專利名稱：太陽能光熱發(fā)電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能光熱發(fā)電裝置。
背景技術(shù)：
近年來，隨著高油價(jià)時(shí)代的來臨與社會(huì)對(duì)節(jié)能議題的重視，全球太陽能產(chǎn)業(yè)愈趨發(fā)達(dá)。若能有效利用太陽能，不僅可以克服目前石化能源日益短缺的問題，亦可避免由火力發(fā)電廠或核電廠所造成的溫室效應(yīng)與核廢料的處理等環(huán)保問題。故綠色能源中，太陽能光電利用近年來備受各界關(guān)注，而太陽能轉(zhuǎn)換電能的效率，則是最具發(fā)展性的研究領(lǐng)域。太陽能發(fā)電原理，簡(jiǎn)單的說，是利用太陽能芯片(電池)吸收0.2μπι 0.4μπι波長(zhǎng)的太陽光，將光能轉(zhuǎn)換成電能輸出的一種發(fā)電方式。雖然半導(dǎo)體技術(shù)的提升，有助于太陽能芯片光能轉(zhuǎn)換電能的效率，但伴隨光能的熱囤積造成組件溫度上升產(chǎn)生大量暗電流， 這會(huì)使轉(zhuǎn)換效率下降，因此，如中國(guó)臺(tái)灣證書第Μ362979號(hào)「具散熱功能之太陽能電池封裝結(jié)構(gòu)及其散熱金屬板」新型專利案，是利用一散熱鋁板來提供太陽能芯片散熱，姑且不論其散熱成效，事實(shí)上，熱也是一種能，若能把熱(能)轉(zhuǎn)換成電能輸出利用(不再以溫度來表現(xiàn))，不但可解決太陽能芯片的散熱問題，并可增加太陽能轉(zhuǎn)換電能的產(chǎn)值?，F(xiàn)有技術(shù)中的溫度阻尼阻件，如圖1，其具有一電荷產(chǎn)生芯片端1及一電子產(chǎn)生芯片端2，該電荷產(chǎn)生芯片端1與電子產(chǎn)生芯片端2間的非電極面設(shè)有一第一面板3，及電極面設(shè)有一第二面板4 ；通電后第一面板3產(chǎn)熱，第二面板4產(chǎn)冷，當(dāng)通電方向相反時(shí)，則第一面板3產(chǎn)冷，第二面板4產(chǎn)熱，根據(jù)其功能，一般應(yīng)用在產(chǎn)熱或產(chǎn)冷產(chǎn)業(yè)上；事實(shí)上，溫度阻尼組件，是一個(gè)能被溫度激發(fā)振蕩的組件，其特性含正溫度與負(fù)溫度阻尼效應(yīng)，在不通電狀態(tài)下，當(dāng)?shù)谝幻姘?與第二面板4的的溫度有溫差時(shí)，會(huì)有發(fā)電的作用產(chǎn)生，換言之，第二面板4處于環(huán)境常溫，第一面板3與熱源接觸，當(dāng)?shù)谝幻姘?溫度高于第二面板4溫度時(shí)，溫度阻尼組就會(huì)發(fā)電由電極端送出，只要送出來的電可以不斷的被吸收，第一面板3的熱即可被移除的降溫至第二面板4無溫差(不發(fā)電)時(shí)為止；因此，若把這項(xiàng)技術(shù)運(yùn)用在太陽能芯片的散熱用途上，將得到高效率的散熱成果，并對(duì)電產(chǎn)值的增加有所幫助；不過，無論是太陽能芯片(或是溫度阻尼組件)，其所產(chǎn)生的電是電能(Cell電堆)不是電力(Battery電池)，如圖2，在透過充電電路10對(duì)蓄電池20充電時(shí)，為符合圖3所示等效電路之最大功率移轉(zhuǎn)定理，如圖2，充電電路是由一電感L、一晶體管Q、一控制晶體管Q的控制器IC及一二極管D1所構(gòu)成，以電流充電方式對(duì)蓄電池20充電，因此造成反應(yīng)效率差、電力儲(chǔ)存少(最大值只有一半)、充電速度慢、充電溫度高，且蓄電池20無法快速放電(高溫會(huì)造成電池受損)，以及無法同時(shí)充電與放電(因路徑只有一條)；若這些技術(shù)難題無法克服，則太陽能芯片(電池)在產(chǎn)業(yè)上，還是無法得到最佳化利用。