專利名稱：一種同步整流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種同步整流電路。
背景技術(shù)：
場效應(yīng)管整流的作用之一就是采用通態(tài)電阻低的場效應(yīng)管來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)技術(shù)。但由于場效應(yīng)管導(dǎo)通之后，電流可以通過該場效應(yīng)管雙向流動如流過負(fù)向電流。因負(fù)向電流的存在，當(dāng)空載時開關(guān)信號占空比不變，使得空載時損耗增大、效率降低；另外當(dāng)多個電源并聯(lián)對負(fù)載進(jìn)行供電時，電源的熱拔插或是輸出電流的瞬變?nèi)菀讓?dǎo)致電流從一個電源倒灌進(jìn)另一電源，從而損壞同步續(xù)流管。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種同步整流電路，包括整流管和續(xù)流管， 其中所述整流管和所述續(xù)流管為場效應(yīng)管，還包括電流檢測控制裝置，所述電流檢測控制裝置的電流檢測元件與負(fù)載串聯(lián)，所述電流檢測控制裝置的控制信號輸出端耦合到續(xù)流場效應(yīng)管的柵極，所述電流檢測控制裝置檢測到通過所述負(fù)載的電流小于設(shè)定閾值時，控制關(guān)斷所述續(xù)流場效應(yīng)管以防止流過所述續(xù)流場效應(yīng)管的電流方向與工作在續(xù)流條件下所述續(xù)流場效應(yīng)管的電流方向相反。優(yōu)選地，還包括續(xù)流電感和濾波電容，所述電流檢測控制裝置還包括運(yùn)算放大器、 第一三極管、第二三極管、第三三極管、第一電阻、第三電阻、第四電阻、第八電阻和第九電阻；所述電流檢測元件是采樣電阻；所述整流場效應(yīng)管和續(xù)流場效應(yīng)管串接在輸入電壓的兩端，所述續(xù)流場效應(yīng)管和輸入電壓的公共端與地連接，所述濾波電容一端與地連接，另一端通過續(xù)流電感與所述續(xù)流場效應(yīng)管和整流場效應(yīng)管的公共端連接，所述負(fù)載的一端通過所述采樣電阻與地連接，另一端與所述續(xù)流電感和濾波電容的公共端連接，所述采樣電阻和負(fù)載的公共端與所述第一三極管的集電極連接；所述第一三極管和第二三極管的基極連接后與控制電源連接，所述第二三極管的射極與地連接，所述控制電源通過所述第九電阻和第八電阻與地連接，所述第九電阻與第八電阻的公共端與所述第二三極管的集電極和所述運(yùn)算放大器的正輸入端連接，所述第四電阻跨接在所述運(yùn)算放大器的正輸入端和輸出端之間，所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端與基準(zhǔn)電壓連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端通過所述第三電阻與所述控制電源連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端通過第二電阻與所述第三三極管的基極連接，所述第三三極管的集電極與所述續(xù)流場效應(yīng)管的控制極連接，所述第三三極管的射極與地連接，所述第一電阻跨接在所述第三三極管的基極和地之間。優(yōu)選地，還包括續(xù)流電感和濾波電容，所述電流檢測控制裝置還包括運(yùn)算放大器、 第一三極管、第二三極管、第三三極管、第一電阻、第三電阻、第四電阻、第八電阻和第九電阻；所述電流檢測元件是采樣電阻；所述整流場效應(yīng)管和續(xù)流場效應(yīng)管串接在輸入電壓的兩端，所述續(xù)流場效應(yīng)管和輸入電壓的公共端與地連接，所述濾波電容一端與地連接，另一端通過續(xù)流電感與所述續(xù)流場效應(yīng)管和整流場效應(yīng)管的公共端連接，所述負(fù)載的一端通過所述采樣電阻與所述續(xù)流電感和濾波電容的公共端連接，另一端與地連接，所述采樣電阻和續(xù)流電感的公共端與所述第一三極管的集電極連接；所述采樣電阻和負(fù)載的公共端與所述第二三極管的射極連接；所述第一三極管和第二三極管的基極連接后與控制電源連接， 