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一種溫差半導體發(fā)電裝置的制作方法

文檔序號:7435444閱讀:246來源:國知局
專利名稱:一種溫差半導體發(fā)電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導體溫差發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于雙流體導熱且可利用溫差進
行發(fā)電的溫差半導體發(fā)電裝置。
背景技術(shù)
溫差半導體是一種利用半導體材料的Petier效應和Seebeck效應,通過對P. N型半導體材料兩端通電來吸熱放熱或者在P.N型半導體材料兩端提供溫差來發(fā)電的技術(shù)而制成的一種半導體器件,它無需化學反應且無機械移動部分,因而具有重量輕、無噪聲、無污染以及啟動快,能精確控溫和利用各種熱源來發(fā)電等特點而被廣泛地應用于各個領(lǐng)域。隨著能源的短缺及人民不斷提高的環(huán)境保護意識,特別是全球氣候變暖問題,溫差半導體材料以其各種優(yōu)點性越來越受人們的關(guān)注。 目前溫差半導體采用的導熱技術(shù)主要是空氣導熱和液體循環(huán)導熱兩種??諝鈱崾峭ㄟ^在溫差半導體的制熱面安裝龐大的采用紫銅、鋁等導熱較好的材料制成的各種散熱器和風扇通過和空氣接觸的方法來導熱,這種方法中導熱裝置的體積大,質(zhì)量大,導熱效果差,成本高。另外現(xiàn)有溫差半導體的液體循環(huán)導熱裝置主要是在溫差半導體制熱面安裝一個內(nèi)部有循環(huán)液體容器的熱傳導器,通過熱傳導器的壁和內(nèi)部的液體循環(huán)來傳熱,這種方法只是對溫差半導體的單個工作面進行液體循環(huán)熱傳導,導致了對需要利用的冷能或熱能傳遞效果差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的溫差半導體在應用時所存在的上述問題,發(fā)電效率高,熱傳導效果好,且可根據(jù)需要調(diào)節(jié)發(fā)電功率的溫差半導體發(fā)電裝置。 本發(fā)明的目的可通過下列技術(shù)方案來實現(xiàn)一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,該發(fā)電裝置包括一個或一個以上的冷散熱器和熱散熱器,所述的熱散熱器和冷散熱器由內(nèi)而外交替套接擴散布置,并在它們之間的間隙處設有若干個可進行溫差發(fā)電的半導體組件,所述的冷散熱器上具有流通低溫流體的管路一,熱散熱器上具有流通高溫流體的管路二,管路一中的低溫流體通過冷散熱器與半導體組件的冷端進行熱交換,管路二中的高溫流體通過熱散熱器與半導體組件的熱端進行熱交換,所述的半導體組件上連接有正負電極接頭。 該溫差半導體發(fā)電裝置進行溫差發(fā)電時,管路一中通入低溫流體,而管路二中通入高溫流體。冷散熱器對管路一中的低溫流體和半導體組件的冷端進行熱交換,使半導體組件冷端的溫度下降;熱散熱器對管路二中的高溫流體和半導體組件的熱端進行熱交換,使半導體組件熱端的溫度升高。半導體組件的冷端和熱端產(chǎn)生溫差后,可從正負電極接頭輸出電流。 其中冷散熱器和熱散熱器的數(shù)量并不是固定的,當冷散熱器和熱散熱器的數(shù)量均只有一個時,布置時可將冷散熱器環(huán)繞在熱散熱器四周,也可以將熱散熱器環(huán)繞布置在冷