雖然中國(guó)臺(tái)灣發(fā)明公開公報(bào)第200729707 號(hào)「用于解析系統(tǒng)電路的頻譜器」專利案，可以被用來動(dòng)態(tài)阻抗匹配，并推導(dǎo)建構(gòu)出無窮級(jí)共振艙，解開系統(tǒng)對(duì)偶性難題，有利非線性動(dòng)態(tài)系統(tǒng)穩(wěn)定化，并包括動(dòng)態(tài)因素調(diào)整、動(dòng)態(tài)適應(yīng)性阻尼，適應(yīng)性全通濾波器均可獲得完整解析；有了無窮級(jí)共振艙，這使通過的電子流可作振蕩與阻尼效應(yīng)，以多次短路吸電形成射頻電力，即能以電壓充電方式，將電力貯存入蓄電裝置中作為負(fù)載的輸入端，如此可完全改進(jìn)現(xiàn)有充電器的缺失，經(jīng)長(zhǎng)期測(cè)試，市面各種蓄電裝置或儲(chǔ)電器或儲(chǔ)電構(gòu)件均未能在直接利用時(shí)得到理想的成果，其中，超級(jí)電容雖已具備了各項(xiàng)要求的條件，但其儲(chǔ)電時(shí)的短路現(xiàn)象卻在技術(shù)上仍有瓶頸，關(guān)鍵在儲(chǔ)電器要會(huì)作正功與負(fù)功，且超級(jí)電容是電容值電介電效應(yīng)后極化產(chǎn)生
1Xc --
2π/ο ,
頻率f由介電效應(yīng)后極化才為⑴無限大，Xc = 0只要電容值C不為零(實(shí)體的電容存在)，即是超級(jí)電容等效電容，如圖4;因而，為使充電時(shí)電堆的內(nèi)阻為零成共振，則須在技術(shù)上再尋求突破。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種太陽能光熱發(fā)電裝置，該裝置把太陽能轉(zhuǎn)換成電能的利用率與效率大大提高，并可使太陽能芯片高效散熱。本發(fā)明為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽能光熱發(fā)電裝置，所述太陽能光熱發(fā)電裝置至少包含一個(gè)光熱發(fā)電模塊，該光熱發(fā)電模塊是由一個(gè)溫度阻尼器及若干個(gè)太陽能芯片所構(gòu)成；該溫度阻尼器，具有至少一電荷產(chǎn)生端芯片及至少一電子產(chǎn)生端芯片，該每一電荷產(chǎn)生端芯片的非電極端面與每一電子產(chǎn)生端芯片的非電極端面上相互連接的設(shè)有一吸熱板，而該每一電荷產(chǎn)生端芯片的電極端和每一電子產(chǎn)生端芯片的電極端各設(shè)焊錫面接出導(dǎo)線，且在該焊錫面各設(shè)有一室溫感知片，在該吸熱板的相對(duì)于電動(dòng)產(chǎn)生端芯片和電子產(chǎn)生端芯片的表面上經(jīng)絕緣處理的設(shè)有導(dǎo)電線路；該若干個(gè)太陽能芯片呈陳列方式的固晶在溫度阻尼器的吸熱板上，由導(dǎo)電線路相互電性連接，且與溫度阻尼器的電極端導(dǎo)線電性串接。該太陽能芯片將光能轉(zhuǎn)換為電能時(shí)熱能被吸熱板吸收，當(dāng)溫度阻尼器的吸熱板溫度高于室溫感知片溫度時(shí)會(huì)有溫場(chǎng)轉(zhuǎn)為電場(chǎng)的效應(yīng)產(chǎn)生電子流；因此，光熱發(fā)電模塊可將光能與熱能同時(shí)轉(zhuǎn)換為電能，以增加太陽能轉(zhuǎn)換為電能輸出的效率，且溫度阻尼器溫場(chǎng)轉(zhuǎn)為電場(chǎng)時(shí)的電子流可接出利用或儲(chǔ)存，使吸熱板上熱溫形同被移除與室溫感知片等溫的作用，從而使太陽能芯片得到高效率的散熱效果。