專利名稱：集成電路操作期間在其中生成電能的方法、相應的集成電路及制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及集成電路，更具體地涉及在集成電路中生成電能，而不是由諸如電池 之類的常規(guī)電源產(chǎn)生能量。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一種實施方式和實施例，提出可以基于集成電路的內(nèi)部操作恢復電能的方法 和集成電路，以便可選地存儲該電能，從而能夠例如對集成電路中的特定部分進行供電和/ 或對電池進行再充電。這使得可以極大地延長電池的壽命和/或減小電池的尺寸。根據(jù)一方面，提出一種在集成電路中生成能量的方法，包括由集成電路操作期間 所述集成電路的至少一部分中的電流流動，在所述集成電路的至少一個區(qū)域中產(chǎn)生至少一 個溫度梯度，以及基于承受所述溫度梯度的所述區(qū)域中所包含的至少一種熱電材料而產(chǎn)生 電能。發(fā)明人實際上已經(jīng)觀察到在集成電路的至少一部分操作期間，集成電路的特定區(qū) 域，特別是多個電互連層之間，會發(fā)生溫度梯度，所述梯度源自于由例如邏輯門、寄存器、觸 發(fā)器的觸發(fā)、晶體管的切換等所導致的電流流動，例如電脈沖。并且，依賴于這些不同部件的互連，某些時刻這些電脈沖的傳播會在集成電路的 某些區(qū)域中導致溫度梯度。結果，熱電材料使得可以基于其所承受的熱梯度而產(chǎn)生電能，更確切地說是電流。這里應當注意的是，所實施的方法沒有使用唯一功能在于導致溫度梯度的任何特 定加熱或冷卻部件。相反，使用集成電路的現(xiàn)有元件，例如互連網(wǎng)絡來產(chǎn)生熱梯度。按照慣例，集成電路包括本領域技術人員通常使用詞語“前端線”(FEOL)來表示的 一部分，該部分頂部有本領域技術人員通常使用詞語“后端線”(BEOL)表示的第二部分。FEOL部分實際上是集成電路中首先被制造的部分，其中置有諸如晶體管、電阻器 等慣用有源部件。FEOL部分通常包括集成電路中到第一金屬化層為止的所有各個元件。集成電路的上部，即BEOL部分是集成電路中通過互連網(wǎng)絡將有源部件互連的部 分，其中互連網(wǎng)絡包括形成線路或互連線的金屬化層以及通孔。該BEOL部分通常由第一金 屬化層開始，并且還包括通孔、絕緣層以及布置在集成電路上部的接觸焊盤。雖然所述熱電區(qū)域可以布置在集成電路中易于承受溫度梯度的任意部分中，但尤 其有利且簡單的是，將熱電材料置于在一個或多個互連網(wǎng)絡部分，即集成電路的BEOL部分 的附近所制作的一個或多個區(qū)域中。實際上，已經(jīng)觀察到，在集成電路的至少一部分操作期 間，互連網(wǎng)絡的至少一部分中的電流流動使得可以產(chǎn)生易于使用的溫度梯度。集成電路中溫度梯度的定位尤其依賴于集成電路的內(nèi)部特性及其設想的操作方 式，并且尤其依賴于有源部件的類型、有源部件的互連方式以及集成電路操作期間有源部 件的使用和實施方式。溫度梯度的這種定位，尤其是在互連網(wǎng)絡中的定位，易于受到例如仿真的影響，該仿真以對集成電路在可設想的操作情形下的操作進行的一個或多個仿真為基礎。一旦執(zhí)行了溫度梯度的定位，就可以容易地定位即將用于容納一種或多種熱電材 料的區(qū)域。在互連網(wǎng)絡包括多個互連層時——通常情況就是如此——可以在不同的互連層 上以及不同的互連層之間制作所述熱電區(qū)域中的至少一個熱電區(qū)域。還可以在同一互連層上制作所述熱電區(qū)域中的至少一個熱電區(qū)域。根據(jù)一種實施方式，還可以以使所述熱電區(qū)域的至少一個區(qū)域與互連網(wǎng)絡的一部 分的電絕緣掩蔽物(shroud)(例如，層間電介質)中熱擴散系數(shù)不同的至少兩個區(qū)帶相鄰 的方式制作所述熱電區(qū)域中的至少一個區(qū)域?？