所述控制電源通過所述第九電阻和第八電阻與地連接，所述第九電阻與第八電阻的公共端與所述第二三極管的集電極和所述運(yùn)算放大器的正輸入端連接，所述第四電阻跨接在所述運(yùn)算放大器的正輸入端和輸出端之間，所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端與基準(zhǔn)電壓連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端通過所述第三電阻與所述控制電源連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端通過第二電阻與所述第三三極管的基極連接，所述第三三極管的集電極與所述續(xù)流場效應(yīng)管的控制極連接，所述第三三極管的射極與地連接，所述第一電阻跨接在所述第三三極管的基極和地之間。優(yōu)選地，還包括第十一電阻，所述第二三極管的射極通過所述第十一電阻與地連接。優(yōu)選地，還包括隔離場效應(yīng)管，所述隔離場效應(yīng)管是N溝道MOS場效應(yīng)管，所述負(fù)載通過所述隔離場效應(yīng)管與所述續(xù)流電感和濾波電容的公共端連接，所述隔離場效應(yīng)管的柵極與所述第三三極管的集電極連接，所述隔離場效應(yīng)管的漏極與所述負(fù)載連接，源極與所述續(xù)流電感連接。優(yōu)選地，還包括隔離場效應(yīng)管，所述隔離場效應(yīng)管是N溝道MOS場效應(yīng)管，所述負(fù)載通過所述隔離場效應(yīng)管與所述采樣電阻連接，所述隔離場效應(yīng)管的柵極與所述第三三極管的集電極連接，所述隔離場效應(yīng)管的漏極與所述負(fù)載連接，源極與所述采樣電阻連接。優(yōu)選地，關(guān)斷所述續(xù)流場效應(yīng)管的時機(jī)以連續(xù)電流模式和斷續(xù)電流模式的臨界點(diǎn)為基準(zhǔn)。優(yōu)選地，所述電流檢測控制裝置的電流檢測元件在回路中設(shè)置于比所述續(xù)流電感更遠(yuǎn)離整流MOS場效應(yīng)管的位置。優(yōu)選地，還包括位于所述續(xù)流電感和負(fù)載之間的隔離場效應(yīng)管，所述電流檢測控制裝置檢測到通過所述負(fù)載的電流小于設(shè)定閾值時，控制關(guān)斷所述隔離場效應(yīng)管以防止電流從所述隔離場效應(yīng)管流向所述整流場效應(yīng)管。優(yōu)選地，所述續(xù)流管和整流管是MOS場效應(yīng)管。優(yōu)選地，所述續(xù)流管和整流管是N溝道MOS場效應(yīng)管，所述續(xù)流管的源極接地，所述整流管的漏極與所述續(xù)流電感的一端連接。本發(fā)明的有益效果是針對采用MOSFET整流時MOSFET可以流過反向電流所帶來的問題，本發(fā)明提出設(shè)置電流檢測控制裝置，監(jiān)測流過負(fù)載電流，可以快速地檢測到負(fù)載電流的瞬變，當(dāng)測到所述負(fù)載的電流小于設(shè)定閾值時，在電流反向從續(xù)流MOS場效應(yīng)管的漏極流向源極前，快速地關(guān)閉續(xù)流MOS場效應(yīng)管，防止了續(xù)流MOS場效應(yīng)管因反向電流而損壞，并可以有效地防止電源熱拔插等情況下，電流從一個電源倒灌進(jìn)另個一電源而損壞續(xù)流MOS場效應(yīng)管；同時，尤其當(dāng)負(fù)載是小負(fù)載時，可以大大降低電源損耗而提高電源的效率。在優(yōu)選實(shí)施方案下，本發(fā)明提出了能夠有效完成上述檢測與控制任務(wù)的電流檢測控制裝置。電流檢測控制裝置可將關(guān)斷續(xù)流MOS場效應(yīng)管的時機(jī)選擇在接近連續(xù)電流模式和斷續(xù)電流模式的臨界點(diǎn)，確保在電流反向前提前關(guān)斷續(xù)流管，有效防止損壞續(xù)流MOS場效應(yīng)管，還可以有效降低電源損耗。將電流檢測控制裝置的電流檢測元件在回路中設(shè)置于比續(xù)流電感更遠(yuǎn)離整流MOS 場效應(yīng)管的位置，即續(xù)流電感在電流檢測元件和整流MOS場效應(yīng)管之間，這樣在電源進(jìn)行熱拔插或者是輸出電流瞬變時，續(xù)流電感可以延緩?fù)ㄟ^檢測元件的電流變化，為后續(xù)控制電路爭取了反應(yīng)時間，提高了整個系統(tǒng)的可靠性。