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光熱發(fā)電模塊將光能與熱能轉(zhuǎn)換為電能的輸出端，還包含一與光熱發(fā)電模塊電性連接的第一處理器電路，及一與第一處理器電路電性連接的儲(chǔ)電器；該第一處理器電路具有一 P型晶體管及N型晶體管，并由一第一 IC控制器控制該P(yáng)型晶體管及N型晶體管，該第一 IC控制器能處理光熱發(fā)電模塊端輸出的電能，共振產(chǎn)生RFCell (輻射電堆)輻射電給儲(chǔ)電器。儲(chǔ)電器能以電壓充電模式進(jìn)行電力儲(chǔ)存，且使負(fù)載可從儲(chǔ)電器接出電力使用。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，該光熱發(fā)電模塊電能輸出端包含一第一處理器電路及一儲(chǔ)電器，還包含一相接市電的第二處理器電路且與該第一處理器電路并聯(lián)；該第二處理器電路具有一對(duì)市電整流的整流器、一 SCR硅控整流器及一 MosFET場(chǎng)效晶體管，并由一第二 IC控制器控制該硅控整流器及場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第二 IC控制器能把市電處理成 RFCell (輻射電堆)輻射電接給儲(chǔ)電器儲(chǔ)存，因此該儲(chǔ)電器可隨機(jī)由市電作電力不足時(shí)的補(bǔ)償性充電，使負(fù)載運(yùn)作用電正常。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，該儲(chǔ)電器的輸入端接入RFCell (輻射電堆)，輸出端與電功率負(fù)載連接，其至少包括一第一無窮級(jí)共振艙、一第二無窮級(jí)共振艙、一有極性電抗型超級(jí)電感、一無極性電納型超級(jí)電感、一無極性電抗型超級(jí)電容及一有極性電納型超級(jí)電容；該一第一無窮級(jí)共振艙，設(shè)在RFCell (輻射電堆)一極端，至少包含有一第一電性阻尼器及一第一電容；

該一有極性電抗型超級(jí)電感，是由一與第一無窮級(jí)共振艙的第一電性阻尼器及第一電容電性連接的第一實(shí)體電感線圈環(huán)繞在一第一永久磁鐵上所構(gòu)成；該一第二無窮級(jí)共振艙，一端與第一無窮級(jí)共振艙電性串接，另一端則作為負(fù)載接電的一極端，至少包含有一第二電性阻尼器及一第二電容；該一無極性電納型超級(jí)電感，是由一與第二無窮級(jí)共振艙的第二電性阻尼器及第二電容電性連接的第二實(shí)體電感線圈環(huán)繞在一第二永久磁鐵上所構(gòu)成；該一無極性電抗型超級(jí)電容，設(shè)在RFCell (輻射電堆)另一極端電性連接負(fù)載接電另一極端的線路上，與第一無窮級(jí)共振艙的輸出端并聯(lián)電性連接；該一有極性電納型超級(jí)電容，設(shè)在RFCell (輻射電堆)N極端電性連接負(fù)載接電另一極端的線路上，與第二無窮級(jí)共振艙的輸入端并聯(lián)電性連接。利用上述第一無窮級(jí)共振艙的共振、阻尼效應(yīng)，由該有極性電抗型超級(jí)電感的吸、 放電作用，在第一永久磁鐵造成磁場(chǎng)不收縮的情況下，由勞倫斯力將RFCell (輻射電堆)輻射電端電流轉(zhuǎn)成電子流，使無極性電抗型超級(jí)電容的表面聚集電荷，瞬間使該有極性電納型超級(jí)電容產(chǎn)生極化效應(yīng)，將電荷轉(zhuǎn)成電壓貯存；而第二無窮級(jí)共振艙的共振、阻尼效應(yīng)， 則由該無極性電納型超級(jí)電感與有極性電納型超級(jí)電容共振，使從有極性電納型超級(jí)電容輸出的高密度電荷，在流經(jīng)無極性電納型超級(jí)電感時(shí)會(huì)因勞倫斯力的作用轉(zhuǎn)成電子流到負(fù)載端；因此可形成高頻響應(yīng)的電壓充電，達(dá)到充電速度快、溫度低的效果，并可產(chǎn)生數(shù)倍的能量的效益，且允許極度放電及可同時(shí)作充電與放電。