4散熱器四周。當冷散熱器和熱散熱器的數(shù)量為多個時,若將其中一個熱散熱器布置在中心,在其四周環(huán)繞布置一個冷散熱器,再在這個冷散熱器四周環(huán)繞布置一熱散熱器,依此類推,將多個熱散熱器和冷散熱器交替環(huán)繞布置無限擴散出去。反之,當中心處布置的是冷散熱器時,也可以按上述方法進行布置。 在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的冷散熱器和熱散熱器的數(shù)量為一個以上,且兩者的數(shù)量相同或相差為一。冷散熱器和熱散熱器的數(shù)量關(guān)系與它們的布置形式有關(guān)。當布置在中心的散熱器與布置在最外圈的散熱器為不同種散熱器時,兩種散熱器的數(shù)量相同;當布置在中心的散熱器與布置在最外圈的散熱器為同一種散熱器時,這種散熱器的數(shù)量比另一種散熱器的數(shù)量多一個。 在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的發(fā)電裝置還包括上端蓋和下端蓋,上述熱散熱器和冷散熱器由內(nèi)而外交替套接擴散布置形成溫差半導體模塊單元,所述的溫差半導體模塊單元位于上端蓋和下端蓋之間,上端蓋和下端蓋上具有與上述各個管路一和管路二連通的流通管路,所述的流通管路與冷源和熱源連接。冷源和熱源通過流通管路分別向管路一和管路二內(nèi)持續(xù)補充入低溫流體和高溫流體,供冷散熱器和熱散熱器進行熱交換。 在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的管路一由若干條貫穿冷散熱器的冷過流通道組成,管路二由若干條貫穿熱散熱器的熱過流通道組成。管路一和管路二分別由一定數(shù)量的冷過流通道和熱過流通道組成,增加了冷散熱器和熱散熱器的熱交換面積,有利于提高熱交換效率。 在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的流通管路包括冷流通管路和熱流通管路,所述的熱流通管路設置在下端蓋上,包括若干條與上述各個熱散熱器的熱過流通道連通的分流通道,所述的各個分流通道的進口端共同連接在一個熱進口接頭上;所述的冷流通道包括設置在上端蓋的冷進口管和冷出口管,下端蓋面向溫差半導體模塊單元的一側(cè)開設有一環(huán)形過道,上述冷過流通道分為冷進流通道和冷出流通道這兩種,各個冷進流通道的一端與冷進口管連通,另一端與環(huán)形過道連通,各個冷出流通道的一端與冷出口管連通,另一端同樣與環(huán)形過道連通。 熱流通管路用于向溫差半導體模塊單元中熱散熱器的熱過流通道供給高溫流體,以使熱散熱器與半導體組件的熱端進行熱交換。由于同一個溫差半導體模塊單元中熱過流通道的數(shù)量較多,因此需要一定數(shù)量的分流通道與之相配合,使高溫流體能均勻分流至各個熱過流通道中。低溫流體流通的冷流通管路為一循環(huán)通道,用于向溫差半導體模塊單元中冷散熱器的冷過流通道供給低溫流體,以使冷散熱器與半導體組件的冷端進行熱交換。低溫流體從冷進口管進入后,分流至各個冷進流通道中,最后匯集至環(huán)形過道中。待環(huán)形過道中充滿低溫流體后,低溫流體再從與環(huán)形過道連通的各個冷出流通道流出,匯集到冷出口管流出。 在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的熱進口接頭上連接有一個一端封閉的導熱管,導熱管的開口端與上述的熱進口接頭連接,導熱管內(nèi)部裝有導熱液。將導熱管的封閉端插入到熱源中,利用導熱管內(nèi)的導熱液進行導熱,通過熱散熱器與半導體組件的熱端進行熱交換。導熱液充入熱過流通道后,熱過流通道的出口端被上端蓋所封堵,使導熱液處于一個封閉的空間內(nèi)進行導熱。
在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的導熱液為超導液。超導液受到熱源的激發(fā),可進行高速導熱。啟動溫度低,只需較低溫度即可開始傳溫,傳遞速度快。
在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的上端蓋上設有一冷進口接頭和一冷出口接頭,冷進口接頭與上述的冷進口管連接,冷出口接頭與上述的冷出口管連接。冷進口接頭和冷出口接頭可方便與冷源進行連接,完成循環(huán)。 在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的上端蓋和下端蓋之間設有一個以上相同的溫差半導體模塊單元,各個溫差半導體模塊單元依次堆疊,且相對應各個散熱器上的冷過流通道和熱過流通道均依次連通在一起。