圖1是本發(fā)明的同步整流電路的一種具體實(shí)例的部分電路圖； 圖2是圖1中的電流檢測控制裝置的部分電路圖3是本發(fā)明的同步整流電路的另一種具體實(shí)例的部分電路圖； 圖4是圖3中的電流檢測控制裝置的部分電路圖； 圖5是本發(fā)明的同步整流電路的一種具體實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。一種同步整流電路，包括整流管和續(xù)流管，其中所述整流管和所述續(xù)流管為場效應(yīng)管，還包括電流檢測控制裝置，所述電流檢測控制裝置的電流檢測元件與負(fù)載串聯(lián)，所述電流檢測控制裝置的控制信號輸出端耦合到續(xù)流場效應(yīng)管的柵極，所述電流檢測控制裝置檢測到通過所述負(fù)載的電流小于設(shè)定閾值時，控制關(guān)斷所述續(xù)流場效應(yīng)管以防止流過所述續(xù)流管的電流方向與工作在續(xù)流條件下所述續(xù)流場效應(yīng)管的電流方向相反。如圖1和2所示，一種同步整流電路，包括整流MOS場效應(yīng)管M2、續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3、整流電感Ll、濾波電容Cl、隔離MOS場效應(yīng)管Ml、和電流檢測控制裝置，所述整流MOS 場效應(yīng)管M2的柵極，即控制極與開關(guān)信號DRl連接，電流檢測控制裝置包括采樣電阻RS、運(yùn)算放大器U、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3、第一電阻R1、第三電阻R3、第四電阻R4、第八電阻R8和第九電阻R9 ；整流MOS場效應(yīng)管M2、續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3和隔離 MOS場效應(yīng)管是N溝道MOS場效應(yīng)管，整流MOS場效應(yīng)管M2、續(xù)流電感Li、隔離MOS場效應(yīng)管Ml、負(fù)載RL和采樣電阻RS依次串聯(lián)在輸入電壓的兩端之間，輸入電壓與采樣電阻RS的公共端接地，續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3串接在整流MOS場效應(yīng)管M2與續(xù)流電感Ll的公共端和地之間；濾波電容Cl兩端跨接在續(xù)流電感Ll和隔離MOS場效應(yīng)管Ml的公共端與地之間， 續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3的源極接地，整流MOS場效應(yīng)管M2的源極與輸入電壓連接，漏極與續(xù)流電感Ll的一端連接，隔離MOS場效應(yīng)管Ml的漏極與負(fù)載RL連接，源極與續(xù)流電感Ll連接，采樣電阻RS和負(fù)載RL的公共端與第一三極管Ql的集電極IS端連接；第一三極管Ql 和第二三極管Q2的基極連接后與控制電源VDD連接，第二三極管Q2的射極與地連接，控制電源VDD通過第九電阻R9和第八電阻R8與地連接，第九電阻R9與第八電阻R8的公共端與所述第二三極管Q2的集電極和所述運(yùn)算放大器U的正輸入端連接，所述第四電阻R4跨接在所述運(yùn)算放大器U的正輸入端和輸出端之間，所述運(yùn)算放大器U的負(fù)輸入端與基準(zhǔn)電壓 VREF連接，所述運(yùn)算放大器U的輸出端通過所述第三電阻R3與所述控制電源VDD連接，所述運(yùn)算放大器U的輸出端通過第二電阻R2與所述第三三極管Q3的基極連接，所述第三三極管Q3的集電極DR2與所述續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3的控制極連接，所述隔離MOS場效應(yīng)管 Ml的控制極與所述第三三極管Q3的集電極DR2或者控制信號連接，所述第三三極管Q3的射極與地連接，所述第一電阻Rl跨接在所述第三三極管Q3的基極和地之間，所述輸入電壓是方波電壓。