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述有極性電抗型超級(jí)電感與第一無窮級(jí)共振艙的第一電性阻尼器及第一電容電性連接，是以若干股細(xì)銅線在第一永久磁鐵上繞成電感，使通過的電流經(jīng)由第一永久磁鐵放大再變成無窮多束電子流發(fā)射出去。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述無極性電納型超級(jí)電感與第二無窮級(jí)共振艙之第二電性阻尼器及第二電容電性連接，是以若干股細(xì)銅線在第二永久磁鐵上繞成電感，使通過的電荷被轉(zhuǎn)成無窮多束電子流發(fā)射出去。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，所述溫度阻尼器的吸熱板為石墨板。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，所述太陽能芯片為砷化鎵基材所構(gòu)成的太陽能電芯片。本發(fā)明的有益效果是該太陽能光熱發(fā)電裝置至少包含一個(gè)光熱發(fā)電模塊，該光熱發(fā)電模塊設(shè)有一溫度阻尼器及若干個(gè)太陽能芯片構(gòu)成的光熱發(fā)電模塊，該溫度阻尼器上設(shè)有電荷產(chǎn)生端芯片、電子產(chǎn)生端芯片、吸熱板、溫度感知片和導(dǎo)電線路等，該若干個(gè)太陽能芯片呈陳列的方式固晶在溫度阻尼器的吸熱板上，由導(dǎo)電線路相互電性連接，且與溫度阻尼器之電極端導(dǎo)線電性串接；該太陽能芯片將光能轉(zhuǎn)換為電能時(shí)熱能被吸熱板吸收，該溫度阻尼器的吸熱板溫度高于室溫感知片溫度時(shí)會(huì)有溫場(chǎng)轉(zhuǎn)為電場(chǎng)的效應(yīng)產(chǎn)生電子流；因此，光熱發(fā)電模塊即能將光能與熱能同時(shí)轉(zhuǎn)換為電能，來增加太陽能轉(zhuǎn)換為電能輸出的效率，且溫度阻尼器溫場(chǎng)轉(zhuǎn)為電場(chǎng)時(shí)的電子可流接出利用或儲(chǔ)存，而使吸熱板上熱溫形同被移除與室溫感知片等溫的作用，從而使太陽能芯片得到高效率的散熱效果。


圖1為現(xiàn)有溫度阻尼組件構(gòu)造示意圖；圖2為現(xiàn)有太陽能芯片充電電路示意圖；圖3為最大功率移轉(zhuǎn)的等效電路示意圖；圖4為超級(jí)電容的等效電路示意圖；圖5為本發(fā)明構(gòu)造示意圖； 圖6為本發(fā)明構(gòu)造另一實(shí)施例示意圖；圖7為本發(fā)明儲(chǔ)電器構(gòu)造電路示意圖；圖8為無窮級(jí)共振艙正電性阻尼效應(yīng)等效電路示意圖；圖9為無窮級(jí)共振艙負(fù)電性阻尼效應(yīng)等效電路示意圖；圖10為超級(jí)電感的等效電路示意圖。對(duì)照附圖，作以下補(bǔ)充說明1-電荷產(chǎn)生芯片端2-電子產(chǎn)生芯片端3-第一面板4-第二面板10-充電電路20-蓄電池L-電感Q-晶體管D1- 二極管A-光熱發(fā)電模塊30-溫度阻尼器31-電荷產(chǎn)生端芯片32-電子產(chǎn)生端芯片33-吸熱板34-焊錫面35-導(dǎo)線36-室溫感知片40-太陽能芯片B-第一處理器電路Q1-P型晶體管Q2-N型晶體管50-第一 IC控制器E-第二處理器電路51-整流器52-硅控整流器53-場(chǎng)效應(yīng)晶體管54-第二 IC控制器C-儲(chǔ)電器D-負(fù)載60-第一無窮級(jí)共振艙Xu1-第一電性阻尼器C1-第一電容61-有極性電抗型超級(jí)電感 L1-第一實(shí)體電感線圈610-第一永久磁鐵70-第二無窮級(jí)共振艙Xu2-第二電性阻尼器C2-第二電容71-無極性電納型超級(jí)電感 L2-第二實(shí)體電感線圈80-無極性電抗型超級(jí)電容 710-第二永久磁鐵81-有極性電納型超級(jí)電容
