專利名稱：基于Dickson結(jié)構(gòu)的抗輻照電荷泵電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基于Dickson結(jié)構(gòu)的抗輻照電荷泵電路，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
EEPROM作為非揮發(fā)存儲(chǔ)器設(shè)備，大量用于航空與航天領(lǐng)域。在電路中為存儲(chǔ)單元提供擦寫(xiě)高壓的電荷泵電路是極其重要的模塊，關(guān)系到電路擦寫(xiě)功能的實(shí)現(xiàn)。但是由于空間應(yīng)用環(huán)境的復(fù)雜性，以及高壓管自身抗輻照能力弱等特點(diǎn)，電荷泵電路常常會(huì)因輻照的影響而出現(xiàn)嚴(yán)重漏電而升壓不足，或使能信號(hào)誤操作而失效。如何滿足空間應(yīng)用的需要，提高電荷泵的抗輻照性能，是近幾年來(lái)研究的熱點(diǎn)。Dickson結(jié)構(gòu)是較為常見(jiàn)的電荷泵模型，它常常使用二極管連接的NMOS管作為電路的開(kāi)關(guān)，如圖1所示的即傳統(tǒng)的Dickson結(jié)構(gòu)。在此電路中，NMOS管的漏極和柵極相連，襯底接地，CLK、CLKN為雙向非交疊時(shí)鐘信號(hào)。當(dāng)CLK為低電平時(shí)，MO管工作在飽和區(qū)，由漏極向源極相連接的電容CO充電；當(dāng)CLK 為高電平時(shí)，A點(diǎn)電位被抬高，MO管關(guān)斷，此時(shí)CLKN為低電平，B點(diǎn)電位較低，則Ml導(dǎo)通，并向其源極相連接的電容Cl充電。以此類推，在各級(jí)充放電電容的抬升作用下，電荷就通過(guò) NMOS管向后級(jí)不斷傳輸，并在各節(jié)點(diǎn)的電容上不斷積累，節(jié)點(diǎn)電壓也不斷升高。于是，N級(jí)電荷泵的輸出電壓HV為HV = (N+l) X (VDD-Vth)其中VDD表示電源電壓，Vth為匪OS管的閾值電壓。而實(shí)際輸出電壓值比理論值要小很多，并且由于體效應(yīng)，NMOS管的閾值電壓Vth是源襯電壓的函數(shù)，級(jí)數(shù)越高，源襯電壓就逐級(jí)增加，閾值電壓也越大，所以這種電荷泵的效率較低，負(fù)載能力較弱，且在低電源電壓情況下可能不能正常工作。經(jīng)國(guó)內(nèi)外研究，當(dāng)MOS管的柵氧厚度較大時(shí)，在SI/SI02界面有明顯的正電荷堆積，總劑量效應(yīng)對(duì)MOS管閾值電壓的影響較大通常高壓NMOS管閾值電壓降低，高壓PMOS 管閾值電壓更負(fù)。當(dāng)MOS管柵氧厚度低于60埃時(shí)，在SI/SI02界面處沒(méi)有明顯的正電荷堆積，總劑量效果應(yīng)對(duì)MOS管閾值電壓的影響基本可以忽略。所以推薦使用先進(jìn)的工藝技術(shù)， 盡量采用薄柵氧的工藝來(lái)加工芯片。在通常的工藝中，普通高壓MOS管柵氧較厚，受輻照影響大，低壓MOS管柵氧較薄， 受輻照影響小。在EEPROM電路中，進(jìn)行頁(yè)寫(xiě)操作時(shí)，電荷泵電路需驅(qū)動(dòng)較大的負(fù)載電容，若用高壓NMOS管做傳輸管，雖然輻照后由于閾值電壓的降低而滿足要求，但在輻照前卻驅(qū)動(dòng)能力不足；若用高壓自然管ZMOS管做傳輸管，輻照前雖能滿足要求，但受輻照后電路會(huì)因嚴(yán)重漏電而失效；若用PMOS管做傳輸管，其襯底電位的設(shè)定又存在問(wèn)題，且輻照后性能變差。顯然普通的Dickson結(jié)構(gòu)不能滿足電路輻照前后的設(shè)計(jì)要求