優(yōu)選地，上述電流檢測控制裝置還包括第二電阻R2、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、第十電阻RlO和第i^一電阻R11。第二電阻R2串接在第三三極管Q3的基極和運(yùn)算放大器U的輸出端之間，第五電阻R5串接在第二三極管Q2的集電極和運(yùn)算放大器U 的正輸入端之間，第六電阻R6串接在運(yùn)算放大器U的負(fù)輸入端和設(shè)定的基準(zhǔn)電壓VREF之間，第七電阻R7串接在運(yùn)算放大器U的負(fù)輸入端和地之間，第十電阻RlO串接在控制電源 VDD和第二三極管Q2的基極之間，第十一電阻Rll串接在第二三極管Q2的射極和地之間。第一電阻Rl用以保護(hù)第三三極管Q3，第十一電阻Rll可以提高第二三極管Q2放大的精確度。關(guān)閉續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3的時機(jī)選擇在接近電流臨界模式(連續(xù)電流模式和斷續(xù)電流模式的臨界點(diǎn))，這樣可以在電流反向前提前關(guān)閉續(xù)流MOS場效應(yīng)管Q3，因?yàn)樨?fù)載工作在續(xù)流的條件下，電流是從續(xù)流場效應(yīng)管M3的源極流向漏極的。當(dāng)通過采樣電阻RS的輸出電流變小時，導(dǎo)致IS端的電壓降低，進(jìn)而第二三極管Q2的集電極與射極之間的導(dǎo)通程度變?nèi)?，從而拉高第二三極管Q2的集電極的電壓，使運(yùn)算放大器U的正輸入端的電壓變高，高于運(yùn)算放大器U的負(fù)輸入端的電壓，導(dǎo)致運(yùn)算放大器U的輸出端輸出高電平，該輸出端通過第二電阻R2驅(qū)動第三三極管Q3導(dǎo)通，從而使第三三極管Q3的集電極電壓降低，即續(xù)流管 M3的控制極的電壓降低，從而關(guān)閉續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3，防止反向電流從續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3的漏極流向源極。當(dāng)?shù)谌龢O管Q2的集電極與隔離MOS場效應(yīng)管Ml的控制極連接時，則同時關(guān)閉隔離MOS場效應(yīng)管M1，這樣可以防止其他電源的電流通過隔離MOS場效應(yīng)管 Ml倒灌進(jìn)續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3而將續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3破壞。當(dāng)?shù)谌龢O管Q3的集電極沒有與隔離MOS場效應(yīng)管Ml的控制極連接時，控制信號可以一直使隔離MOS場效應(yīng)管Ml 導(dǎo)通。本實(shí)施例中，采樣電阻RS位于續(xù)流電感Ll之后，這樣在電源進(jìn)行熱拔插或者是輸出電流瞬變時，續(xù)流電感Ll可以延緩?fù)ㄟ^采樣電阻RS的電流變化，為后續(xù)控制電路爭取了反應(yīng)時間，提高了整個系統(tǒng)的可靠性。本實(shí)施例的電路不僅可以防止電流從一個電源反灌進(jìn)另一個電源，同時可以減輕小負(fù)載時的損耗，提高電源小負(fù)載時的效率。如圖3和4所示，一種同步整流電路的另一種具體實(shí)施例，包括整流MOS場效應(yīng)管 M2、續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3、整流電感Li、濾波電容Cl、隔離MOS場效應(yīng)管Ml、和電流檢測控制裝置，所述整流MOS場效應(yīng)管M2的柵極，即控制極與開關(guān)信號DRl連接，電流檢測控制裝置包括采樣電阻RS、運(yùn)算放大器U、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3、第一電阻Rl、第三電阻R3、第四電阻R4、第八電阻R8和第九電阻R9 ；整流MOS場效應(yīng)管M2、續(xù)流電感Li、采樣電阻RS、隔離MOS場效應(yīng)管Ml和負(fù)載RL依次串聯(lián)在輸入電壓的兩端之間， 輸入電壓與負(fù)載RL的公共端接地，續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3串接在整流MOS場效應(yīng)管M2與續(xù)流電感Ll的公共端和地之間；濾波電容Cl兩端跨接在續(xù)流電感Ll和采樣電阻RS的公共端與地之間，續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3的源極接地，整流MOS場效應(yīng)管M2的源極與輸入電壓連接，漏極與隔離電感Ll的一端連接，隔離MOS場效應(yīng)管Ml的漏極與負(fù)載RL連接，源極與采樣電阻RS連接，采樣電阻RS和續(xù)流電感Ll的公共端與第一三極管Ql的集電極連接，采樣電阻RS和隔離MOS場效應(yīng)管Ml的公共端與第二三極管Q2的射極連接；第一三極管Ql和第二三極管Q2的基極連接后與控制電源VDD連接，控制電源VDD通過第九電阻R9和第八電阻R8與地連接，第九電阻R9與第八電阻R8的公共端與所述第二三極管Q2的集電極和所述運(yùn)算放大器U的正輸入端連接，所述第四電阻R4跨接在所述運(yùn)算放大器U的正輸入端和輸出端之間，所述運(yùn)算放大器U的負(fù)輸入端與基準(zhǔn)電壓VREF連接，所述運(yùn)算放大器U的輸出端通過所述第三電阻R3與所述控制電源VDD連接，所述運(yùn)算放大器U的輸出端通過第二電阻R2與所述第三三極管Q3的基極連接，所述第三三極管Q3的集電極與所述續(xù)流MOS 場效應(yīng)管M3的控制極連接，所述隔離MOS場效應(yīng)管Ml的控制極與所述第三三極管Q3的集電極DR2或者控制信號連接，所述第三三極管Q3的射極與通過第十一電阻Rll與采樣電阻的Vo端連接，第十一電阻Rl 1用以調(diào)節(jié)第二三極管的精度，所述第一電阻Rl跨接在所述第三三極管Q3的基極和地之間，所述輸入電壓是方波電壓。通過負(fù)載RL電流的閾值可以根據(jù)電路的實(shí)際情況具體選擇，通常以電流連續(xù)模式和電流斷續(xù)模式的臨界點(diǎn)時的電流為參考基準(zhǔn)，進(jìn)行選擇?；鶞?zhǔn)電壓的選取與負(fù)載電流的閾值和運(yùn)算放大器的放大倍數(shù)相關(guān)，可以是負(fù)載電流的閾值對應(yīng)的電流檢測單元的電壓與運(yùn)算放大器的放大倍數(shù)的乘積。優(yōu)選地，上述電流檢測控制裝置還包括第二電阻R2、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、第十電阻RlO和第i^一電阻R11。第二電阻R2串接在第三三極管Q3的基極和運(yùn)算放大器U的輸出端之間，第五電阻R5串接在第二三極管Q2的集電極和運(yùn)算放大器U 的正輸入端之間，第六電阻R6串接在運(yùn)算放大器U的負(fù)輸入端和設(shè)定的基準(zhǔn)電壓VREF之間，第七電阻R7串接在運(yùn)算放大器U的負(fù)輸入端和地之間，第十電阻RlO串接在控制電源 VDD和第二三極管Q2的基極之間，第十一電阻Rll串接在第二三極管Q2的射極和地之間。第一電阻Rl用以保護(hù)第三三極管Q3，第十一電阻Rll可以提高第二三極管Q2放大的精確度。本實(shí)施例的工作原理與前一實(shí)施例相似，當(dāng)通過采樣電阻RS的輸出電流變小時， 會導(dǎo)致第二三極管Ql的集電極的電壓增大，從而使第三三極管Q3的集電極的電壓降低而關(guān)閉續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3或同時關(guān)閉續(xù)流MOS場效應(yīng)管M3和隔離MOS場效應(yīng)管Ml。如圖5所示，在另一種實(shí)施例中，可以用MOS管內(nèi)阻或者是電流霍爾傳感器等直流電流檢測與控制裝置代替采樣電阻RS，通過對MOS管內(nèi)阻或者是電流霍爾傳感器兩端的電壓采樣后，通過放大器進(jìn)行放大，進(jìn)而通過單片機(jī)將放大后的電壓信號與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，最后輸出信號來控制續(xù)流MOS場效應(yīng)管(或者續(xù)流MOS場效應(yīng)管和隔離MOS場效應(yīng)管) 的關(guān)閉。