具體實(shí)施例方式—種太陽能光熱發(fā)電裝置，如圖5，至少包含一光熱發(fā)電模塊A，該光熱發(fā)電模塊A由一溫度阻尼器30及若干個(gè)太陽能芯片40所構(gòu)成；該溫度阻尼器30，具有至少一電荷產(chǎn)生端芯片31及至少一電子產(chǎn)生端芯片32，該每一電荷產(chǎn)生端芯片31與每一電子產(chǎn)生端芯片32的非電極端面上相互連接的設(shè)有一吸熱板33，而電極端則各設(shè)焊錫面34接出導(dǎo)線35 及各設(shè)有一室溫感知片36，且該吸熱板33的上表面，并經(jīng)絕緣處理的設(shè)有導(dǎo)電線路；該若干個(gè)太陽能芯片40呈陳列的方式固晶在溫度阻尼器30的吸熱板33上，由導(dǎo)電線路相互電性連接，且與溫度阻尼器30的電極端導(dǎo)線35電性串接；該太陽能芯片40將光能轉(zhuǎn)換為電能時(shí)熱能被吸熱板33吸收，當(dāng)溫度阻尼器30的吸熱板33溫度高于室溫感知片36溫度時(shí)，會(huì)有溫場(chǎng)轉(zhuǎn)為電場(chǎng)的效應(yīng)產(chǎn)生電子流；因此，光熱發(fā)電模塊A即能將光能與熱能同時(shí)轉(zhuǎn)換為電能，來增加太陽能轉(zhuǎn)換為電能輸出的效率，且溫度阻尼器30溫場(chǎng)轉(zhuǎn)為電場(chǎng)時(shí)的電子流可接出利用或儲(chǔ)存，乃使吸熱板33上的熱溫形同被移除與室溫感知片36等溫的作用，而使太陽能芯片40得到高效率的散熱效果；并且，上述溫度阻尼器30的吸熱板33，可為石墨板，具有良好吸導(dǎo)熱性能；又且，上述太陽能芯片40，可為砷化鎵基材(GaAsBase)所構(gòu)成的太陽能發(fā)電芯片40，具光能轉(zhuǎn)換電能的高穩(wěn)定性與良好效率。根據(jù)上述實(shí)施例，其中，如圖5，該光熱發(fā)電模塊A將光能與熱能轉(zhuǎn)換為電能的輸出端，還包含一與光熱發(fā)電模塊A電性連接的第一處理器電路B，及一與第一處理器電路B 電性連接的儲(chǔ)電器C ；該第一處理器電路B，具有一 P型晶體管Q1及N型晶體管Q2,并由一第一 IC控制器50控制該P(yáng)型晶體管及N型晶體管，該第一 IC控制器能處理光熱發(fā)電模塊 A端輸出的電能，共振產(chǎn)生RFCell (輻射電堆)給儲(chǔ)電器C，而儲(chǔ)電器C能以電壓充電模式進(jìn)行電力儲(chǔ)存，且使負(fù)載D可從儲(chǔ)電器C接出電力使用。根據(jù)上述實(shí)施例，其中，如圖6，該光熱發(fā)電模塊A電能輸出端包含一第一處理器電路B及一儲(chǔ)電器C，該第一處理器電路B產(chǎn)生RFCell (輻射電堆)輻射電給儲(chǔ)電器C端， 還包含一相接市電第二處理器電路E與該第一處理器電路B并聯(lián)；該第二處理器電路E，具有一對(duì)市電(AC)整流的整流器51、一 SCR硅控整流器52及一 MosFET場(chǎng)效晶體管53，并由一第二 IC控制器54控制該硅控整流器52及場(chǎng)效應(yīng)晶體管53，該第二 IC控制器能把AC市電處理成RFCell (輻射電堆)接給儲(chǔ)電器C儲(chǔ)存，而儲(chǔ)電器C可隨機(jī)由市電作電力不足時(shí)的補(bǔ)償性充電，使負(fù)載D運(yùn)作用電正常。 