專利名稱：用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于射頻集成電路領(lǐng)域，涉及一種整流電路，具體為一種用于射頻電子標(biāo) 簽的整流電路。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別技術(shù)(Radio Frequency Identification，RFID)是一種非接觸式的自動(dòng) 識(shí)別技術(shù)，其基本原理是利用射頻信號(hào)和空間耦合傳輸特性自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān) 信息，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)識(shí)別。作為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，RFID由于其眾多便利的特點(diǎn)和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域， 越來(lái)越受到人們的普遍關(guān)注。RFID技術(shù)有著十分廣泛的應(yīng)用前景，其可以應(yīng)用于物流倉(cāng)儲(chǔ) 中的倉(cāng)庫(kù)管理、身份識(shí)別、交通運(yùn)輸、食品醫(yī)療、動(dòng)物管理、門禁防盜以及工業(yè)軍事等多種領(lǐng) 域，給人們生活帶來(lái)了極大的便利。RFID系統(tǒng)通常由標(biāo)簽(Tag) ,RFID讀寫設(shè)備(Reader)以及應(yīng)用軟件平臺(tái)構(gòu)成，標(biāo) 簽和RFID讀寫設(shè)備是RFID系統(tǒng)的硬件基礎(chǔ)。RFID電子標(biāo)簽種類很多，按照供電方式通?？?分為有源和無(wú)源的電子標(biāo)簽；按照載波頻率通?？煞譃榈皖l(134. 2kHz)、高頻(13. 56MHz) 以及超高頻033MHz和915MHz)，其中超高頻則屬于未來(lái)的發(fā)展方向。圖1為一常見的無(wú)源電子標(biāo)簽芯片的電路結(jié)構(gòu)圖。根據(jù)圖1，電子標(biāo)簽包括天線、 匹配網(wǎng)絡(luò)、整流電路、電源產(chǎn)生模塊、接收發(fā)送電路、數(shù)字控制部分及存儲(chǔ)單元。無(wú)源電子標(biāo) 簽由于沒有外部電源供給，因此需要整流電路對(duì)從天線輸入的射頻信號(hào)進(jìn)行整流，得到直 流電壓對(duì)芯片的其他模塊(如檢波及時(shí)鐘電路、數(shù)字控制部分及存儲(chǔ)單元)進(jìn)行供電，因此 整流電路對(duì)于無(wú)源電子標(biāo)簽芯片至關(guān)重要。一般整流電路采用傳統(tǒng)的N級(jí)倍壓整流電路實(shí) 現(xiàn)，其整流器件采用MOS器件漏柵短接等效的二極管，由于一般MOS器件閾值較高，如NMOS 約0. 7v, PMOS約0. 9v，在低功耗的RFID系統(tǒng)中如果采用這種整流電路將會(huì)使得整流效率 降低，從而使得電子標(biāo)簽最遠(yuǎn)工作距離縮短。中國(guó)專利CN200610118905. 4提出了一種用于射頻電子標(biāo)簽的自偏置高效整流電 路，如圖2所示，其主要目的是通過電壓偏置管MB1-MB3給整流的MOS管(M1、M2)提供穩(wěn)定 的直流偏壓，使得整流管柵極電壓保持在微導(dǎo)通狀態(tài)，降低整流管的導(dǎo)通閾值，以提高整流 電路的整流效率。然而，該電路雖然可以降低整流管的導(dǎo)通閾值，卻存在以下兩個(gè)主要缺點(diǎn)1、該電 路屬于半波整流電路，對(duì)信號(hào)的利用率比較低；2、該電路的自偏置信號(hào)沒有設(shè)置穩(wěn)定電路， 在信號(hào)波動(dòng)時(shí)會(huì)降低整流效率。綜上所述，可知先前技術(shù)中用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路存在信號(hào)利用率較低且 由于沒有設(shè)置穩(wěn)定電路信號(hào)波動(dòng)時(shí)會(huì)降低整流效率的問題，因此，實(shí)有必要提出改進(jìn)的技 術(shù)手段，來(lái)解決此一問題。
發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的信號(hào)利用率較低且由于未設(shè)置穩(wěn)定電路會(huì)降低整流效率的問題，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，以實(shí)現(xiàn)一種 全波整流電路，提高信號(hào)利用率。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，以實(shí)現(xiàn)對(duì)各整 流管提供偏置電壓，降低各整流管實(shí)際導(dǎo)通時(shí)的閾值電壓。本發(fā)明第三個(gè)目的在于提供一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，以實(shí)現(xiàn)對(duì)各整流 管的偏置電壓設(shè)置穩(wěn)定電路，以減小各整流管柵-源寄生電容的影響，穩(wěn)定柵極電壓。