專利名稱：過電壓保護(hù)元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種保護(hù)元件的制造方法，特別涉及一種過電壓保護(hù)元件的制造方法。
背景技術(shù)：
一般而言，突波具有強(qiáng)大的瞬間能量，而電路中的電子設(shè)備通常無法承受高能量突波的沖擊。為避免電子設(shè)備因突波沖擊造成損壞，通常是在電路中另設(shè)置過電壓保護(hù)元件，用以濾除突波。而過電壓保護(hù)元件通常分為積層式及單層式兩種。圖1為現(xiàn)有積層式過電壓保護(hù)元件的制造方法的示意圖，請(qǐng)參照第1圖所示，如中國臺(tái)灣公告第517423號(hào)發(fā)明專利「暫態(tài)過電壓保護(hù)元件結(jié)構(gòu)」中所述，一般習(xí)用積層式過電壓保護(hù)元件的制作方法是先提供一基板91，再在該基板91上設(shè)置一信號(hào)導(dǎo)電層92 ；接著，再將導(dǎo)體粉末及半導(dǎo)體粉末均勻混合在含有結(jié)合劑的材料中，并以厚膜印刷方式印刷在該基板91上，并進(jìn)行燒結(jié)而形成一可變阻抗材料層93，使得該可變阻抗材料層93的一部分覆蓋在該基板91，另一部份覆蓋在該信號(hào)導(dǎo)電層92;最后，再在該基板91上設(shè)置一接地導(dǎo)電層94，使得該接地導(dǎo)電層94的一部分覆蓋在該可變阻抗材料層93，另一部份覆蓋在該基板91。如此，該可變阻抗材料層93是介于該信號(hào)導(dǎo)電層92及接地導(dǎo)電層94之間，使該信號(hào)導(dǎo)電層92及接地導(dǎo)電層94之間在縱向高度是形成有一間距D1，而共同形成一積層式過電壓保護(hù)元件。圖2為現(xiàn)有單層式過電壓保護(hù)元件的制造方法的示意圖，請(qǐng)參照第2圖所示，一般習(xí)用單層式過電壓保護(hù)元件的制作方法是先提供一基板95，再在該基板95上設(shè)置一信號(hào)導(dǎo)電層96及一接地導(dǎo)電層97，且該信號(hào)導(dǎo)電層96及接地導(dǎo)電層97之間形成有一間距D2 ； 接著，再以前述的厚膜印刷方式在該間距D2處設(shè)置一可變阻抗材料層98，使得部分該可變阻抗材料層98分別延伸覆蓋在該信號(hào)導(dǎo)電層96及接地導(dǎo)電層97的表面，使得該可變阻抗材料層98分別電性連接至該信號(hào)導(dǎo)電層96及接地導(dǎo)電層97，而完成單層式過電壓保護(hù)元件的制作。前述的積層式過電壓保護(hù)元件或單層式過電壓保護(hù)元件的可變阻抗材料層93和 98將使得該過電壓保護(hù)元件具有一崩潰電壓(Breakdown voltage)，在正常狀況下，該現(xiàn)有積層式或單層式的過電壓保護(hù)元件為絕緣狀態(tài)；一旦突波的電壓高于該崩潰電壓時(shí)，則該可變阻抗材料層93和98將形成導(dǎo)通狀態(tài)，使得突波可由該信號(hào)導(dǎo)電層92和96傳導(dǎo)至該接地導(dǎo)電層94和97而接地導(dǎo)出。如此，便可將突波的能量透過接地方式消散掉，以產(chǎn)生對(duì)電路內(nèi)部元件的保護(hù)效果。然而，由于前述習(xí)用過電壓保護(hù)元件的制造方法的可變阻抗材料層93和98皆是以厚膜印刷方式制成，因此該可變阻抗材料層93和98內(nèi)的材料顆粒較大(約2 3μπι)。 而該信號(hào)導(dǎo)電層92和96傳導(dǎo)至該接地導(dǎo)電層94和97之間的間距Dl和D2為固定的前提下，材料顆粒越大，該間距Dl和D2之間的材料顆粒數(shù)量便相對(duì)越少，又每個(gè)材料顆粒僅可吸收承載約2 3V的電壓，因此材料顆粒數(shù)量的減少亦將會(huì)造成單位體積內(nèi)的可變阻抗材料層93和98可吸收的能量變少，而造成對(duì)元件的保護(hù)效果不佳的缺點(diǎn)。再且，由于以厚膜印刷方式制成該可變阻抗材料層93和98，亦將造成該可變阻抗材料層93和98的厚度較厚，而使得該過電壓保護(hù)元件的崩潰電壓上升，造成其具有突波吸收效率不佳的缺點(diǎn)?；谏鲜鲈?，其有必要進(jìn)一步改良上述過電壓保護(hù)元件的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的乃改良上述缺點(diǎn)，以提供一種過電壓保護(hù)元件的制造方法，以降低該過電壓保護(hù)元件的可變阻抗材料層的顆粒尺寸為其發(fā)明目的。本發(fā)明次一目的是提供一種過電壓保護(hù)元件的制造方法，以降低該過電壓保護(hù)元件的可變阻抗材料層的厚度。本發(fā)明再一目的是提供一種過電壓保護(hù)元件的制造方法，降低該過電壓保護(hù)元件的崩潰電壓。本發(fā)明另一目的是提供一種過電壓保護(hù)元件的制造方法，提升該可變阻抗材料層單位體積的可吸收能量。