專(zhuān)利名稱(chēng)：密封型絕緣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及充氣式開(kāi)關(guān)等密封型絕緣裝置。
背景技術(shù)：
在充入了絕緣性氣體的容器內(nèi)部密封有由絕緣物支持的高壓導(dǎo)體的、例如充氣式開(kāi)關(guān)等密封型絕緣裝置中，為了降低成本以及降低環(huán)境負(fù)荷，而絕緣設(shè)計(jì)合理化以及基于三相一體化等的進(jìn)一步縮小化成為課題。密封型絕緣裝置的金屬容器的大小，通過(guò)絕緣以及熱的設(shè)計(jì)等來(lái)決定。絕緣設(shè)計(jì)的一個(gè)點(diǎn)為，對(duì)在金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上存在(附著)異物時(shí)對(duì)絕緣性能的影響度進(jìn)行研當(dāng)在由絕緣物支持高壓導(dǎo)體并充入了絕緣氣體的密封金屬容器的內(nèi)部存在異物時(shí)，通過(guò)由于從金屬容器等向異物供給的電荷與運(yùn)行電壓之間的相互作用而產(chǎn)生的力，異物有可能在金屬容器的內(nèi)部到處運(yùn)動(dòng)。當(dāng)使密封型絕緣裝置縮小化時(shí)，其金屬容器的內(nèi)側(cè)表面的電場(chǎng)變強(qiáng)，金屬容器內(nèi)部存在的異物的運(yùn)動(dòng)容易變活躍。當(dāng)異物在金屬容器內(nèi)部過(guò)度地運(yùn)動(dòng)時(shí)，有可能對(duì)絕緣性能產(chǎn)生影響。此外，異物形狀越長(zhǎng)，異物的運(yùn)動(dòng)變得越大、對(duì)絕緣性能的影響可能變得越高。為了抑制被施加了運(yùn)行電壓的異物的運(yùn)動(dòng)，在制造工序中、例如在異物管理工序等中進(jìn)行異物除去并強(qiáng)化異物管理，以便較長(zhǎng)的異物不混入金屬容器內(nèi)部。并且，為了使無(wú)法徹底管理的較小異物不浮起到設(shè)計(jì)上考慮的高度以上并到處運(yùn)動(dòng)，需要對(duì)運(yùn)行電壓施加時(shí)的金屬容器的內(nèi)側(cè)表面的電場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行設(shè)計(jì)。在此，高度是指金屬容器內(nèi)側(cè)表面與異物之間的距離。金屬容器的內(nèi)側(cè)表面的電場(chǎng)強(qiáng)度，依存于高壓導(dǎo)體與金屬容器的內(nèi)側(cè)表面之間的距離，所以為了將異物的浮起高度抑制為較小，需要使金屬容器增大。這成為制約密封型絕緣裝置縮小化的原因。作為使該異物導(dǎo)致的對(duì)設(shè)計(jì)的制約條件緩和的方法，已知通過(guò)抑制異物的運(yùn)動(dòng)而使對(duì)絕緣性能的影響無(wú)效化的技術(shù)。例如，如專(zhuān)利文獻(xiàn)1 3所公開(kāi)的那樣，已知通過(guò)將絕緣材料進(jìn)行涂層而得到的絕緣膜使異物舉動(dòng)不活化的技術(shù)(絕緣涂層技術(shù))。絕緣涂層技術(shù)為，通過(guò)對(duì)密封型絕緣裝置的金屬容器的內(nèi)側(cè)表面用絕緣性較高的環(huán)氧系樹(shù)脂等進(jìn)行涂層，由此抑制從金屬容器內(nèi)側(cè)表面向異物供給電荷，而使異物難以運(yùn)動(dòng)。當(dāng)異物難以運(yùn)動(dòng)時(shí)，能夠提高金屬容器內(nèi)側(cè)表面的電場(chǎng)，能夠使密封容器緊湊。形成絕緣性高且難以剝離的絕緣膜是很重要的，提出有用于實(shí)現(xiàn)這種絕緣膜的方法?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)昭58-111203號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)平2-79711號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本特許第3(^8975號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4 日本特開(kāi)2004-U9343號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)5 日本特開(kāi)2007-14149號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)6 日本特開(kāi)2004-165355號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題然而，以往用于上述絕緣膜的絕緣材料(涂層材料)存在如下的課題。在以往提出的涂層材料中，在由異物、絕緣氣體及涂層材料構(gòu)成的部位容易產(chǎn)生電場(chǎng)集中。當(dāng)該電場(chǎng)集中變大時(shí)，有可能在異物周邊產(chǎn)生局部放電而向異物供給電荷。當(dāng)產(chǎn)生局部放電時(shí)，該異物會(huì)突然大范圍地到處運(yùn)動(dòng)，對(duì)絕緣性能造成影響。當(dāng)閃電沖擊等過(guò)電壓侵入而金屬容器內(nèi)側(cè)表面的電場(chǎng)變大時(shí)，不能完全否定電場(chǎng)集中部的電場(chǎng)會(huì)進(jìn)一步變大的可能性，雖然概率非常低，但是產(chǎn)生異物突然較大地到處運(yùn)動(dòng)的可能性。為了抑制該突然大范圍地到處運(yùn)動(dòng)的情況，需要緩和涂層材料以及異物之間的電場(chǎng)集中而抑制發(fā)生局部放電或電場(chǎng)發(fā)射。此外，在以往所實(shí)用化的涂層材料中，與上述課題相關(guān)聯(lián)還存在以下那樣的課題。 