由于發(fā)電裝置中各個溫差半導體模塊單元都是相同的,因此模塊單元中各散熱器
的數(shù)量、形狀也都是相同的,相應的散熱器以及它們的冷過流通道和熱過流通道都是一一
對應布置的。因此在堆疊后,沿流體的流動方向上,前排散熱器上冷過流通道和熱過流通道
的出口剛好與下一排相對應散熱器上冷過流通道和熱過流通道的進口對接。依次類推,將
所有模塊單元中相應散熱器上的冷過流通道和熱過流通道均依次連通在一起。 在上述的一種溫差半導體發(fā)電裝置中,所述的冷散熱器和熱散熱器位于相鄰兩個
模塊單元堆疊處開設有環(huán)形的密封槽,密封槽內(nèi)設有密封圈。添加了密封圈后,保證了各個
模塊單元在堆疊后,同一模塊單元中相鄰兩個散熱器之間不會發(fā)生流體的滲漏。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本溫差半導體發(fā)電裝置具有以下優(yōu)點 1、熱傳導效果好,低溫流體利用活動流體持續(xù)制冷,高溫流體利用超導液進行超導快速導熱,導熱效果好。 2、結(jié)構(gòu)新穎,由兩種散熱器由內(nèi)而外依次環(huán)繞布置,兩種散熱器交替設置,并且相鄰兩個散熱器根據(jù)自身管路內(nèi)流體的溫度情況,對夾設在它們之間的半導體組件的冷端和熱端進行熱交換。還可根據(jù)需要增加一定數(shù)量的散熱器按布置規(guī)則繼續(xù)套接布置下去,其可產(chǎn)生的功率可調(diào)性較強,適用范圍大大提高。 3、不但可在散熱器所在的布置平面內(nèi)無限套接布置下去,在垂直于散熱器布置平面方向上,多個模塊單元還可堆疊在一起使用。使流體可依次經(jīng)過多個模塊單元進行發(fā)電,發(fā)電功率大大提高。


圖1是本溫差半導體發(fā)電裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本溫差半導體發(fā)電裝置中溫差半導體模塊單元的立體結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是本溫差半導體模塊單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。 圖4是本溫差半導體發(fā)電裝置中上端蓋的內(nèi)部透視圖。 圖5是本溫差半導體發(fā)電裝置中下端蓋的立體結(jié)構(gòu)示意圖。 圖6是本溫差半導體發(fā)電裝置中下端蓋的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。 圖7是圖6在A-A處的剖視圖。 圖8是兩個溫差半導體模塊單元堆疊起來使用的示意圖。 圖中,1、上端蓋;11、冷進口接頭;12、冷出口接頭;13、冷進口管;13a、主分流支管一 ;13b、從分流支管一 ;14、冷出口管;14a、主分流支管二 ;14b、從分流支管二 ;2、下端蓋;21、環(huán)形過道;22、內(nèi)分流通道;23、外分流通道;24、熱進口接頭;3、溫差半導體模塊單元;31、冷散熱器;31a、管路一 ;311、冷過流通道;311a、冷進流通道;311b、冷出流通道;32、熱散熱器;32a、管路二 ;321、熱過流通道;33、密封槽;4、半導體組件;4a、正負電極接頭;5、
導熱管。
具體實施例方式
以下是本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步的描述,
但本發(fā)明并不限于這些實施例。 如圖1所示,本溫差半導體發(fā)電裝置包括上端蓋1、下端蓋2和設置在兩者之間的溫差半導體模塊單元3,上端蓋1上設有與冷源連接的冷進口接頭11和冷出口接頭12,下端蓋2的底部為熱進口接頭24,并在熱進口接頭24處設有一個一端封閉的導熱管5,導熱管5的開口端與熱進口接頭24通過螺紋連接在一起,導熱管5內(nèi)裝有超導液。