根據(jù)本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法包含一輸入電極制作步驟，是在一基板上形成一輸入電極層；一輸出電極層制作步驟，是在該基板上形成一輸出電極層；及一變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，是以薄膜沉積方式在該基板上形成一由金屬及金屬氧化物材質(zhì)制成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層；其中，該變阻材料驅(qū)動(dòng)層電性連接至該輸入電極層及輸出電極層。 藉此，以提升該變阻材料驅(qū)動(dòng)層單位體積的可吸收能量。


圖1為現(xiàn)有積層式過電壓保護(hù)元件的制造方法的示意圖。圖2為現(xiàn)有單層式過電壓保護(hù)元件的制造方法的示意圖。圖3為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第一實(shí)施例的示意圖。圖4為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第二實(shí)施例的示意圖。圖5為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第三實(shí)施例的示意圖。圖6為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第四實(shí)施例的示意圖。圖7a為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例的輸入電極制作步驟示意圖。圖7b為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例形成第一金屬氧化物層的示意圖。圖7c為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例形成金屬導(dǎo)電層的示意圖。圖7d為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例形成第二金屬氧化物層的示意圖。圖7e為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例的輸出電極制作步驟的示意圖。圖8為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第六實(shí)施例所制得的過電壓保護(hù)
4元件的結(jié)構(gòu)圖。主要元件符號(hào)說明1 基板3 輸出電極層41金屬氧化物層41 b第二金屬氧化物層w 間距91 基板93可變阻抗材料層95 基板97接地導(dǎo)電層Dl 間距
98可變阻抗材料層 D2間距
2 輸入電極層 4 變阻材料驅(qū)動(dòng)層 41a第一金屬氧化層 42金屬導(dǎo)電層
92信號(hào)導(dǎo)電層 94接地導(dǎo)電層 96信號(hào)導(dǎo)電層
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述及其他目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法包含一輸入電極制作步驟、一輸出電極制作步驟及一變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟以利用薄膜沉積方式制作形成變阻材料驅(qū)動(dòng)層。其中該三步驟的執(zhí)行順序可根據(jù)欲制作的過電壓保護(hù)元件的種類進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，例如應(yīng)用于積層式或單層式的過電壓保護(hù)元件的步驟順序可適當(dāng)調(diào)整，但并不脫離本發(fā)明以薄膜沉積制程制作形成該變阻材料驅(qū)動(dòng)層的技術(shù)手段及目的。該輸入電極制作步驟是在一基板上形成一輸入電極層。更詳言之，該輸入電極層可選擇以厚膜印刷方式或薄膜沉積方式制作形成在該基板的表面，以供電路信號(hào)輸入本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件。其中，該輸入電極層較佳是以導(dǎo)電性佳的金屬制成，例如金(Au)、銀 (Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀(Pd)或其合金。該輸出電極制作步驟是在該基板上形成一輸出電極層。更詳言之，該輸出電極層相同可選擇以厚膜印刷方式或薄膜沉積方式制作形成在該基板的表面，以供電路信號(hào)由該輸出電極層輸出。該輸出電極層的材料是可選擇與該輸入電極層相同。