根據(jù)上述實(shí)施例，其中，如圖5、6，該儲(chǔ)電器C的輸入端接入RFCell (輻射電堆)， 輸出端與電功率負(fù)載連接，如圖7，其至少包括一第一無窮級(jí)共振艙60、一第二無窮級(jí)共振艙70、一有極性電抗型超級(jí)電感61、一無極性電納型超級(jí)電感71、一無極性電抗型超級(jí)電容 80(Ultra Capacitor)及一有極性電納型超級(jí)電容 81 (Super Capacitor)；該一第一無窮級(jí)共振艙60，設(shè)在RFCell (輻射電堆)P極端，包含有一第一電性阻尼器Xu1、一第一電容C1 ；該一有極性電抗型超級(jí)電感61 (Super Inductor)，是由一與第一無窮級(jí)共振艙60 的第一電性阻尼器Xu1及第一電容C1電性連接的第一實(shí)體電感線圈L1環(huán)繞在一第一永久磁鐵610上所構(gòu)成；該一第二無窮級(jí)共振艙70，一端與第一無窮級(jí)共振艙60電性串接，另一端則作為負(fù)載D接電的一正極端，包含有一第二電性阻尼器Xu2及一第二電容C2 ；該一無極性電納型超級(jí)電感71 (Ultra inductor)，是由一與第二無窮級(jí)共振艙70 的第二電性阻尼器Xu2及第二電容C2電性連接的第二實(shí)體電感線圈L2環(huán)繞在一第二永久磁鐵710上所構(gòu)成；該一無極性電抗型超級(jí)電容80，設(shè)在RFCel 1 (輻射電堆)N極端電性連接負(fù)載D接電另一負(fù)極端的線路上，與第一無窮級(jí)共振艙60的輸出端并聯(lián)電性連接；

該一有極性電納型超級(jí)電容81，設(shè)在RFCel 1 (輻射電堆)N極端電性連接負(fù)載D接電另一負(fù)極端的線路上，與第二無窮級(jí)共振艙70的輸入端并聯(lián)電性連接；利用上述第一無窮級(jí)共振艙60的共振、阻尼效應(yīng)，由該有極性電抗型超級(jí)電感61 的吸、放電動(dòng)作，在第一永久磁鐵610造成磁場(chǎng)不收縮的作用下，由勞倫斯力將RFCell (輻射電堆)端電流轉(zhuǎn)成電子流，使無極性電抗型超級(jí)電容80的表面聚集電荷，瞬間該有極性電納型超級(jí)電容81極化效應(yīng)，將電荷轉(zhuǎn)成電壓貯存；而第二無窮級(jí)共振艙70的共振、阻尼效應(yīng)，則由該無極性電納型超級(jí)電感71與有極性電納型超級(jí)電容81共振，使從有極性電納型超級(jí)電容81輸出的高密度電荷，在流經(jīng)無極性電納型超級(jí)電感71時(shí)會(huì)因勞倫斯力的作用轉(zhuǎn)成電子流到負(fù)載D端；據(jù)以形成為高頻響應(yīng)的電壓充電，達(dá)到充電速度快、溫度低，可倍增的效益，且允許極度放電及可同時(shí)作充電與放電；且上述該有極性電抗型超級(jí)電感61 與第一無窮級(jí)共振艙60之第一電性阻尼器Xu1及第一電容C1電性連接，是以若干股細(xì)銅線在第一永久磁鐵610上繞成電感，使通過的電流經(jīng)由第一永久磁鐵610放大再變成無窮多束電子流發(fā)射出去；又且，上述該無極性電納型超級(jí)電感71與第二無窮級(jí)共振艙70的第二電性阻尼器Xu2及第二電容C2電性連接，是以若干股細(xì)銅線在第二永久磁鐵710上繞成電感，使通過的電荷被轉(zhuǎn)成無窮多束電子流發(fā)射出去。亦即，上述儲(chǔ)電器C的實(shí)施例，如圖7，該第一無窮級(jí)共振艙60及第二無窮級(jí)共振艙70，其電性阻尼會(huì)產(chǎn)生以下效應(yīng)(一)正電性阻尼效應(yīng)①將搜集再生電結(jié)合凸型諧振器，呈阻抗?fàn)顟B(tài)。②將搜集再生電結(jié)合凹型諧振器，呈導(dǎo)納狀態(tài)。③凸型諧振器結(jié)合凹型諧振器，呈無窮共振_①Ohm狀態(tài)。