專利名稱：太陽能光電轉換裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種太陽能光電轉換裝置，特別是允許天線傳送及接收射頻信號的太陽能光電轉換裝置。
背景技術：
近年來對于替代能源的需求大幅增加，在各國政府的鼓勵投資之下，太陽能光電 轉換裝置的鋪設面積大幅成長，不但布建在陽光充足但是人煙稀少的邊荒地區(qū)，也逐步 擴及市區(qū)的建筑物屋頂上，甚至與建筑物結合，稱為建筑物集成光電轉換裝置(Building IntegratedPhotovoltaics, BIPV)?？梢灶A見未來建筑物的屋頂甚至外墻都有可能大量裝 置太陽能光電轉換裝置，然而在城市地區(qū)的建筑物屋頂常會架設一些無線通訊裝置，如移 動電話基站、點對點傳輸站、衛(wèi)星接收器、無線電以及無線電視接收天線等，太陽能光電轉 換裝置與無線通訊裝置因此會有爭奪樓頂面積甚至于有互相干擾對方運行的情形出現(xiàn)，基 于這種趨勢，將兩者集成以充分發(fā)揮可貴的樓頂面積是有必要的。另一方面，太陽能光電轉換裝置有可能會普遍裝置于建筑物側邊的墻壁、窗戶，以 及汽車的車頂、玻璃部分甚至是外殼的部分，若有無線通訊裝置在這些空間中，勢必會影 響到通訊信號的強度。甚至移動通訊裝置如筆記型電腦、膝上型電腦、智能型手機(Smart Phone)等本身也有可能會覆蓋太陽能光電轉換裝置，這些太陽能光電轉換裝置具有大量的 金屬構造，直接置于天線的輻射路徑上必定會造成原本的無線通訊裝置在通訊功能上的阻 礙，因此這必須要有特殊的解決手段才能讓兩者并存。
發(fā)明內容
本發(fā)明利用單一或多個太陽能光電轉換裝置其中的傳導電極的排列，形成頻率選 擇面(Frequency Selective Surface，F(xiàn)SS)，置于射頻電磁波的路徑上，適當?shù)恼{整太陽能 光電轉換裝置中各單元的幾何參數(shù)，使得FSS的穿透頻率或是截止頻率調整至符合射頻通 訊系統(tǒng)或是射頻天線的需求。進一步地，本發(fā)明提出一種太陽能光電轉換裝置，允許天線進行發(fā)射或接收射頻信 號，其包含太陽能光電轉換材料及傳導電極。太陽能光電轉換材料用以將光能轉換成電能，而 傳導電極用以將太陽能光電轉換材料轉換所得的電能收集并傳導。傳導電極的排列構成頻 率選擇面，且頻率選擇面置于該天線的輻射發(fā)射或接收路徑上。頻率選擇面與該天線具有間 距，且頻率選擇面在該天線的主要輻射發(fā)射或接收路徑方向上的投影涵蓋該天線。另外，前述太陽能光電轉換裝置可作為太陽能光電轉換裝置單元。根據(jù)本發(fā)明可 將多個太陽能光電轉換裝置單元組合成模塊的形式，進行陣列排列，并利用如調整各太陽 能光電轉換裝置單元或模塊間的間距，形成所需的頻率選擇面。
圖1繪示本發(fā)明一實施例的太陽能光電轉換裝置。
圖2及3繪示圖1的太陽能光電轉換裝置的頻率與穿透率的關系圖。圖4繪示本發(fā)明另一實施例的太陽能光電轉換裝置。圖5繪示圖4的太陽能光電轉換裝置的頻率與天線增益的關系圖。圖6及7繪示本發(fā)明又一實施例的太陽能光電轉換裝置。圖8至11繪示本發(fā)明的太陽能光電轉換裝置的應用例。主要元件符號說明10太陽能光電轉換裝置11上電極12下電極13太陽能光電轉換材料14傳導電極15手指電極16總線電極17頻率選擇面18天線40太陽能光電轉換裝置41網(wǎng)格狀電極42反射面43射頻激發(fā)源44法布里-珀羅共振腔45下電極46總線電極47光電轉換材料60太陽能光電轉換裝置單元61透明承載結構62透明迎光面電極63薄膜光電轉換材料64金屬背電極71太陽能光電轉換裝置模塊70太陽能光電轉換裝置80太陽能光電轉換裝置81天線82整流元件83太陽能光電轉換元件84反射面91天線92電磁波