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于解決上述問(wèn)題，在現(xiàn)有的Dickson結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，研究了輻照對(duì)單管及Dickson結(jié)構(gòu)電荷泵的影響，提出了一種新的具有抗輻照能力的電荷泵電路結(jié)構(gòu)。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述基于Dickson結(jié)構(gòu)的抗輻照電荷泵電路包括 振蕩器電路、電荷泵核心電路和電壓調(diào)制電路，所述振蕩器電路由三級(jí)反向器串聯(lián)的環(huán)路及驅(qū)動(dòng)控制部分組成，通過(guò)外部輸入信號(hào)FCOT控制環(huán)路的打開(kāi)與關(guān)斷、通過(guò)外部輸入信號(hào) EN控制振蕩器電路的起振與關(guān)閉，振蕩器電路輸出CLK、CLKN為雙向非交疊時(shí)鐘信號(hào)，接電荷泵核心電路，為其提供升壓用的時(shí)鐘信號(hào)，振蕩器電路的輸出信號(hào)ENN為EN的反向信號(hào)，用來(lái)控制電壓調(diào)制電路；所述電荷泵核心電路包括由高壓NMOS管和高壓PMOS管串聯(lián)組成的傳輸電路、預(yù)充電支路及充放電電容，電荷泵核心電路中用襯底電位跟隨器保證高壓 PMOS傳輸管的襯底電位在工作時(shí)始終處于高電位，每一個(gè)傳輸節(jié)點(diǎn)都有預(yù)充電支路對(duì)各傳輸節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，電荷泵核心電路的輸入端CLK、CLKN與振蕩器相連，輸出信號(hào)HV與電壓調(diào)制電路的輸入端相連，同時(shí)信號(hào)HV也是抗輻照電荷泵電路的一路輸出信號(hào)；所述電壓調(diào)制電路利用高壓管做隔離、低壓管做控制，實(shí)現(xiàn)低壓控制高壓轉(zhuǎn)化，電壓調(diào)制電路的輸入信號(hào)ENN通過(guò)電壓調(diào)制實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)HV的控制，電壓調(diào)制電路的電壓輸出HV2為抗輻照電荷泵電路的另一路輸出信號(hào)。在電壓調(diào)制電路中，采用兩個(gè)高壓NMOS管將低壓控制信號(hào)與高壓信號(hào)進(jìn)行分離， 采用低壓管做使能信號(hào)控制管。在電荷泵核心電路中，預(yù)充電支路采用厚柵氧的高壓NMOS管與薄柵氧的低壓 NMOS串聯(lián)，一方面為傳輸節(jié)點(diǎn)預(yù)充電，另一方面防止單個(gè)高壓NMOS管輻照后產(chǎn)生的漏電以及單個(gè)低壓NMOS管耐壓不足。本發(fā)明的設(shè)計(jì)特點(diǎn)有1.根據(jù)不同器件受輻照影響前后的性能差異，把柵氧厚度不同的高低壓管組合使用，設(shè)計(jì)出達(dá)到抗輻照要求的電荷泵電路；在電荷泵的核心電路中，采用高壓NMOS管和高壓PMOS管組合串聯(lián)做傳輸管，并用一個(gè)襯底電位跟隨器保證PMOS管的襯底電位在工作時(shí)始終處于高電位，每一個(gè)傳輸節(jié)點(diǎn)都有預(yù)充電支路對(duì)各傳輸節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，提高電荷泵工作效率；在電荷泵的電壓調(diào)制電路中，利用高壓管做隔離、低壓管做控制，實(shí)現(xiàn)低壓控制高壓轉(zhuǎn)化的目的。2.在電荷泵核心電路中，預(yù)充電支路采用厚柵氧的高壓NMOS管與薄柵氧的低壓 NMOS串聯(lián)的方法，一方面即為傳輸節(jié)點(diǎn)預(yù)充電，另一方面也可有效防止單個(gè)高壓NMOS管輻照后可能產(chǎn)生的漏電以及單個(gè)低壓NMOS管耐壓不足的問(wèn)題。3.