故將實(shí)功轉(zhuǎn)成虛功呈Sink狀態(tài)，等效電路如圖8，(二)負(fù)電性阻尼效應(yīng)①將搜集再生電結(jié)合凸型諧振器，呈導(dǎo)納狀態(tài)。②將搜集再生電結(jié)合凹型諧振器，呈阻抗?fàn)顟B(tài)。③凸型諧振器結(jié)合凹型諧振器，呈無窮共振⑴Ohm狀態(tài)。茲將虛功轉(zhuǎn)成實(shí)功呈Source狀態(tài)，等效電路如圖9。因此，如圖7所示電路也稱為二次RFCell (輻射電堆)儲(chǔ)存器(RF Cell Storage), 可快充快放沒有溫度及不會(huì)有最大功率移轉(zhuǎn)的問題。將可取代現(xiàn)今所有的二次電池。有極性電抗、無極性電納型超級(jí)電感61、71與無極性電抗、有極性電納型超級(jí)電容80、81的組合，快速充電與放電分別表示導(dǎo)納與阻抗呈-⑴與+⑴，換言之，即是超導(dǎo)或零損。也就是，有極性電抗、無極性電納型超級(jí)電感61、71分別是電感值各由第一、二永久磁鐵610、710分別激發(fā)第一、二實(shí)體電感線圈Lp L2產(chǎn)生XL = 2 π fL，頻率f各是由第一、二永久磁鐵610、710激發(fā)為c ，XL =⑴，只要電感值L不為零(實(shí)體的電感存在)，即是構(gòu)成為超級(jí)電感，其等效電感電路如圖10。由于，如圖7，該無極性電抗、有極性電納型超級(jí)電容80、81，分別是電容值由介電效應(yīng)后極化產(chǎn)生
權(quán)利要求
1.一種太陽能光熱發(fā)電裝置，其特征在于所述太陽能光熱發(fā)電裝置至少包含一個(gè)光熱發(fā)電模塊，該光熱發(fā)電模塊是由一個(gè)溫度阻尼器及若干個(gè)太陽能芯片所構(gòu)成；該溫度阻尼器具有至少一電荷產(chǎn)生端芯片及至少一電子產(chǎn)生端芯片，該每一電荷產(chǎn)生端芯片的非電極端面與每一電子產(chǎn)生端芯片的非電極端面上相互連接的設(shè)有一吸熱板，而該每一電荷產(chǎn)生端芯片的電極端和每一電子產(chǎn)生端芯片的電極端各設(shè)焊錫面接出導(dǎo)線，且在該焊錫面各設(shè)有一室溫感知片，在該吸熱板的相對(duì)于電荷產(chǎn)生端芯片和電子產(chǎn)生端芯片的表面上，經(jīng)絕緣處理的設(shè)有導(dǎo)電線路；該若干個(gè)太陽能芯片呈陳列的方式固晶在溫度阻尼器的吸熱板上，由導(dǎo)電線路相互電性連接，且與溫度阻尼器的電極端導(dǎo)線電性串接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能光熱發(fā)電裝置，其特征在于所述溫度阻尼器的吸熱板為石墨板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能光熱發(fā)電裝置，其特征在于所述太陽能芯片為砷化鎵基材所構(gòu)成的太陽能電芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能光熱發(fā)電裝置，其特征在于所述光熱發(fā)電模塊將光能與熱能轉(zhuǎn)換為電能的輸出端，還包含一與光熱發(fā)電模塊電性連接的第一處理器電路，及一與第一處理器電路電性連接的儲(chǔ)電器；該第一處理器電路具有一 P型晶體管及N型晶體管，并由一第一控制器(簡(jiǎn)稱IC)控制該P(yáng)型晶體管及N型晶體管，該第一 IC控制器能處理光熱發(fā)電模塊端輸出的電能，共振產(chǎn)生RFCell (輻射電堆)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能光熱發(fā)電裝置，其特征在于該光熱發(fā)電模塊電能輸出端包含一第一處理器電路及一儲(chǔ)電器，還包含一相接市電的第二處理器電路且與該第一處理器電路并聯(lián)；該第二處理器電路具有一對(duì)市電整流的整流器、一硅控整流器(簡(jiǎn)稱 SCR)及一 MosFET場(chǎng)效晶體管，并由一第二 IC控制器控制該硅控整流器及場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的太陽能光熱發(fā)電裝置，其特征在于該儲(chǔ)電器的輸入端接入RFCell (輻射電堆)，輸出端與電功率負(fù)載連接，其至少包括一第一無窮級(jí)共振艙、一第二無窮級(jí)共振艙、一有極性電抗型超級(jí)電感、一無極性電納型超級(jí)電感、一無極性電抗型超級(jí)電容及一有極性電納型超級(jí)電容；該一第一無窮級(jí)共振艙，設(shè)在RFCell (輻射電堆)一極端，至少包含有一第一電性阻尼器及一第一電容；該一有極性電抗型超級(jí)電感，是由一與第一無窮級(jí)共振艙的第一電性阻尼器及第一電容電性連接的第一實(shí)體電感線圈環(huán)繞在一第一永久磁鐵上所構(gòu)成；該一第二無窮級(jí)共振艙，一端與第一無窮級(jí)共振艙電性串接，另一端則作為負(fù)載接電的一極端，至少包含有一第二電性阻尼器及一第二電容；該一無極性電納型超級(jí)電感，是由一與第二無窮級(jí)共振艙的第二電性阻尼器及第二電容電性連接的第二實(shí)體電感線圈環(huán)繞在一第二永久磁鐵上所構(gòu)成；該一無極性電抗型超級(jí)電容，設(shè)在RFCell (輻射電堆)另一極端電性連接負(fù)載接電另一極端的線路上，與第一無窮級(jí)共振艙的輸出端并聯(lián)電性連接；該一有極性電納型超級(jí)電容，設(shè)在RFCell (輻射電堆)N極端電性連接負(fù)載接電另一極端的線路上，與第二無窮級(jí)共振艙的輸入端并聯(lián)電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能光熱發(fā)電裝置，其特征在于所述有極性電抗型超級(jí)電感與第一無窮級(jí)共振艙的第一電性阻尼器及第一電容電性連接，是以若干股細(xì)銅線在第一永久磁鐵上繞成電感。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能光熱發(fā)電裝置，其特征在于所述無極性電納型超級(jí)電感與第二無窮級(jí)共振艙的第二電性阻尼器及第二電容電性連接，是以若干股細(xì)銅線在第二永久磁鐵上繞成電感。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種太陽能光熱發(fā)電裝置，至少包含一個(gè)光熱發(fā)電模塊，該光熱發(fā)電模塊是由一個(gè)溫度阻尼器及若干個(gè)太陽能芯片所構(gòu)成；該溫度阻尼器設(shè)有電荷產(chǎn)生端芯片、電子產(chǎn)生端芯片、吸熱板、溫度感知片和導(dǎo)電線路等，該若干個(gè)太陽能芯片呈陳列的方式固晶在溫度阻尼器的吸熱板上，由導(dǎo)電線路相互電性連接，且與溫度阻尼器的電極端導(dǎo)線電性串接。該太陽能光熱發(fā)電裝置，既能將光能和熱能同時(shí)轉(zhuǎn)換成電能，增加太陽能轉(zhuǎn)換為電能輸出的效率，又能使太陽能芯片得到高效率的散熱。
文檔編號(hào)H02N6/00GK102244482SQ20101017246
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2010年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月12日
發(fā)明者徐夫子 申請(qǐng)人:凃杰生, 徐夫子