專利名稱：一種低壓無功補(bǔ)償智能電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電子領(lǐng)域，特別是涉及一種成本低、適合于室內(nèi)外集中補(bǔ)償，利于
日后擴(kuò)容改造的一種低壓無功補(bǔ)償智能模塊。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的低壓無功補(bǔ)償設(shè)備采用分散元器件組裝的成套裝置體積龐大，往往高達(dá)數(shù) 米，非常笨重，而且內(nèi)部接線復(fù)雜，功耗大，安裝接線耗時(shí)費(fèi)力，維護(hù)不便；更大的缺陷在于 運(yùn)輸不便、成本高、只適合于室內(nèi)集中補(bǔ)償，不利于日后擴(kuò)容改造等問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種成本低、適合于室內(nèi)外集中補(bǔ)償，利于日后擴(kuò)容改造的一 種低壓無功補(bǔ)償智能模塊。 為了解決以上技術(shù)問題，本實(shí)用新型的一種低壓無功補(bǔ)償智能電容，包括控制模 塊和開關(guān)電路模塊和電容模塊，其特征在于所述控制模塊和開關(guān)電路模塊和電容模塊依 次連接，并通過斷路器模塊接入電網(wǎng)，形成一個(gè)整體。 所述控制模塊由測量單元、通信單元、控制單元、顯示單元等組成，測量單元測量 的數(shù)據(jù)送入控制單元，控制單元通過運(yùn)算把數(shù)據(jù)送入顯示單元，通信單元接入控制單元。 所述開關(guān)電路模塊由可控硅、磁保持繼電器、過零檢測觸發(fā)電路、可控硅RC保護(hù) 電路構(gòu)成；可控硅與磁保持繼電器并聯(lián)，過零檢測觸發(fā)電路接入可控硅控制電路，可控硅 RC保護(hù)電路跟可控硅串聯(lián)。 所述的電容模塊為三相共補(bǔ)的三角型模塊電容或三相分布的"Y"型電容。 所述開關(guān)電路模塊為晶閘管開關(guān)電路模塊。 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于采用控制模塊和開關(guān)電路模塊和電容模塊依次連接，并 通過斷路器模塊接入電網(wǎng)，形成一個(gè)整體。此結(jié)構(gòu)的電容補(bǔ)償效果更好、體積更小、功耗更 低、散熱更好、節(jié)約資源更多、使用更加靈活方便、可靠性更高的特點(diǎn)，適應(yīng)了電網(wǎng)對無功補(bǔ) 償?shù)母咭蟆?br>
圖1為本實(shí)用新型的外形結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本實(shí)用新型的無功補(bǔ)償裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型 如圖1所示，本實(shí)用新型一種低壓無功補(bǔ)償智能電容，其包括控制模塊2和開關(guān)電 路模塊1和電容模塊3依次連接，通過斷路器模塊4接入電網(wǎng)，以上四個(gè)部分形成一個(gè)整 體。所述的電容模塊3為三相共補(bǔ)的三角型模塊電容或三相分布的"Y"型電容。[0014] 如圖2所示，本實(shí)用新型中所述控制模塊2由測量單元5、通信單元6、控制單元7、 顯示單元8組成；所述控制單元7分別與測量單元5、顯示單元8和通信單元6連接，測量 單元5從電網(wǎng)上獲取電壓、電流、有功、無功等數(shù)值經(jīng)過計(jì)算變換后送入控制模塊2，控制模 塊2根據(jù)各參數(shù)進(jìn)行控制開關(guān)電路控制電容的投切?？刂茊卧?把各參數(shù)在顯示單元8上 顯示?？刂茊卧?還把自己運(yùn)行數(shù)據(jù)和設(shè)置參數(shù)通過通信單元6傳遞給外界，同時(shí)外界通 過通信單元6把各指令送入控制單元7。各臺(tái)低壓無功補(bǔ)償智能電容通過通信單元6進(jìn)行 通信，方便擴(kuò)容。 開關(guān)電路模塊1為晶閘管開關(guān)電路模塊，由可控硅9、磁保持繼電器10、過零檢測 觸發(fā)電路11、可控硅RC保護(hù)電路12構(gòu)成；可控硅9與磁保持繼電器10并聯(lián)，過零檢測觸 發(fā)電路11接入可控硅控制電路，可控硅RC保護(hù)電路12跟可控硅9串聯(lián)。當(dāng)開關(guān)電路模塊 1接受到控制系統(tǒng)的投切指令，受到指令后能根據(jù)過零檢測觸發(fā)電路11檢測電網(wǎng)和電容端 參數(shù)值，分別動(dòng)作可控硅9、磁保持繼電器IO從而投入或切除電容。在投區(qū)切過程中，控制 電路檢測整個(gè)開關(guān)是否存在故障，動(dòng)作后整個(gè)電網(wǎng)是否出現(xiàn)缺相，越限等問題，如出現(xiàn)將采 取何種方法進(jìn)行保護(hù)。電容模塊3接入開關(guān)電路模塊1。整個(gè)設(shè)備通過斷路器模塊4和電 網(wǎng)相連接，斷路器模塊主要保護(hù)設(shè)備出現(xiàn)過流、過壓等現(xiàn)像的出現(xiàn)。
權(quán)利要求一種低壓無功補(bǔ)償智能電容，包括控制模塊和開關(guān)電路模塊和電容模塊，其特征在于所述控制模塊和開關(guān)電路模塊和電容模塊依次連接，并通過斷路器模塊接入電網(wǎng)，形成一個(gè)整體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低壓無功補(bǔ)償智能電容，其特征在于所述控制模塊由 測量單元、通信單元、控制單元、顯示單元組成；所述控制單元分別與測量單元、顯示單元和 通信單元連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低壓無功補(bǔ)償智能電容，其特征在于所述開關(guān)電路模 塊由可控硅、磁保持繼電器、過零檢測觸發(fā)電路、可控硅RC保護(hù)電路構(gòu)成；所述可控硅與磁 保持繼電器并聯(lián)，過零檢測觸發(fā)電路接入可控硅控制電路，可控硅RC保護(hù)電路跟可控硅串 聯(lián)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低壓無功補(bǔ)償智能電容，其特征在于所述的電容模塊 為三相共補(bǔ)的三角型模塊電容或三相分布的"Y"型電容。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低壓無功補(bǔ)償智能電容，其特征在于所述開關(guān)電路模 塊為晶閘管開關(guān)電路模塊。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種低壓無功補(bǔ)償智能電容，包括控制模塊和開關(guān)電路模塊和電容模塊，所述控制模塊和開關(guān)電路模塊和電容模塊依次連接，并通過斷路器模塊接入電網(wǎng)，形成一個(gè)整體。采用此結(jié)構(gòu)后，電容的補(bǔ)償效果更好、體積更小、功耗更低、散熱更好、節(jié)約資源更多、使用更加靈活方便、可靠性更高的特點(diǎn)，適應(yīng)了電網(wǎng)對無功補(bǔ)償?shù)母咭蟆?br> 文檔編號H02J3/18GK201515228SQ20092014552
公開日2010年6月23日 申請日期2009年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月11日
發(fā)明者奚昊, 梁興法, 殷曉華, 葛東柳, 葛海平 申請人:南通赤那思電力設(shè)備有限公司