該變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，是以薄膜沉積方式在該基板上形成一由金屬及金屬氧化物材質(zhì)制成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層，且該變阻材料驅(qū)動(dòng)層電性連接至該輸入電極層及輸出電極層。更詳言之，該薄膜沉積方式是可選擇為物理氣相沉積(例如濺鍍)等方式。該金屬可選擇為導(dǎo)電性佳的金屬，例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀(Pd)或其合金，以提升該變阻材料層的整體導(dǎo)電性并降低觸發(fā)電壓。該金屬氧化物可選擇為由氧化錳、氧化鋅、氧化鎳、氧化鐵、氧化鋁、氧化鈦及氧化鋅所組成的群組。該變阻材料驅(qū)動(dòng)層可選擇將該金屬及金屬氧化物以共濺鍍方式制作為單一層的變阻材料驅(qū)動(dòng)層，使得所形成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層內(nèi)，以重量百分比計(jì)金屬所占的比例為0. 1 40%，金屬氧化物所占的比例為60 99. 9% ；或者，將該金屬及金屬氧化物分別以薄膜沉積方式制作為金屬導(dǎo)電層及至少一金屬氧化物層，使該金屬氧化物層同時(shí)介于該金屬導(dǎo)電層及該輸入或輸出電極層之間；或者，形成二金屬氧化物層以分別位于該金屬導(dǎo)電層與輸入電極層之間，以及該金屬導(dǎo)
5電層與輸出電極層之間。如此，使得該金屬導(dǎo)電層及金屬氧化物層共同構(gòu)成該變阻材料驅(qū)動(dòng)層。該金屬導(dǎo)電層的厚度系為0. 1 20 μ m，金屬氧化物層的厚度為0.05 10 μ m。藉此，本實(shí)施例的變阻材料層將金屬及金屬氧化物選擇以濺鍍方式制作形成該變阻材料驅(qū)動(dòng)層，使得該變阻材料驅(qū)動(dòng)層內(nèi)的材料顆粒尺寸可進(jìn)一步縮小，例如，本發(fā)明的變阻材料驅(qū)動(dòng)層內(nèi)的金屬及金屬氧化物材料的顆粒尺寸為，使得該變阻材料驅(qū)動(dòng)層單位體積內(nèi)的材料顆粒數(shù)量可增多，由于各材料顆粒約可吸收承載約2 3V的電壓，因此可進(jìn)一步提升該變阻材料驅(qū)動(dòng)層單位體積的吸收能量，以及提升對(duì)元件的保護(hù)效果。再且，由于本發(fā)明是以薄膜沉積方式制作該變阻材料驅(qū)動(dòng)層，可精準(zhǔn)控制并降低該變阻材料驅(qū)動(dòng)層的厚度，例如，本發(fā)明的變阻材料驅(qū)動(dòng)層的厚度為0. 05 20 μ m,因此可進(jìn)一步降低所制作的過電壓保護(hù)元件的崩潰電壓(Breakdown voltage)，因此，可提高其對(duì)突波的吸收效率，進(jìn)而提高對(duì)元件的保護(hù)效果。舉例而言，本實(shí)施例的變阻材料驅(qū)動(dòng)層濺鍍制程中，先將該基板及對(duì)應(yīng)的金屬及/或金屬氧化物靶材置于一反應(yīng)腔體內(nèi)，且對(duì)該反應(yīng)腔體抽真空至的壓力達(dá)1x10-6 9xlO-5Torr，再以10 IOOsccm的流量將氬氣通入該反應(yīng)腔體內(nèi)，工作壓力為1x10-3 lxlO-2Torr，濺鍍功率為 0. 1 5kw，轉(zhuǎn)變速率(Transfer speed)為 1 100cm/min。當(dāng)然， 制程條件可根據(jù)制程需求進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。以下為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的各個(gè)實(shí)施例，詳述如下。其中下述實(shí)施例的濺鍍條件如前述。1.第一實(shí)施例圖3為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第一實(shí)施例的示意圖，請(qǐng)參照第3 圖所示，本第一實(shí)施例是先進(jìn)行前述的輸入電極制作步驟及輸出電極制作步驟，以在一基板1上分別設(shè)置一輸入電極層2及一輸出電極層3，且使得該輸入電極層2及輸出電極層3 之間形成有一間距《。接著，再進(jìn)行該變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，以共濺鍍方式將銀(金屬)及氧化鋅 (金屬氧化物)制作形成一單一層的變阻材料驅(qū)動(dòng)層4，使得該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4在該間距 w內(nèi)覆蓋在該基板1，且該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4的一部分分別覆蓋在該輸入電極層2及輸出電極層3的表面，而電性連接至該輸入電極層2及輸出電極層3。