如圖2和圖3所示,溫差半導體模塊單元3由一個或一個以上的冷散熱器31和熱散熱器32由內(nèi)而外交替套接擴散布置而成,并在交替的冷散熱器31和熱散熱器32之間的間隙處設有若干半導體組件4。本實施例中,溫差半導體模塊單元3由一個冷散熱器31和兩個熱散熱器32組成,其中一個較小的熱散熱器32布置在中心處,冷散熱器31和另一個熱散熱器32均呈環(huán)形,且冷散熱器31環(huán)繞設置在尺寸較小的熱散熱器32四周,而另一個熱散熱器32則環(huán)繞設置在冷散熱器31四周。相鄰兩個散熱器的夾縫處設有若干個半導體組件4,這些半導體組件4的冷端和熱端分別與位于它們兩側(cè)的冷散熱器31和熱散熱器32進行熱交換。這些半導體組件4可共同連接到一對正負電極接頭4a上以輸出電流。
冷散熱器31和熱散熱器32上分別設有管路一 31a和管路二 32a。其中,管路一31a由許多貫穿冷散熱器31的冷過流通道311組成;而管路二 32a則由許多貫穿熱散熱器32的熱過流通道321組成。其中,冷過流通道311分為冷進流通道311a和冷出流通道311b,如圖3所示,冷散熱器31上的上邊與右邊一排的冷過流通道311為冷進流通道311a,作為低溫流體的流入通道;而左邊與下邊一排的冷過流通道311作為冷出流通道311b,作為低溫流體的流出通道。 為了增加散熱效果,中心處的熱散熱器32可以不是環(huán)狀的,這樣一來,該熱散熱器32上的熱過流通道321的數(shù)量可以適當多設置一些。 各個散熱器位于溫差半導體模塊單元3的兩側(cè)端面處均開設有環(huán)形的密封槽33,各個密封槽33將與之相對應散熱器上的所有冷過流通道311或熱過流通道321的進口與出口包圍,密封槽33內(nèi)設有密封圈。 如圖4所示,上端蓋1內(nèi)設有冷進口管13和冷出口管14,分別與上述的冷進口接頭11和冷出口接頭12連接。冷進口管13上設有兩根與之連通的主分流支管一 13a,主分流支管一 13a和冷進流通道31 la之間通過若干根從分流支管一 13b連通在一起。從分流支管一 13b的數(shù)量與冷進流通道311a的數(shù)量相同,且兩者一一對應連接在一起。冷出口管14上設有兩根與之連通的主分流支管二 14a,主分流支管二 14a和冷出流通道31 lb之間通過若干根從分流支管二 14b連通在一起。從分流支管二 14b的數(shù)量與冷出流通道311b的數(shù)量相同,且兩者一一對應連接在一起。 如圖5、圖6和圖7所示,下端蓋2上開設有若干條與上述各個熱散熱器32的熱過流通道321連通的分流通道,分流通道分為垂直設置在下端蓋2中心部的若干條內(nèi)分流通道22和傾斜設置在下端蓋2四周的四條外分流通道23,內(nèi)分流通道22和外分流通道23 的進口端共同連接在熱進口接頭24上。內(nèi)分流通道22的出口端與布置在中心處這個熱散 熱器32的熱過流通道321 —一對應連通,而四條外分流通道23則與布置在外圍這個熱散 熱器32四邊上的熱過流通道321 —一對應連通。 該溫差半導體發(fā)電裝置進行溫差發(fā)電時,將導熱管5的密封端插入到熱源中,使 導熱管5中的超導液受熱膨脹沿內(nèi)分流通道22和外分流通道23分別充入內(nèi)外兩個熱散熱 器32的熱過流通道321內(nèi)。利用超導液的快速導熱特性,將熱源的熱量傳遞至熱散熱器 32,并通過熱散熱器32和與之貼合的半導體組件4的熱端進行熱交換,使半導體組件4熱 端的溫度升高。熱過流通道321的進口端與內(nèi)分流通道22或外分流通道23連通,而熱過 流通道321的出口端被上端蓋1所封堵,因此超導液可在一個密封的空間內(nèi)進行導熱。