具體實施例方式以下具體實施手段搭配附圖進行說明，其中所揭露的太陽光電轉換裝置的型式及 數(shù)據(jù)，是為了使說明清楚，并非用以限定本發(fā)明。太陽光電轉換裝置單元大致上是由以下的結構所組成透明上保護層(通常是玻 璃)、上電極、下電極、單元間的連接電極、光電轉換材料、保護層或承載結構等。一個完整的 太陽光電轉換裝置模塊包含多個單元，以串聯(lián)及并聯(lián)的方式連接，以提供系統(tǒng)所需要的輸 出電壓以及電流。以多晶硅及單晶硅為光電轉換材料的太陽光電轉換裝置，在大型模塊中，通常以 整片的晶片(wafer)當作一個單元，但是在較小的裝置中，受限于面積以及模塊輸出電壓 的需求(需要多個單元串接提供較高的輸出電壓)，會將晶片切割成較小的面積作為單元。 但是切割晶片需要額外的時間與成本，過小的單元組裝成模塊時也比較耗時，因此一般而 言在符合系統(tǒng)需求的前提下，就經(jīng)濟效應而言，單元的大小應該越大越好，而且最好以整片 的晶片為優(yōu)先。常見的多晶硅的太陽能光電轉換裝置單元的上電極多為正交網(wǎng)格狀，包括等間距布滿整片單元的手指電極(finger electrodes)，以及數(shù)量較少，略為粗厚，用來匯集手指 電極上電流的總線電極(bus-barelectrodes)。而通過連接電極將總線電極上的電流連接 到相鄰單元的電極完成串聯(lián)的電性連結。多晶硅的太陽能光電轉換裝置單元通常采用不透 光的金屬(相比于薄膜太陽能光電轉換裝置多采用透明但是導電性較差的透明導電氧化 物(Transparent Conductive Oxide，TCO))，若電極間距過小，數(shù)量過多，遮蔽太多面積，將 導致單元開孔率下降，可輸出的功率也會降低；另一方面若電極間距過大(相對于轉換材 料中電子空穴的平均自由徑)，則電子空穴要移動到電極的距離較長，因此電子空穴再結合 的機率將增加，導致轉換效率下降。一般多晶硅的太陽能光電轉換裝置單元(PV Cell)的 手指電極的間距以目前技術來說約在2 4mm之間，而一個6英寸見方的PV Cell單元可 能約有三條總線電極。下電極由于沒有遮光的考慮，所以可能會以金屬鋪滿整個PV Cell 單元的背面作為下電極。本發(fā)明的基本精神是將整個太陽能光電轉換裝置單元當成頻率選擇面 (Frequency Selective Surface,FSS)的周期單元，置于射頻電磁波的路徑上，適當?shù)恼{整 單元的幾何參數(shù)，使得FSS的穿透頻率或是截止頻率調整至符合射頻通訊系統(tǒng)或是射頻天 線的需求。在單元的平面波穿透測試中，發(fā)現(xiàn)調整單元中的電極的周期間距，可以調整FSS 單元的穿透頻率或是截止頻率。發(fā)明實施例一
圖1揭示本發(fā)明第一實施例的一種太陽能光電轉換裝置10，其允許天線進行輻射 發(fā)射或接收。太陽能光電轉換裝置10包含上電極11、下電極12以及太陽能光電轉換材料 13。上電極11、下電極12分別位于太陽能光電轉換材料13的兩側?？偩€電極(bus-bar electrodes) 16與上電極11、下電極12所包含的手指電極15形成類網(wǎng)格狀，用來匯集上 電極11、下電極12上的電流。太陽能光電轉換材料13可將光能轉換成電能。上電極11、 下電極12形成傳導電極14，用以將太陽能光電轉換材料13轉換所得的電能收集并傳導 至另一個太陽能光電轉換裝置或是傳導至電力系統(tǒng)或是電力儲存裝置。