在以往的涂層材料中，由于涂層材料的絕緣性始終較高，所以在通常的運(yùn)行電壓下，除了對(duì)比制造上所管理的長(zhǎng)度短的異物的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行抑制之外，對(duì)于制造上應(yīng)該管理的長(zhǎng)度以上的異物也會(huì)抑制基于電場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)。一般在密封型絕緣裝置中，在組裝后進(jìn)行施加比運(yùn)行電壓高的電壓的試驗(yàn)、即致密性確認(rèn)試驗(yàn)。其目的在于，萬(wàn)一比制造上應(yīng)該管理的長(zhǎng)度長(zhǎng)的異物，在異物管理工序中被漏過(guò)而殘留在金屬容器內(nèi)部時(shí)，能夠通過(guò)比運(yùn)行電壓高的電場(chǎng)發(fā)現(xiàn)并除去該異物。通過(guò)該致密性確認(rèn)試驗(yàn)，來(lái)徹底地進(jìn)行異物管理。如上所述，較長(zhǎng)的異物、特別是具有超過(guò)管理長(zhǎng)度的長(zhǎng)度的異物，具有通過(guò)電場(chǎng)的作用而容易運(yùn)動(dòng)的特性。在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)施加比運(yùn)行電壓高的電壓，具有使在運(yùn)行電壓下有可能到處運(yùn)動(dòng)的較長(zhǎng)異物可靠地運(yùn)動(dòng)而促進(jìn)發(fā)現(xiàn)的效果。在容器內(nèi)到處運(yùn)動(dòng)的異物，對(duì)金屬容器內(nèi)部賦予沖擊振動(dòng)或者產(chǎn)生局部放電，所以能夠通過(guò)檢測(cè)而將它們發(fā)現(xiàn)并除去。但是，在通過(guò)絕緣材料進(jìn)行涂層而形成的絕緣膜的情況下，異物難以運(yùn)動(dòng)，難以產(chǎn)生上述沖擊振動(dòng)或局部放電。因此，即使萬(wàn)一金屬容器內(nèi)部存在異物，也會(huì)產(chǎn)生難以發(fā)現(xiàn)該異物的情況。另一方面，即使是處于絕緣膜的表層、難以被供給電荷而在運(yùn)行電壓下難以運(yùn)動(dòng)的異物，也不能完全否定由于與開(kāi)關(guān)設(shè)備的操作等相伴的機(jī)械沖擊振動(dòng)等而異物開(kāi)始運(yùn)動(dòng)的可能性。并且，也不能完全否定由于雷電沖擊那樣的更高的電壓而產(chǎn)生局部放電，而異物開(kāi)始運(yùn)動(dòng)的可能性。假設(shè)，當(dāng)超過(guò)管理長(zhǎng)度的較長(zhǎng)異物一旦開(kāi)始運(yùn)動(dòng)時(shí)，可以考慮到在異物周邊產(chǎn)生局部放電或電場(chǎng)發(fā)射而向該異物供給電荷、異物的運(yùn)動(dòng)變得進(jìn)一步活躍的可能性。因此，在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)，在存在比制造上應(yīng)該管理的長(zhǎng)度大的異物的情況下，優(yōu)選使該異物可靠地運(yùn)動(dòng)而發(fā)現(xiàn)該異物。
但是，以往所實(shí)用化的絕緣膜，由絕緣性穩(wěn)定地較高的絕緣材料形成的情況較多， 異物保持難以運(yùn)動(dòng)的狀態(tài)，在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)僅通過(guò)施加電場(chǎng)難以發(fā)現(xiàn)異物。因此，在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)，為了可靠地發(fā)現(xiàn)比制造上應(yīng)該管理的長(zhǎng)度大的異物，需要對(duì)金屬容器施加震動(dòng)等的追加作業(yè)，成為推進(jìn)基于密封型絕緣裝置的緊湊化的成本降低方面的制約條件。為了緩和該制約，需要相對(duì)于致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)的高電場(chǎng)，使異物容易運(yùn)動(dòng)、而容易發(fā)現(xiàn)并除去萬(wàn)一存在的比管理尺寸大的異物。另一方面，相對(duì)于運(yùn)行電壓，使異物難以運(yùn)動(dòng)、而提高開(kāi)關(guān)設(shè)備等的絕緣性能的技術(shù)的開(kāi)發(fā)成為課題。作為涂層技術(shù)，如專(zhuān)利文獻(xiàn)4所公開(kāi)的那樣，除了絕緣涂層以外，還已知在阻擋絕緣物上設(shè)置非線(xiàn)性電阻涂層的構(gòu)造。其目的在于，相對(duì)于在高壓導(dǎo)體中產(chǎn)生的過(guò)電壓，使阻擋絕緣物的電位接近高壓導(dǎo)體的電位，不具有使相對(duì)于在容器內(nèi)面上存在的異物的絕緣可靠性提高的功能。此外，作為應(yīng)用非直線(xiàn)電阻材料的例子，如專(zhuān)利文獻(xiàn)5及專(zhuān)利文獻(xiàn)6等所公開(kāi)的那樣，已知安裝在高壓導(dǎo)體上的構(gòu)造。其目的在于緩和高壓導(dǎo)體端部的電場(chǎng)，不具有使相對(duì)于在容器內(nèi)面上存在的異物的絕緣可靠性提高的功能。本發(fā)明是為了解決上述課題而做出的，其目的在于，對(duì)密封型絕緣裝置的金屬容器內(nèi)的異物的舉動(dòng)進(jìn)行控制，而使密封型絕緣裝置更緊湊化、且提高其絕緣可靠性。用于解決課題的手段用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的密封型絕緣裝置的特征在于，具有高壓導(dǎo)體，沿軸向延伸；金屬容器，在與上述高壓導(dǎo)體之間保持半徑方向的空隙的同時(shí)覆蓋上述高壓導(dǎo)體， 在該空隙中填充絕緣氣體；以及非線(xiàn)性電阻膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上，在具備電阻值隨著電流密度的增大而降低的非線(xiàn)性電阻特性的非線(xiàn)性電阻材料中，填充介電常數(shù)不同于該非線(xiàn)性電阻材料的填充材料。