電壓。
如果利用軟啟動控制器使電容C上的電壓緩慢地上升，并限制輸送到輸 出電容C的能量，這個浪涌就可以避免。圖2描述了一種軟啟動裝置，在電 源上電階段，由于外接軟啟動電容C104的電容值比較大，從而使得SS端電 壓緩慢上升，這樣在誤差放大器的輸出端電壓也會緩慢上升。
發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題軟啟 動電路需要額外的電容器和額外的管腳，在引線數(shù)量有限的情形下不實用，且 由于電容器過大而不能封裝在單個集成電路內(nèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的目的是提供一種用于單片集成開關(guān)型調(diào)整器的軟啟動電 路，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中，軟啟動電路需要額外的電容器和額外的管腳，在引 線數(shù)量有限的情形下不實用，且由于電容器過大而不能封裝在單片集成電路內(nèi) 的缺陷。
基于上述原因，本發(fā)明實施例提供一種用于單片集成開關(guān)型調(diào)整器的軟啟 動電路，包括充電電流生成電路，內(nèi)置一偏置電流生成器， 一軟啟動電容， 一組電流鏡；用于在所述偏置電流生成器生成一第一電流IREF后，所述IREF通過一組所述電流鏡產(chǎn)生一充電電流ICSS，所述ICSS對所述軟啟動電容進(jìn)行 充電，在所述軟啟動電容上產(chǎn)生一電容電壓；軟啟動電壓生成電路，獲取所述 軟啟動電容提供的的所述電容電壓作為一軟啟動電壓SS并輸出；軟啟動控制 信號生成電路，內(nèi)置一比較器，所述比較器的輸入端分別輸入所述SS和一第 一基準(zhǔn)電壓VREF,所述比較器的輸出端作為所述軟啟動控制信號生成電路的 輸出端，根據(jù)所述SS和所述VREF之間的高低輸出一軟啟動控制信號 SS_signal;所述SS—signal用以在一第二基準(zhǔn)電壓VREF和所述SS之間選擇 兩者之一作為輸出電壓。
應(yīng)用本實施例提供的技術(shù)，由SS_signal控制所提供的輸出電壓，當(dāng)SS 小于等于第二基準(zhǔn)電壓VREF時，由處于緩慢上升狀態(tài)的SS作為所述輸出電 壓，當(dāng)SS大于第二基準(zhǔn)電壓VREF時，由第二基準(zhǔn)電壓VREF作為所述輸出 電壓，因此使誤差放大器在開關(guān)型調(diào)整器啟動時先響應(yīng)軟啟動電壓SS，而不 是先響應(yīng)第二基準(zhǔn)電壓，保證了使得接收SS脈沖寬度調(diào)制信號的占空比可以 從小到大的增力口，開關(guān)型調(diào)整器的輸出能夠?qū)崿F(xiàn)從軟啟動到正常工作狀態(tài)的平 穩(wěn)過渡，且不再需要外置的大容量軟啟動電容，減少了芯片管腳，降低了芯片
成本o


圖1為典型升壓型變換器結(jié)構(gòu)示意圖2為一種軟啟動裝置結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明實施例軟啟動電路結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明實施例軟啟動電路內(nèi)部元器件連接關(guān)系示意圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)特征和實施效果更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具 體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。
本發(fā)明提供的實施例中，提供一種用于單片集成開關(guān)型調(diào)整器的軟啟動電 路，如圖3所示，包括
充電電流生成電路301，內(nèi)置一偏置電流生成器405， 一軟啟動電容
6(CSS)401 ， 一組電流鏡；用于使所述偏置電流生成器405生成一第一電流IREF， 所述IREF通過一組所述電流鏡產(chǎn)生一充電電流ICSS，所述ICSS對所述軟啟 動電容401進(jìn)行充電，在所述軟啟動電容401上產(chǎn)生一電容電壓；
軟啟動電壓生成電路302，獲取所述軟啟動電容401提供的的所述電容電 壓作為一軟啟動電壓SS并輸出；
軟啟動控制信號生成電路303，內(nèi)置一比較器402,所述比較器402的輸 入端分別輸入所述SS和一第一基準(zhǔn)電壓VREF,所述比較器402的輸出端作 為所述軟啟動控制信號生成電路303的輸出端，根據(jù)所述SS和所述VREF之 間的高低輸出一 SS—signal;所述SS—signal用以在一第二基準(zhǔn)電壓VREF和所 述SS之間選擇兩者之一作為輸出電壓。其中，第一基準(zhǔn)電壓VREF和第二基 準(zhǔn)電壓VREF數(shù)值通常一致。
