專利名稱：一種電能芯片發(fā)電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種利用電能芯片發(fā)電的電能芯片發(fā)電裝置。
背景技術(shù)：
目前利用電能芯片發(fā)電的技術(shù)已經(jīng)比較成熟，被廣泛運(yùn)用于各領(lǐng)域，電能芯片的 N、P電極固定連接于陶瓷片的平面上，特別是廣泛應(yīng)用在制冷片上。隨著能源的緊缺，電能 芯片用于太陽(yáng)能發(fā)電成為研究的重點(diǎn)，但是由于現(xiàn)有的電能芯片為平面結(jié)構(gòu)，和真空超導(dǎo) 熱管在結(jié)構(gòu)上的不匹配，在利用真空超導(dǎo)熱管所聚集的熱能發(fā)電時(shí)，電能芯片只能連接在 真空超導(dǎo)熱管的外部，導(dǎo)致在發(fā)電的過(guò)程中，熱能損失較大，且不能充分運(yùn)用熱能，使得這 些成熟的技術(shù)不能在利用超導(dǎo)熱管收集太陽(yáng)能、或者是生活、工業(yè)的熱源用于發(fā)電中發(fā)揮 應(yīng)有的作用。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的旨在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)新穎、簡(jiǎn)單，熱損失
小，可在發(fā)電的同時(shí)加熱熱水，并能應(yīng)用于多熱源發(fā)電量的電能芯片發(fā)電裝置。 本實(shí)用新型所述的電能芯片發(fā)電裝置，由超導(dǎo)熱管和電能芯片發(fā)電頭構(gòu)成，電能
芯片發(fā)電頭與真空超導(dǎo)熱管的管頭套接，外殼、內(nèi)殼和電能芯片構(gòu)成電能芯片發(fā)電頭，電能
芯片為圓弧形，位于外殼和內(nèi)殼封閉而成的真空腔內(nèi)。 所述的電能芯片的N、P電極組成的電能芯片與玻璃片或陶瓷片固定連接。 所述的電能芯片發(fā)電頭外殼的大小與真空超導(dǎo)熱管的外管外壁一致。 本實(shí)用新型所述的電能芯片發(fā)電裝置，至少一個(gè)以上的電能芯片發(fā)電頭并聯(lián)，并
位于供水管道內(nèi)。 本實(shí)用新型所述的電能芯片發(fā)電裝置，玻璃真空超導(dǎo)熱管的外管內(nèi)壁涂附有反光 涂層。 本實(shí)用新型所述的電能芯片發(fā)電裝置，將電能芯片由直板形改變?yōu)閳A弧形，直接 真空套在真空超導(dǎo)熱管的頂端，使得超導(dǎo)熱管導(dǎo)出的熱能直接就轉(zhuǎn)換成電能，電能芯片發(fā)
電頭位于供水管道內(nèi)，當(dāng)電能芯片發(fā)電時(shí)所產(chǎn)生的溫差而釋放的熱量就可以直接加供水管 道中的水，為用戶提供熱水，電能芯片的N、 P電極組成的電能芯片與玻璃片或陶瓷片固定
連接，其連接方式可采用現(xiàn)有較成熟的技術(shù)即可。為了加強(qiáng)真空超導(dǎo)熱管聚熱的能力，真空 超導(dǎo)熱管的外管內(nèi)壁采用凹形，其凹鏡的聚焦點(diǎn)調(diào)節(jié)在真空超導(dǎo)熱管的內(nèi)管中，內(nèi)管中的 介質(zhì)熱敏較高，使真空超導(dǎo)熱管的聚熱溫度提高至270度以上，以滿足電能芯片的發(fā)電需 求，真空超導(dǎo)熱管的外管外壁與電能芯片發(fā)電頭的外殼形成大小一樣，使得超導(dǎo)熱管與套 接的電能芯片渾然一體。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、新穎，發(fā)電效果好，可充分利用熱源，在用水 降低電能芯片溫度實(shí)現(xiàn)溫差發(fā)電的同時(shí)還可加熱熱水，除采用太陽(yáng)能熱源外，工業(yè)熱源、生 活熱源等多種熱源，均可適用降溫冷卻水。