在電壓調(diào)制電路中，利用負(fù)反饋電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高低壓轉(zhuǎn)換，采用兩個(gè)高壓NMOS 管將低壓控制信號(hào)與高壓信號(hào)進(jìn)行分離，采用低壓管做使能信號(hào)控制管，可有效避免由于輻照后高壓NMOS管閥值電壓變低所產(chǎn)生的誤操作，達(dá)到低壓控制高壓、在使能信號(hào)控制下電荷泵電路輸出電壓在電源電壓和輸出高壓之間轉(zhuǎn)換的目的。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是電荷泵核心電路設(shè)計(jì)為14級(jí)傳輸結(jié)構(gòu)，其中前4級(jí)為NMOS管傳輸，后10級(jí)為PMOS管傳輸，減小輻照造成MOS管閾值電壓的變化所帶來(lái)的問(wèn)題，使電路性能穩(wěn)定；采用襯底電位跟隨器結(jié)構(gòu)，保證PMOS管襯底電位始終處于源漏最高值；對(duì)各傳輸節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，提高電路的工作效率；電壓調(diào)制電路中，用柵極接電源的高壓NMOS管將高壓管與低壓管進(jìn)行隔離，從而實(shí)現(xiàn)低壓控制信號(hào)與高壓傳輸信號(hào)的隔離控制操作，避免
4輻照后誤操作的出現(xiàn)。


圖1傳統(tǒng)Dickson電荷泵電路結(jié)構(gòu)圖。圖2本發(fā)明電荷泵電路結(jié)構(gòu)框圖。圖3振蕩器OSC電路圖。圖4電荷泵核心電路pumpcell電路圖。圖5預(yù)充電支路電路圖。圖6PM0S襯底電位跟隨器電路圖。圖7電壓調(diào)制電路v_adjust電路圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖2所示，本發(fā)明包括振蕩器電路1、電荷泵核心電路2和電壓調(diào)制電路3，各電路根據(jù)不同器件受輻照影響前后的性能差異，把柵氧厚度不同的高低壓管組合使用，設(shè)計(jì)出達(dá)到抗輻照要求的電荷泵。電荷泵使能信號(hào)FCOT、EN控制振蕩器電路的開(kāi)啟與關(guān)斷， 振蕩器電路為電荷泵核心電路2提供兩個(gè)反向非交疊時(shí)鐘信號(hào)CLK、CLKN，振蕩器另一輸出 ENN為使能信號(hào)EN的反向輸出信號(hào)，控制電壓調(diào)制電路3的高低壓轉(zhuǎn)換，HV為電荷泵核心電路2的輸出信號(hào)，HV2為電壓調(diào)制電路3的輸出信號(hào)。同時(shí)，HV、HV2也是整體電荷泵電路的輸出信號(hào)。所述振蕩器電路osc由三級(jí)反向器串聯(lián)的環(huán)路及驅(qū)動(dòng)控制部分組成，通過(guò)外部輸入信號(hào)FCOT控制環(huán)路的打開(kāi)與關(guān)斷、通過(guò)外部輸入信號(hào)EN控制振蕩器電路osc的起振與關(guān)閉，振蕩器電路osc輸出CLK、CLKN為雙向非交疊時(shí)鐘信號(hào)，接入電荷泵核心電路 pumpcell，為其提供升壓用的時(shí)鐘信號(hào)，振蕩器電路osc的輸出信號(hào)ENN為輸入信號(hào)EN的反向輸出，用來(lái)控制電壓調(diào)制電路；所述電荷泵核心電路pumpcell包括由高壓NMOS管和高壓PMOS管串聯(lián)組成的傳輸電路、預(yù)充電支路及充放電電容，電荷泵核心電路pumpcell中用襯底電位跟隨器保證高壓PMOS傳輸管的襯底電位在工作時(shí)始終處于高電位，每一個(gè)傳輸節(jié)點(diǎn)都有預(yù)充電支路對(duì)各傳輸節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，提高電荷泵工作效率，電荷泵核心電路 pumpcell的輸入端CLK、CLKN與振蕩器相連，輸出信號(hào)HV與電壓調(diào)制電路V_adjust的輸入端相連，HV也是整體抗輻照電荷泵電路的一路輸出信號(hào)；所述電壓調(diào)制電路v_adjUSt利用高壓管做隔離、低壓管做控制，實(shí)現(xiàn)低壓控制高壓轉(zhuǎn)化的目的，電壓調(diào)制電路v_adjUSt的輸入信號(hào)為ΕΝΝ,ΕΝΝ信號(hào)通過(guò)電壓調(diào)制實(shí)現(xiàn)對(duì)HV信號(hào)的控制，HV2為電壓調(diào)制電路的電壓輸出信號(hào)，同時(shí)也是整體抗輻照電荷泵電路的另一路輸出信號(hào)。