太陽能光電轉換 材料13包括硅基半導體，如單晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜、多晶硅薄膜，或是III-V族化合 物如 GaAs、AlGaAs, InGaP, InGaAsP 與 InP 等，II-VI 族以及 I-III-VI 族化合物如 CdTe, CuInSe2 (CIS)、CuGaInSe2 (CGIS)、CuIn1_xGaxS1_ySey (CIGSS)等，以及有機染料，或是多結 (Multi-junction)的復合結構等。傳導電極14的排列構成頻率選擇面17。本實施例中即上電極11及下電極12排 列成頻率選擇面17。頻率選擇面17置于該天線18的輻射發(fā)射或接收路徑上。頻率選擇面 17與該天線18具有間距d，頻率選擇面17在該天線18的主要輻射發(fā)射或接收路徑方向上 的投影涵蓋該天線18。更具體地，太陽能光電轉換裝置10由一片厚度約為0. 35mm，邊長約為150mm(約六 英寸)的正方形多晶硅晶片組成。上電極11及下電極12皆為類網(wǎng)格狀，各包括布滿整片 單元的手指電極15，以及數(shù)量較少，略為粗厚，用來匯集手指電極15上電流的總線電極16。 承載結構可為對微波影響不大的玻璃或塑料、丙烯酸(壓克力)等材料。手指電極15間距 約為2. 8mm，若欲集成的射頻通訊系統(tǒng)其微波信號為線性偏振，微波信號行進方向大約平行 于圖中的ζ方向，且偏振的方向大約平行于圖中χ方向，則通過調整總線電極16的數(shù)量與 間距，可以調整射頻電磁波穿透頻率的高低。一般說來，間距越大，總線電極16數(shù)量越少，相對應的射頻電磁波穿透頻率越低，反之則越高。當選擇總線電極16的間距約為25mm，總 線電極16數(shù)目為6個，在不考慮材料損耗的情況之下，此時射頻電磁波穿透頻率可以涵蓋 衛(wèi)星通訊常用的C-波段(例如3. 4GHz-4. 2GHz)，如圖2所示。所以由此種單元所組成的模 塊覆蓋在C-波段的衛(wèi)星天線上是可以將太陽能光電轉換裝置10對微波信號的干擾降低。 而在此實施例中，雖然總線電極16數(shù)目較一般的單元多，但是可以通過適度的縮減電極寬 度，將遮蔽的面積影響降低，而不至于大幅影響太陽能光電轉換裝置10的輸出功率。上述類網(wǎng)格狀其中一實施例是正交網(wǎng)格狀。圖3為此實施例于不同入射角的射頻電磁波穿透率對頻率作圖，入射角改變對其操作頻段穿透率影響不大。此實施例中，太陽能光電轉換裝置其與地面的夾角通常是以所 鋪設所在地的緯度為基準，再依四季做例如士 15度內的調整。也就是太陽能光電轉換裝置 10的受光面的法線方向約略指向赤道面，與衛(wèi)星通訊裝置指向同步衛(wèi)星的仰角相近，而在 圖3中可以發(fā)現(xiàn)，即使水平方向的角度轉動了 60度，射頻電磁波穿透的效果仍然不錯，故此 設計在實用性上具有相當大的優(yōu)勢。根據(jù)此實施例所設計出的太陽能光電轉換裝置10具 有寬頻、能接受高入射角的射頻電磁波穿透特性，除適合衛(wèi)星通訊的應用，也適合其它寬頻 通訊等的應用。上述的太陽能光電轉換裝置10可作為太陽能光電轉換裝置單元(PV cell)，而依 實際需求將多個太陽能光電轉換裝置單元排列成陣列形式，其中個別的太陽能光電轉換裝 置單元具有頻率選擇面單元(FSS單元)，而可合成頻率選擇面。進一步地，頻率選擇面單元的大小通過調整其所包含的太陽能光電轉換裝置單元 的數(shù)量以及太陽能光電轉換裝置單元的大小來決定，該頻率選擇面單元與相鄰的頻率選擇 面單元具有間距，以調整頻率選擇面單元射頻電磁波的穿透/反射特性。該頻率選擇面具 有過濾射頻電磁波的功能，能使射頻電磁波在通過該頻率選擇面時遭遇特定的衰減或是反 射的特性。發(fā)明實施例二本發(fā)明第二實施例的太陽能光電轉換裝置單元的組成與第一個實施例相似，但是 下電極的形式從類網(wǎng)格狀改為整面的金屬，即形成反射面。