專利名稱：一種非隔離型直流變換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非隔離型直流變換器，輸出短路保護(hù)電路，特別涉及一種 帶有輸出短路保護(hù)電路的非隔離型直流變換器。
背景技術(shù)：
由于非隔離直流變換器要求體積越來越小，功率密度越來越大，因此對(duì)輸出 短路保護(hù)的要求越來越高，在輸出短路的情況下要求變換器的內(nèi)部損耗更小。這 就需要增加外圍電路來實(shí)現(xiàn)直流變換器的輸出短路保護(hù)。目前實(shí)現(xiàn)這種功能的電 路的某些方案已經(jīng)比較成熟，但其缺點(diǎn)是外圍元件比較多，同時(shí)增加了開發(fā)成本。 而且，對(duì)于小體積的電源變換器來說無疑會(huì)大大增加了開發(fā)設(shè)計(jì)的難度。
通常的短路保護(hù)電路是在功率主回路上檢測(cè)電流，當(dāng)短路發(fā)生時(shí)，主回路的 電流一定會(huì)增大，當(dāng)電流增大到一定程度時(shí)，認(rèn)定短路發(fā)生，則觸發(fā)保護(hù)。而為 了實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)自動(dòng)恢復(fù)，則需要不斷地啟動(dòng)電路來"試驗(yàn)"短路情況是否取消， 如果短路情況取消了，則重新啟動(dòng)電路成功；如果短路情況仍然存在，則電路的 電流則還會(huì)增大到認(rèn)定短路發(fā)生的強(qiáng)度，再次觸發(fā)短路保護(hù)。這種保護(hù)模式俗稱 "打嗝"保護(hù)模式，其電路復(fù)雜，且持續(xù)短路發(fā)生時(shí)功率損耗較大。
在現(xiàn)有的非隔離直流變換器中，在其反饋驅(qū)動(dòng)回路中設(shè)有PWM (脈沖寬度調(diào) 制)控制模塊，通過PWM芯片控制驅(qū)動(dòng)的變換器的工作?，F(xiàn)有通用的帶使能端的 P麵(脈沖寬度調(diào)制)芯片的內(nèi)部功能框圖，如圖1所示。通過兩個(gè)分壓電阻對(duì) 變換器輸出電壓Vo采樣得到反饋電壓FB，反饋電壓FB輸入芯片內(nèi)部用于負(fù)反 饋的運(yùn)放，和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后，從運(yùn)放輸出端Comp腳輸出一個(gè)信號(hào)。Comp 腳通常引出到芯片外，可以用于連接各種補(bǔ)償環(huán)節(jié)。Comp腳的輸出信號(hào)再輸入 一個(gè)比較器的負(fù)端，與比較器正端的內(nèi)部或外部斜坡信號(hào)比較后得到方波信號(hào)輸 出至驅(qū)動(dòng)電路，最后通過驅(qū)動(dòng)電路后被引出到芯片外作驅(qū)動(dòng)控制。另外，PWM芯 片具有一個(gè)使能端，其通過外部高低電平的輸入來控制芯片是否輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)， 間接控制了被該P(yáng)WM芯片控制的變換器的工作與否。圖1所示PWM芯片的使能端 是采用控制驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)的，也有的是采用控制比較器或者控制運(yùn)放實(shí)現(xiàn)?？傊?， 能夠?qū)崿F(xiàn)關(guān)閉芯片驅(qū)動(dòng)輸出的任何地方都可以設(shè)置成為使能端。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種非隔離型直流變換器，其短路保護(hù)電路外圍元件 多，持續(xù)短路發(fā)生時(shí)功率損耗小。