本發(fā)明對(duì)Dickson結(jié)構(gòu)的電荷泵改進(jìn)設(shè)計(jì)方案如下。(1)針對(duì)輻照對(duì)高壓MOS傳輸管閾值電壓的影響所帶來(lái)的問(wèn)題，進(jìn)行改進(jìn)的方法是電荷泵核心電路設(shè)計(jì)為14級(jí)傳輸結(jié)構(gòu)，其中前4級(jí)為高壓NMOS管傳輸，后10級(jí)為高壓 PMOS管傳輸。輻照后高壓NMOS管閾值電壓變低，高壓PMOS管閾值電壓變的更負(fù)，采用兩種管子前后串聯(lián)組合的方法，可以在一定程度上消除輻照對(duì)高壓MOS管閾值電壓偏移的影響所帶來(lái)的問(wèn)題，使電路性能穩(wěn)定。
(2)針對(duì)Dickson結(jié)構(gòu)中PMOS管做傳輸管襯底電位無(wú)法設(shè)定的問(wèn)題，進(jìn)行設(shè)計(jì)的方法是采用兩個(gè)PMOS管組成襯底電位跟隨器，保證PMOS管襯底電位始終處于源漏兩端最高值。(3)為提高電路工作效率，通過(guò)一個(gè)低壓NMOS管和高壓NMOS管串聯(lián)的支路，把傳輸節(jié)點(diǎn)與電源電壓相連，在電荷泵電路工作前對(duì)各傳輸節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電。(4)針對(duì)電壓調(diào)制電路中由于高壓NMOS管受輻照后閾值電壓變低可能帶來(lái)的誤操作、使電壓調(diào)制失效的問(wèn)題，提出的改進(jìn)方案是在高低壓轉(zhuǎn)換處，用低壓管做信號(hào)控制管，PMOS管做高壓傳輸管，低壓NMOS管與高壓PMOS管之間通過(guò)柵極接電源電壓的高壓 NMOS管進(jìn)行隔離，從而實(shí)現(xiàn)低壓控制信號(hào)與高壓傳輸信號(hào)的隔離控制操作，避免輻照后誤操作的出現(xiàn)。本發(fā)明所述的電荷泵結(jié)構(gòu)在抗輻照加固的同時(shí)沒(méi)有影響到電路本身的性能。所述振蕩器電路結(jié)構(gòu)如圖3所示振蕩器電路由三級(jí)反向器串聯(lián)組成的環(huán)路以及驅(qū)動(dòng)控制電路組成，F(xiàn)COT控制環(huán)路的打開(kāi)與關(guān)斷、EN控制振蕩器電路的起振與關(guān)閉，輸出為反向非交疊時(shí)鐘，同時(shí)受EN信號(hào)控制，當(dāng)振蕩器不工作時(shí)，兩個(gè)輸出信號(hào)全為低電平，從而避免充放電電容兩端出現(xiàn)反向電荷積累，影響電荷泵效率。整個(gè)振蕩器電路由低壓MOS 管組成，由于低壓MOS管柵氧厚度小，受輻照后電路性能變化小。在電荷泵核心電路pumpcell中，預(yù)充電支路采用厚柵氧的高壓NMOS管與薄柵氧的低壓NMOS串聯(lián)的方法，一方面即為傳輸節(jié)點(diǎn)預(yù)充電，另一方面也可有效防止單個(gè)高壓 NMOS管輻照后可能產(chǎn)生的漏電以及單個(gè)低壓NMOS管耐壓不足的問(wèn)題。如圖4所示，電荷泵核心電路pumpcell采用14級(jí)傳輸結(jié)構(gòu)，前4級(jí)采用高壓NMOS管做傳輸管，后10級(jí)采用高壓PMOS管做傳輸管，并且PMOS管源端、漏端和襯底與一個(gè)襯底電位跟隨器三端相連(電路結(jié)構(gòu)如圖5所示)，保證其襯底電位始終處于高電位。