專利名稱：交流/直流開(kāi)關(guān)電源的脈寬調(diào)制控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于模擬集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種交流/直流開(kāi)關(guān)電源的脈寬調(diào)制 (P麗，Pulse Width Modulation)控制電路。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，開(kāi)關(guān)電源的功率開(kāi)關(guān)管連接變壓器，在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)會(huì)出現(xiàn)較大的 浪涌電壓，如果功率開(kāi)關(guān)器件選擇不當(dāng)，不僅轉(zhuǎn)換效率較低，而且會(huì)出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，造成電 源失效。 開(kāi)關(guān)電源中常用的有源功率器件主要有雙極型晶體管(BJT)、金屬氧化物功率場(chǎng) 效應(yīng)管(MOSFET)、隔離柵雙極型晶體管(IBGT)和可控硅管(SCR)等，如果僅從成本以及耐 壓方面考慮多選BJT功率晶體管。但是BJT同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)，BJT從飽和區(qū)向截止區(qū) 轉(zhuǎn)換時(shí)，由于基區(qū)存儲(chǔ)效應(yīng)使功率雙極晶體管的關(guān)斷速度較慢；其次BJT是電流驅(qū)動(dòng)型，且 在輸出大電流時(shí)的放大倍數(shù)較小，需要較大的基極驅(qū)動(dòng)電流，而當(dāng)今使用的驅(qū)動(dòng)電路大多 固定驅(qū)動(dòng)電流，造成輸出功率變化時(shí)效率降低；同時(shí)，BJT存在二次擊穿的可能，因此安全 工作范圍縮小?，F(xiàn)在的AC/DC開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)器都采用較大啟動(dòng)電阻，啟動(dòng)電流在微安級(jí)，因 此啟動(dòng)較慢。 因此，有必要采用一種新的結(jié)構(gòu)來(lái)克服BJT功率晶體管的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種交流/直流開(kāi)關(guān)電源的脈寬調(diào)制控
制電路，可以有效提高驅(qū)動(dòng)電流和響應(yīng)速度，同時(shí)可有效提高功率NPN晶體管的耐壓。 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種交流/直流開(kāi)關(guān)電源的脈寬調(diào)制控制電路，
包括斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路、用于輸出功率的功率NPN晶體管和輸出電流檢測(cè)電路，其中 所述斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路，用于采樣所述功率NPN晶體管的輸出電流，并根據(jù)所述
功率NPN晶體管的輸出電流產(chǎn)生所述功率NPN晶體管的基極驅(qū)動(dòng)電流； 所述輸出電流檢測(cè)電路，用于檢測(cè)所述功率NPN晶體管的發(fā)射極電流。 優(yōu)選的，所述脈寬調(diào)制控制電路還包括啟動(dòng)電路，用于提供所述脈寬調(diào)制控制電
路的啟動(dòng)電流。 優(yōu)選的，所述斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流與所述功率NPN晶體管的發(fā)射極電流 成正比。 優(yōu)選的，所述斜坡電流產(chǎn)生電路包括雙極型晶體管Ql、雙極型晶體管Q2、雙極型 晶體管Q3、雙極型晶體管Q4、雙極型晶體管Q5、雙極型晶體管Q6、雙極型晶體管Q7、電阻 R1、電阻R2、電阻R3、電流源Il和反相器INV1，其中 所述雙極型晶體管Ql的集電極分別接所述雙極型晶體管Q2的集電極、所述雙極 型晶體管Q2的基極和所述電流源II的一端，所述電流源II的另一端接電壓源VCC ;