梢栽谠摻^緣掩蔽物中制作例如本領域技術 人員通常使用詞語“空氣隙”來表示的空氣袋，從而使得可以建立熱擴散系數(shù)低的區(qū)帶?？梢猿鲇诟鞣N目的而使用熱電材料所產(chǎn)生的能量。例如，可以將該能量存儲于在 集成電路中制作的存儲裝置，例如電容器中。該電容器可以是例如在BEOL部分中制作的金 屬-金屬電容器，或者是在FEOL部分中制作的電容器。根據(jù)另一方面，提出一種集成電路，包括包含至少一種熱電材料的至少一個區(qū) 域，被配置為承受由集成電路操作期間所述集成電路的至少一部分中的電流流動所產(chǎn)生的 至少一個溫度梯度；以及導電輸出裝置，連接至所述區(qū)域，用于傳送所述熱電材料產(chǎn)生的電 能。根據(jù)一個實施例，集成電路包括有源部件和有源部件之間的導電互連網(wǎng)絡，并且 包含至少一種熱電材料并被配置為承受至少一個溫度梯度的所述區(qū)域位于互連網(wǎng)絡的一 個或多個部分附近。根據(jù)一個實施例，互連網(wǎng)絡包括多個互連層，并且所述區(qū)域中的至少一個區(qū)域在 不同的互連層上以及不同的互連層之間延伸。根據(jù)一個實施例，互連網(wǎng)絡包括多個互連層，并且所述區(qū)域中的至少一個區(qū)域在 同一互連層上延伸。根據(jù)一個實施例，所述區(qū)域中的至少一個區(qū)域與互連網(wǎng)絡的一部分的電絕緣掩蔽 物中熱擴散系數(shù)不同的至少兩個區(qū)帶相鄰。兩個區(qū)帶之一可以包括空氣袋。根據(jù)一個實施例，所述區(qū)域中的至少一個區(qū)域在互連線的部分中的至少一個部分 之間延伸。根據(jù)一個實施例，集成電路進一步包括電連接至導電輸出裝置的電能存儲裝置。根據(jù)另一方面，提出一種制造集成電路的方法，包括制作至少一個區(qū)域，所述區(qū) 域包含至少一種熱電材料，并且被配置為承受由集成電路操作期間所述集成電路的至少一 部分中的電流流動所產(chǎn)生的至少一個溫度梯度；以及制作導電輸出裝置，該導電輸出裝置 連接至所述區(qū)域，用于傳送熱電材料所產(chǎn)生的電能。根據(jù)設想制作集成電路的有源部分，并且在有源部分上制作互連網(wǎng)絡的一種實施 方式中，制作所述熱電區(qū)域以及制作導電輸出裝置在制作互連網(wǎng)絡期間執(zhí)行。根據(jù)一種實施方式，制作所述區(qū)域包括在互連網(wǎng)絡中位于一個或多個互連層上 的互連線之間進行刻蝕，從而建立溝槽的操作；以及使用至少一種熱電材料填充這些溝槽 的操作。
根據(jù)一種實施方式，制作至少一個區(qū)域包括在位于不同互連層上的熱電溝槽之 間制作至少一個通孔，并且使用熱電材料填充所述通孔。根據(jù)一種實施方式，還進一步提議，在填充有熱電材料的至少一個區(qū)域的一部分 附近制作空氣袋。根據(jù)一種實施方式，還進一步提議，制作連接至電輸出裝置的能量存儲裝置。
通過研究完全非限制性的實施方式和實施例以及附圖，本發(fā)明的其它優(yōu)點和特征 將更明顯，附圖中圖1以示意方式示出集成電路的示例性結構；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的方法的一種實施方式的主要步驟；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的集成電路的示例性實施例；圖4至圖8示出根據(jù)本發(fā)明的集成電路中的熱電區(qū)域的示例性實施例；圖9示意性示出根據(jù)本發(fā)明的集成電路的一部分的另一實施例；圖10示出根據(jù)本發(fā)明的集成電路的一部分的又一實施例；并且圖11示出用于存儲根據(jù)本發(fā)明的集成電路所產(chǎn)生的能量的示例裝置的電路圖。