此外，本發(fā)明的密封型絕緣裝置的特征在于，具有高壓導(dǎo)體，沿軸向延伸；金屬容器，在與上述高壓導(dǎo)體之間保持半徑方向的空隙的同時(shí)覆蓋上述高壓導(dǎo)體，在該空隙中填充絕緣氣體；以及非線(xiàn)性電阻膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上，由填充具備電阻值隨著電流密度的增大而降低的非線(xiàn)性電阻特性的非線(xiàn)性電阻材料的樹(shù)脂形成，在上述高壓導(dǎo)體側(cè)表面上形成多個(gè)凹凸部。另外，本發(fā)明的密封型絕緣裝置的特征在于，具有高壓導(dǎo)體，沿軸向延伸；金屬容器，在與上述高壓導(dǎo)體之間保持半徑方向的空隙的同時(shí)覆蓋上述高壓導(dǎo)體，在該空隙中填充絕緣氣體；以及非線(xiàn)性電阻膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上，在彈性材料中填充具備電阻值隨著電流密度的增大而降低的非線(xiàn)性電阻特性的非線(xiàn)性電阻材料。此外，本發(fā)明的密封型絕緣裝置的特征在于，具有高壓導(dǎo)體，沿軸向延伸；金屬容器，在與上述高壓導(dǎo)體之間保持半徑方向的空隙的同時(shí)覆蓋上述高壓導(dǎo)體，在該空隙中填充絕緣氣體；非線(xiàn)性電阻膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上，在樹(shù)脂中填充具備電阻值隨著電流密度的增大而降低的非線(xiàn)性電阻特性的非線(xiàn)性電阻材料而形成；以及由彈性材料形成的中間膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面與上述非線(xiàn)性電阻膜之間。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)γ芊庑徒^緣裝置的金屬容器內(nèi)的異物的舉動(dòng)進(jìn)行控制，使密封型絕緣裝置更緊湊化、且使其絕緣可靠性提高。


圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的一部分的局部切除示意縱截面圖。圖2是圖1的II部分的放大縱截面圖。圖3中(a)是在圖1的III-III向視橫截面圖中表示雜散靜電電容的圖，(b)是表示在圖2的非線(xiàn)性電阻膜中流動(dòng)的電流的電流成分的等效電路圖。圖4是表示在以往絕緣膜表層的異物周邊電場(chǎng)集中的狀態(tài)的模式圖。圖5是表示圖2的非線(xiàn)性電阻膜表層的異物周邊的電場(chǎng)狀態(tài)的模式圖。圖6表示圖1的金屬容器內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜的特性、表示電流密度與施加電壓之間的關(guān)系的曲線(xiàn)圖。圖7是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的金屬容器內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜的一部分的縱截面圖。圖8表示圖7的金屬容器內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜的特性、是表示電流密度與施加電壓之間的關(guān)系的曲線(xiàn)圖。圖9是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的金屬容器內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜的一部分的縱截面圖。圖10是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的金屬容器內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜的一部分的縱截面圖。圖11表示圖10的實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的一部分，是表示附著在非線(xiàn)性電阻膜上的異物的舉動(dòng)的局部切除示意縱截面圖。圖12是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的金屬容器內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜的一部的縱截面圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的密封型絕緣裝置的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。[第一實(shí)施方式]使用圖1 圖6對(duì)本發(fā)明的密封型絕緣裝置的第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的一部分的局部切除示意縱截面圖。圖2是圖1的II部的放大縱截面圖。圖3的(a)是在圖1的III-III向視橫截面圖中表示雜散靜電電容的圖，圖3的(b)是表示在圖2的非線(xiàn)性電阻膜13中流動(dòng)的電流的電流成分的等效電路圖。 圖4是表示在以往絕緣膜13a表層的異物5周邊電場(chǎng)集中的狀態(tài)的模式圖。圖5是表示圖 2的非線(xiàn)性電阻膜13表層的異物5周邊的電場(chǎng)狀態(tài)的模式圖。圖6表示圖1的金屬容器 3內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜13的特性、是表示電流密度與施加電壓之間的關(guān)系的曲線(xiàn)圖。首先，對(duì)本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置具有在軸向上能夠分割為多個(gè)的金屬容器3、高壓導(dǎo)體1以及隔板4。金屬容器3為大體圓筒形，并形成為以與該圓筒的中心軸垂直的截面，能夠分割為多個(gè)以及進(jìn)行連接。圖1所示的金屬容器3，是在第一金屬容器31的兩端分別串聯(lián)地連接第二金屬容器32及第三金屬容器33的狀態(tài)的例子，該第一 第三金屬容器31 33能夠分割。