在此狀況下的太陽能光電轉換 裝置單元具有相當寬的電磁波截止頻帶，而電磁波穿透頻帶則相對較窄。此時可通過調整 太陽能光電轉換裝置單元的大小來控制穿透頻帶的頻率高低。單元越大，則穿透頻率越低， 反之則越高。而通過調整單元間的間距則可以控制穿透頻率的頻寬，一般說來，間距越大則 穿透的頻寬越大。而此時若單元為正方形，X、Y方向相鄰單元的間距也相同，而單元具有X 方向與Y方向的連接電極，使得FSS單元在X、Y方向電場偏振的電磁波信號具有頻率相同 的電磁波穿透頻帶，這可以應用于相對窄頻的雙極化/圓極化射頻通訊應用，例如GPS信號 接收器/發(fā)射器。發(fā)明實施例三參照圖4，與第二個實施例的太陽能光電轉換裝置單元類似。本實施例中，太陽能 光電轉換裝置40是由多個光電轉換裝置單元組成。上電極為網(wǎng)格狀電極41，且由總線電極 46相連接，而下電極45則于各單元中鋪滿光電轉換材料47的另一側。由于此時FSS單元具有比較寬的電磁波截止頻帶，電磁波穿透的比例較低，因此 可以順勢依此特性設計為法布里-珀羅(Fabry-PerotFP)共振腔44的可部分穿透層(電極)41，與一個或多個射頻激發(fā)源43，以及一個額外加上的且平行此可部分穿透層41的反 射面42組成共振腔式高增益天線。FP可部分穿透層41的穿透比率可以通過調整太陽能 光電轉換裝置單元的間距的比例。間距所占整個周期的比例越高，則穿透的比例越高，反之 則越低。由FSS所形成的FP可部分穿透層41與金屬反射面42形成FP共振腔44，兩者的 間距例如約為欲穿透頻率的波長的一半，但此間距可以通過賦予金屬反射面42上特殊的 周期性結構(如人工磁導體Artificial Magnetic Conductor, AMC)藉以改變反射相位而 縮小。在FP共振腔44中放置一個或多個射頻天線43當成激發(fā)源，可以達到非常高的指向 性，與沒有FP可部分穿透層的天線相比，具有提高增益的作用(在不考慮材料損耗的情況 之下，如圖5所示天線增益由約IOdBi增加到約20dBi)。在多個激發(fā)源的情況下，如果調整 各個射頻天線的相對發(fā)設/接收強度與相位，則可以達到斜向發(fā)射/接收射頻信號的作用， 以應付射頻電磁波傳播方向與PV Cell或是FSS平面法線方向不同的情況。發(fā)明實施例四如圖6所示，薄膜式太陽能光電轉換裝置單元60包括透明承載結構61 (例如玻 璃)、透明迎光面電極62 (通常是由TCO所構成)、薄膜光電轉換材料63 (常見的為非晶硅 的多層結構)以及金屬背電極64等。以上述非晶硅的薄膜式太陽能光電轉換裝置單元60為例，由于非晶硅的電子、空 穴平均自由徑較短，因此電極需要涵蓋大部分的面積以有效吸收電荷，而TCO的導電度較 差，因此也需要做成較寬的導線來導引電流以避免過高的歐姆損耗。金屬背電極64也充當 反射層，將未被吸收的光子反射回光電轉換材料。因此透明迎光面電極62、薄膜光電轉換材 料63、金屬背電極型64成類似電容的三明治結構，對射頻電磁波而言是一個相當窄頻的帶 通結構，若沒有做特殊的結構改變，射頻電磁波信號穿透時會有相當大的損耗。通常非晶硅的薄膜式的太陽能光電轉換裝置單元60的周期較小(例如約6mm IOmm)，單元間的間距也很小(例如約小于Imm)，電極的涵蓋范圍大，因此不易通過調整單 元的結構來達成FSS射頻電磁波穿透頻帶與截止頻帶的分布。如圖7所示，本發(fā)明以多個太陽能光電轉換裝置單元60組成一個模塊71，再由結 合多個模塊71作陣列排列，形成一個太陽能光電轉換裝置70。其中太陽能光電轉換裝置單 元60中的金屬背電極64也充當繞線層，連接至相鄰單元60的透明迎光面電極62。以此模 塊71做為FSS的單元具有比較大的設計、調整空間。