應(yīng)用本實施例提供的技術(shù)，由軟啟動電路輸出的SS—signal來控制開關(guān)型 調(diào)整器所需的輸出電壓，當(dāng)SS小于等于第二基準(zhǔn)電壓VREF時，由處于緩慢 上升狀態(tài)的SS作為所述輸出電壓，當(dāng)SS大于第二基準(zhǔn)電壓VREF時，由第 二基準(zhǔn)電壓VREF作為所述輸出電壓，因此使誤差放大器IOI在開關(guān)型調(diào)整器 啟動時先響應(yīng)軟啟動電壓SS，而不是先響應(yīng)第二基準(zhǔn)電壓，使得接收SS的脈 沖寬度調(diào)制器102的占空比可以從小到大的增力口，保證了開關(guān)型調(diào)整器的輸出 能夠?qū)崿F(xiàn)從軟啟動到正常工作狀態(tài)的平穩(wěn)過渡，且不再需要外置的大容量軟啟 動電容401，減少了芯片管腳，降低了芯片成本。
還包括
選擇器403,輸入端分別輸入所述SS—signal, —所述SS和所述第二基準(zhǔn) 電壓VREF;用于才艮據(jù)所述SS—signal,當(dāng)所述SS低于等于所述第二基準(zhǔn)電壓 VREF時，選擇所述SS作為所述輸出電壓；當(dāng)所述SS高于所述第二基準(zhǔn)電壓 VREF時，選擇所述第二基準(zhǔn)電壓VREF作為所述輸出電壓。
所述選擇器403的輸出端子與一誤差放大器101的同相輸入端連接；
所述誤差放大器101的反相輸入端接收一反饋電壓；
所述誤差放大器101放大所述反饋電壓與所述選擇器403輸出的所述輸出 電壓之間的差值，并輸出到一脈沖寬度調(diào)制器102。
在接下來的描述中，參考圖1和圖2中的元器件及其標(biāo)號，提供軟啟動電路中各個元器件的實例值，以使得技術(shù)人員能夠?qū)Ρ景l(fā)明實施例進(jìn)行透徹的理
解。如圖4所示，軟啟動電路中的充電電流生成電路301、軟啟動電壓生成電 路302、以及軟啟動控制信號生成電路303,其中
充電電流生成電路301，與一上拉電壓VDD連4矣，內(nèi)置一偏置電流生成 器405， 一軟啟動電容401, —組電流鏡，利用此一上拉電壓對軟啟動電容401 進(jìn)行充電，在所述軟啟動電容401上產(chǎn)生一電容電壓。
一組電流鏡包括了四個電流鏡，分別是晶體管MP1作為第一電流鏡， 晶體管MP2和晶體管MN1作為第二電流鏡，晶體管MP3作為第三電流鏡， 晶體管MN2鏡像第二電流鏡作為第四電流鏡。
第一電流鏡，包括一第一 P溝道場效應(yīng)晶體管MP1;用于提供所述第一 電流IREF;
第二電流鏡，與所述第一電流鏡連接，包括第一N溝道場效應(yīng)晶體管MN1 和第二P溝道場效應(yīng)晶體管MP2;用于接收所述第一電流IREF以提供一第二 電流，所述第二電流與所述第一電流相等；
第三電流鏡，與所述第 一 電流鏡和所述第二電流鏡連接，包括第三P溝道 場效應(yīng)晶體管MP3，用于提供一第三電流YxIREF;
第四電流鏡，與所述第二電流鏡連接，包括第二 N溝道場效應(yīng)晶體管 MN2;用于提供一第三電流XxIREF。其中第三電流鏡的放大倍數(shù)M=Y,因 此其電流為YxIREF,第四電流鏡的電流為XxIREF，則，給軟啟動電容401
y 一%
充電的電流值為^-"^U,由于要求丫>乂>>1，因此充電電流ICSS被遠(yuǎn)
遠(yuǎn)縮小，這樣對于一定的啟動時間，可以使用更小容量的電容作為軟啟動電容 401，從而節(jié)省芯片的面積，使原來由于軟啟動電容401太大而不能單片集成 而必須外接軟啟動電容401的軟啟動電路，采用本實施例:技術(shù)后可以完全集成 在單芯片上，減少了芯片管腳，P條低了芯片成本。
軟啟動電壓生成電^各302，包括第四P溝道場效應(yīng)晶體管MP4、第三N 溝道場效應(yīng)晶體管MN3和第四N溝道場效應(yīng)晶體管MN4;且第四P溝道場 效應(yīng)晶體管、第三N溝道場效應(yīng)晶體管和第四N溝道場效應(yīng)晶體管構(gòu)成一所 述電平移位器406，獲取所述軟啟動電容401的所述電容電壓作為一軟啟動電
8壓(SS, Soft Starting)并輸出。其中，
所述第一 N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子連接至所述第二電流鏡的漏極 端子，所述第一N溝道場效應(yīng)晶體管的柵極端子連接至所述第二 N溝道場效 應(yīng)晶體管的柵極端子，所述第一N溝道場效應(yīng)晶體管的柵極端子與自身的漏極 端子連接在一起；第一N溝道場效應(yīng)晶體管、第二N溝道場效應(yīng)晶體管的源 極端子均接地，由所述第二 N溝道場效應(yīng)晶體管提供所述第三電流X x IREF;