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明可通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)， 一種非隔離型直流變 換器，其反饋控制驅(qū)動(dòng)回路中設(shè)有PWM控制模塊，其特征在于，還包含有輸出 短路保護(hù)電路，所述保護(hù)電路的輸入端與非隔離型直流變換器的輸出電壓端連 接，保護(hù)電路的輸出端連接PWM控制模塊中的運(yùn)放輸出端Comp腳或觸發(fā)使能 端EN腳；所述PWM控制模塊的電壓采樣輸入端與非隔離型直流變換器的輸出 電壓端連接，PWM控制模塊的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端與非隔離DC/DC變換器的 驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端連接。當(dāng)輸出短路時(shí)，輸出電壓被拉低到零，保護(hù)電路檢測(cè)到這 個(gè)變化，則通過拉低PWM芯片運(yùn)放輸出端Comp腳或觸發(fā)使能端EN腳,使PWM 芯片停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，達(dá)到短路保護(hù)的功能。
所述保護(hù)電路包含PNP型晶體管Q1，電阻R1，環(huán)路補(bǔ)償電容C1;所述運(yùn) 放輸出端Comp腳通過所述電阻Rl連接到所述晶體管Ql的發(fā)射極，所述晶體 管Q1的基極直接連接變換器的輸出電壓端，所述晶體管Q1的集電極接地，所 述環(huán)路補(bǔ)償電容C1并聯(lián)到所述晶體管Q1的集電極和發(fā)射極兩端。
所述保護(hù)電路包含電阻Rl，電容C1， 二極管D1;所述運(yùn)放輸出端Comp
腳通過所述電阻R1連接到所述二極管D1的陽(yáng)極，所述二極管D1的陰極與變
換器的輸出電壓端連接，所述電容C1連接在地和二極管陽(yáng)極之間。
所述保護(hù)電路包括電阻R1，電阻R5，環(huán)路補(bǔ)償電容C1，充電電容C2， 二
極管Dl以及MOSFET管Q3;所述運(yùn)放輸出端Comp腳通過所述電阻Rl串聯(lián)
所述電容Cl后連接到地;所述二極管Dl的陽(yáng)極連接在所述電阻Rl與所述電容
Cl之間，所述二極管D1陰極與變換器的輸出電壓端相連；輸出端通過所述電
阻R5串聯(lián)所述電容C2后連接到地；所述MOSFETQ3的柵極連接到所述電阻
R5與所述電容C2之間，MOSFETQ3的源極與變換器的輸出電壓端相連，
MOSFETQ3的漏極與使能端EN腳相連。
所述保護(hù)電路包括電阻R6，電阻R5，環(huán)路補(bǔ)償電容C1，充電電容C2， 二
極管Dl以及MOSFET管Q3;所述使能端EN引腳通過所述電阻R6串聯(lián)所述
電容Cl后連接到地；所述二極管Dl的陽(yáng)極連接在所述電阻R6與所述電容Cl
之間，所述二極管D1陰極與變換器的輸出電壓端相連；變換器的輸出電壓端輸出端通過所述電阻R5串聯(lián)所述電容C2后連接到地；所述MOSFETQ3的柵極連 接到所述電阻R5與所述電容C2之間，MOSFETQ3的源極與變換器的輸出電壓 端相連，MOSFETQ3的漏極與使能端EN腳相連。
本發(fā)明還可以通過以下的技術(shù)措施來實(shí)現(xiàn)， 一種非隔離型直流變換器，其反 饋控制驅(qū)動(dòng)回路中設(shè)有PWM控制模塊，其特征在于，還包含有保護(hù)電路和PWM 控制模塊，所述保護(hù)電路連接于PWM控制模塊中的運(yùn)放輸出端Comp腳與觸發(fā) 使能端EN腳之間；所述PWM控制模塊的電壓采樣輸入端與非隔離型直流變換 器的輸出電壓端連接，PWM控制模塊的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端與非隔離DC/DC 變換器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端連接。
所述保護(hù)電路包含分壓電阻R3，電阻R4以及NPN型晶體管Q2;所述運(yùn)放 輸出端Comp腳通過電阻R3串聯(lián)電阻R4后連接到地；所述晶體管Q2基極連 接到所述電阻R3與所述電阻R4之間，所述晶體管Q2集電極與所述PWM芯片 的使能端EN腳連接，所述晶體管Q2發(fā)射極直接連接到地。
本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)帶"打嗝"保護(hù)模式的變換器具有以下優(yōu)點(diǎn)-