調整模塊71中單元60的大小與單元 60的個數(shù)可以調整FSS單元的大小，進而調整其射頻電磁波穿透/截止頻帶的分布。相鄰 模塊71與模塊71之間有較大的間距(雖然會損失一些輸出功率)，可以使FSS單元的穿透 率增加，進而達到與實施例二以及實施例三相同的集成效果。多個太陽能光電轉換裝置單 元60可進行電性串聯(lián)或并聯(lián)，以配合雙極化天線的應用。發(fā)明實施例五天線除了可以用來接收、發(fā)射無線 信號，也可以用來接收電磁波能量。將天線結合 整流元件，便可將高頻的電磁波轉換成直流電壓。例如通過人造衛(wèi)星將太陽能轉換成微波 能量，再通過微波的無線傳波路徑傳遞給無人飛行載具(Unmanned Aerial Vehicle, UAV), 若此UAV表面也覆有太陽能光電轉換裝置，并將微波接收天線通過上述實施例一至實施例 四的方式巧妙的裝置于太陽能光電轉換裝置之下，如此便能擁有兩個補充性的供能途徑， 以延長UAV的供電時間。另一方面，目前的硅基太陽能光電轉換裝置的吸收波長多以可見光至近紅外光的波長為主。而太陽輻射至地球表面的能量有一部分經(jīng)過非彈性散射以及生 物體吸收在放出的過程轉換至太赫茲(THz)頻率(波長約為10 μ m)的電磁輻射，此一部分 的能量尚未被開發(fā)，殊為可惜。如圖8所示，太陽能光電轉換裝置80包含天線81 (包含反射面84)、整流元件82以及太陽能光電轉換元件83。整流元件82具有允許GHz頻段通過的FSS，且將高頻THz頻 段的電磁波轉換成直流電能。太陽能光電轉換元件83的FSS允許GHz頻段通過以進行信號 傳送或接收。太陽能光電轉換元件83的型式可如上述實施例一至實施例四所示。如果將 天線81通過整流元件82將THz高頻的電磁波轉換成直流電能，再通過上述實施例一至實 施例四的方式裝置于太陽能光電轉換元件83之下，如此便能在同一面積下?lián)碛须p頻段(光 頻與THz頻率)的太陽能吸收機制，能更有效的擷取太陽的能量，并且能集成射頻電磁波通 訊的功能。進一步地，該電磁波能量的頻率可包含微波頻率、毫米波頻率或太赫茲頻率。發(fā)明實施例六如圖9所示，本實施例利用太陽能光電轉換裝置單元10作為FSS(其他實施例的 太陽能光電轉換裝置單元也可作為FSS)結構，而利用FSS來反射位于射頻電磁波92截止 頻帶的電磁波的反射結構，用以改變射頻天線91所輻射的射頻電磁波的傳播方向。如圖10所示，由射頻天線91所輻射的不同頻段fl及f2的電磁波92分別位于 FSS結構的穿透頻帶與截止頻帶，可使不同頻段的射頻電磁波往不同方向傳播。如圖11所 示，F(xiàn)SS對不同的極化pi及p2的雙極化射頻電磁波92具有不同的穿透/反射特性，因此 本發(fā)明也可利用此一特性，以太陽能光電轉換裝置單元10作為FSS，引導不同極化的射頻 電磁波往不同的方向傳播。以上已將本發(fā)明專利申請案做一詳細說明，但是以上所述，僅為本發(fā)明專利申請 案的較佳實施范例而已，當不能限定本發(fā)明專利申請案實施的范圍。即凡依本發(fā)明專利申 請案申請范圍所作的均等變化與修飾等，皆應仍屬本發(fā)明專利申請案的專利涵蓋范圍內。
權利要求
一種太陽能光電轉換裝置，允許天線進行發(fā)射或接收射頻信號，其包含太陽能光電轉換材料，用以將光能轉換成電能；以及傳導電極，用以將太陽能光電轉換材料轉換所得的電能收集并傳導；其中該傳導電極的排列構成頻率選擇面，該頻率選擇面置于該天線的輻射發(fā)射或接收路徑上，該頻率選擇面與該天線之間具有間距，該頻率選擇面在該天線的主要輻射發(fā)射或接收路徑方向上的投影涵蓋該天線。