在能夠分割為多個(gè)的金屬容器3、即第一金屬容器31、第二金屬容器32及第三金屬容器33各自的連結(jié)部的外周，形成有端部凸緣部3a。在連結(jié)第一 第三金屬容器31 33時(shí)，這些端部凸緣部3a彼此例如通過(guò)緊固螺栓等緊固構(gòu)件進(jìn)行緊固。在金屬容器3的大致中心部，沿著圓筒部的中心軸方向插入有高壓導(dǎo)體1。并且， 在該高壓導(dǎo)體1的外側(cè)，在金屬容器3內(nèi)側(cè)例如充入有SF6氣體等絕緣氣體2。隔板4具有絕緣部件4a，并被配置為沿著與圓筒的中心軸垂直的方向分割金屬容器3內(nèi)部。該隔板4以由端部凸緣部3a從兩面?zhèn)葕A入的方式被固定。此時(shí)，以保持金屬容器3的氣密性的方式被緊固。隔板4的中心側(cè)被形成為，對(duì)插入金屬容器3內(nèi)部的高壓導(dǎo)體1進(jìn)行支持。在該金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面上，形成有具有非線(xiàn)性的電阻特性的非線(xiàn)性電阻膜 13。如圖2所示，該非線(xiàn)性電阻膜13通過(guò)在金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面上涂布填充了電阻粉末材料14和中空粒子狀部件(中空球21)的樹(shù)脂18來(lái)形成，該涂布電阻粉末材料14是具有當(dāng)電流密度增大時(shí)電阻值變小的非線(xiàn)性電阻特性的SiO等，該中空粒子狀部件(中空球21) 的介電常數(shù)比非線(xiàn)性電阻粉末材料14的介電常數(shù)低。樹(shù)脂18中所填充的非線(xiàn)性電阻粉末材料14為，在樹(shù)脂18的內(nèi)部，非線(xiàn)性電阻粉末材料14彼此相互電氣地串聯(lián)或者并聯(lián)連接。即，該非線(xiàn)性電阻粉末材料14彼此連接而在樹(shù)脂18的內(nèi)部形成漏電流的主路徑15，形成具有上述那種非線(xiàn)性的電阻特性的串聯(lián)或者并聯(lián)的電路。通過(guò)形成這些電路，而得到具有所希望的非線(xiàn)性的電阻特性的非線(xiàn)性電阻膜13。 通過(guò)調(diào)整該非線(xiàn)性電阻粉末材料14的填充量等制造條件，該非線(xiàn)性電阻膜13能夠得到所希望的電阻特性。如圖3 (a)及圖3 (b)所示，當(dāng)對(duì)密封型絕緣裝置的例如高壓電路(未圖示)例如施加交流電壓時(shí)，在非線(xiàn)性電阻膜13中作用由該非線(xiàn)性電阻膜13與高壓導(dǎo)體1之間的雜散靜電電容Cg大致決定的交流電壓。由此流入非線(xiàn)性電阻膜13的電流、即通過(guò)雜散電容而流動(dòng)的電流J，分流為非線(xiàn)性電阻膜13的靜電電容成分Cz和非線(xiàn)性電阻成分Rz。此時(shí)， 將對(duì)充入絕緣氣體2的空隙作用的電壓設(shè)為Vg，將對(duì)非線(xiàn)性電阻膜13作用的電壓設(shè)為Vz。預(yù)先根據(jù)流入非線(xiàn)性電阻成分Rz的電流密度，通過(guò)上述調(diào)整方法等來(lái)調(diào)整非線(xiàn)性電阻膜13的電阻特性即可。如圖4所示，一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)在密封的金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面所形成的膜、例如以往的絕緣膜13a的表層上存在異物5時(shí)，在異物5的周邊出現(xiàn)電場(chǎng)集中的部分、即等位線(xiàn)16 的間隔變密的電場(chǎng)集中部10。當(dāng)該電場(chǎng)集中部10的電場(chǎng)例如超過(guò)絕緣氣體2的電離電場(chǎng)時(shí)，產(chǎn)生局部放電。當(dāng)在異物5的周邊部產(chǎn)生局部放電時(shí)，向異物5供給電荷，而異物5在金屬容器3變得容易運(yùn)動(dòng)。另外，該絕緣膜13a的電阻設(shè)為無(wú)限大。在異物5容易運(yùn)動(dòng)的狀況下，有可能使絕緣性能降低。并且，根據(jù)異物5的材質(zhì)的不同，有時(shí)電場(chǎng)集中部10的電場(chǎng)的大小會(huì)超過(guò)異物5的材質(zhì)的電子發(fā)射電場(chǎng)的大小，而使異物5帶電，使其變得進(jìn)一步容易運(yùn)動(dòng)。
在金屬容器3的內(nèi)面的膜、例如絕緣膜13a與異物5之間流過(guò)電流，該電流的密度主要由異物5與該絕緣膜13a之間的電位差、絕緣氣體2的介電常數(shù)以及例如具有商用頻率的施加電壓(交流電壓)等來(lái)決定。流入該絕緣膜13a的電流，分為非線(xiàn)性電阻膜13的電容成分和電阻成分而在絕緣膜13a中流動(dòng)。在此，例如預(yù)先將絕緣膜13a的電阻特性設(shè)定為，表示非線(xiàn)性特性的電流密度，比由絕緣氣體2的電子發(fā)射電場(chǎng)或臨界電場(chǎng)和介電常數(shù)決定的電流密度中的電阻成分低。當(dāng)如此地設(shè)定電阻特性時(shí)，如圖5所示，能夠緩和異物5周邊的電場(chǎng)集中，在異物5周邊形成電場(chǎng)緩和部17，而使局部放電難以產(chǎn)生。即，通過(guò)使電場(chǎng)集中的異物5周邊部分的膜的電阻降低，由此使異物5周邊的膜的電位接近異物5的電位。由此，能夠?qū)愇?周邊的等位線(xiàn) 16的間隔在膜厚方向上擴(kuò)大為大致等間隔而緩和電場(chǎng)，能夠使電場(chǎng)發(fā)射及局部放電難以產(chǎn)生。此時(shí)，使異物5周邊的電場(chǎng)集中緩和而在異物5周邊形成電場(chǎng)緩和部17。通過(guò)該電場(chǎng)緩和部17能夠抑制局部放電的產(chǎn)生。即，通過(guò)使電場(chǎng)集中的異物5周邊部分的非線(xiàn)性電阻膜13的電阻降低，能夠使周邊的膜的電位接近異物5的電位，將異物5周邊的等位線(xiàn) 16的間隔擴(kuò)大而緩和電場(chǎng)，抑制局部放電及電子發(fā)射的產(chǎn)生。