1. 不需要電流采樣電路，提高了電路正常工作時(shí)的效率；
2. 采用的保護(hù)電路組成的元器件少，電路簡(jiǎn)單靈活；
3. 由于短路保護(hù)發(fā)生時(shí)，功率變換器并不工作，所以持續(xù)短路發(fā)生時(shí)幾乎 沒有短路功耗。
圖1為現(xiàn)有通用PWM模塊的內(nèi)部原理框圖； 圖2為本發(fā)明變換器工作框圖； 圖3為本發(fā)明中保護(hù)電路實(shí)施例一電路原理圖； 圖4為本發(fā)明中保護(hù)電路實(shí)施例二電路原理圖； 圖5為本發(fā)明中保護(hù)電路實(shí)施例三電路原理圖； 圖6為本發(fā)明中保護(hù)電路實(shí)施例四電路原理圖； 圖7為本發(fā)明中保護(hù)電路實(shí)施例五電路原理圖。
具體實(shí)施例方式
6下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述的一種非隔離型直流變換器的輸出短路 保護(hù)電路進(jìn)一步加以闡述。
如圖2所示，非隔離型直流變換器的輸出端設(shè)置輸出短路保護(hù)電路，保護(hù)電 路連接到其反饋控制驅(qū)動(dòng)回路中的PWM控制模塊。保護(hù)電路的輸入端與非隔離 型直流變換器的輸出電壓端連接，保護(hù)電路的輸出端連接PWM控制模塊中的運(yùn) 放輸出端Comp腳或觸發(fā)使能端EN腳；PWM控制模塊的電壓采樣輸入端與非 隔離型直流變換器的輸出電壓端連接，PWM控制模塊的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端與 非隔離DC/DC變換器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端連接。當(dāng)輸出短路時(shí)，輸出電壓被拉低 到零，保護(hù)電路檢測(cè)到這個(gè)變化，則通過拉低PWM芯片運(yùn)放輸出端Comp腳或 觸發(fā)使能端EN腳，使PWM芯片停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，達(dá)到短路保護(hù)的功能。
如圖3所示，發(fā)明中保護(hù)電路實(shí)施例一電路原理圖，保護(hù)電路包含PNP型 晶體管Q1，電阻R1，環(huán)路補(bǔ)償電容C1;所述運(yùn)放輸出端Comp腳通過所述電 阻Rl連接到所述晶體管Ql的發(fā)射極，所述晶體管Ql的基極直接連接變換器 的輸出電壓端，所述晶體管Q1的集電極接地，所述環(huán)路補(bǔ)償電容C1并聯(lián)到所 述晶體管Q1的集電極和發(fā)射極兩端。
常用的PWM芯片內(nèi)包括有分壓電阻Rsensel和Rsense2，運(yùn)算放大器OP，
比較器CP，驅(qū)動(dòng)電路。通過兩個(gè)分壓電阻Rsensel和Rsense2對(duì)輸出電壓Vo采 樣得到反饋電壓，反饋電壓輸入內(nèi)部用于負(fù)反饋的運(yùn)放，和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后， 從運(yùn)放輸出端Comp腳輸出一個(gè)信號(hào)。Comp腳的輸出信號(hào)一方面再輸入一個(gè)比 較器的正端，與比較器負(fù)端的內(nèi)部或外部斜坡信號(hào)比較后得到方波信號(hào)輸出至驅(qū) 動(dòng)電路，最后通過驅(qū)動(dòng)電路后被引出到芯片外。
變換器正常輸出時(shí)，其變換器輸出端的電壓較高，晶體管Ql發(fā)射極反偏， 不導(dǎo)通。當(dāng)變換器輸出端出現(xiàn)短路時(shí)，輸出端電壓變?yōu)榱悖淳w管Ql基極電 壓變?yōu)榱?，而Comp腳的輸出電壓通過電阻Rl提供給晶體管Q1的發(fā)射極電壓， 因此晶體管Ql導(dǎo)通，從而將Comp腳的電壓拉低至使PWM芯片停止輸出驅(qū)動(dòng) 信號(hào)，達(dá)到短路保護(hù)的功能。