為達(dá)上述及其它目的，本發(fā)明一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，至少包含N級(jí) 采用差分結(jié)構(gòu)的整流單元，每級(jí)整流單元均具有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端及第 二輸出端，當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸出端與下一級(jí)整流單元的第一輸入端相連，當(dāng)前級(jí)整 流單元的第二輸出端與下一級(jí)整流單元的第二輸入端相連，第一級(jí)整流單元的第一輸入端 與第二輸入端連接至該電子標(biāo)簽天線的第二端，最后一級(jí)整流單元連接至輸出電源的正負(fù) 端，其中，每級(jí)整流單元均包括第一差分整流單元與第二差分整流單元，該第一差分整流單 元至少包括第一正向整流管、第二正向整流管、第一耦合電容以及第一負(fù)載電容，該第一正 向整流管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸入端，漏極與該第一耦合電容及該第二正向 整流管漏極共連，該第二正向整流管源極連接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸出端，該第二 差分整流單元至少包括第一負(fù)向整流管、第二負(fù)向整流管、第二耦合電容以及第二負(fù)載電 容，該第一負(fù)向整流管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸入端，漏極與該第二耦合電容 及該第二負(fù)向整流管漏極共連，該第二負(fù)向整流管源極連接至當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸出 端，該第一耦合電容、該第二耦合電容與該電子標(biāo)簽天線的第一端相連，該第一負(fù)載電容、 該第二負(fù)載電容與該電子標(biāo)簽天線的第二端相連。進(jìn)一步地，每級(jí)整流單元還包含四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生管，該四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生管分 別為該第一正向整流管、該第二正向整流管、該第一負(fù)向整流管以及該第二負(fù)向整流管提 供偏置電壓。進(jìn)一步地，該四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生管均采用漏柵短接形成有源電阻的接法，且該第 一正向整流管的偏置電壓產(chǎn)生管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸入端，柵極接至該第 一正向整流管的柵極，漏極外接一電流源；該第二正向整流管的偏置電壓產(chǎn)生管源極接至 該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸出端，柵極接至該第二正向整流管的柵極，漏極外接一電流阱; 該第一負(fù)向整流管的偏置電壓產(chǎn)生管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸入端，柵極接至 該第一負(fù)向整流管，漏極外接該電流阱；該第二負(fù)向整流管的偏置電壓產(chǎn)生管源極接至該 當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸出端，柵極接至該第二負(fù)向整流管，漏極外接該電流源。進(jìn)一步地，該整流電路還包括一偏置電流產(chǎn)生模塊，該偏置電流產(chǎn)生模塊連接至 該四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生單元的漏極，以提供該電流源或電流阱。進(jìn)一步地，每級(jí)整流單元還包括第一電容、第二電容、第三電容以及第四電容，以 穩(wěn)定各整流管柵極電壓的電容，其中該第一電容一端連接至該第一正向整流管柵極，另一 端連接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸入端；該第二電容一端連接至該第二正向整流管柵 極，另一端連接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸出端；該第三電容一端連接至該第一負(fù)向整 流管柵極，另一端連接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸入端；該第四電容一端連接至該第二 負(fù)向整流管柵極，另一端連接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸出端。
其中，該第一正向整流管、該第二正向整流管、該第一負(fù)向整流管以及該第二負(fù)向 整流管可以為N型、P型MOS耗盡或增強(qiáng)型晶體管。其中，該四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生管為N型、P型MOS耗盡或增強(qiáng)型晶體管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，通過利用N級(jí)差分 結(jié)構(gòu)的整流單元，使信號(hào)實(shí)現(xiàn)全波整流，提高了信號(hào)的利用率，同時(shí)，本發(fā)明通過采用于各 整流管柵極增加偏置電壓的方法，使各整流管處于亞閾值狀態(tài)，降低了各整流管實(shí)際導(dǎo)通 時(shí)的閾值電壓，另外，本發(fā)明還進(jìn)一步采用柵極穩(wěn)定電容減小各整流管柵-源寄生電容的 影響，使柵極電壓穩(wěn)定，減小了源極信號(hào)波動(dòng)對(duì)柵極偏置電壓的負(fù)面影響。