在該電場(chǎng)緩和狀態(tài)下，在非線(xiàn)性電阻膜13中生成等位線(xiàn)16在膜厚方向上成為大致等間隔那樣的均勻電場(chǎng)。該均勻電場(chǎng)的大小根據(jù)非線(xiàn)性電阻膜13的介電常數(shù)及膜厚等而變化。其起因?yàn)閷?duì)非線(xiàn)性電阻膜13施加的電壓，根據(jù)由非線(xiàn)性電阻膜13的電容成分 Cz和電阻成分Rz構(gòu)成的阻抗、與由氣體中的雜散靜電電容Cg構(gòu)成的阻抗之間的分壓比 (Cg/(Cg+Cz) ^ Cg/Cz)來(lái)決定。此外，其起因?yàn)榉蔷€(xiàn)性電阻膜13的電容成分Cz依存于膜的介電常數(shù)及膜厚，非線(xiàn)性電阻膜13中所生成的電場(chǎng)，成為對(duì)非線(xiàn)性電阻膜13施加的電壓除以膜厚的值。即，通過(guò)調(diào)整非線(xiàn)性電阻膜13的介電常數(shù)及膜厚，能夠調(diào)整在非線(xiàn)性電阻膜13中生成的電場(chǎng)。如圖6所示，填充了非線(xiàn)性電阻粉末材料14的具有非線(xiàn)性的電阻特性的樹(shù)脂18， 具有隨著電流密度的增大而施加電壓減小的非直線(xiàn)、非線(xiàn)性的關(guān)系。在非線(xiàn)性電阻膜13為圖6所示的特性B時(shí)，該均勻電場(chǎng)，相對(duì)于致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)的電壓V50，能夠使非直線(xiàn)電阻膜成為低電阻區(qū)域，并供給對(duì)于使非線(xiàn)性電阻膜13上的異物5運(yùn)動(dòng)來(lái)說(shuō)充分的電荷，相對(duì)于運(yùn)行時(shí)的電壓V60，能夠使非線(xiàn)性電阻膜13處于高電阻區(qū)域，并不供給非線(xiàn)性電阻膜13上的異物5運(yùn)動(dòng)所需要的電荷。在非線(xiàn)性電阻膜13為圖6所示的特性A時(shí)，該均勻電場(chǎng)，在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)在致密性確認(rèn)試驗(yàn)電壓V50下，非線(xiàn)性電阻膜13處于高電阻區(qū)域，對(duì)于非線(xiàn)性電阻膜13上的異物5不供給用于使異物5運(yùn)動(dòng)的充分的電荷。如圖2所示，當(dāng)在構(gòu)成非線(xiàn)性電阻膜13的樹(shù)脂18中填充中空球21等、介電常數(shù)比非線(xiàn)性電阻粉末材料14低的填充材料，而使非線(xiàn)性電阻膜13的介電常數(shù)降低時(shí)，即使是相同的膜厚、例如操作性簡(jiǎn)單的膜厚，也能夠?qū)⑾蚍蔷€(xiàn)性電阻膜13的施加電壓調(diào)整為較高。即，能夠如致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)電壓V51或者運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)電壓V61那樣進(jìn)行設(shè)定。此時(shí)，非線(xiàn)性電阻粉末材料14的粒徑優(yōu)選為數(shù)十ym，以使接觸面積變大，此外， 中空球21等填充材料的粒徑優(yōu)選為與非線(xiàn)性電阻粉末材料14相同程度以下，以使樹(shù)脂18中所填充的非線(xiàn)性電阻粉末材料14彼此容易接觸。此外，中空球21的混合比例，優(yōu)選抑制為不妨礙非線(xiàn)性電阻粉末材料14相互接觸的程度的比例。在這種情況下，即使非線(xiàn)性電阻膜13為特性A，在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)，非線(xiàn)性電阻膜13也能夠成為低電阻區(qū)域，并供給對(duì)于膜上的異物5運(yùn)動(dòng)來(lái)說(shuō)充分的電荷，在運(yùn)行時(shí)能夠處于高電阻區(qū)域而能夠抑制供給膜上的異物5運(yùn)動(dòng)所需要的電荷。根據(jù)本實(shí)施方式，在ZnO等既存的非線(xiàn)性電阻粉末材料14的特性相對(duì)于致密性確認(rèn)試驗(yàn)電壓不能夠供給充分的電流的情況下，通過(guò)填充介電常數(shù)比非線(xiàn)性電阻粉末材料14 低的填充材料，由此能夠調(diào)整為，使向非線(xiàn)性電阻膜13的施加電壓提高，在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)能夠?qū)Ξ愇?供給對(duì)于異物5運(yùn)動(dòng)來(lái)說(shuō)充分的電荷。由此，通過(guò)致密性確認(rèn)試驗(yàn)，容易發(fā)現(xiàn)并除去異物5。根據(jù)以上的說(shuō)明可知，本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置，能夠進(jìn)一步緊湊化且能夠提高絕緣可靠性。[第二實(shí)施方式]使用圖7及圖8對(duì)本發(fā)明的密封型絕緣裝置的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜13的一部分的縱截面圖。圖8表示圖7的金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜13的特性，是表示電流密度與施加電壓之間關(guān)系的曲線(xiàn)圖。另外，本實(shí)施方式是第一實(shí)施方式的變形例，對(duì)于與第一實(shí)施方式相同部分或者類(lèi)似部分，賦予相同符號(hào)而省略重復(fù)說(shuō)明。此外，本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置，除了非線(xiàn)性電阻膜13以外，與圖1所示的第一實(shí)施方式的密封型絕緣裝置相同。