如圖4所示本發(fā)明實(shí)施例二電路原理圖與圖3所示本發(fā)明實(shí)施例一電路原理 圖基本相同，不同之處在于實(shí)施例一中通過使晶體管Q1導(dǎo)通來將Comp腳的電 壓拉低至使PWM芯片停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而實(shí)施例二中是采用二極管Dl替換晶體管Q1來實(shí)現(xiàn)相同功能。該保護(hù)電路包含電阻R1，電容C1， 二極管D1;所
述運(yùn)放輸出端Comp腳通過所述電阻Rl連接到所述二極管Dl的陽(yáng)極，所述二 極管Dl的陰極與變換器的輸出電壓端連接，所述電容CI并聯(lián)在地和二極管陽(yáng) 極兩端。
模塊正常輸出時(shí)，輸出端的電壓較高，二極管D1反向截止，不導(dǎo)通。當(dāng)輸 出端出現(xiàn)短路時(shí)，輸出端電壓變?yōu)榱悖苟O管D1導(dǎo)通，以此拉低Comp腳電 壓，使PWM芯片停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，達(dá)到短路保護(hù)的功能。
如圖5所示本發(fā)明實(shí)施例三電路原理圖中，保護(hù)電路連接于PWM芯片的運(yùn) 放輸出端Comp腳與使能端EN之間，保護(hù)電路包含分壓電阻R3，電阻R4以及 NPN型晶體管Q2;所述運(yùn)放輸出端Comp腳通過電阻R3串聯(lián)電阻R4后連接到 地；所述晶體管Q2基極連接到所述電阻R3與所述電阻R4之間，所述晶體管 Q2集電極與所述PWM芯片的使能端EN腳連接，所述晶體管Q2發(fā)射極直接連 接到地。。
模塊正常輸出時(shí)，通過對(duì)分壓電阻R3、 R4大小的設(shè)置，使此時(shí)電阻R4上 的電壓小于晶體管Q2的導(dǎo)通電壓，晶體管Q2不導(dǎo)通。當(dāng)輸出端出現(xiàn)短路時(shí)， 輸出端電壓變?yōu)榱?，Comp腳的輸出電壓達(dá)到最大值，電阻R4上電壓也相對(duì)升 高，只要電阻R3、 R4大小選擇合適，就能使此時(shí)電阻R4上電壓高于晶體管Q2 的導(dǎo)通電壓，使晶體管Q2導(dǎo)通，以此拉低使能端EN，使PWM芯片停止輸出 驅(qū)動(dòng)信號(hào)，達(dá)到短路保護(hù)的功能。
如圖6所示本發(fā)明實(shí)施例四電路原理圖中，保護(hù)電路包括電阻R1，電阻R5， 環(huán)路補(bǔ)償電容C1，充電電容C2， 二極管D1以及MOSFET管Q3;所述運(yùn)放輸 出端Comp腳通過所述電阻Rl串聯(lián)所述電容Cl后連接到地；所述二極管Dl 的陽(yáng)極連接在所述電阻R1與所述電容C1之間，所述二極管D1陰極與變換器的 輸出電壓端相連；輸出端通過所述電阻R5串聯(lián)所述電容C2后連接到地；所述 MOSFETQ3的柵極連接到所述電阻R5與所述電容C2之間，MOSFETQ3的源 極與變換器的輸出電壓端相連，MOSFETQ3的漏極與使能端EN腳相連。
模塊正常輸出時(shí)，輸出電壓通過電阻R5為電容C2充電，使電容C2上的電 壓大小為輸出端電壓大??；并且由于輸出端的電壓較高，二極管D1反向截止，不導(dǎo)通。當(dāng)輸出端出現(xiàn)短路時(shí)，輸出端電壓變?yōu)榱悖碝OSFET管Q3柵極電 壓變?yōu)榱?，而C2上的電壓為MOSFET管Q3提供柵極電壓，因此MOSFET管 Q3導(dǎo)通，拉低使能端EN，快速使PWM芯片停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。同時(shí)，二極管 Dl因?yàn)檩敵鲭妷鹤優(yōu)榱愣驅(qū)?，以此拉低Comp腳電壓，使PWM芯片持 續(xù)停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。因此，采用此實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)快速及持續(xù)短路保護(hù)。