具體實施例方式圖1中，附圖標記CI表示包括有源部分的常規(guī)結構的集成電路，有源部分包括例 如晶體管T的有源部件。本領域技術人員通常使用詞語“前端線”(FEOL)來表示該有源部 分。在該有源部分上方有互連網(wǎng)絡RICX，互連網(wǎng)絡RICX用于將集成電路的各個有源 部件彼此之間互相連接，以及將集成電路的各個有源部件與位于集成電路上部的接觸焊盤 互相連接。該互連網(wǎng)絡RICX在常規(guī)方式中包括分布在多個金屬化層Mi上的、標記為PST的 諸如銅或鋁之類的導電線路組件，圖1中表示出5個金屬化層?；ミB網(wǎng)絡還包括通孔V，通孔V是用于將一個金屬化層的某些線路鏈接至相鄰金 屬化層的某些線路的導電孔。最后，線路組件和通孔通過絕緣掩蔽物ENR或層間電介質ILD 彼此電絕緣。這種電介質可以是例如二氧化硅。在該集成電路操作期間(圖2，步驟20)，互連網(wǎng)絡RICX的至少一部分中發(fā)生電流 的流動(步驟21)。給定時刻的電流流動由例如邏輯觸發(fā)器的觸發(fā)、晶體管的切換等引起。該電流在 互連網(wǎng)絡的一部分中傳播。在另一時刻可能涉及到其它部件，這也會導致電流在互連網(wǎng)絡 的另一部分中流動，或者甚至部分地在與先前相同的部分中流動。這種電流的流動導致在集成電路的至少一個區(qū)域中出現(xiàn)溫度梯度(步驟22)，例 如在多個電互連層M1-M5之間。因此，提議在承受這種溫度梯度的這些區(qū)域的一個或甚至多個區(qū)域中布置至少一 種熱電材料，在實際應用中是布置同一種熱電材料。然后，承受溫度梯度的熱電材料產(chǎn)生(步驟23)電能(電流)，從以下更詳細的描述中可以看出，所產(chǎn)生的電能能夠被轉移到例如用于存儲所產(chǎn)生的電能的存儲裝置中(步 驟 24)。 應當即刻注意到，互連網(wǎng)絡的某些部分中發(fā)生的這種或這些溫度梯度僅僅由集成 電路的內(nèi)部操作引起。在這里并沒有提議向集成電路中插入可以建立溫度梯度的特定元 件，例如能夠使集成電路的一部分冷卻下來的元件，或者能夠以其本身使集成電路的一部 分溫度升高的元件。 同樣，熱電材料不會參與集成電路的操作。熱電材料在這里僅用于對集成電路操 作所導致的溫度梯度加以利用，從而產(chǎn)生電能，而不是由集成電路本身的內(nèi)部電源裝置提 供電能。在實際應用中，根據(jù)一個實施例，沉積熱電材料的區(qū)域與作為熱源的互連線PST 相鄰。任何熱電材料均適于由該材料所承受的溫度梯度而產(chǎn)生能量。具體可以列舉碲化 鉍(Bi2Te3)或者鍺硅合金或者來自方鈷礦族的材料。來自方鈷礦族的復合物具有由MX3 (Μ 表示過渡金屬，X可以是砷、磷、銻)型晶格形成的立方結構，在該晶格的中央具有能夠插入 重原子特別是稀土元素的大柵格(cage)。圖3中表示出集成電路CI的互連網(wǎng)絡中包括三條線路或互連線PSTA、PSTB和 PSTC的一部分。線路PSTA位于金屬化層η處，而線路PSTB和PSTC位于金屬化層η+1處。這里應當注意，線路PSTA和線路PSTB可以是兩條完全獨立的互連線，也可以通過 通孔一起鏈接至集成電路的其它某處。假設在集成電路操作時，線路PSTA形成第一熱源，線路PSTB形成第二熱源，并且 在這兩條線路之間存在例如約十攝氏度數(shù)量級的溫度梯度。因此，在由兩條線路PSTA和PSTB形成的這部分互連網(wǎng)絡附近放置熱電材料ΜΤΗ， 熱電材料MTH位于包括通過鏈接部分或通孔ZL而鏈接的兩個區(qū)帶ZA和ZB的區(qū)域RG中。 區(qū)帶ZA位于線路PSTA附近，而區(qū)帶ZB位于線路PSTB附近。結果，布置在該區(qū)域的熱電材 料MTH承受互連線PSTA和PSTB層中出現(xiàn)的溫度梯度Δ Τ。通過這種溫度梯度的出現(xiàn)，熱電材料MTH會因此而產(chǎn)生電能。更具體地參見圖4至圖8來具體描述制作包含熱電材料MTH的區(qū)域的示例。在圖4中，以示例方式示出在集成電路的FEOL部分中制作的三個晶體管Τ。然后 以常規(guī)方式制作金屬層Ml。