如此，便可如前述提升該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4單位體積可吸收的能量，并降低崩潰電壓，而提升對(duì)元件的保護(hù)效果。2.第二實(shí)施例圖4為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第二實(shí)施例的示意圖，請(qǐng)參照第4 圖所示，本第二實(shí)施例是先進(jìn)行該變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，以共濺鍍方式將銀(金屬)及氧化鋅(金屬氧化物)在該基板1的表面制作形成該單一層的變阻材料驅(qū)動(dòng)層4。接著，再進(jìn)行前述的輸入電極制作步驟及輸出電極制作步驟，以在該基板1上分別設(shè)置該輸入電極層2及該輸出電極層3，使得該輸入電極層2及輸出電極層3的一部分分別覆蓋在該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4的表面，且該輸入電極層2及輸出電極層3之間仍形成有該間距W。如此，便可如前述提升該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4單位體積可吸收的能量，并降低崩潰電壓，而提升對(duì)元件的保護(hù)效果。3.第三實(shí)施例圖5為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第三實(shí)施例的示意圖，請(qǐng)參照第5
6圖所示，本第三實(shí)施例是先進(jìn)行前述的輸入電極制作步驟及輸出電極制作步驟，以在一基板1上分別設(shè)置一輸入電極層2及一輸出電極層3，且使得該輸入電極層2及輸出電極層3 之間形成有該間距《。接著，再進(jìn)行該變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，本第三實(shí)施例的變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟先以濺鍍方式將氧化鋅(金屬氧化物)制作形成一金屬氧化物層41，使得該金屬氧化物層41在該間距w內(nèi)覆蓋在該基板1，且該金屬氧化物層41的一部分分別覆蓋在該輸入電極層2及輸出電極層3的表面；再在該金屬氧化物層41的表面，以濺鍍方式將銀(金屬) 制作形成一金屬導(dǎo)電層42，使該金屬氧化物層41及金屬導(dǎo)電層42共同構(gòu)成該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4而分別與該輸入電極層2或輸出電極層3電性連接。如此，該金屬氧化物層41同時(shí)介于該金屬導(dǎo)電層42與該輸入電極層2之間，以及介于該金屬導(dǎo)電層42與該輸出電極層3之間，而可使該金屬導(dǎo)電層42分別與該輸入電極層2或輸出電極層3絕緣，而避免該過電壓保護(hù)元件產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。因此，除了可如前述提升該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4單位體積可吸收的能量，并降低崩潰電壓，而提升對(duì)元件的保護(hù)效果外，將該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4分開設(shè)置為該金屬氧化物層41及金屬導(dǎo)電層42，因此可透過精準(zhǔn)掌控該金屬氧化物層41及金屬導(dǎo)電層42的厚度而精確調(diào)整該過電壓保護(hù)元件的崩潰電壓。4.第四實(shí)施例圖6為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第四實(shí)施例的示意圖，請(qǐng)參照第6 圖所示，本第四實(shí)施例先進(jìn)行該變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，本第四實(shí)施例的變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟是先以濺鍍方式將銀(金屬)制作形成一金屬導(dǎo)電層42而覆蓋在該基板1的表面，再在該金屬導(dǎo)電層42的表面，以濺鍍方式將氧化鋅(金屬氧化物)制作形成一金屬氧化物層41，使該金屬氧化物層41覆蓋在該金屬導(dǎo)電層42的表面，而共同構(gòu)成該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4接著，再進(jìn)行該輸入電極制作步驟及輸出電極制作步驟，以分別在該基板1上形成該輸入電極層2及輸出電極層3，且該輸入電極層2及輸出電極層3之間仍形成有該間距 w，該輸入電極層2及輸出電極層3皆部分覆蓋在該金屬氧化物層41，使得由該金屬氧化物層41與金屬導(dǎo)電層42所共同形成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層4可電性連接至該輸入電極層2及輸出電極層3。