每一個(gè)傳輸節(jié)點(diǎn)都通過(guò)一個(gè)預(yù)充電支路連接到電源電壓，在振蕩器工作前對(duì)各節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，提高電荷泵工作效率。由于受輻照后，高壓NMOS的閾值電壓減小，高壓PMOS管的閾值電壓絕對(duì)值增大，所以本電路結(jié)構(gòu)在一定程度上可以減小輻照作用的影響。預(yù)充電支路如圖5所示，采用高壓NMOS管MNO和低壓NMOS管NO厚薄柵氧管串聯(lián)的方法高壓NMOS管MNO的源端接傳輸節(jié)點(diǎn)，而漏端接低壓NMOS管NO的源端；低壓NMOS 管NO的漏端接電源電壓；兩個(gè)管子的柵端都接電源電壓。這樣一方面即為傳輸節(jié)點(diǎn)在工作前提供較高的節(jié)點(diǎn)電壓，提高電荷泵效率，另一方面也可有效防止單個(gè)高壓NMOS輻照后可能產(chǎn)生漏電導(dǎo)致高壓無(wú)法生成的問(wèn)題。PMOS管襯底電位跟隨器如圖6所示包含兩個(gè)高壓PMOS管MPl和MP2，高壓PMOS 管MPl的襯底、漏端與高壓PMOS管MP2的襯底、漏端接在一起，為C點(diǎn)；高壓PMOS管MPl的源端與高壓PMOS管MP2的柵端接在一起為A點(diǎn)；高壓PMOS管MPl的柵端與高壓PMOS管 MP2源端接在一起為B點(diǎn)。當(dāng)A點(diǎn)為高電平，B點(diǎn)為低電平時(shí)，MPl管導(dǎo)通，MP2管關(guān)斷，C點(diǎn)電位與A相同，處于高電平；當(dāng)A點(diǎn)為低電平，B點(diǎn)為高電平時(shí)，MP2管導(dǎo)通，MPl管關(guān)斷，C 點(diǎn)電位與B相同，處于高電平，即電路保證C點(diǎn)電位始終處于A與B兩點(diǎn)的最高位。在實(shí)際應(yīng)用中，把C點(diǎn)接PMOS管的襯底，A和B兩點(diǎn)接PMOS管的源端和漏端，則可保證PMOS管襯底電位始終處于源漏端最高位。在電壓調(diào)制電路V_adjust中，采用兩個(gè)高壓NMOS管將低壓控制信號(hào)與高壓信號(hào)進(jìn)行分離，采用低壓管做使能信號(hào)控制管，可有效避免由于輻照后高壓NMOS管閥值電壓變低所產(chǎn)生的誤操作，達(dá)到低壓控制高壓、在使能信號(hào)控制下電荷泵電路輸出電壓在電源電壓和輸出高壓之間轉(zhuǎn)換的目的。如圖7所示，電壓調(diào)制電路v_adjUSt利用一個(gè)二極管Dl 的反向擊穿特性進(jìn)行穩(wěn)壓，達(dá)到輸出穩(wěn)定高壓的目的。升壓過(guò)程中，當(dāng)ENN為高電平時(shí)，連線b線壓為低電平，連線a線壓為高電平，高壓PMOS管MP3和高壓NMOS管麗3關(guān)閉，由于沒(méi)有放電通路，連線HV線壓被逐步抬升，直到達(dá)到設(shè)計(jì)高壓并保持高電位；當(dāng)ENN為低電平時(shí)，b為高電平，a為低電平，高壓PMOS管MP3和高壓匪OS管麗3導(dǎo)通放電，HV又被拉低到電源電壓。 在電路中，若低壓匪OS管m用厚柵氧的高壓NMOS管替換，則受輻照后其閾值電壓下降，可能ENN —個(gè)干擾信號(hào)就會(huì)把m管導(dǎo)通，造成誤操作，使輸出高壓變化，影響電路擦寫(xiě)操作。所以在本發(fā)明中，m管用薄柵氧的低壓NMOS管，受輻照影響較小，同時(shí)用高壓匪os管麗ι和麗2將低壓匪os管m與高壓信號(hào)進(jìn)行隔離高壓匪os管麗ι的漏端接高壓PMOS管MPl漏端，其源端接低壓NMOS管附柵端；高壓NMOS管MN2的漏端接高壓PMOS 管MP2漏端，其源端接低壓NMOS管m漏端；高壓NMOS管麗1和麗2的柵端都接電源電壓。 這樣即保證m管的柵和漏不被高壓擊穿的同時(shí)，又不影響使能信號(hào)ENN對(duì)輸出電壓信號(hào)HV 在電源電壓和高壓之間轉(zhuǎn)換的控制。從而實(shí)現(xiàn)高低壓隔離、輻照環(huán)境下低壓控制高壓的目的。
權(quán)利要求