圖1為射頻電子標(biāo)簽結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)帶自動(dòng)偏置的整流單元電路結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3中單級(jí)整流單元的電路結(jié)構(gòu)圖；圖5為本發(fā)明具兩級(jí)整流單元的整流電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式以下通過特定的具體實(shí)例并結(jié)合
本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可 由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明亦可通過其它不同 的具體實(shí)例加以施行或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不背離 本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。圖3為本發(fā)明用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路優(yōu)選實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖，圖4為本 發(fā)明用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路優(yōu)選實(shí)施例的單級(jí)整流單元的電路結(jié)構(gòu)圖。請(qǐng)同時(shí)參照 圖3及圖4，本發(fā)明一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，其至少包括第I-N級(jí)整流單元(1)， 且每級(jí)整流單元均采用差分結(jié)構(gòu)。其中每級(jí)整流單元(1)至少包括第一差分整流單元10以及第二差分整流單元11， 第一差分整流單元10包括第一正向整流管MNl、第二正向整流管MP3、第一耦合電容CP4以 及第一負(fù)載電容CP3，于本發(fā)明較佳實(shí)施例中，第一正向整流管麗1為N型MOS晶體管，第二 正向整流管MP3為P型MOS晶體管，其中第一耦合電容CP4—端(①端)與電子標(biāo)簽天線 的第一端ANTl連接，另一端與第一正向整流管麗1及第二正向整流管MP3的漏極共連，第 一正向整流管Mm源極接至每級(jí)整流單元的第一輸入端(即②端)，第二正向整流管MP3源 極接至每級(jí)整流單元的第一輸出端(即⑤端，該級(jí)整流單元輸出正端)，第一負(fù)載電容CP3 一端與天線第二端ANT2連接(即④端)，另一端接整第一輸出端；第二差分整流單元11包 括第一負(fù)向整流管MP1、第二負(fù)向整流管MN3、第二耦合電容CN4以及第二負(fù)載電容CN3，于 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，第一負(fù)向整流管MPl為P型MOS晶體管，第二負(fù)向整流管麗3為N型 MOS晶體管，其中第一負(fù)向整流管MPl源極接至每級(jí)整流單元的第二輸入端(即③端)，漏 極與第二負(fù)向整流管MN3的漏極相連，第二負(fù)向整流管MN3的源極接至每級(jí)整流單元的第 二輸出端(即⑥端，整流單元輸出負(fù)端)，第二耦合電容CN4 —端與天線的第一端ANTl連 接，另一端與第一負(fù)向整流管MPl及第二負(fù)向整流管MN3的漏極共連，第二負(fù)載電容CN3 —端與天線第二端ANT2連接，另一端與整流單元輸出負(fù)端連接。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明于第 一級(jí)整流單元中，第一正向整流管麗1源極(即第一輸入端)及第一負(fù)向整流管MPl源極 (即第二輸入端)與電子標(biāo)簽天線的第二端ANT2(即④端)連接。請(qǐng)繼續(xù)參考圖4，為降低本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中各整流管的導(dǎo)通閾值，以提高本發(fā)明 的整流效率，本發(fā)明整流電路優(yōu)選實(shí)施例的每級(jí)整流單元還至少包括四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生管 MN2、MP4、MP2以及MN4，其中MN2、MN4為N型MOS晶體管，MP4、MP2為P型MOS晶體管，MN2 為第一正向整流管Mm的偏置電壓產(chǎn)生管，其源極與第一正向整流管Mm源極連接，并共同 連接至第一輸入端，漏柵短接形成有源電阻的接法且漏極需外接一電流源，同時(shí)其柵極接 至第一正向整流管MNl的柵極，為第一正向整流管MNl提供偏置電壓，MP4為第二正向整流 管MP3的偏置電壓產(chǎn)生管，其源極與第一輸出端(即⑤端)連接，漏柵短接構(gòu)成有源電阻接 法且漏極需外接電流阱，同時(shí)其柵極接到第二正向整流管MP3的柵極，為第二正向整流管 MP3提供偏置電壓；MP2為第一負(fù)向整流管MPl的偏置電壓產(chǎn)生管，其源極與第一負(fù)向整流 管MPl源極相接，并共同連接至第二輸入端(即③端)，漏柵短接構(gòu)成有源電阻接法且漏極 需外接電流阱，同時(shí)柵極接到第一負(fù)向整流管MPl的柵極，為第一負(fù)向整流管MPl提供偏置 電壓；MN4為第二負(fù)向整流管麗3的偏置電壓產(chǎn)生管，其源極與整流單元的第二輸出端(即 ⑥端)連接，漏柵短接構(gòu)成有源電阻的接法且漏極需外接電流源，同時(shí)柵極接到第二負(fù)向 整流管麗3的柵極，為第二負(fù)向整流管麗3提供偏置電壓。