更具體地說，如圖4所示，沉積絕緣層Cl，例如二氧化硅，絕緣層Cl將被用于在將 來的線路與通孔之間形成掩蔽物ENR。接著，在沉積樹脂層RS并通過對樹脂的光刻和輻照界定未來金屬線路PST的位置 之后，通過樹脂掩膜RS對層Cl執(zhí)行本身已知的常規(guī)刻蝕，從而形成腔CV。接著，沉積例如銅的金屬層C3，從而填充腔CV (圖6)。然后，在機械化學拋光之后，得到圖7中所示的結構，同時制作了包括由絕緣掩蔽 物ENR掩蔽的金屬線路PST的金屬層Ml?？梢酝ㄟ^與剛才描述的步驟類似的步驟，在金屬化層Ml上制作包含金屬材料MTH 的區(qū)域RG或溝槽。具體地說，在這種情況下，為了限定各個溝槽的位置，還可以對布置在線 路PST之間的層Cl的材料執(zhí)行光刻和刻蝕新步驟，從而形成用于容納熱電材料MTH的腔。
接著，執(zhí)行這種熱電材料層的沉積，從而對腔進行填充，并執(zhí)行機械化學拋光，從 而得到填充有材料MTH的腔。在剛才描述的示例中，通過刻蝕電介質材料并使用金屬進行填充來形成金屬線 路。作為一種變體，特別是在使用鋁的情況下，可以通過沉積金屬，然后對金屬進行刻蝕來 形成這些線路?？梢砸酝瑯拥姆椒▉碇谱鳠犭姴牧蠀^(qū)域，即形成熱電材料層，然后對該材料 進行刻蝕。例如在使用碲化鉍時，可以設想以下這種解決方案。更具體地說，可以通過常規(guī)的 化學氣相沉積或者通過以詞語MBE(分子束外延)為本領域技術人員所知的分子外延的已 知技術來執(zhí)行碲化鉍層的形成。然后，可以以常規(guī)方式通過光刻以及緊隨其后的等離子體 刻蝕來限定熱電材料的圖案。之后，使用諸如電介質材料之類的絕緣掩蔽物來覆蓋金屬線路和熱電材料圖案。盡管圖3示出熱電區(qū)域在多個金屬化層上延伸的示例性實施例，但也可以在同一 個金屬化層上制作這些區(qū)域，如圖9所示。更具體地說，在圖9中，附圖標記PSTI和PSTJ表示在同一個金屬化層上延伸并由 諸如電介質材料之類的絕緣掩蔽物掩蔽的兩條金屬線路，例如銅金屬線路。然后，在該掩蔽物中，例如在兩條線路PSTI與PSTJ之間，制作呈現(xiàn)不同的熱擴散 系數(shù)的兩個區(qū)帶Zl和Z2。為此，可以在金屬線路PSTI和PSTJ附近制作空氣袋PAG1、PAG2。這種空氣袋及其制作工藝是常規(guī)的并且對本領域技術人員來說是公知的。這種空 氣袋也以詞語“空氣隙”為人所知。在兩條線路PSTI與PSTJ之間制作腔或溝槽，并使用熱電材料MTH填充所形成的 腔或溝槽。那么，熱電區(qū)域RG包括在空氣袋PAGl與PAG2之間延伸的區(qū)帶Z2，區(qū)帶Z2通過 布置在線路PSTI與PSTJ之間但并不在空氣袋之間的區(qū)帶Zl得以延長。因此，由于空氣袋的存在使區(qū)帶Z2中掩蔽物ENR的熱擴散系數(shù)較低，當電流在線 路PSTI和PSTJ中流動時，在區(qū)帶Zl與區(qū)帶Z2之間建立溫度梯度Δ T，從而允許熱電材料 MTH產(chǎn)生電能。如圖10所示，為了制作大數(shù)目的熱電區(qū)域，或者在金屬化層太密集導致不允許插 入熱電溝槽的情況下，還可以在集成電路中例如最后的金屬化層之上的互連網(wǎng)絡中制作特定層。更具體地說，圖10中示出的示例中，在該特定層上制作金屬線路PST1、PST2、PST3 和PST4，這些金屬線路當然通過通孔鏈接至較低層的金屬線路。接著，在這些金屬線路之間，制作與例如參考圖9所描述的熱電區(qū)域類似的熱電 區(qū)域 RG12、RG23、RG34 和 RGB40。這些區(qū)域中的每一個部分地與空氣袋PAG1、PAG2、PAG3、PAG4、PAG5、PAG6、PAG7、 PAG8相鄰。結果，當電流在線路PST1、PST2、PST3和PST4中流動時，所有這些區(qū)域都承受溫度 梯度ΔΤ。此外，在該示例中，提供由兩個熱電材料帶形成的電輸出裝置MSE，這兩個熱電材 料帶分別鏈接至每個熱電區(qū)域RG12、RG23、RG34和RG40的兩端。