1.基于Dickson結(jié)構(gòu)的抗輻照電荷泵電路，其特征在于包括振蕩器電路、電荷泵核心電路和電壓調(diào)制電路，所述振蕩器電路由三級(jí)反向器串聯(lián)的環(huán)路及驅(qū)動(dòng)控制部分組成，通過(guò)外部輸入信號(hào)FCOT控制環(huán)路的打開(kāi)與關(guān)斷、通過(guò)外部輸入信號(hào)EN控制振蕩器電路的起振與關(guān)閉，振蕩器電路輸出CLK、CLKN為雙向非交疊時(shí)鐘信號(hào)，接電荷泵核心電路，為其提供升壓用的時(shí)鐘信號(hào)，振蕩器電路的輸出信號(hào)ENN為EN的反向信號(hào)，用來(lái)控制電壓調(diào)制電路；所述電荷泵核心電路包括由高壓NMOS管和高壓PMOS管串聯(lián)組成的傳輸電路、預(yù)充電支路及充放電電容，電荷泵核心電路中用襯底電位跟隨器保證高壓PMOS傳輸管的襯底電位在工作時(shí)始終處于高電位，每一個(gè)傳輸節(jié)點(diǎn)都有預(yù)充電支路對(duì)各傳輸節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，電荷泵核心電路的輸入端CLK、CLKN與振蕩器相連，輸出信號(hào)HV與電壓調(diào)制電路的輸入端相連，同時(shí)信號(hào)HV也是抗輻照電荷泵電路的一路輸出信號(hào)；所述電壓調(diào)制電路利用高壓管做隔離、低壓管做控制，實(shí)現(xiàn)低壓控制高壓轉(zhuǎn)化，電壓調(diào)制電路的輸入信號(hào)ENN通過(guò)電壓調(diào)制實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)HV的控制，電壓調(diào)制電路的電壓輸出HV2為抗輻照電荷泵電路的另一路輸出信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述基于Dickson結(jié)構(gòu)的抗輻照電荷泵電路，其特征是在電壓調(diào)制電路中，采用兩個(gè)高壓NMOS管將低壓控制信號(hào)與高壓信號(hào)進(jìn)行分離，采用低壓管做使能信號(hào)控制管。
3.如權(quán)利要求1所述基于Dickson結(jié)構(gòu)的抗輻照電荷泵電路，其特征是在電荷泵核心電路中，預(yù)充電支路采用厚柵氧的高壓NMOS管與薄柵氧的低壓NMOS串聯(lián)，一方面為傳輸節(jié)點(diǎn)預(yù)充電，另一方面防止單個(gè)高壓NMOS管輻照后產(chǎn)生的漏電以及單個(gè)低壓NMOS管耐壓不足。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于Dickson結(jié)構(gòu)的抗輻照電荷泵電路，包括振蕩器電路、電荷泵核心電路和電壓調(diào)制電路。本發(fā)明由以下部分組成1.利用高壓NMOS和高壓PMOS組合做傳輸管、并且PMOS管配有襯底電位調(diào)節(jié)器的Dickson結(jié)構(gòu)電荷泵核心電路。2.利用低壓管設(shè)計(jì)的振蕩器電路。3.采用高壓管做隔離、低壓管做控制的高低電壓調(diào)制電路。該電路設(shè)計(jì)抗總劑量能力達(dá)到150KRad(Si)以上，在抗輻照加固的同時(shí)，對(duì)電荷泵本身的性能影響很小。該設(shè)計(jì)解決了由輻照所產(chǎn)生的總劑量效應(yīng)(TID)造成MOS管閾值電壓變化所引起的電荷泵性能變化以及可能存在的失效影響。
文檔編號(hào)H02M3/07GK102280998SQ201110153579
公開(kāi)日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者封晴, 李珂, 王曉玲, 肖培磊, 趙桂林, 陸鋒, 馬鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所