專(zhuān)利名稱：一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電路中的浪涌保護(hù)領(lǐng)域，特別涉及信號(hào)工作電壓低傳輸速率高的 電路中使用的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)單獨(dú)的采用硅材料所制作的低電壓半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，電容值都在上百皮 法甚至上好幾千皮法以上，由于寄生電容值大，若應(yīng)用在高頻數(shù)據(jù)通迅線路路中是很容易 對(duì)數(shù)據(jù)線路的信號(hào)傳輸起到信號(hào)衰減作用，致使設(shè)備無(wú)法進(jìn)行正常的信號(hào)傳輸工作，因而 也就很難直接應(yīng)用在高頻數(shù)據(jù)通迅線路中來(lái)起過(guò)電壓浪涌保護(hù)作用；而若采用較高電壓的 半導(dǎo)體保護(hù)器件，雖可起到讓電容值大大降低的可能性，但在過(guò)電浪涌防護(hù)時(shí)，由于動(dòng)作起 保護(hù)作用時(shí)所產(chǎn)生的安全電全值大大超過(guò)被保護(hù)電路的安全耐壓水平而致使后級(jí)電路受 到損傷而沒(méi)起到保護(hù)作用。由于現(xiàn)在通迅產(chǎn)品，信號(hào)工作電壓越來(lái)越低、傳輸速率越來(lái)越高，自我防護(hù)能力表 現(xiàn)越來(lái)越脆弱，常易受靜電、人為操作浪涌過(guò)電壓、雷擊浪涌過(guò)電壓受損，因而要有一種低 電壓而且具有極低電容值的半導(dǎo)體保護(hù)器件來(lái)起保護(hù)作用優(yōu)為重要。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種低壓低電容值的過(guò)電壓浪涌半導(dǎo)體保護(hù)器件應(yīng)用 于高頻通迅線路中起過(guò)電壓浪涌保護(hù)作用。本實(shí)用新型為了實(shí)現(xiàn)其技術(shù)目的所采用的技術(shù)方案是一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器 件，包括殼體和從殼體伸出的第一引腳和第二引腳；在所述的殼體內(nèi)設(shè)置有由電壓抑制型 材料組成的電壓抑制器和由降容二極管材料組成的降容器，所述的電壓抑制器和降容器電 連接，電壓抑制器和降容器的另外一端分別與第一引腳和第二引腳電連接。進(jìn)一步的，上述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件中所述的電壓抑制器為電壓抑制二 級(jí)管或者穩(wěn)壓管。更進(jìn)一步的，上述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件中所述的電壓抑制二級(jí)管為瞬態(tài) 電壓抑制二級(jí)管?？梢允菃蜗蛩矐B(tài)電壓抑制二級(jí)管。也可以是雙向瞬態(tài)電壓抑制二級(jí)管。更進(jìn)一步的，上述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件中所述的電壓抑制器為晶閘管電 涌限制器。所述的降容器為低電容硅二極管芯片。本實(shí)用新型所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，是一種低電壓寄生電容值極低，過(guò) 電保護(hù)響應(yīng)速度極快，抑制過(guò)電壓能力極強(qiáng)，安全保護(hù)電壓水平極高，能在高頻數(shù)據(jù)通迅線 路中起過(guò)電保護(hù)的一種理想的半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件。

圖1為本實(shí)用新型半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件示意圖(一)；圖2為本實(shí)用新型半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件示意圖(二)；[0012]圖3為本實(shí)用新型半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件示意圖(三)；圖中1、殼體，2、第一引腳，3、第二引腳、4、電壓抑制器，5、降容器。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1如圖1所示，本實(shí)施例是一種低壓低電容值的過(guò)電壓浪涌半導(dǎo)體保護(hù)器 件，包括殼體1有時(shí)也稱保護(hù)器本體，和從殼體1伸出的第一引腳2和第二引腳3 ；在所述 的殼體1內(nèi)設(shè)置有由電壓抑制型材料組成的電壓抑制器4和由降容二極管材料組成的降容 器5，所述的電壓抑制器4和降容器5電連接，電壓抑制器4和降容器5的另外一端分別與 第一引腳2和第二引腳3電連接。本實(shí)施例中電壓抑制器4和降容器5通過(guò)打?qū)щ娋€或焊 料或可焊的導(dǎo)體進(jìn)行連接，外面用樹(shù)脂固化而露出可焊接的端電極即第一引腳2和第二引 腳3。本實(shí)施例中，電壓抑制型材料的電壓抑制器4為具有限壓特性或開(kāi)關(guān)特性并具有 非線性特征的硅材料，為限壓或開(kāi)關(guān)特性的非線性材料是為對(duì)過(guò)電壓比較敏感且具有較強(qiáng) 抑制電壓能力的瞬態(tài)電壓抑制二級(jí)管(TVS)，也可以使用晶閘管電涌限制器(TSS)、穩(wěn)壓管 等其它硅芯片。