所述雙極型晶體管Q2的發(fā)射極接所述電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端接所述脈寬調(diào)制控制電路的IS端口 ； 所述雙極型晶體管Q3的發(fā)射極與所述電阻R2的一端連接，所述電阻R2的另一端 接地； 所述雙極型晶體管Q3的集電極分別接所述雙極型晶體管Q4的集電極、所述雙極 型晶體管Q4的基極和所述雙極型晶體管Q5的基極；所述雙極型晶體管Q4的發(fā)射極和所述 雙極型晶體管Q5的發(fā)射極接所述電壓源VCC ;所述雙極型晶體管Q5的集電極分別接所述 電阻R3和所述雙極型晶體管Q6的基極，所述電阻R3的另一端接地，所述雙極型晶體管Q6 的集電極接所述電壓源VCC，所述雙極型晶體管Q6的射極分別接所述雙極型晶體管Q7的集 電極和所述脈寬調(diào)制控制電路的OB端口 ； 所述雙極型晶體管Q7的發(fā)射極接地，所述雙極型晶體管Q7的基極接所述雙極型 晶體管Q1的基極和所述反相器INV1的輸出，所述反相器INV1的輸入接脈寬調(diào)制P麗信號(hào)。
優(yōu)選的，所述功率NPN晶體管關(guān)斷時(shí)，所述雙極型晶體管Q7反抽所述功率NPN晶 體管的基極電流。 優(yōu)選的，所述啟動(dòng)電路包括雙極型晶體管Qll、雙極型晶體管Q12、雙極型晶體管 Q13、電阻R7和電阻R8，其中 所述電阻R8的一端接交流整流后電源，所述電阻R8的另一端接所述雙極型晶體 管Qll的基極和所述脈寬調(diào)制控制電路的0B端口 ； 所述雙極型晶體管Q13的基極接所述脈寬調(diào)制控制電路的0E端口 ；
所述雙極型晶體管Q11和雙極型晶體管Q13的發(fā)射極懸空，所述雙極型晶體管Q13 的集電極分別接所述雙極型晶體管Q12和所述電阻R7 ;所述雙極型晶體管Q12的集電極接 所述雙極型晶體管Qll的集電極，所述雙極型晶體管Q12的發(fā)射極和所述電阻R7的另一端 接所述電壓源VCC。 優(yōu)選的，所述功率NPN晶體管的集電極接變壓器的原邊繞組的一端，所述功率NPN 晶體管的發(fā)射極接所述脈寬調(diào)制控制電路的0E端口 ，所述功率NPN晶體管的基極接所述脈 寬調(diào)制控制電路的OB端口。 優(yōu)選的，所述輸出電流檢測(cè)電路包括電流源12 、電阻R4、電阻R5 、電阻R6 、雙極型
晶體管Q8和雙極型晶體管Q9，其中 所述電流源12的一端接所述電阻R4和所述雙極型晶體管Q8的基極，所述電阻R4 的另一端接地； 所述雙極型晶體管Q9的集電極接所述雙極型晶體管Q8的發(fā)射極和所述脈寬調(diào)制 控制電路的OE端口，所述雙極型晶體管Q9的發(fā)射極和所述電阻R6的一端接所述脈寬調(diào)制 控制電路的IS端口，所述電阻R6的另一端接地。 本發(fā)明實(shí)施例具有以下的有益效果首先斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路采樣功率NPN晶體管 的輸出電流，并根據(jù)功率NPN晶體管的輸出電流的大小產(chǎn)生功率NPN晶體管的基極驅(qū)動(dòng)電 流，以減弱由于輸出電流較大時(shí)放大倍數(shù)降低的影響；同時(shí)在功率NPN晶體管關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生 反抽功率NPN功率管的基極的電流，以加快功率NPN晶體管的關(guān)斷，減小功耗，有效防止變 壓器飽和； 另外，在功率NPN晶體管關(guān)斷時(shí)，輸出電流檢測(cè)電路可將功率NPN晶體管的發(fā)射極 箝位在1.5V，使功率NPN晶體管的基射極反相偏置，提高了功率NPN晶體管的集射極反向擊穿電壓；通過(guò)電阻進(jìn)行輸出電流采樣，提高了環(huán)路的響應(yīng)速度，并可防止過(guò)載和變壓器飽和 的發(fā)生。另外，此電源的脈寬調(diào)制控制電路啟動(dòng)采用電阻和功率晶體管啟動(dòng)，利用功率NPN 晶體管的放大倍數(shù)加快了啟動(dòng)速度，同時(shí)為防止啟動(dòng)電流太大，內(nèi)置了一啟動(dòng)電路，在啟動(dòng) 電流較大時(shí)，減小功率晶體管的基極電流，以保護(hù)電源驅(qū)動(dòng)器。


圖1為本發(fā)明的實(shí)施例中脈寬調(diào)制控制電路的電路原理圖；
圖2為本發(fā)明的實(shí)施例中反相器的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合實(shí)施例和 附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例做進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明。在此，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及說(shuō)明用于解釋 本發(fā)明，但并不作為對(duì)本發(fā)明的限定。 