進(jìn)一步地，為防止信號(hào)波動(dòng)時(shí)整流效率降低，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例還利用電容CP1， CP2，CNl以及CN2來(lái)穩(wěn)定柵極電壓的電容，具體連接為電容CPl —端與第一正向整流管 MNl及其偏置電壓產(chǎn)生管MN2共同的柵極連接，另一端與第一正向整流管MNl源極、偏置電 壓產(chǎn)生管MN2源極共同連接至第一輸入端(即②端)；電容CP2 —端與第二正向整流管MP3 及其偏置電壓產(chǎn)生管MP4共同的柵極連接，另一端接整流單元的第一輸出端(即⑤端)；電 容CNl —端與第一負(fù)向整流管MPl及其偏置電壓產(chǎn)生管MP2共同的柵極連接，另一端與第 一負(fù)向整流管MPl源極、偏置電壓產(chǎn)生管MP2源極共同連接至第二輸入端(即③端)；電容 CN2 一端與第二負(fù)向整流管MN3及其偏置電壓產(chǎn)生管MN4共同的柵極連接，另一端接至整流 單元的第二輸出端(即⑥端)。本發(fā)明通過采用柵極穩(wěn)定電容(CP1，CP2，CN1，CN2)減小整 流管(MN1、MP3、MP1以及麗3)柵-源寄生電容的影響，使柵極電壓穩(wěn)定，減小了源極信號(hào)波 動(dòng)對(duì)柵極偏置電壓的負(fù)面影響。請(qǐng)繼續(xù)參考圖3，本發(fā)明一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，包括采用差分結(jié)構(gòu)的 第I-N級(jí)整流單元(1)，每級(jí)整流單元(1)的①端與電子標(biāo)簽天線第一端相連，每級(jí)整流單 元(1)的④端與天線的第二端相連，且第一級(jí)整流單元的②，③端與④端相連，每一級(jí)整流 單元的⑤端與下一級(jí)的②端相連，每一級(jí)的⑥端與下一級(jí)的③端相連，最后一級(jí)的⑤端、⑥ 端分別為輸出電源的正、負(fù)端。圖3中所指示①②③④⑤⑥節(jié)點(diǎn)分別與圖4中①②③④⑤⑥ 節(jié)點(diǎn)相對(duì)應(yīng)，另外，為使偏置電壓產(chǎn)生管麗2、MP4、MP2以及MN4能提供偏置電壓，本發(fā)明整 流電路還包括偏置電流產(chǎn)生模塊( ，為每級(jí)整流單元分別提供2個(gè)電流源和2個(gè)電流阱用 于偏置電壓的產(chǎn)生。圖5為本發(fā)明具兩級(jí)整流單元的整流電路實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖。其中21為第一 級(jí)整流單元，22為第二級(jí)整流單元。第一級(jí)整流單元21的第一輸入端與第二輸入端均連接 至天線的第二端ANT2，其第一輸出端連接至第二級(jí)整流單元22的第一輸入端，第二輸入端連接至第二級(jí)整流單元22的第二輸入端，實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明包含兩級(jí)整流單元的帶差分結(jié)構(gòu) 的整流電路。綜上，相對(duì)傳統(tǒng)的整流電路，本發(fā)明采用差分結(jié)構(gòu)，使信號(hào)實(shí)現(xiàn)全波整流，提高了 能量的利用率，相對(duì)傳統(tǒng)的MOS整流電路，本發(fā)明采用了在柵極增加偏置電壓的方法，使 整流管處于亞閾值狀態(tài)，本發(fā)明還采用了柵極穩(wěn)定電容(CP1，CP2，CNl, CN2)減小整流管 柵-源寄生電容的影響，使柵極電壓穩(wěn)定，減小了源極信號(hào)波動(dòng)對(duì)柵極偏置電壓的負(fù)面影 響。上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾與改變。因此， 本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，至少包含N級(jí)采用差分結(jié)構(gòu)的整流單元，每級(jí) 整流單元均具有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端及第二輸出端，當(dāng)前級(jí)整流單元的第 一輸出端與下一級(jí)整流單元的第一輸入端相連，當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸出端與下一級(jí)整 流單元的第二輸入端相連，第一級(jí)整流單元的第一輸入端與第二輸入端連接至該電子標(biāo)簽 天線的第二端，最后一級(jí)整流單元連接至輸出電源的正負(fù)端，其中，每級(jí)整流單元均包括第一差分整流單元與第二差分整流單元，該第一差分整流單元至 少包括第一正向整流管、第二正向整流管、第一耦合電容以及第一負(fù)載電容，該第一正向整 流管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸入端，漏極與該第一耦合電容及該第二正向整流 管漏極共連，該第二正向整流管源極連接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸出端，該第二差分 整流單元至少包括第一負(fù)向整流管、第二負(fù)向整流管、第二耦合電容以及第二負(fù)載電容，該 第一負(fù)向整流管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸入端，漏極與該第二耦合電容及該第 二負(fù)向整流管漏極共連，該第二負(fù)向整流管源極連接至當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸出端，該 第一耦合電容、該第二耦合電容與該電子標(biāo)簽天線的第一端相連，該第一負(fù)載電容、該第二 負(fù)載電容與該電子標(biāo)簽天線的第二端相連。