2.根據(jù)權利要求1所述的太陽能光電轉換裝置，其中該傳導電極包含上電極，設于該太陽能光電轉換材料的一側；以及下電極，設于該太陽能光電轉換材料的另一側；其中該上電極及下電極的網(wǎng)格狀設計使得該頻率選擇面具有寬頻的穿透頻帶，從而該 天線得以發(fā)射或接收寬頻的射頻電磁波信號。
3.根據(jù)權利要求1所述的太陽能光電轉換裝置，其中該傳導電極的排列形成具有可部 分穿透特性的頻率選擇面，與另一平行于該頻率選擇面的反射面之間具有間隔，以形成法 布里-珀羅共振腔。
4.根據(jù)權利要求3所述的太陽能光電轉換裝置，其中該天線置于該法布里_珀羅共振 腔中。
5.根據(jù)權利要求3所述的太陽能光電轉換裝置，其中該反射面具有周期性結構，使得 該法布里_珀羅共振腔其間距小于波長的一半。
6.根據(jù)權利要求1所述的太陽能光電轉換裝置，其中該頻率選擇面具有雙極化特性。
7.根據(jù)權利要求1所述的太陽能光電轉換裝置，其中該太陽能光電轉換材料包含硅基 半導體、III - V族化合物、II - VI族、I-III- VI族化合物、有機染料、或前述的組合。
8.根據(jù)權利要求1所述的太陽能光電轉換裝置，其另包含整流元件，將該天線所接收 到的電磁波能量轉換成直流電能并輸出至電力系統(tǒng)或是電力儲存裝置。
9.根據(jù)權利要求8所述的太陽能光電轉換裝置，其中該電磁波能量的頻率為微波頻 率、毫米波頻率或太赫茲頻率。
10.一種太陽能光電轉換裝置，允許天線進行發(fā)射或接收射頻信號，其包含多個太陽能光電轉換裝置單元，包含太陽能光電轉換材料與傳導電極，該多個太陽能 光電轉換裝置單元形成陣列排列，從而構成頻率選擇面，該頻率選擇面置于該天線的輻射 發(fā)射或接收路徑上，該頻率選擇面與該天線之間具有間距，該頻率選擇面在該天線的主要 輻射發(fā)射或接收路徑方向上的投影涵蓋該天線。
11.根據(jù)權利要求10所述的太陽能光電轉換裝置，其中該陣列是由多個太陽能光電轉 換模塊所組成，各太陽能光電轉換模塊包含多個該太陽能光電轉換裝置單元，且各該太陽 能光電轉換裝置單元具有頻率選擇面單元。
12.根據(jù)權利要求11所述的太陽能光電轉換裝置，其中該頻率選擇面單元的大小通過 調整其所包含的太陽能光電轉換裝置單元的數(shù)量以及太陽能光電轉換裝置單元的大小來 決定，該頻率選擇面單元與相鄰的頻率選擇面單元之間具有間距，以調整頻率選擇面單元 射頻電磁波的穿透/反射特性。
13.根據(jù)權利要求10所述的太陽能光電轉換裝置，其中該頻率選擇面具有過濾射頻電 磁波的功能，能使射頻電磁波在通過該頻率選擇面時遭遇特定的衰減或是反射的特性。
14.根據(jù)權利要求10所述的太陽能光電轉換裝置，其中該太陽能光電轉換裝置單元是 非晶硅薄膜形式。
15.根據(jù)權利要求10所述的太陽能光電轉換裝置，其中該多個太陽能光電轉換裝置單元進行電性串聯(lián)或并聯(lián)，以配合雙極化天線的應用。
全文摘要
本發(fā)明提出一種太陽能光電轉換裝置，允許天線進行發(fā)射或接收射頻信號，其包含太陽能光電轉換材料及傳導電極。太陽能光電轉換材料用以將光能轉換成電能，而傳導電極用以將太陽能光電轉換材料轉換所得的電能收集并傳導。該傳導電極的排列構成頻率選擇面，該頻率選擇面置于該天線的輻射發(fā)射或接收路徑上。頻率選擇面與該天線具有間距，且頻率選擇面在該天線的主要輻射發(fā)射或接收路徑方向上的投影涵蓋該天線。
文檔編號H02N6/00GK101989822SQ20101019247
公開日2011年3月23日 申請日期2010年5月27日 優(yōu)先權日2009年8月4日
發(fā)明者吳俊熠, 林弘萱, 浦大鈞 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院