如此，該金屬氧化物層41同時(shí)介于該金屬導(dǎo)電層42與該輸入電極層2之間，以及介于該金屬導(dǎo)電層42與該輸出電極層3之間，而如前述可使該金屬導(dǎo)電層42分別與該輸入電極層2或輸出電極層3絕緣，而避免該過電壓保護(hù)元件產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。藉此，可達(dá)到與第三實(shí)施例相同的功效。5.第五實(shí)施例本實(shí)施例應(yīng)用在積層式過電壓保護(hù)元件的制作。圖7a為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例的輸入電極制作步驟示意圖，請(qǐng)參照第7a圖所示，本第五實(shí)施例是先進(jìn)行該輸入電極制作步驟，在該基板1的表面設(shè)置該輸入電極層2。圖7b為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例形成第一金屬氧化物層的示意圖，請(qǐng)參照第7b圖所示，接著再進(jìn)行該變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，本第五實(shí)施例的變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟是先以濺鍍方式將氧化鋅(金屬氧化物)制作形成一第一金
7屬氧化物層41a，使得該第一金屬氧化物層41a的一部分覆蓋在該輸入電極層2 ；再如第7c 圖所示，圖7c為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例形成金屬導(dǎo)電層的示意圖，在該第一金屬氧化物層41a的表面，以濺鍍方式將銀(金屬)制作形成該金屬導(dǎo)電層 42 ；再如第7d圖所示，圖7d為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例形成第二金屬氧化物層的示意圖，以濺鍍方式將氧化鋅(金屬氧化物)制作形成一第二金屬氧化物層41b，使得該第二金屬氧化物層41b同時(shí)覆蓋該第一金屬氧化物層41a及該金屬導(dǎo)電層42，而完成該變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，使該第一金屬氧化物層41a、第二金屬氧化物層 41b及金屬導(dǎo)電層42共同構(gòu)成該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4。圖7e為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第五實(shí)施例的輸出電極制作步驟的示意圖，請(qǐng)參照第7e圖所示，最后再進(jìn)行該輸出電極制作步驟，在該基板1上設(shè)置該輸出電極層3，使得該輸出電極層3部分覆蓋在該第二金屬氧化物層41b，使得該輸出電極層3 實(shí)質(zhì)上位于該輸入電極層2的上方。如此，該變阻材料驅(qū)動(dòng)層4便可電性連接至該輸入電極層2及輸出電極層3，且該第一金屬氧化物層41a介于該金屬導(dǎo)電層42與該輸入電極層 2之間，該第二金屬氧化物層41b介于該金屬導(dǎo)電層42與該輸出電極層3之間，以避免該金屬導(dǎo)電層42與該輸入電極層2及輸出電極層3接觸而產(chǎn)生短路。6.第六實(shí)施例本實(shí)施例應(yīng)用在積層式過電壓保護(hù)元件的制作。圖8為本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件的制造方法的第六實(shí)施例所制得的過電壓保護(hù)元件的結(jié)構(gòu)圖，請(qǐng)參照第8圖所示，本第六實(shí)施例的制作步驟是與該第五實(shí)施例相同，主要差異在于該金屬導(dǎo)電層42選擇為以銅鎳合金(60%銅，40%鎳)作為材質(zhì)制成，其他材質(zhì)與第五實(shí)施例相同。此外，本實(shí)施例的輸出電極層3并未覆蓋延伸至位于該輸入電極層2的上方，使得該輸入電極層2與該輸出電極層3之間形成有二個(gè)串聯(lián)的電容，而可有效降低元件的電容值。該第一至第六實(shí)施例的相關(guān)制程參數(shù)如表一所示表一、第一至第六實(shí)施例的相關(guān)制程參數(shù)
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權(quán)利要求