如圖7所示本發(fā)明實(shí)施例五電路原理圖與圖6所示本發(fā)明實(shí)施例四電路原理 圖基本相同，不同之處在于實(shí)施例四中通過使二極管D1導(dǎo)通來將Comp腳的電 壓拉低，使PWM芯片持續(xù)停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而實(shí)施例五中是通過使二極管 Dl導(dǎo)通來將使能端EN腳拉低來實(shí)現(xiàn)相同功能。而要實(shí)現(xiàn)此功能，只需將實(shí)施 例五中運(yùn)放輸出端Comp腳通過電阻Rl串聯(lián)電容Cl后連接到地更換為使能端 EN腳通過R6串聯(lián)Cl后連接到地，其余連接方式及元器件均不做變化。
模塊正常輸出時(shí)，輸出電壓通過電阻R5為電容C2充電，使電容C2上的電 壓大小為輸出端電壓大小；并且由于輸出端的電壓較高，二極管D1反向截止， 不導(dǎo)通。當(dāng)輸出端出現(xiàn)短路時(shí)，輸出端電壓變?yōu)榱悖碝OSFET管Q3柵極電 壓變?yōu)榱?，而電容C2上的電壓為MOSFET管Q3提供柵極電壓，因此MOSFET 管Q3導(dǎo)通，拉低使能端EN，快速使PWM芯片停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。同時(shí)，二 極管D1因?yàn)檩敵鲭妷鹤優(yōu)榱愣驅(qū)?，以此拉低EN腳電壓，使PWM芯片 持續(xù)停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。因此，采用此實(shí)施例同樣可實(shí)現(xiàn)快速及持續(xù)短路保護(hù)。
由于應(yīng)用的對(duì)象是非隔離DC/DC變換器，PWM芯片可以和輸出共地，因 此本發(fā)明提出的這種保護(hù)方案可以有很多種靈活的實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的上述內(nèi) 容，按照本領(lǐng)域的普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，在不脫離本發(fā)明上述基本技術(shù)思想 前提下，本發(fā)明還可以做出其它多種形式的等效修改、替換或變更，均可實(shí)現(xiàn)本 發(fā)明目的。
權(quán)利要求
1、一種非隔離型直流變換器，其反饋控制驅(qū)動(dòng)回路中設(shè)有PWM控制模塊，其特征在于，還包含有輸出短路保護(hù)電路，所述保護(hù)電路的輸入端與非隔離型直流變換器的輸出電壓端連接，保護(hù)電路的輸出端連接PWM控制模塊中的運(yùn)放輸出端Comp腳或觸發(fā)使能端EN腳；所述PWM控制模塊的電壓采樣輸入端與非隔離型直流變換器的輸出電壓端連接，PWM控制模塊的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端與非隔離DC/DC變換器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端連接；當(dāng)輸出短路時(shí)，輸出電壓被拉低到零，保護(hù)電路通過拉低PWM芯片運(yùn)放輸出端Comp腳或觸發(fā)使能端EN腳，使PWM芯片停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，達(dá)到短路保護(hù)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非隔離型直流變換器，其特征在于所述保護(hù)電路 包含PNP型晶體管Q1，電阻Rl,環(huán)路補(bǔ)償電容C1;所述運(yùn)放輸出端Comp腳 通過所述電阻Rl連接到所述晶體管Ql的發(fā)射極，所述晶體管Ql的基極直接 連接變換器的輸出電壓端，所述晶體管Ql的集電極接地，所述環(huán)路補(bǔ)償電容 CI并聯(lián)到所述晶體管Ql的集電極和發(fā)射極兩端。