權(quán)利要求
1.一種同步整流電路，包括整流管和續(xù)流管，其中所述整流管和所述續(xù)流管為場效應(yīng)管，其特征是還包括電流檢測控制裝置，所述電流檢測控制裝置的電流檢測元件與負(fù)載串聯(lián)，所述電流檢測控制裝置的控制信號輸出端耦合到續(xù)流場效應(yīng)管的柵極，所述電流檢測控制裝置檢測到通過所述負(fù)載的電流小于設(shè)定閾值時，控制關(guān)斷所述續(xù)流場效應(yīng)管以防止流過所述續(xù)流場效應(yīng)管的電流方向與工作在續(xù)流條件下所述續(xù)流場效應(yīng)管的電流方向相反。
2.如權(quán)利要求1所述的同步整流電路，其特征是還包括續(xù)流電感和濾波電容，所述電流檢測控制裝置還包括運(yùn)算放大器、第一三極管、第二三極管、第三三極管、第一電阻、第三電阻、第四電阻、第八電阻和第九電阻；所述電流檢測元件是采樣電阻；所述整流場效應(yīng)管和續(xù)流場效應(yīng)管串接在輸入電壓的兩端，所述續(xù)流場效應(yīng)管和輸入電壓的公共端與地連接，所述濾波電容一端與地連接，另一端通過續(xù)流電感與所述續(xù)流場效應(yīng)管和整流場效應(yīng)管的公共端連接，所述負(fù)載的一端通過所述采樣電阻與地連接，另一端與所述續(xù)流電感和濾波電容的公共端連接，所述采樣電阻和負(fù)載的公共端與所述第一三極管的集電極連接；所述第一三極管和第二三極管的基極連接后與控制電源連接，所述第二三極管的射極與地連接，所述控制電源通過所述第九電阻和第八電阻與地連接，所述第九電阻與第八電阻的公共端與所述第二三極管的集電極和所述運(yùn)算放大器的正輸入端連接，所述第四電阻跨接在所述運(yùn)算放大器的正輸入端和輸出端之間，所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端與基準(zhǔn)電壓連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端通過所述第三電阻與所述控制電源連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端通過第二電阻與所述第三三極管的基極連接，所述第三三極管的集電極與所述續(xù)流場效應(yīng)管的控制極連接，所述第三三極管的射極與地連接，所述第一電阻跨接在所述第三三極管的基極和地之間。
3.如權(quán)利要求1所述的同步整流電路，其特征是還包括續(xù)流電感和濾波電容，所述電流檢測控制裝置還包括運(yùn)算放大器、第一三極管、第二三極管、第三三極管、第一電阻、第三電阻、第四電阻、第八電阻和第九電阻；所述電流檢測元件是采樣電阻；所述整流場效應(yīng)管和續(xù)流場效應(yīng)管串接在輸入電壓的兩端，所述續(xù)流場效應(yīng)管和輸入電壓的公共端與地連接，所述濾波電容一端與地連接，另一端通過續(xù)流電感與所述續(xù)流場效應(yīng)管和整流場效應(yīng)管的公共端連接，所述負(fù)載的一端通過所述采樣電阻與所述續(xù)流電感和濾波電容的公共端連接，另一端與地連接，所述采樣電阻和續(xù)流電感的公共端與所述第一三極管的集電極連接；所述采樣電阻和負(fù)載的公共端與所述第二三極管的射極連接；所述第一三極管和第二三極管的基極連接后與控制電源連接，所述控制電源通過所述第九電阻和第八電阻與地連接，所述第九電阻與第八電阻的公共端與所述第二三極管的集電極和所述運(yùn)算放大器的正輸入端連接，所述第四電阻跨接在所述運(yùn)算放大器的正輸入端和輸出端之間，所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端與基準(zhǔn)電壓連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端通過所述第三電阻與所述控制電源連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端通過第二電阻與所述第三三極管的基極連接，所述第三三極管的集電極與所述續(xù)流場效應(yīng)管的控制極連接，所述第三三極管的射極與地連接，所述第一電阻跨接在所述第三三極管的基極和地之間。