參見(jiàn)圖l，為本發(fā)明的實(shí)施例中脈寬調(diào)制控制電路的電路原理圖，該脈寬調(diào)制控制 電路包括斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路IO，啟動(dòng)電路20，功率NPN晶體管30以及輸出電流檢測(cè)電路 40，其中 斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路10，用于采樣功率NPN晶體管30的輸出電流，并根據(jù)功率NPN 晶體管30的輸出電流產(chǎn)生功率NPN晶體管30的基極驅(qū)動(dòng)電流； 啟動(dòng)電路20，分別與斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路10和功率NPN晶體管30連接，用于提供脈 寬調(diào)制控制電路的啟動(dòng)電流。 功率NPN晶體管30，用于輸出功率；以及 輸出電流檢測(cè)電路40，用于檢測(cè)功率NPN晶體管30的發(fā)射極電流。 在本實(shí)施例中，斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路10的輸出電流與功率NPN晶體管30的發(fā)射極
電流成正比。 在本實(shí)施例中，斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路10包括雙極型晶體管Q1、雙極型晶體管Q2、雙 極型晶體管Q3、雙極型晶體管Q4、雙極型晶體管Q5、雙極型晶體管Q6、雙極型晶體管Q7、電 阻R1、電阻R2、電阻R3、電流源Il和反相器INV1，其中 雙極型晶體管Ql的集電極分別接雙極型晶體管Q2的集電極、雙極型晶體管Q2的 基極和電流源II的一端，電流源II的另一端接電壓源VCC ;雙極型晶體管Q2的發(fā)射極接 電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端接脈寬調(diào)制控制電路的IS端口 ，該IS端口用于檢測(cè)功率 NPN晶體管的發(fā)射極電流；雙極型晶體管Q3的發(fā)射極與電阻R2的一端連接，電阻R2的另一 端接地；雙極型晶體管Q3的集電極分別接雙極型晶體管Q4的集電極、雙極型晶體管Q4的 基極和雙極型晶體管Q5的基極；雙極型晶體管Q4的發(fā)射極和雙極型晶體管Q5的發(fā)射極接 電壓源VCC ;雙極型晶體管Q5的集電極分別接電阻R3和雙極型晶體管Q6的基極，電阻R3 的另一端接地，雙極型晶體管Q6的集電極分別接電壓源VCC，雙極型晶體管Q6的射極分別 接雙極型晶體管Q7的集電極和脈寬調(diào)制控制電路的0B端口，該0B端口用于系統(tǒng)啟動(dòng)；
雙極型晶體管Q7的發(fā)射極接地，雙極型晶體管Q7的基極接雙極型晶體管Ql的基 極和反相器INV1的輸出，反相器INV1的輸入接脈寬調(diào)制P麗信號(hào)。當(dāng)P麗為高電平時(shí)，雙 極型晶體管Ql和雙極型晶體管Q7處于關(guān)斷狀態(tài)，雙極型晶體管Q6輸出功率NPN晶體管30的驅(qū)動(dòng)電流，此電流與IS端口處的電壓成正比，即IS端口處電壓增高時(shí)，雙極型晶體管Q6 的射極電流也增大，用以補(bǔ)償功率NPN晶體管輸出電流較大時(shí)放大倍數(shù)降低的影響，提高 了功率NPN晶體管的驅(qū)動(dòng)能力；當(dāng)P麗為低電平時(shí)，雙極型晶體管Q6關(guān)斷，雙極型晶體管Q7 打開(kāi)，反抽功率NPN晶體管30的基極電流，可加快功率NPN晶體管的關(guān)斷，有效防止變壓器 的飽和以及過(guò)載的發(fā)生。 在本實(shí)施例中，功率NPN晶體管30關(guān)斷時(shí)，雙極型晶體管Q7反抽功率NPN晶體管 30的基極電流。 由圖1可知，該啟動(dòng)電路20包括雙極型晶體管Q11、雙極型晶體管Q12、雙極型晶 體管Q13、電阻R7和電阻R8，其中，電阻R8的一端接交流整流后電源，電阻R8的另一端接 雙極型晶體管Qll的基極和脈寬調(diào)制控制電路的OB端口 ；雙極型晶體管Q13的基極接脈寬 調(diào)制控制電路的OE端口 ；雙極型晶體管Qll和雙極型晶體管Q13的發(fā)射極懸空，雙極型晶 體管Q13的集電極分別接雙極型晶體管Q12和電阻R7 ;雙極型晶體管Q12的集電極接雙極 型晶體管Qll的集電極，雙極型晶體管Q12的發(fā)射極和電阻R7的另一端接電壓源VCC。在 啟動(dòng)時(shí)電阻R8提供較小的電流，流入功率NPN晶體管30的基極，利用功率NPN晶體管30 的放大作用在功率NPN晶體管的射極得到更大的電流，此電流經(jīng)過(guò)雙極型晶體管Q13、雙極 型晶體管Q12的BE結(jié)和電阻R7給電壓源VCC上的電容充電，當(dāng)電壓源VCC電壓大于10V 時(shí)電源轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)；如果在啟動(dòng)過(guò)程中啟動(dòng)電流過(guò)大，則電阻R7上的電壓降使雙極型晶體 管Q12、雙極型晶體管Qll導(dǎo)通，反抽功率NPN晶體管30基極的電流，減弱了功率NPN晶體 管30的導(dǎo)通，因此啟動(dòng)電流下降，保護(hù)AC/DC電源控制器。 雙極型晶體管和雙極型晶體管采用射極開(kāi)路連接方式，利用其BVCB。(集電極-發(fā) 射極反向擊穿電壓)較大的特點(diǎn)，保護(hù)AC/DC驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路。這種啟動(dòng)方式加快了AC/DC 電源控制器的啟動(dòng)速度，啟動(dòng)電阻R8的功耗較小，提高了 AC/DC電源控制器的效率。