這些電輸出裝置MSE通過導電連接CNX，例如互連線和通孔的網(wǎng)絡，鏈接至例如在 集成電路的FEOL部分中制作的特定存儲電路CEL。圖11以示意方式示出能夠存儲集成電路操作期間由熱電區(qū)域產(chǎn)生的能量的這種 電路CEL的電路圖。更具體地說，在這里描述的完全非限制性的示例中，電路CEL包括基于二極管的 整流橋PRD，該整流橋PRD的輸入?yún)^(qū)帶通過連接CNX連接至輸出裝置MSE。整流橋的輸出端連接至存儲電容器CST的兩個端子，存儲電容器CST能夠可選地 將所存儲的能量返回給集成電路的負載。本發(fā)明不限于剛才所描述的實施方式和實施例，而是包括其所有變體。因此，集成電路可以在其包含互連網(wǎng)絡的上部(BEOL)中合并偽金屬線(或根據(jù)本 領域技術人員公知的詞語“啞元(dummy)”)。這些偽線用于在互連網(wǎng)絡不夠密集時增大集 成電路上部的密度，從而使制造方法更容易，特別是使機械化學拋光步驟更容易。在這種情 況下，可以使用熱電材料區(qū)域來取代布置在互連線附近的某些偽線或偽線的部分。例如，在 最初設想為偽互連線的位置處制作圖8中所示的熱電區(qū)域MTH之一。這種實施例更易于與 制作集成電路的常規(guī)工藝相兼容。
權利要求
一種在集成電路中生成能量的方法，包括由集成電路操作期間所述集成電路的至少一部分中的電流流動，在所述集成電路的至少一個區(qū)域中產(chǎn)生至少一個溫度梯度(22)；以及基于承受所述溫度梯度的所述區(qū)域中所包含的至少一種熱電材料而產(chǎn)生電能(23)。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述集成電路包括有源部件(T)和被配置為將所 述有源部件互連的導電互連網(wǎng)絡(RICX)，所述產(chǎn)生至少一個溫度梯度由所述集成電路的至 少一部分操作期間所述互連網(wǎng)絡的至少一部分(PSTA，PSTB)中的電流流動引起，并且所述 熱電材料(MTH)位于在所述互連網(wǎng)絡的一個或多個部分附近制作的一個或多個區(qū)域中。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述互連網(wǎng)絡包括多個互連層，并且在不同的互 連層(Mn，Mn+1)上以及不同的互連層(Mn，Mn+1)之間制作所述區(qū)域中的至少一個區(qū)域。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的方法，其中所述互連網(wǎng)絡包括多個互連層，并且在同一互 連層上制作所述區(qū)域(RG)中的至少一個區(qū)域。
5.根據(jù)權利要求2至4之一所述的方法，其中以使所述區(qū)域中的至少一個區(qū)域與所述 互連網(wǎng)絡的一部分的電絕緣掩蔽物(ENR)中熱擴散系數(shù)不同的至少兩個區(qū)帶(PAG1，PAG2) 相鄰的方式制作所述區(qū)域中的至少一個區(qū)域。
6.根據(jù)權利要求2至5之一所述的方法，其中所述集成電路中包括所述互連網(wǎng)絡中的 部分，包括偽互連線的位置，并且在為所述偽互連線提供的位置中的至少一個位置處制作 所述熱電區(qū)域中的至少一個熱電區(qū)域。
7.根據(jù)前述權利要求之一所述的方法，其中所產(chǎn)生的能量被存儲于在所述集成電路中 制作的存儲裝置(CEL)中。
8.一種集成電路，包括包含至少一種熱電材料(MTH)的至少一個區(qū)域(RG)，被配置為承受由集成電路操作期 間所述集成電路的至少一部分(PSTA，PSTB)中的電流流動所產(chǎn)生的至少一個溫度梯度；以 及導電輸出裝置，連接至所述區(qū)域，用于傳送所述熱電材料產(chǎn)生的電能。