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本實(shí)用新型截面結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3為本實(shí)用新型使用狀態(tài)示意圖。 圖4為本實(shí)用新型與供水管道連接示意圖。 圖中，1-外殼，2-內(nèi)殼，3-電能芯片，4-管頭，5-真空超導(dǎo)熱管。6-供水管道。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明，但不限于實(shí)施例。 實(shí)施例1 本實(shí)用新型所述的電能芯片發(fā)電裝置，由超導(dǎo)熱管和電能芯片發(fā)電頭構(gòu)成，電能 芯片發(fā)電頭與真空超導(dǎo)熱管5的管頭4套接，外殼1、內(nèi)殼2和電能芯片3構(gòu)成電能芯片發(fā) 電頭，電能芯片3為圓弧形，位于外殼1和內(nèi)殼2封閉而成的真空腔內(nèi)，外殼1的大小與真 空超導(dǎo)熱管5的外壁一致。所述的電能芯片的N、P電節(jié)與玻璃片固定連接。 實(shí)施例2 本實(shí)用新型所述的電能芯片發(fā)電裝置，由環(huán)狀金屬套陶瓷和環(huán)狀電能芯片構(gòu)成， 利用工業(yè)余熱管道發(fā)電，其電能芯片降溫還可產(chǎn)生熱水。 實(shí)施例3 本實(shí)用新型所述的電能芯片發(fā)電裝置，真空超導(dǎo)熱管5的外管內(nèi)壁涂附有反光涂
層，其余同實(shí)施例1。 實(shí)施例4 如圖4所示，真空超導(dǎo)熱管5的端頭套接有電能芯片發(fā)電頭，電能芯片發(fā)電頭位于 供水管道6內(nèi)，其余同實(shí)施例2。
權(quán)利要求一種電能芯片發(fā)電裝置，由真空超導(dǎo)熱管和電能芯片發(fā)電頭構(gòu)成，電能芯片發(fā)電頭與真空超導(dǎo)熱管的管頭套接，外殼、內(nèi)殼和電能芯片構(gòu)成電能芯片發(fā)電頭，其特征在于，電能芯片為至少兩塊，每塊電能芯片與電能芯片發(fā)電頭的內(nèi)殼有一個(gè)觸點(diǎn)，每?jī)蓧K電能芯片之間有一個(gè)接觸點(diǎn)形成串連，串連的電能芯片的兩端有限位裝置，電能芯片位于外殼和內(nèi)殼封閉而成的真空腔內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電能芯片發(fā)電裝置，其特征在于，所述的電能芯片發(fā)電頭外 殼的大小與真空超導(dǎo)熱管的外管外壁一致。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電能芯片發(fā)電裝置，其特征在于，至少一個(gè)以上的電能芯 片發(fā)電頭并聯(lián)，并位于供水管道內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電能芯片發(fā)電裝置，其特征在于，所述的電能芯片發(fā)電裝 置，真空超導(dǎo)熱管的外管內(nèi)壁為凹鏡。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電能芯片發(fā)電裝置，其特征在于，所述的電能芯片發(fā)電裝置， 真空超導(dǎo)熱管的外管內(nèi)壁為凹鏡。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電能芯片發(fā)電裝置，其特征在于，所述的限位裝置由平板和 連接在平板上的彈簧構(gòu)成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電能芯片發(fā)電裝置，其特征在于，所述的限位裝置由平板和 連接在平板上的圓管構(gòu)成。
專利摘要一種電能芯片發(fā)電裝置涉及一種利用電能芯片發(fā)電的電能芯片發(fā)電裝置，本實(shí)用新型由超導(dǎo)熱管和電能芯片發(fā)電頭構(gòu)成，電能芯片發(fā)電頭與真空超導(dǎo)熱管的管頭套接，外殼、內(nèi)殼和電能芯片構(gòu)成電能芯片發(fā)電頭，電能芯片為圓弧形，位于外殼和內(nèi)殼封閉而成的真空腔內(nèi)。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、新穎，發(fā)電效果好，可充分利用熱源，在降低電能芯片溫度實(shí)現(xiàn)溫差發(fā)電的同時(shí)還可加熱熱水，并可采用太陽(yáng)能熱源、工業(yè)熱源、生活熱源等多種熱源，適用范圍廣。
文檔編號(hào)H02N11/00GK201541216SQ20092011167
公開(kāi)日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2009年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月15日
發(fā)明者周雁冰, 李澤明 申請(qǐng)人:李澤明