在本實(shí)施例中，功率NPN晶體管30的集電極接變壓器的原邊繞組的一端，功率NPN 晶體管30的發(fā)射極接脈寬調(diào)制控制電路的OE端口，功率NPN晶體管30的基極接脈寬調(diào)制 控制電路的OB端口，用于提供輸出較大的功率和承受功率NPN晶體管30關(guān)斷時(shí)變壓器原 邊繞組產(chǎn)生的高壓。 根據(jù)晶體管的原理，當(dāng)在基射極反相偏置時(shí)，集電極的反相電流ICEO流入基區(qū) 后，有一部分流出基極，因此在基區(qū)中積累的空穴量減少，發(fā)射極正向注入的電子流到達(dá)集 電結(jié)的電流隨之減小，因此要發(fā)生擊穿需要的集電結(jié)雪崩倍增因子增大，同時(shí)需要的集電 結(jié)反偏電壓也增大，即提高了功率NPN晶體管30的集電極發(fā)射極的擊穿電壓，使功率NPN 晶體管30的安全工作范圍更大。 輸出電流檢測(cè)電路40包括電流源12 、電阻R4、電阻R5 、電阻R6 、雙極型晶體管Q8 和雙極型晶體管Q9，其中電流源12的一端接電阻R4和雙極型晶體管Q8的基極，電阻R4的 另一端接地；雙極型晶體管Q9的集電極接雙極型晶體管Q8的發(fā)射極和脈寬調(diào)制控制電路 的OE端口，雙極型晶體管Q9的發(fā)射極和電阻R6的一端接脈寬調(diào)制控制電路的IS端口，電 阻R6的另一端接地。此電路用于檢測(cè)功率NPN晶體管30的發(fā)射極電流，即采樣功率NPN晶 體管30的電流。因?yàn)楦鶕?jù)變壓器的原理，功率NPN晶體管30的輸出電流決定了輸出功率， 故通過(guò)采樣功率管的電流大小控制輸出功率的大小，同時(shí)電流采樣也加快了環(huán)路的響應(yīng)時(shí) 間，更好的防止過(guò)載或變壓器飽和的發(fā)生；同時(shí)還用于在功率NPN晶體管30反偏時(shí)將功率NPN晶體管30的發(fā)射極箝位于1. 5V，提高功率NPN晶體管30的集射極電壓。 如圖2所示，為圖1中的反相器的結(jié)構(gòu)示意圖，電流源13的一端接電源VCC，另一
端接輸出和功率NPN晶體管的集電極，功率NPN晶體管的基極接輸入IN，功率NPN晶體管的
發(fā)射極接地。 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng) 視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種交流/直流開(kāi)關(guān)電源的脈寬調(diào)制控制電路，其特征在于，包括斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路、用于輸出功率的功率NPN晶體管和輸出電流檢測(cè)電路，其中所述斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路，用于采樣所述功率NPN晶體管的輸出電流，并根據(jù)所述功率NPN晶體管的輸出電流產(chǎn)生所述功率NPN晶體管的基極驅(qū)動(dòng)電流；所述輸出電流檢測(cè)電路，用于檢測(cè)所述功率NPN晶體管的發(fā)射極電流。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈寬調(diào)制控制電路，其特征在于，所述脈寬調(diào)制控制電路還 包括啟動(dòng)電路，用于提供所述脈寬調(diào)制控制電路的啟動(dòng)電流。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的脈寬調(diào)制控制電路，其特征在于，所述斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路的 輸出電流與所述功率NPN晶體管的發(fā)射極電流成正比。