9.根據(jù)權利要求8所述的集成電路，包括有源部件和被配置為將所述有源部件互連 的導電互連網(wǎng)絡，并且其中包含至少一種熱電材料(MTH)并被配置為承受至少一個溫度梯 度的所述區(qū)域(RG)位于所述互連網(wǎng)絡的一個或多個部分附近。
10.根據(jù)權利要求9所述的集成電路，其中所述互連網(wǎng)絡包括多個互連層，并且所述區(qū) 域中的至少一個區(qū)域在不同的互連層(Mn，Mn+1)上以及不同的互連層(Mn，Mn+1)之間延伸。
11.根據(jù)權利要求9或10所述的集成電路，其中所述互連網(wǎng)絡包括多個互連層，并且所 述區(qū)域(RG)中的至少一個區(qū)域在同一互連層上延伸。
12.根據(jù)權利要求9至11之一所述的集成電路，其中所述區(qū)域(RG)中的至少一個區(qū)域 與所述互連網(wǎng)絡的一部分的電絕緣掩蔽物中熱擴散系數(shù)不同的至少兩個區(qū)帶(PAG1，PAG2) 相鄰。
13.根據(jù)權利要求12所述的集成電路，其中所述兩個區(qū)帶之一(Z2)包括空氣袋。
14.根據(jù)權利要求8至13之一所述的集成電路，其中所述區(qū)域(RG)中的至少一個區(qū)域 在互連線的至少一些部分之間延伸。
15.根據(jù)權利要求8至14之一所述的集成電路，進一步包括電連接至所述導電輸出裝置(MSE)的電能存儲裝置(CEL)。
16.一種制造集成電路的方法，其特征在于，該方法包括制作至少一個區(qū)域(RG)，所述區(qū)域包含至少一種熱電材料，并且被配置為承受由集成 電路操作期間所述集成電路的至少一部分中的電流流動所產(chǎn)生的至少一個溫度梯度；以及制作導電輸出裝置(MSE)，所述導電輸出裝置連接至所述區(qū)域，用于傳送所述熱電材料 產(chǎn)生的電能。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，包括制作所述集成電路的有源部分，以及在所述有源部分上制作互連部分，并且其中制作 所述區(qū)域(RG)以及制作所述導電輸出裝置(MSE)在制作所述互連部分期間執(zhí)行。
18.根據(jù)權利要求16或17所述的方法，其中制作所述區(qū)域包括在所述互連網(wǎng)絡中位 于一個或多個互連層上的互連線之間進行刻蝕，從而建立溝槽的操作；以及使用至少一種 熱電材料(MTH)填充這些溝槽的操作，或者包括對先前形成的熱電材料層進行刻蝕的操作。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中制作至少一個區(qū)域包括在位于不同互連層上的熱電溝槽之間制作至少一個通孔(ZL)，并且使用熱電材料填充 所述通孔。
20.根據(jù)權利要求16至19之一所述的方法，進一步包括在填充有熱電材料的至少一 個區(qū)域的一部分附近制作空氣袋(PAG1，PAG2)。
21.根據(jù)權利要求16至20之一所述的方法，其中在最初為所述集成電路的至少一條偽 互連線的至少一部分提供的位置處制作至少一個熱電區(qū)域。
22.根據(jù)權利要求16至21之一所述的方法，進一步包括制作連接至所述電輸出裝置 (MSE)的能量存儲裝置(CEL)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種集成電路操作期間在其中生成電能的方法、相應的集成電路及制造方法。所述集成電路包括包含至少一種熱電材料(MTH)的至少一個區(qū)域(RG)，被配置為承受由集成電路操作期間所述集成電路的至少一部分(PSTA，PSTB)中的電流流動所產(chǎn)生的至少一個溫度梯度；以及導電輸出裝置，連接至所述區(qū)域，用于傳送所述熱電材料所產(chǎn)生的電能。
文檔編號H02N11/00GK101908848SQ20101019624
公開日2010年12月8日 申請日期2010年6月3日 優(yōu)先權日2009年6月4日
發(fā)明者克利斯汀·里韋羅, 帕斯卡·福爾納拉 申請人:St微電子(魯塞)有限公司