如圖7所示，本實(shí)施方式的非線(xiàn)性電阻膜13，通過(guò)在金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面上將樹(shù)脂18涂布為膜狀而形成，該樹(shù)脂18中填充了與第一實(shí)施方式相同的非線(xiàn)性電阻粉末材料 14、和例如氧化鋁粉末22等那樣的介電常數(shù)比非線(xiàn)性電阻粉末材料14高的粉末。在非線(xiàn)性電阻膜13為如圖8所示的特性C的情況下，均勻電場(chǎng)，相對(duì)于運(yùn)行時(shí)電壓V60，使非線(xiàn)性電阻膜13處于低電阻區(qū)域。因此，會(huì)供給對(duì)于非線(xiàn)性電阻膜13上的異物 5運(yùn)動(dòng)來(lái)說(shuō)充分的電荷。相對(duì)于此，如圖7所示，當(dāng)填充氧化鋁粉末22等而使非線(xiàn)性電阻膜13的介電常數(shù)增大時(shí)，即使是相同的膜厚、例如操作性簡(jiǎn)單的膜厚，也能夠?qū)⑾蚍蔷€(xiàn)性電阻膜13的施加電壓調(diào)整得較低。即，能夠如致密性確認(rèn)試驗(yàn)電壓V52及運(yùn)行時(shí)電壓V62那樣進(jìn)行設(shè)定。此時(shí)，與第一實(shí)施方式同樣，非線(xiàn)性電阻粉末材料14的粒徑優(yōu)選為數(shù)十ym，以使接觸面積變大。此外，氧化鋁粉末22的粒徑優(yōu)選為與非線(xiàn)性電阻粉末材料14的粒徑相同程度以下，以使樹(shù)脂18中所填充的非線(xiàn)性電阻粉末材料14彼此容易接觸。在該情況下，即使非線(xiàn)性電阻膜13為特性C，相對(duì)于致密性確認(rèn)試驗(yàn)電場(chǎng)V52，非線(xiàn)性電阻膜13也成為低電阻領(lǐng)域，并能夠供給對(duì)于膜上的異物5運(yùn)動(dòng)來(lái)說(shuō)充分的電荷，相對(duì)于運(yùn)行電場(chǎng)V62，能夠處于高電阻區(qū)域，并抑制供給膜上的異物5運(yùn)動(dòng)所需要的電荷。根據(jù)本實(shí)施方式，在ZnO等既存的非線(xiàn)性電阻粉末材料14的特性相對(duì)于運(yùn)行電壓會(huì)供給對(duì)于異物5運(yùn)動(dòng)來(lái)說(shuō)充分的電流的情況下，通過(guò)填充介電常數(shù)比非線(xiàn)性電阻粉末材料14高的填充材料，由此能夠調(diào)整為，使向非線(xiàn)性電阻膜13的施加電壓降低，在運(yùn)行時(shí)的施加電壓下不向異物5供給對(duì)于異物5運(yùn)動(dòng)來(lái)說(shuō)充分的電荷。由此，能夠通過(guò)致密性確認(rèn)試驗(yàn)容易發(fā)現(xiàn)并除去異物5，且在運(yùn)行時(shí)能夠減小異物5的影響。根據(jù)以上的說(shuō)明可知，本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置，能夠進(jìn)一步緊湊化且能夠提高絕緣可靠性。[第三實(shí)施方式]使用圖9對(duì)本發(fā)明的密封型絕緣裝置的第三實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜13的一部分的縱截面圖。另外，本實(shí)施方式是第一實(shí)施方式的變形列，對(duì)于與第一實(shí)施方式相同部分或者類(lèi)似的部分，賦予相同符號(hào)而省略重復(fù)說(shuō)明。此外，本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置，除了非線(xiàn)性電阻膜13以外，與圖1所示的第一實(shí)施方式的密封型絕緣裝置相同。如圖9所示那樣，與第一實(shí)施方式同樣，本實(shí)施方式的非線(xiàn)性電阻膜13，通過(guò)在金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面上將填充了非線(xiàn)性電阻粉末材料14的樹(shù)脂18涂布為膜狀而形成。在該非線(xiàn)性電阻膜13的內(nèi)側(cè)表面上形成有多個(gè)凹凸部23。萬(wàn)一在容器內(nèi)面的非線(xiàn)性電阻膜13的內(nèi)側(cè)表面上存在的異物5，由于異物5持有的電荷量而運(yùn)動(dòng)容易度變化。在圖4所示那樣的以往的絕緣膜13a的情況下，萬(wàn)一對(duì)于絕緣膜13a上存在的異物5，通過(guò)絕緣膜13a的漏電流而供給的電荷量保持較小的狀態(tài)。因此，難以通過(guò)漏電流使供給電荷量變化。另一方面，在非線(xiàn)性電阻膜13的情況下，從非線(xiàn)性電阻膜13向異物5通過(guò)漏電流供給的電荷量，根據(jù)非線(xiàn)性電阻膜13的非線(xiàn)性電阻特性和向非線(xiàn)性電阻膜13的施加電壓而變化。并且，除此之外，還根據(jù)異物5與非線(xiàn)性電阻膜13的接觸面積而變化。通過(guò)在非線(xiàn)性電阻膜13的內(nèi)側(cè)表面上形成凹凸部23，能夠使異物5與非線(xiàn)性電阻膜13的接觸面積變化。在本實(shí)施方式中，通過(guò)形成凹凸部23，由此使該接觸面積減小。由此，使在非線(xiàn)性電阻膜13與異物5之間形成的漏電流路徑的多少變化，而能夠調(diào)整向異物 5供給的電荷。一般有害的異物5的大小為，直徑為大約100 μ m程度以上。因此，優(yōu)選使相互鄰接的凸部彼此之間的間隔為100 μ m以下，以使異物5不落入凹部。即，通過(guò)將由凸部彼此或凹部彼此之間的間隔來(lái)決定的表面粗糙度，在相應(yīng)間隔為IOOym以下的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整， 由此能夠調(diào)整相對(duì)于異物5的接觸面積的大小。由此，能夠?qū)姆蔷€(xiàn)性電阻膜13向異物5的電荷供給的多少進(jìn)行調(diào)整，在運(yùn)行電場(chǎng)中異物5變得難以運(yùn)動(dòng)，在致密性試驗(yàn)時(shí)容易使異物5運(yùn)動(dòng)而容易發(fā)現(xiàn)并除去。