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的脈寬調(diào)制控制電路，其特征在于，所述斜坡電流產(chǎn)生電路包 括雙極型晶體管Ql、雙極型晶體管Q2、雙極型晶體管Q3、雙極型晶體管Q4、雙極型晶體管 Q5 、雙極型晶體管Q6 、雙極型晶體管Q7 、電阻Rl 、電阻R2 、電阻R3 、電流源11和反相器INV1 ， 射所述雙極型晶體管Q1的集電極分別接所述雙極型晶體管Q2的集電極、所述雙極型晶 體管Q2的基極和所述電流源II的一端，所述電流源II的另一端接電壓源VCC ;所述雙極型晶體管Q2的發(fā)射極接所述電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端接所述脈 寬調(diào)制控制電路的IS端口 ；所述雙極型晶體管Q3的發(fā)射極與所述電阻R2的一端連接，所述電阻R2的另一端接地；所述雙極型晶體管Q3的集電極分別接所述雙極型晶體管Q4的集電極、所述雙極型晶 體管Q4的基極和所述雙極型晶體管Q5的基極；所述雙極型晶體管Q4的發(fā)射極和所述雙極 型晶體管Q5的發(fā)射極接所述電壓源VCC ;所述雙極型晶體管Q5的集電極分別接所述電阻 R3和所述雙極型晶體管Q6的基極，所述電阻R3的另一端接地，所述雙極型晶體管Q6的集 電極接所述電壓源VCC，所述雙極型晶體管Q6的射極分別接所述雙極型晶體管Q7的集電極 和所述脈寬調(diào)制控制電路的OB端口 ；所述雙極型晶體管Q7的發(fā)射極接地，所述雙極型晶體管Q7的基極接所述雙極型晶體 管Q1的基極和所述反相器INV1的輸出，所述反相器INV1的輸入接脈寬調(diào)制PWM信號(hào)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的脈寬調(diào)制電路，其特征在于，所述功率NPN晶體管關(guān)斷時(shí)，所 述雙極型晶體管Q7反抽所述功率NPN晶體管的基極電流。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的脈寬調(diào)制控制電路，其特征在于，所述啟動(dòng)電路包括雙極型 晶體管Qll、雙極型晶體管Q12、雙極型晶體管Q13、電阻R7和電阻R8，其中所述電阻R8的一端接交流整流后電源，所述電阻R8的另一端接所述雙極型晶體管Q11的基極和所述脈寬調(diào)制控制電路的OB端口 ；所述雙極型晶體管Q13的基極接所述脈寬調(diào)制控制電路的0E端口 ； 所述雙極型晶體管Qll和雙極型晶體管Q13的發(fā)射極懸空，所述雙極型晶體管Q13的集電極分別接所述雙極型晶體管Q12和所述電阻R7 ;所述雙極型晶體管Q12的集電極接所述雙極型晶體管Qll的集電極，所述雙極型晶體管Q12的發(fā)射極和所述電阻R7的另一端接所述電壓源VCC。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的脈寬調(diào)制電路，其特征在于，所述功率NPN晶體管的集電極接變壓器的原邊繞組的一端，所述功率NPN晶體管的發(fā)射極接所述脈寬調(diào)制控制電路的0E 端口，所述功率NPN晶體管的基極接所述脈寬調(diào)制控制電路的OB端口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的脈寬調(diào)制電路，其特征在于，所述輸出電流檢測(cè)電路包括電 流源12、電阻R4、電阻R5、電阻R6、雙極型晶體管Q8和雙極型晶體管Q9，其中所述電流源12的一端接所述電阻R4和所述雙極型晶體管Q8的基極，所述電阻R4的 另一端接地；所述雙極型晶體管Q9的集電極接所述雙極型晶體管Q8的發(fā)射極和所述脈寬調(diào)制控制 電路的0E端口 ，所述雙極型晶體管Q9的發(fā)射極和所述電阻R6的一端接所述脈寬調(diào)制控制 電路的IS端口，所述電阻R6的另一端接地。
全文摘要
本發(fā)明提供一種交流/直流開(kāi)關(guān)電源的脈寬調(diào)制控制電路，包括斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路、功率NPN晶體管和輸出電流檢測(cè)電路，其中所述斜坡電流驅(qū)動(dòng)電路，用于采樣所述功率NPN晶體管的輸出電流，并根據(jù)所述功率NPN晶體管的輸出電流產(chǎn)生所述功率NPN晶體管的基極驅(qū)動(dòng)電流；所述功率NPN晶體管用于輸出功率；所述輸出電流檢測(cè)電路，用于檢測(cè)功率NPN晶體管的發(fā)射極電流，可防止其發(fā)射極電流過(guò)大，導(dǎo)致功率NPN晶體管損壞，并且還可有效提高驅(qū)動(dòng)電流，提高響應(yīng)速度。
文檔編號(hào)H02M7/217GK101741268SQ20101011295
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2010年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月3日
發(fā)明者劉洪濤, 李建鋒 申請(qǐng)人:西安民展微電子有限公司