1.一種過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，包含一個(gè)輸入電極制作步驟，是在一個(gè)基板上形成一個(gè)輸入電極層；一個(gè)輸出電極層制作步驟，是在所述基板上形成一個(gè)輸出電極層；及一個(gè)變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，是以薄膜沉積方式在所述基板上形成一個(gè)由金屬及金屬氧化物材質(zhì)制成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層；其中，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層電性連接至所述輸入電極層及輸出電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，在所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，是以物理氣相沉積的方式制作所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，是以共濺鍍方式使所述金屬及金屬氧化物共同形成單一層的變阻材料驅(qū)動(dòng)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，所形成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層內(nèi)，以重量百分比計(jì)金屬所占的比例為0. 1 40 %，金屬氧化物所占的比例為60 99. 9 %。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，是以薄膜沉積方式分別形成一個(gè)金屬導(dǎo)電層及至少一個(gè)金屬氧化物層， 使所述金屬導(dǎo)電層及金屬氧化物層共同構(gòu)成所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，使所述金屬氧化物層同時(shí)介于所述金屬導(dǎo)電層與所述輸入電極層之間， 以及介于所述金屬導(dǎo)電層與輸出電極層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，先進(jìn)行所述輸入電極制作步驟，再進(jìn)行所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，以依序在所述輸入電極層上覆蓋一個(gè)第一金屬氧化物層、所述金屬導(dǎo)電層及一個(gè)第二金屬氧化物層后，再進(jìn)行所述輸出電極制作步驟，使所述輸出電極層覆蓋在所述第二金屬氧化物層，并使所述金屬氧化物層分別介于所述金屬導(dǎo)電層與所述輸入電極層之間，以及介于所述金屬導(dǎo)電層與輸出電極層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，所形成的金屬導(dǎo)電層的厚度為0. 1 20 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，所形成的金屬氧化物層的厚度為0. 05 ΙΟμπι。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，所形成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層中的金屬及金屬氧化物的顆粒尺寸為0. 3 IOnm0
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在于，所述變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟中，所形成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層的厚度為0. 05 μ m 20 μ m。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種過電壓保護(hù)元件的制造方法，包含一輸入電極制作步驟，是在一基板上形成一輸入電極層；一輸出電極層制作步驟，是在該基板上形成一輸出電極層；及一變阻材料驅(qū)動(dòng)層制作步驟，是以薄膜沉積方式在該基板上形成一由金屬及金屬氧化物材質(zhì)制成的變阻材料驅(qū)動(dòng)層；其中，該變阻材料驅(qū)動(dòng)層電性連接至該輸入電極層及輸出電極層。
文檔編號(hào)H02H9/04GK102347609SQ20101024365
公開日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2010年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月29日
發(fā)明者劉志順, 吳慎智, 曾敬源, 李俊德, 賴慧琳, 黃國楨 申請(qǐng)人:國巨股份有限公司