4.如權(quán)利要求2所述的同步整流電路，其特征是還包括第十一電阻，所述第二三極管的射極通過所述第十一電阻與地連接。
5.如權(quán)利要求2所述的所述的同步整流電路，其特征是還包括隔離場效應(yīng)管，所述隔離場效應(yīng)管是N溝道MOS場效應(yīng)管，所述負(fù)載通過所述隔離場效應(yīng)管與所述續(xù)流電感和濾波電容的公共端連接，所述隔離場效應(yīng)管的柵極與所述第三三極管的集電極連接，所述隔離場效應(yīng)管的漏極與所述負(fù)載連接，源極與所述續(xù)流電感連接。
6.如權(quán)利要求3所述的所述的同步整流電路，其特征是還包括第十一電阻，所述第二三極管的射極通過所述第十一電阻與所述采樣電阻的一端連接。
7.如權(quán)利要求3所述的所述的同步整流電路，其特征是還包括隔離場效應(yīng)管，所述隔離場效應(yīng)管是N溝道MOS場效應(yīng)管，所述負(fù)載通過所述隔離場效應(yīng)管與所述采樣電阻連接， 所述隔離場效應(yīng)管的柵極與所述第三三極管的集電極連接，所述隔離場效應(yīng)管的漏極與所述負(fù)載連接，源極與所述采樣電阻連接。
8.如權(quán)利要求1所述的同步整流電路，其特征是關(guān)斷所述續(xù)流場效應(yīng)管的時機(jī)以連續(xù)電流模式和斷續(xù)電流模式的臨界點(diǎn)為基準(zhǔn)。
9.如權(quán)利要求1所述的同步整流電路，其特征是所述電流檢測控制裝置的電流檢測元件在回路中設(shè)置于比所述續(xù)流電感更遠(yuǎn)離整流MOS場效應(yīng)管的位置。
10.如權(quán)利要求1所述的所述的同步整流電路，其特征是還包括位于所述續(xù)流電感和負(fù)載之間的隔離場效應(yīng)管，所述電流檢測控制裝置檢測到通過所述負(fù)載的電流小于設(shè)定閾值時，控制關(guān)斷所述隔離場效應(yīng)管以防止電流從所述隔離場效應(yīng)管流向所述整流場效應(yīng)管。
11.如權(quán)利要求1至8任一所述的同步整流電路，其特征是所述續(xù)流管和整流管是 MOS場效應(yīng)管。
12.如權(quán)利要求2或3所述的同步整流電路，其特征是所述續(xù)流管和整流管是N溝道 MOS場效應(yīng)管，所述續(xù)流管的源極接地，所述整流管的漏極與所述續(xù)流電感的一端連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種同步整流電路，包括整流管和續(xù)流管，其中整流管和續(xù)流管為場效應(yīng)管，還包括電流檢測控制裝置，電流檢測控制裝置的電流檢測元件與負(fù)載串聯(lián)，電流檢測控制裝置的控制信號輸出端耦合到續(xù)流場效應(yīng)管的柵極，電流檢測控制裝置檢測到通過負(fù)載的電流小于設(shè)定閾值時，控制關(guān)斷續(xù)流場效應(yīng)管以防止流過續(xù)流場效應(yīng)管的電流方向與工作在續(xù)流條件下續(xù)流場效應(yīng)管的電流方向相反。本發(fā)明提出設(shè)置電流檢測控制裝置，可以快速地檢測到負(fù)載電流的瞬變，在電流反向流進(jìn)續(xù)流MOS場效應(yīng)管前，快速地關(guān)閉續(xù)流MOS場效應(yīng)管，防止了續(xù)流MOS場效應(yīng)管因反向電流而損壞，并可以有效地防止電流從一個電源倒灌進(jìn)另個一電源而損壞續(xù)流MOS場效應(yīng)管。
文檔編號H02M7/217GK102291022SQ20111022848
公開日2011年12月21日 申請日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者朱紅偉, 王慶棉, 鐘啟豪 申請人:深圳市核達(dá)中遠(yuǎn)通電源技術(shù)有限公司