專利名稱：混合整流電路的有源吸收的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及混合整流電路的有源吸收電路。
背景技術(shù)：
如圖1所示，其是一種現(xiàn)有橋式混合整流電路，這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的副邊功率管電壓 應(yīng)力是比較高的。傳統(tǒng)的方式就是通過(guò)RC無(wú)源吸收電路降低電壓應(yīng)力，但是，這種方式，能
量基本上被消耗掉，降低了整機(jī)效率，且電阻的功耗很大。 副邊功率管的電壓應(yīng)力主要產(chǎn)生原因?yàn)樽儔浩髀└心芰拷o功率管結(jié)電容充電，且 和結(jié)電容諧振產(chǎn)生較高的應(yīng)力。傳統(tǒng)的吸收電路為RC吸收，吸收效果如圖2所示，但應(yīng)力 還是很高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有整流技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，提供一種混合 整流電路的有源吸收電路，其可以將功率管電壓應(yīng)力大大降低，且將吸收的能量回饋，損耗 很小，可明顯提高效率。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案 —種混合整流電路的有源吸收，該電路的原邊為普通全橋、半橋或推挽整流電路，
副邊為同步整流與二極管整流混合使用，所述的輸出側(cè)還外接有一有源吸收電路。 上述的輸出側(cè)包括兩個(gè)N溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，位于橋式整流電路
的下端，兩個(gè)二極管，位于橋式整流電路的上端。 上述的有源吸收電路包含電容、二極管和場(chǎng)效應(yīng)管，電容與場(chǎng)效應(yīng)管漏極相連，二 極管并聯(lián)在場(chǎng)效應(yīng)管兩端。 上述的場(chǎng)效應(yīng)管為P溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。 采用上述技術(shù)方案后，由于本實(shí)用新型的橋式整流電路的副邊下管為MOS管，減 小了導(dǎo)通損耗。另外，增加了有源吸收電路后，漏感能量首先通過(guò)二極管D3給電容C1充電， 由于二極管的單向?qū)щ娦?，漏感的能量大部分被吸收電容給吸收，且很難產(chǎn)生振蕩，漏感只 能和結(jié)電容產(chǎn)生輕微振蕩，電壓應(yīng)力明顯降低。電容C1吸收能量后，在原邊功率管Q1、Q3開(kāi) 通的周期內(nèi)Cl能量即通過(guò)Q7回饋，由于電容上電壓波動(dòng)很小，消耗在Q7上的能量就很小。 當(dāng)原邊功率管關(guān)斷，副邊功率管續(xù)流期間，Q7關(guān)閉，Cl上的能量維持不變。因此，與習(xí)用相 比，本新型可以將功率管電壓應(yīng)力大大降低，且將能量回饋，損耗很小，可明顯提高效率。

圖1是現(xiàn)有橋式混合整流RC吸收電路圖； 圖2是加RC吸收電路的副邊功率二極管兩端電壓波形圖； 圖3是本實(shí)用新型混合整流電路的有源吸收?qǐng)D； 圖4是原副邊同步整流管的驅(qū)動(dòng)電壓波形圖；[0015] 圖5是加有源吸收電路的副邊功率二極管兩端電壓波形圖； 圖6是副邊有源吸收電容兩端電壓波形圖。
具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。 配合圖3所示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種混合整流電路的有源吸收，其輸入側(cè)為全 橋整流電路，其輸出側(cè)為二極管與場(chǎng)效應(yīng)管混合橋式整流電路，輸出側(cè)還外接有一有源吸 收電路。其中 上述的輸出側(cè)包括兩個(gè)N溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管Q5、 Q6，位于橋式整 流電路的下端，兩個(gè)二極管D1、D2，位于橋式整流電路的上端。 上述的有源吸收電路包含電容Cl、二極管D3和場(chǎng)效應(yīng)管Q7，電容Cl與場(chǎng)效應(yīng)管
Q7的漏極相連，二極管D3并聯(lián)在場(chǎng)效應(yīng)管Q7的兩端。 上述的場(chǎng)效應(yīng)管Q7為P溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。 如圖4可以看出，由于本新型混合整流電路的副邊下管為M0S管，減小了導(dǎo)通損耗。 如圖5所示，本新型采用有源吸收電路，功率管的電壓應(yīng)力則降低很多。 使用時(shí)，當(dāng)原邊功率電路中Q1、Q3開(kāi)通時(shí)，Q5、D2導(dǎo)通，Q6、D1關(guān)斷，其兩端承受高
壓。由于有漏感存在，Q6、D1電壓應(yīng)力高于正常工作的平臺(tái)電壓。增加有源吸收電路后，漏
感能量首先通過(guò)二極管D3給電容C1充電，由于二極管的單向?qū)щ娦?，漏感的能量大部分?br> 吸收電容給吸收，且很難產(chǎn)生振蕩，漏感只能和結(jié)電容產(chǎn)生輕微振蕩，電壓應(yīng)力明顯降低。
Q7開(kāi)通時(shí)序見(jiàn)圖3，電容Cl吸收能量后，在原邊功率管Q1、Q3開(kāi)通的周期內(nèi)Cl能量即通過(guò)
Q7回饋，電容上波形圖見(jiàn)圖6。由于電容上電壓波動(dòng)很小，消耗在Q7上的能量就很小。當(dāng)
原邊功率管關(guān)斷，副邊功率管續(xù)流期間，Q7關(guān)閉，Cl上的能量維持不變。 以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不
局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到
的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該
以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求一種混合整流電路的有源吸收，該電路的原邊為普通全橋、半橋或推挽整流電路，副邊為同步整流與二極管整流混合使用，其特征在于所述的輸出側(cè)還外接有一有源吸收電路。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合整流電路的有源吸收，其特征在于所述的輸出側(cè)包括 兩個(gè)N溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，位于橋式整流電路的下端，兩個(gè)二極管，位于橋 式整流電路的上端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合整流電路的有源吸收，其特征在于所述的有源吸 收電路包含電容、二極管和場(chǎng)效應(yīng)管，二極管并聯(lián)在場(chǎng)效應(yīng)管兩端，電容與場(chǎng)效應(yīng)管的漏極 相連。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的混合整流電路的有源吸收，其特征在于所述的場(chǎng)效應(yīng)管為P 溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種混合整流電路的有源吸收，該電路的原邊為普通全橋、半橋或推挽整流電路，副邊為同步整流與二極管整流混合使用，在副邊整流電路上加有源吸收電路，這種方式對(duì)副邊功率管的應(yīng)力進(jìn)行了有效吸收，且提高了效率。橋式混合整流電路有效的降低了功率管的電壓等級(jí)，防止能量的雙向流動(dòng)，提高了系統(tǒng)的可靠性。有源吸收電路首先將副邊的漏感能量通過(guò)二極管和電容吸收，然后通過(guò)MOS管將能量回饋，基本上達(dá)到無(wú)損吸收的效果，降低了功率管的電壓應(yīng)力。
文檔編號(hào)H02M3/315GK201490879SQ200920134800
公開(kāi)日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2009年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月18日
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