2.如權(quán)利要求1所述的用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，其特征在于每級(jí)整流單元還 包含四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生管，該四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生管分別為該第一正向整流管、該第二正向 整流管、該第一負(fù)向整流管以及該第二負(fù)向整流管提供偏置電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，其特征在于該四個(gè)偏置電壓 產(chǎn)生管均采用漏柵短接形成有源電阻的接法，且該第一正向整流管的偏置電壓產(chǎn)生管源極 接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸入端，柵極接至該第一正向整流管的柵極，漏極外接一電 流源；該第二正向整流管的偏置電壓產(chǎn)生管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸出端，柵 極接至該第二正向整流管的柵極，漏極外接一電流阱；該第一負(fù)向整流管的偏置電壓產(chǎn)生 管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸入端，柵極接至該第一負(fù)向整流管，漏極外接該電 流阱；該第二負(fù)向整流管的偏置電壓產(chǎn)生管源極接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第二輸出端，柵 極接至該第二負(fù)向整流管，漏極外接該電流源。
4.如權(quán)利要求3所述的用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，其特征在于該整流電路還包 括一偏置電流產(chǎn)生模塊，該偏置電流產(chǎn)生模塊連接至該四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生單元的漏極，以 提供該電流源或電流阱。
5.如權(quán)利要求4所述的用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，其特征在于每級(jí)整流單元還 包括第一電容、第二電容、第三電容以及第四電容，以穩(wěn)定各整流管柵極電壓的電容，其中 該第一電容一端連接至該第一正向整流管柵極，另一端連接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的第一輸 入端；該第二電容一端連接至該第二正向整流管柵極，另一端連接至該當(dāng)前級(jí)整流單元的 第一輸出端；該第三電容一端連接至該第一負(fù)向整流管柵極，另一端連接至該當(dāng)前級(jí)整流 單元的第二輸入端；該第四電容一端連接至該第二負(fù)向整流管柵極，另一端連接至該當(dāng)前 級(jí)整流單元的第二輸出端。
6.如權(quán)利要求5所述的用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，其特征在于該第一正向整流 管、該第二正向整流管、該第一負(fù)向整流管以及該第二負(fù)向整流管可以為N型、P型MOS耗 盡或增強(qiáng)型晶體管。
7.如權(quán)利要求6所述的用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，其特征在于該四個(gè)偏置電壓產(chǎn)生管為N型、P型MOS耗盡或增強(qiáng)型晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于射頻電子標(biāo)簽的整流電路，至少包含N級(jí)整流單元，每級(jí)整流單元均采用差分結(jié)構(gòu)，使信號(hào)實(shí)現(xiàn)全波整流，提高了信號(hào)的利用率，并且，本發(fā)明通過設(shè)置偏置電壓產(chǎn)生管為各整流管柵極提供偏置電壓，使各整流管處于亞閾值狀態(tài)，同時(shí)，本發(fā)明還采用柵極穩(wěn)定電容減少各整流管柵-源寄生電容的影響，使柵極電壓穩(wěn)定，減小了源極信號(hào)波動(dòng)對(duì)柵極偏置電壓的影響。
文檔編號(hào)H02M7/25GK102063638SQ201110039838
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2011年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月17日
發(fā)明者劉理 申請(qǐng)人:上海中科高等研究院, 上海龍晶微電子有限公司