根據(jù)以上的說(shuō)明可知，本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置，能夠進(jìn)一步緊湊化且能夠提高絕緣可靠性。此外，本實(shí)施方式的非線(xiàn)性電阻膜13的樹(shù)脂18中，也可以填充介電常數(shù)與非線(xiàn)性電阻粉末材料14不同的填充材料、例如中空球21或氧化鋁粉末22等。[第四實(shí)施方式]使用圖10及圖11對(duì)本發(fā)明的密封型絕緣裝置的第四實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖10是表示本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜13的一部分的縱截面圖。圖11表示本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的一部分，是表示附著在非線(xiàn)性電阻膜13上的異物5的舉動(dòng)的局部切除示意縱截面圖。另外，本實(shí)施方式是第一實(shí)施方式的變形例，對(duì)于與第一實(shí)施方式相同部分或者類(lèi)似部分，賦予相同符號(hào)而省略重復(fù)說(shuō)明。如圖10所示，與第一實(shí)施方式同樣，本實(shí)施方式的非線(xiàn)性電阻膜13，通過(guò)在金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面上將填充了非線(xiàn)性電阻粉末材料14的彈性材料M涂布為膜狀而形成。如圖11所示，由于向金屬容器3傳播機(jī)械振動(dòng)、或者金屬容器3振動(dòng)，金屬容器3 內(nèi)萬(wàn)一存在的異物5有可能開(kāi)始運(yùn)動(dòng)。對(duì)此，通過(guò)彈性材料M的層具有的彈性特性的作用，能夠抑制金屬容器3的機(jī)械振動(dòng)向非線(xiàn)性電阻膜13的內(nèi)側(cè)表面?zhèn)鞑?。由此，使振?dòng)難以向內(nèi)側(cè)表面上的異物5傳遞。根據(jù)本實(shí)施方式，在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)能夠容易發(fā)現(xiàn)并除去異物5，并且在運(yùn)行時(shí)相對(duì)于機(jī)械振動(dòng)也能夠使異物5難以運(yùn)動(dòng)。因此，密封型絕緣裝置能夠進(jìn)一步緊湊化、且能夠提高絕緣可靠性。此外，本實(shí)施方式的非線(xiàn)性電阻膜13的彈性材料M的層中，也可以填充介電常數(shù)與非線(xiàn)性電阻粉末材料14不同的填充材料、例如中空球21或氧化鋁粉末22等。[第五實(shí)施方式]使用圖12對(duì)本發(fā)明的密封型絕緣裝置的第五實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖12是表示本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置的金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面所形成的非線(xiàn)性電阻膜13的一部分的縱截面圖。另外，本實(shí)施方式是第一實(shí)施方式的變形例，對(duì)于與第一實(shí)施方式相同部分或者類(lèi)似部分，賦予相同符號(hào)而省略重復(fù)說(shuō)明。此外，本實(shí)施方式的密封型絕緣裝置，除了非線(xiàn)性電阻膜13以外，與圖1所示的第一實(shí)施方式的密封型絕緣裝置相同。如圖12所示，與第一實(shí)施方式同樣，本實(shí)施方式的非線(xiàn)性電阻膜13，通過(guò)在金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面上將填充了非線(xiàn)性電阻粉末材料14的樹(shù)脂18涂布為膜狀而形成。在該非線(xiàn)性電阻膜13與金屬容器3的內(nèi)側(cè)表面之間，設(shè)置有由電阻比非線(xiàn)性電阻膜13低的彈性材料形成的彈性中間膜Ma。通過(guò)該彈性中間膜Ma的彈性特性，即使金屬容器3產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，也能夠使振動(dòng)難以向非線(xiàn)性電阻膜13傳遞。異物5與非線(xiàn)性電阻膜13相接，所以能夠維持非線(xiàn)性電阻膜13對(duì)于異物5的電場(chǎng)緩和作用及電荷供給特性。此外，如上所述，彈性中間膜2 的電阻被設(shè)定為比非線(xiàn)性電阻膜13低，所以漏電流的大小幾乎都由非線(xiàn)性電阻膜13的特性決定。由此，在致密性確認(rèn)試驗(yàn)時(shí)容易發(fā)現(xiàn)并除去異物5，并且在運(yùn)行時(shí)相對(duì)于機(jī)械振動(dòng)也能夠使異物5難以運(yùn)動(dòng)。因此，密封型絕緣裝置能夠進(jìn)一步緊湊化、且能夠提高絕緣可靠性。此外，本實(shí)施方式的非線(xiàn)性電阻膜13的樹(shù)脂18中，也可以填充介電常數(shù)與非線(xiàn)性電阻粉末材料14不同的填充材料、例如中空球21或氧化鋁粉末22等。[其他實(shí)施方式]上述實(shí)施方式的說(shuō)明是用于說(shuō)明本發(fā)明的例示，不限定專(zhuān)利請(qǐng)求范圍所記載的發(fā)明。此外，本發(fā)明的各部分構(gòu)成不限于上述實(shí)施方式，在專(zhuān)利請(qǐng)求范圍所記載的技術(shù)范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變形。例如，在第一 第五實(shí)施方式中，作為非線(xiàn)性電阻粉末材料14，對(duì)使用SiO的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限于此。只要具有電阻值根據(jù)電流密度而變低那樣的特性的材料，就能夠應(yīng)用。此外，還能夠?qū)Φ谒膶?shí)施方式的特征及第五實(shí)施方式的特征分別組合第三實(shí)施方式的特征。符號(hào)的說(shuō)明1…高壓導(dǎo)體、2…絕緣氣體、3…金屬容器、3a···端部凸緣部、4…隔板、4a···絕緣部件、5…異物、10···電場(chǎng)集中部、13···非線(xiàn)性電阻膜、13a…以往的絕緣膜、14···非線(xiàn)性電阻粉末材料、15···漏電流的主路徑、16···等位線(xiàn)、17···電場(chǎng)緩和部、18···樹(shù)脂、21···中空球、22··· 氧化鋁粉末、23···凹凸部、24···彈性材料、2 …彈性中間膜、31···第一金屬容器、32···第二金屬容器、33···第三金屬容器。