所述第二 N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子接至第三P溝道場效應(yīng)晶體管 的漏極端子，并4I:第三N溝道場效應(yīng)晶體管的柵極端子；
第四P溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子連接至第三N溝道場效應(yīng)晶體管的 柵極，第三N溝道場效應(yīng)晶體管的源極端子連接至一第一電阻RS1，所述第 一電阻的另外一端接第四N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子，第四P溝道場效 應(yīng)晶體管、第四N溝道場效應(yīng)晶體管的4冊極端子接至所述比4^器402的輸出 端。
軟啟動控制信號生成電路303,具體可以采用一比較器402，比較器402 的輸入端分別輸入SS和一基準(zhǔn)電壓VREF,并比較兩者之間的高低；比較器 402的輸出端作為軟啟動控制信號生成電路303的輸出端輸出一SS一signal。在 比較器402中如果SS高于VREF，比較器402的輸出端信號SS—signal變?yōu)?低電平，該低電平啟動一與所述2選1的選擇器403，此時選擇器403輸出基 準(zhǔn)電壓VREF;如果SS低于VREF,則選擇器403輸出SS。
最終，選擇器403的輸出端與一誤差放大器101的同相輸入端連接，其輸 出的電壓與誤差放大器101的反相輸入端所輸入的反饋電壓進(jìn)行比對，誤差放 大器101的輸出端連接一脈沖寬度調(diào)制器102。
進(jìn)一步地，當(dāng)SS高于VREF時，比較器402輸出的軟啟動控制信號 SS_signal由高變低，SS—signal通過連接至晶體管MP4的柵極端子，拉高軟啟 動電容401的電壓，鎖存SS_signal為^f氐電平。
一上拉電壓，與所述第一 P溝道場效應(yīng)晶體管的源極端子，第二 P溝道 場效應(yīng)晶體管的源極端子，第三P溝道場效應(yīng)晶體管的源極端子，第四P溝 道場效應(yīng)晶體管的源極端子，以及第三N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子連接。
所述內(nèi)置軟啟動電容401位于集成電路里面；軟啟動電容401的一端連接到所述第二N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極，另一端連接到所述第二N溝道場效 應(yīng)晶體管的柵極。
存在一個反饋電路404，其輸入端與誤差放大器101的輸出端子連接，為 實現(xiàn)反饋(FB, FeedBack)提供一反饋電壓，反饋電壓輸入誤差放大器101的反 相端，誤差放大器101的同相端連接選擇器403的輸出端，誤差放大器101 的輸出端子與一脈沖寬度調(diào)制器102的補償管腳COMP連接。選擇器403的 輸入包括SS—signal、軟啟動電壓SS、以及基準(zhǔn)電壓；其中SS—signal來自所 述調(diào)整器的輸出。
應(yīng)用本實施例提供的技術(shù)，使誤差放大器101在開關(guān)型調(diào)整器啟動時先響 應(yīng)軟啟動電壓SS,而不是先響應(yīng)基準(zhǔn)電壓，由于SS緩慢上升，使得接收SS 脈沖寬度調(diào)制信號的占空比可以從小到大的增力口，因此開關(guān)型調(diào)整器的輸出能 夠?qū)崿F(xiàn)從軟啟動到正常工作狀態(tài)的平穩(wěn)過渡，且不再需要外置的大容量軟啟動 電容401，減少了芯片管腳，降低了芯片成本。
上述描述了調(diào)整器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，其工作機(jī)制具體包括
步驟501.調(diào)整器啟動，在充電電流生成電路301中，其內(nèi)部的偏置電流 生成器405生成一偏置電流IREF，IREF通過一組電流鏡產(chǎn)生一充電電流ICSS。
步驟502.隨著軟啟動電容401上的電容電壓緩慢增加，在軟啟動電壓生 成電路302中，同時把軟啟動電容401的電容電壓通過一電平移位器406生成 一軟啟動電壓SS輸出。
該電平移位器406由MN3、 RS1、 MN4組成，其中MN4的柵極接收軟啟 動控制信號生成電路303輸出的SS—signal。
步驟503.軟啟動控制信號生成電路303接收來自軟啟動電壓生成電路 302的SS,比較之后輸出一 SS—signal。
軟啟動電壓生成電路302具體可以采用 一比較器402，比較器402的輸入 端分別輸入SS和一基準(zhǔn)電壓VREF,并比較兩者之間的高低；比較器402的 輸出端作為軟啟動控制信號生成電路303的輸出端輸出一 SS一signal。