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非隔離型直流變換器，其特征在于所述保護(hù)電路 包含電阻R1，電容C1， 二極管D1;所述運(yùn)放輸出端Comp腳通過所述電阻Rl 連接到所述二極管D1的陽(yáng)極，所述二極管D1的陰極與變換器的輸出電壓端連 接，所述電容Cl連接在地和二極管陽(yáng)極之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非隔離型直流變換器，其特征在于所述保護(hù)電路 包括電阻Rl ，電阻R5，環(huán)路補(bǔ)償電容CI ，充電電容C2， 二極管Dl以及MOSFET 管Q3;所述運(yùn)放輸出端Comp腳通過所述電阻Rl串聯(lián)所述電容C1后連接到地； 所述二極管Dl的陽(yáng)極連接在所述電阻Rl與所述電容CI之間，所述二極管Dl 陰極與變換器的輸出電壓端相連；輸出端通過所述電阻R5串聯(lián)所述電容C2后 連接到地；所述MOSFETQ3的柵極連接到所述電阻R5與所述電容C2之間， MOSFETQ3的源極與變換器的輸出電壓端相連，MOSFETQ3的漏極與使能端 EN腳相連。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非隔離型直流變換器，其特征在于所述保護(hù)電路 包括電阻R6，電阻R5,環(huán)路補(bǔ)償電容Cl，充電電容C2， 二極管Dl以及MOSFET 管Q3;所述使能端EN引腳通過所述電阻R6串聯(lián)所述電容CI后連接到地；所 述二極管Dl的陽(yáng)極連接在所述電阻R6與所述電容CI之間，所述二極管Dl陰極與變換器的輸出電壓端相連；變換器的輸出電壓端輸出端通過所述電阻R5串 聯(lián)所述電容C2后連接到地；所述MOSFETQ3的柵極連接到所述電阻R5與所述 電容C2之間，MOSFETQ3的源極與變換器的輸出電壓端相連，MOSFETQ3的 漏極與使能端EN腳相連。
6、 一種非隔離型直流變換器，其反饋控制驅(qū)動(dòng)回路中設(shè)有PWM控制模塊， 其特征在于，還包含有保護(hù)電路和PWM控制模塊，所述保護(hù)電路連接于PWM 控制模< 塊中的運(yùn)放輸出端Comp腳與觸發(fā)使能端EN腳之間；所述PWM控制模 塊的電壓采樣輸入端與非隔離型直流變換器的輸出電壓端連接，PWM控制模塊 的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端與非隔離DC/DC變換器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端連接。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的非隔離型直流變換器，其特征在于所述保護(hù)電路 包含分壓電阻R3，電阻R4以及NPN型晶體管Q2;所述運(yùn)放輸出端Comp腳通 過電阻R3串聯(lián)電阻R4后連接到地；所述晶體管Q2基極連接到所述電阻R3 與所述電阻R4之間，所述晶體管Q2集電極與所述PWM芯片的使能端EN腳 連接，所述晶體管Q2發(fā)射極直接連接到地。
全文摘要
本發(fā)明公開一種非隔離型直流變換器，其反饋控制驅(qū)動(dòng)回路中設(shè)有PWM控制模塊，還包含有輸出短路保護(hù)電路，所述保護(hù)電路的輸入端與非隔離型直流變換器的輸出電壓端連接，保護(hù)電路的輸出端連接PWM控制模塊中的運(yùn)放輸出端Comp腳或觸發(fā)使能端EN腳；所述PWM控制模塊的電壓采樣輸入端與非隔離型直流變換器的輸出電壓端連接，PWM控制模塊的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端與非隔離DC/DC變換器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端連接。當(dāng)輸出短路時(shí)，輸出電壓被拉低到零，保護(hù)電路檢測(cè)到這個(gè)變化，則通過拉低PWM芯片運(yùn)放輸出端Comp腳或觸發(fā)使能端EN腳，使PWM芯片停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，達(dá)到短路保護(hù)的功能。
文檔編號(hào)H02M3/00GK101674005SQ200910042349
公開日2010年3月17日 申請(qǐng)日期2009年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月1日
發(fā)明者周耀彬, 黃江劍, 晟 龔 申請(qǐng)人:廣州金升陽(yáng)科技有限公司