降容二極管材料組成的降容器5為具有較低電容值且具有正向?qū)ǚ聪蚪?止功能的低電容硅二極管芯片。如圖1所示，本實(shí)施例中瞬態(tài)電壓抑制二級(jí)管TVS采用雙 向的TVS，其一端接本實(shí)施例的浪涌保護(hù)器殼體1上的第一引腳2，另一端與由兩個(gè)降容硅 二極管芯片反向并聯(lián)后的端連接，兩個(gè)降容硅二極管芯片反向并聯(lián)后的另一端浪涌保護(hù)器 殼體1上的第二引腳3。本實(shí)施例采用雙向電壓抑制型材料與分立型的降容二極管材料結(jié) 合，而達(dá)到低電壓低電容低殘壓高可靠性的雙向過(guò)電壓浪涌保護(hù)功能。實(shí)施例2，如圖2所示，該實(shí)施例與實(shí)施例1相比主要差別是本實(shí)施例使用的是單 向TVS和一個(gè)降容硅二極管芯串連后與第一引腳2和第二引腳3電連接。本實(shí)施例采用單 向電壓抑制型材料與分立型的降容二極管材料結(jié)合，而達(dá)到低電壓低電容低殘壓高可靠性 的過(guò)電壓浪涌保護(hù)功能，噍一的缺點(diǎn)就是只能進(jìn)行單向保護(hù)。實(shí)施例3，如圖3所示，與實(shí)施例2相比，本實(shí)施例的主要區(qū)別是采用了兩個(gè)單向 TVS和降容硅二極管芯串連后再并聯(lián)的電路，與第一引腳2和第二引腳3電連接。本實(shí)施例 的結(jié)構(gòu)是在符合實(shí)施例1的思想結(jié)構(gòu)下把具有雙向電壓抑制型材料調(diào)整為二顆具有單向 抑制型材料而所設(shè)計(jì)的一種具有雙向功能的半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件。由以上所述，本發(fā)明闡述了如何通過(guò)降低電容值而實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體浪涌過(guò)壓保 護(hù)器件，并達(dá)到了抑制過(guò)電壓能力更強(qiáng)，安全保護(hù)電壓水平更高，且能有效的在高頻數(shù)據(jù)通 迅線路中起過(guò)電保護(hù)的一種理想的低電容半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件設(shè)計(jì)方法。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，包括殼體(1)和從殼體(1)伸出的第一引腳(2)和第二 引腳(3)；其特征在于在所述的殼體(1)內(nèi)設(shè)置有由電壓抑制型材料組成的電壓抑制器 ⑷和由降容二極管材料組成的降容器(5)，所述的電壓抑制器⑷和降容器(5)電連接， 電壓抑制器(4)和降容器(5)的另外一端分別與第一引腳( 和第二引腳(3)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，其特征在于所述的電壓抑制器 (4)為電壓抑制二級(jí)管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，其特征在于所述的電壓抑制二 級(jí)管為瞬態(tài)電壓抑制二級(jí)管(TVS)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，其特征在于所述的瞬態(tài)電壓抑 制二級(jí)管為單向瞬態(tài)電壓抑制二級(jí)管。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，其特征在于所述的瞬態(tài)電壓抑 制二級(jí)管為雙向瞬態(tài)電壓抑制二級(jí)管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，其特征在于所述的電壓抑制器 ⑷為晶閘管電涌限制器(TSS)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，其特征在于所述的電壓抑制器 (4)為穩(wěn)壓管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，其特征在于所述的降容器(5) 為低電容硅二極管芯片。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，包括殼體和從殼體伸出的第一引腳和第二引腳；在所述的殼體內(nèi)設(shè)置有由電壓抑制型材料組成的電壓抑制器和由降容二極管材料組成的降容器，所述的電壓抑制器和降容器電連接，電壓抑制器和降容器的另外一端分別與第一引腳和第二引腳電連接。本實(shí)用新型所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，是一種低電壓寄生電容值極低，過(guò)電保護(hù)響應(yīng)速度極快，抑制過(guò)電壓能力極強(qiáng)，安全保護(hù)電壓水平極高，能在高頻數(shù)據(jù)通迅線路中起過(guò)電保護(hù)的一種理想的半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件。
文檔編號(hào)H02H9/04GK201898328SQ201020635689
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者周云福 申請(qǐng)人:百圳君耀電子(深圳)有限公司