如果SS高于VREF,比較器402的輸出端信號SS—signal變?yōu)榈碗娖?，?低電平啟動一選擇器403，此時選擇器403輸出VREF;由于SS—signal連接 至晶體管MP4的柵極端子，因此此時拉高軟啟動電容401的電壓，并鎖存SS—signal為^f氐電平。
如果SS低于VREF,則選擇器403輸出SS。
步驟504. SS—signal通過控制選擇器403來結(jié)束軟啟動過程，并進(jìn)入正常 的開關(guān)型調(diào)整器的過程。
本發(fā)明實施例詳細(xì)描述了一種應(yīng)用于調(diào)整器的軟啟動電路，通過所述軟啟 動以檢測軟啟動電壓，使誤差放大器101在開關(guān)型調(diào)整器啟動時先響應(yīng)軟啟動 電壓，而不是先響應(yīng)基準(zhǔn)電壓，從而實現(xiàn)軟啟動以及調(diào)整器從軟啟動到正常工 作的平穩(wěn)過渡。
本發(fā)明的實施例具有以下有益效果，使誤差放大器101在開關(guān)型調(diào)整器啟 動時先響應(yīng)軟啟動電壓SS,而不是先響應(yīng)基準(zhǔn)電壓，由于SS緩慢上升，使得 接收SS脈沖寬度調(diào)制信號的占空比可以從小到大的增加，因此開關(guān)型調(diào)整器 的輸出能夠?qū)崿F(xiàn)從軟啟動到正常工作狀態(tài)的平穩(wěn)過渡，且不再需要外置的大容 量軟啟動電容401,減少了芯片管腳，降低了芯片成本。
應(yīng)當(dāng)說明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，即使在缺少一個或多個特定細(xì) 節(jié)或者與其它方法、元件、材料等結(jié)合的情況下，本發(fā)明也可以被實現(xiàn)。以上 實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，所有的參數(shù)取值可以根據(jù)實際 情況調(diào)整，且在該權(quán)利保護(hù)范圍內(nèi)。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對 本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神范 圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種用于單片集成開關(guān)型調(diào)整器的軟啟動電路，其特征在于，包括充電電流生成電路，內(nèi)置一偏置電流生成器，一軟啟動電容，一組電流鏡；用于在所述偏置電流生成器生成一第一電流IREF后，所述IREF通過一組所述電流鏡產(chǎn)生一充電電流ICSS，所述ICSS對所述軟啟動電容進(jìn)行充電，在所述軟啟動電容上產(chǎn)生一電容電壓；軟啟動電壓生成電路，獲取所述軟啟動電容提供的的所述電容電壓作為一軟啟動電壓SS并輸出；軟啟動控制信號生成電路，內(nèi)置一比較器，所述比較器的輸入端分別輸入所述SS和一第一基準(zhǔn)電壓VREF，所述比較器的輸出端作為所述軟啟動控制信號生成電路的輸出端，根據(jù)所述SS和所述VREF之間的高低輸出一軟啟動控制信號SS_signal；所述SS_signal用以在一第二基準(zhǔn)電壓VREF和所述SS之間選擇兩者之一作為輸出電壓。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的軟啟動電路，其特征在于，還包括選擇器，輸入端分別輸入所述SS_signal，所述SS和所述第二基準(zhǔn)電壓 VREF;用于根據(jù)所述SS—signal，當(dāng)所述SS低于等于所述第二基準(zhǔn)電壓VREF 時，選擇所述SS作為所述輸出電壓；當(dāng)所述SS高于所述第二基準(zhǔn)電壓VREF 時，選擇所述第二基準(zhǔn)電壓VREF作為所述輸出電壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的軟啟動電路，其特征在于，所述選擇器的輸出 端子與一誤差放大器的同相輸入端連接；所述誤差放大器的反相輸入端接收一反饋電壓；所述誤差放大器，用于放大所述反饋電壓與所述選擇器輸出的所述輸出電 壓之間的差值，將所述差值放大后輸出到一脈沖寬度調(diào)制器。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的軟啟動電路，其特征在于，還包括 所述誤差放大器的輸出端接至一補償電容。