權(quán)利要求
1.一種密封型絕緣裝置，其特征在于，具有 高壓導(dǎo)體，沿軸向延伸；金屬容器，在與上述高壓導(dǎo)體之間保持半徑方向的空隙的同時(shí)覆蓋上述高壓導(dǎo)體，在該空隙中填充絕緣氣體；以及非線(xiàn)性電阻膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上，在具備電阻值隨著電流密度的增大而降低的非線(xiàn)性電阻特性的非線(xiàn)性電阻材料中，填充介電常數(shù)與該非線(xiàn)性電阻材料不同的填充材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封型絕緣裝置，其特征在于，上述填充材料的介電常數(shù)低于上述非線(xiàn)性電阻材料的介電常數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的密封型絕緣裝置，其特征在于， 上述填充材料為中空的粒狀部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封型絕緣裝置，其特征在于，上述填充材料的介電常數(shù)高于上述非線(xiàn)性電阻材料的介電常數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的密封型絕緣裝置，其特征在于， 上述非線(xiàn)性電阻材料包括aio，上述填充材料包括氧化鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的密封型絕緣裝置，其特征在于， 上述非線(xiàn)性電阻膜是在上述非線(xiàn)性電阻材料中填充有樹(shù)脂。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的密封型絕緣裝置，其特征在于， 上述樹(shù)脂是彈性材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的密封型絕緣裝置，其特征在于，在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面以及上述非線(xiàn)性電阻膜之間，具有由彈性材料形成的中間膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的密封型絕緣裝置，其特征在于， 在上述非線(xiàn)性電阻膜的上述高壓導(dǎo)體側(cè)的表面上形成有多個(gè)凹凸部。
10.一種密封型絕緣裝置，其特征在于，具有 高壓導(dǎo)體，沿軸向延伸；金屬容器，在與上述高壓導(dǎo)體之間保持半徑方向的空隙的同時(shí)覆蓋上述高壓導(dǎo)體，在該空隙中填充絕緣氣體；以及非線(xiàn)性電阻膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上，由填充了具備電阻值隨著電流密度的增大而降低的非線(xiàn)性電阻特性的非線(xiàn)性電阻材料的樹(shù)脂形成，在上述高壓導(dǎo)體側(cè)的表面上形 成有多個(gè)凹凸部。
11.一種密封型絕緣裝置，其特征在于，具有 高壓導(dǎo)體，沿軸向延伸；金屬容器，在與上述高壓導(dǎo)體之間保持半徑方向的空隙的同時(shí)覆蓋上述高壓導(dǎo)體，在該空隙中填充絕緣氣體；以及非線(xiàn)性電阻膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上，在彈性材料中填充了具備電阻值隨著電流密度的增大而降低的非線(xiàn)性電阻特性的非線(xiàn)性電阻材料。
12.—種密封型絕緣裝置，其特征在于，具有 高壓導(dǎo)體，沿軸向延伸；金屬容器，在與上述高壓導(dǎo)體之間保持半徑方向的空隙的同時(shí)覆蓋上述高壓導(dǎo)體，在該空隙中填充絕緣氣體；非線(xiàn)性電阻膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面上，在樹(shù)脂中填充了電阻值隨著電流密度的增大而降低的非線(xiàn)性電阻特性而形成；以及由彈性材料形成的中間膜，形成在上述金屬容器的內(nèi)側(cè)表面與上述非線(xiàn)性電阻膜之間。
全文摘要
一種密封型絕緣裝置，具備高壓導(dǎo)體(1)，沿軸向延伸，在軸向上至少能夠分割為兩個(gè)；金屬容器(3)，通過(guò)端部凸緣部(3a)至少能夠分割為兩個(gè)，在與高壓導(dǎo)體(1)之間保持空隙的同時(shí)覆蓋高壓導(dǎo)體(1)，該空隙中填充絕緣氣體(2)；以及隔板(4)，具備絕緣部件(4a)，以外周側(cè)被端部凸緣部(3a)夾入的方式固定，在內(nèi)周側(cè)面支持高壓導(dǎo)體(1)。在金屬容器(3)內(nèi)側(cè)表面上設(shè)有非線(xiàn)性電阻膜(13)，該非線(xiàn)性電阻膜(13)在具備電阻值隨著電流密度的增大而降低的特性的非線(xiàn)性電阻材料中填充介電常數(shù)與該非線(xiàn)性電阻材料不同的填充材料。
文檔編號(hào)H02G5/06GK102341982SQ20108001058
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2010年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月6日
發(fā)明者佐藤正幸, 安藤秀泰, 平野嘉彥, 武井雅文, 花井正廣, 野島健一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