低溫流體是通過將冷進口接頭11和冷出口接頭12連接到冷源上實現(xiàn)持續(xù)供給 的。此處低溫流體則沒有具體要求,只需溫度低于高溫流體的溫度即可,這里采用普通自 來水,將冷進口接頭11接到自來水管路上,利用自來水的供水壓力提供液體循環(huán)所需的動 力。 低溫流體從冷進口接頭11通入,通入冷進口管13后分流到兩支主分流支管一 13a 中,再通過各主分流支管一 13a上的從分流支管一 13b分別通入到每一個冷進流通道311a 內(nèi),穿過冷散熱器31的冷進流通道311a后抵達下端蓋2上的環(huán)形過道21內(nèi)。待環(huán)形過道 21內(nèi)充滿低溫流體后,低溫流體再從與環(huán)形過道21連通的冷出流通道311b流出,經(jīng)過與冷 出流通道311b —一對應的從分流支管二 14b和主分流支管二 14a后,匯集至冷出口管14, 最終從冷出口接頭12流出,這樣就完成了往冷散熱器31中通入低溫流體,再將經(jīng)過熱交換 后升溫的低溫流體導出的循環(huán)工作。 冷散熱器31將流通于冷進流通道311a和冷出流通道311b內(nèi)的低溫流體與半導 體組件4的冷端進行熱交換,使半導體組件4的冷端溫度下降。半導體組件4的冷端和熱 端產(chǎn)生溫差后,從正負電極接頭4a輸出電流??梢詫⒄撾姌O接頭4a接到蓄電池上進行 充電,也可以直接接到用電設備上使用。 本溫差半導體模塊單元3中冷散熱器31和熱散熱器32的數(shù)量并不是固定的,在 功率要求較小的領(lǐng)域,可只采用一個冷散熱器31和一個熱散熱器32。在功率要求較高時, 可適當增加冷散熱器31和熱散熱器32的數(shù)量。選擇一個散熱器布置在中心處,其余散熱 器依次環(huán)繞布置擴散出去,并且這兩種散熱器交替設置。理論上講,散熱器的布置可以按照 上述的規(guī)律無限擴散出去,以適用于某些大功率領(lǐng)域。 如圖8所示,還有一種提高功率的方法,就是將一定數(shù)量相同的溫差半導體模塊 單元3在垂直于散熱器布置平面的方向依次堆疊起來。堆疊時,各溫差半導體模塊單元3 中相應位置處的散熱器上的冷過流通道311和熱過流通道321連通在一起而貫穿兩端。相 鄰兩個溫差半導體模塊單元3之間的堆疊端面上通過密封圈來進行密封,使同一個溫差半 導體模塊單元3中不同種散熱器之間相互獨立,各自流通相應的流體。
本溫差半導體模塊單元3及各散熱器的形狀可以是方形、圓形、正多邊形等,只需 各散熱器的形狀符合可依次環(huán)繞布置,可無限擴散出去的特性即可。適當?shù)臅r候可以在溫 差半導體模塊單元3的外周面噴涂隔熱涂層,增加隔熱效果。 本文中所描述的具體實施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替 代,但并不會偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
權(quán)利要求
一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,該發(fā)電裝置包括一個或一個以上的冷散熱器(31)和熱散熱器(32),所述的熱散熱器(32)和冷散熱器(31)由內(nèi)而外交替套接擴散布置,并在它們之間的間隙處設有若干個可進行溫差發(fā)電的半導體組件(4),所述的冷散熱器(31)上具有流通低溫流體的管路一(31a),熱散熱器(32)上具有流通高溫流體的管路二(32a),管路一(31a)中的低溫流體通過冷散熱器(31)與半導體組件(4)的冷端進行熱交換,管路二(32a)中的高溫流體通過熱散熱器(32)與半導體組件(4)的熱端進行熱交換,所述的半導體組件(4)上連接有正負電極接頭(4a)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的冷散熱器(31)和熱散熱器(32)的數(shù)量為一個以上,且兩者的數(shù)量相同或相差為一。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的發(fā)電裝置還包括上端蓋(1)和下端蓋(2),上述熱散熱器(32)和冷散熱器(31)由內(nèi)而外交替套接擴散布置形成溫差半導體模塊單元(3),所述的溫差半導體模塊單元(3)位于上端蓋(1)和下端蓋(2)之間,上端蓋(1)和下端蓋(2)上具有與上述各個管路一 (31a)和管路二 (32a)連通的流通管路,所述的流通管路與冷源和熱源連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的管路一 (31a)由若干條貫穿冷散熱器(31)的冷過流通道(311)組成,管路二 (32a)由若干條貫穿熱散熱器(32)的熱過流通道(321)組成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的流通管路包括冷流通管路和熱流通管路,所述的熱流通管路設置在下端蓋(2)上,包括若干條與上述各個熱散熱器(32)的熱過流通道(321)連通的分流通道,所述的各個分流通道的進口端共同連接在一個熱進口接頭(24)上;所述的冷流通道包括設置在上端蓋(1)的冷進口管(13)和冷出口管(14),下端蓋(2)面向溫差半導體模塊單元(3)的一側(cè)開設有一環(huán)形過道(21),上述冷過流通道(311)分為冷進流通道(311a)和冷出流通道(311b)這兩種,各個冷進流通道(311a)的一端與冷進口管(13)連通,另一端與環(huán)形過道(21)連通,各個冷出流通道(311b)的一端與冷出口管(14)連通,另一端同樣與環(huán)形過道(21)連通。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的熱進口接頭(24)上連接有一個一端封閉的導熱管(5),導熱管(5)的開口端與上述的熱進口接頭(24)連接,導熱管(5)內(nèi)部裝有導熱液。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的導熱液為超導液。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5或6或7所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的上端蓋(1)上設有一冷進口接頭(11)和一冷出口接頭(12),冷進口接頭(11)與上述的冷進口管(13)連接,冷出口接頭(12)與上述的冷出口管(14)連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4或5或6或7所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的上端蓋(1)和下端蓋(2)之間設有一個以上相同的溫差半導體模塊單元(3),各個溫差半導體模塊單元(3)依次堆疊,且相對應各個散熱器上的冷過流通道(311)和熱過流通道(321)均依次連通在一起。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種溫差半導體發(fā)電裝置,其特征在于,所述的冷散熱器(31)和熱散熱器(32)位于相鄰兩個模塊單元堆疊處開設有環(huán)形的密封槽(33),密封槽(33)內(nèi)設有密封圈'
全文摘要
本發(fā)明提供了一種溫差半導體發(fā)電裝置,屬于半導體溫差發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域。它解決了現(xiàn)有的溫差半導體采用的導熱技術(shù)中導熱效果差和成本高的問題。本溫差半導體發(fā)電裝置,包括一個或一個以上的冷散熱器和熱散熱器,熱散熱器和冷散熱器由內(nèi)而外交替套接擴散布置,并在它們之間的間隙處設有若干個可進行溫差發(fā)電的半導體組件,冷散熱器上具有流通低溫流體的管路一,熱散熱器上具有流通高溫流體的管路二,管路一中的低溫流體通過冷散熱器與半導體組件的冷端進行熱交換,管路二中的高溫流體通過熱散熱器與半導體組件的熱端進行熱交換,半導體組件上連接有正負電極接頭。本溫差半導體發(fā)電裝置具有導熱效果好,適用范圍寬和發(fā)電功率高的優(yōu)點。
文檔編號H02N11/00GK101783631SQ20101013797
公開日2010年7月21日 申請日期2010年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月2日
發(fā)明者劉至國 申請人:臺州弘日光科太陽能科技有限公司
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