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟啟動電路，其特征在于，所述充電電流生成 電路中的 一組電流鏡還包括第一電流鏡，包括一第一 P溝道場效應(yīng)晶體管；用于提供所述第一電流IREFj第二電流鏡，與所述第一電流鏡連接，包括第一 N溝道場效應(yīng)晶體管和 第二 P溝道場效應(yīng)晶體管；用于接收所述第一電流IREF以提供一第二電流， 所述第二電流與所述第 一 電流相等；第三電流鏡，與所述第 一 電流鏡和所述第二電流鏡連接，包括第三P溝道 場效應(yīng)晶體管，用于提供一第三電流YxlREF;第四電流鏡，與所述第二電流鏡連接，包括第二 N溝道場效應(yīng)晶體管； 用于提供一第三電流X x IREF;所述軟啟動電壓生成電路包括第四P溝道場效應(yīng)晶體管、第三N溝道 場效應(yīng)晶體管和第四N溝道場效應(yīng)晶體管；其中，所述第一 N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子連接至所述第二電流鏡的漏極 端子，所述第一N溝道場效應(yīng)晶體管的柵極端子連接至所述第二 N溝道場效 應(yīng)晶體管的柵極端子，所述第一N溝道場效應(yīng)晶體管的柵極端子與自身的漏極 端子連接在一起；第一N溝道場效應(yīng)晶體管、第二N溝道場效應(yīng)晶體管的源 極端子均接地，由所述第二 N溝道場效應(yīng)晶體管提供所述第三電流X x IREF;所述第二 N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子接至第三P溝道場效應(yīng)晶體管 的漏極端子，并接第三N溝道場效應(yīng)晶體管的柵極端子；第四P溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子連接至第三N溝道場效應(yīng)晶體管的 柵極；第三N溝道場效應(yīng)晶體管的源極端子連接至第一電阻，所述第一電阻 的另外一端接第四N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子，第四P溝道場效應(yīng)晶體 管、第四N溝道場效應(yīng)晶體管的柵極端子接至所述比較器的輸出端。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的軟啟動電路，其特征在于，還包括 一上拉電壓，與所述第一 P溝道場效應(yīng)晶體管的源極端子，第二 P溝道場效應(yīng)晶體管的源極端子，第三P溝道場效應(yīng)晶體管的源極端子，第四P溝 道場效應(yīng)晶體管的源極端子，以及第三N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極端子連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的軟啟動電路，其特征在于，所述X、 Y之間滿 足關(guān)系Y>X 1。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的軟啟動電路，其特征在于，還包括所述軟啟動電容器的一端連4妄到所述第二 N溝道場效應(yīng)晶體管的漏極， 另 一端連接到所述第二 N溝道場效應(yīng)晶體管的柵極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的軟啟動電路，其特征在于，還包括 內(nèi)置的軟啟動電容位于集成電路里面。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的軟啟動電路，其特征在于，還包括與一 所述反饋電壓接至誤差放大器的反相端子，所述選擇器的輸出端連接至誤差放大器的同相端子。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于單片集成開關(guān)型調(diào)整器的軟啟動電路，包括充電電流生成電路，內(nèi)置偏置電流生成器，軟啟動電容，一組電流鏡；用于在偏置電流生成器生成第一電流IREF后，IREF通過一組電流鏡產(chǎn)生充電電流ICSS，ICSS對軟啟動電容進(jìn)行充電，在軟啟動電容上產(chǎn)生電容電壓；軟啟動電壓生成電路，獲取電容電壓作為軟啟動電壓SS并輸出；軟啟動控制信號生成電路，內(nèi)置比較器的輸入端分別輸入SS和第一基準(zhǔn)電壓VREF，根據(jù)SS和VREF之間的高低輸出軟啟動控制信號SS_signal用以在第二基準(zhǔn)電壓VREF和SS之間選擇兩者之一作為輸出電壓。應(yīng)用本實施例提供的技術(shù)，保證開關(guān)型調(diào)整器的輸出實現(xiàn)從軟啟動到正常工作狀態(tài)的平穩(wěn)過渡，不再需要外置的大容量軟啟動電容，減少芯片管腳和成本。
文檔編號H02M1/00GK101562394SQ200910004529
公開日2009年10月21日 申請日期2009年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月6日
發(fā)明者夏云凱, 浩 鄭, 晗 雷 申請人:西安民展微電子有限公司