專利名稱：保護(hù)裝置、互補(bǔ)型保護(hù)裝置、信號(hào)輸出裝置、閂鎖阻止方法以及程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及保護(hù)裝置、互補(bǔ)型保護(hù)裝置、信號(hào)輸出裝置、閂鎖阻止方法以及程序， 特別涉及對(duì)保護(hù)對(duì)象的開關(guān)元件的閂鎖進(jìn)行阻止的保護(hù)裝置、互補(bǔ)型保護(hù)裝置、信號(hào)輸出裝置、閂鎖阻止方法以及程序。
背景技術(shù)：
以往，例如從與揚(yáng)聲器連接而使用的放大器的輸出級(jí)輸出過(guò)電流的情況下，利用過(guò)電流檢測(cè)電路對(duì)過(guò)電流進(jìn)行檢測(cè)，將檢測(cè)信號(hào)輸出到控制電路，使放大器功率降低 (power down)，防止構(gòu)成輸出級(jí)的開關(guān)元件(被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件)由于過(guò)電流而被破壞 (例如，參照專利文獻(xiàn)1以及2)。并且，此處“功率降低”是指停止來(lái)自放大器的輸出，具體地說(shuō)，意味著停止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)。另外，以下將不產(chǎn)生過(guò)電流時(shí)的情況稱為 “正常時(shí)”。在圖9中，示出了能夠使功率降低的現(xiàn)有的放大器100的一例。如該圖所示，放大器100包括差動(dòng)級(jí)102、偏置級(jí)104以及輸出級(jí)105而構(gòu)成。輸出級(jí)105包括P溝道型MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下，稱為“PMOS晶體管”。)106、108、N溝道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下， 稱為“NMOS晶體管”。)110、112以及輸出端子114而構(gòu)成。另外，線圈116的一端連接到輸出端子114。線圈116的另一端接地。并且，此處舉出將具有500nH的電感成分的線圈116 連接到輸出端子114的情況作為例子。差動(dòng)級(jí)102是如下電路具有輸入正輸入信號(hào)的正輸入端子102A、輸入負(fù)輸入信號(hào)的負(fù)輸入端子102B、與將驅(qū)動(dòng)用的正極電壓賦予放大器100的電源布線VDD連接的電源端子102C以及與對(duì)放大器100賦予接地電壓的接地布線GND連接的接地端子102D，并且， 將表示輸入到正輸入端子102A的正輸入信號(hào)和輸入到負(fù)輸入端子102B的負(fù)輸入信號(hào)的差電壓的差電壓信號(hào)進(jìn)行放大并輸出到后級(jí)的偏置級(jí)104。偏置級(jí)104以輸入差電壓信號(hào)的方式與差動(dòng)級(jí)102連接，生成從輸入的差電壓信號(hào)中除去了差動(dòng)級(jí)102所產(chǎn)生的偏置電壓成分而成的差動(dòng)信號(hào)并進(jìn)行輸出。另外，偏置級(jí)104具有輸出端子104A，在正常時(shí)是負(fù)輸出狀態(tài)，并且，輸出從輸入的差動(dòng)電壓信號(hào)中除去偏置電壓成分所得到的正極的差動(dòng)信號(hào)；輸出端子104B，在正常時(shí)是正輸出狀態(tài)，并且，輸出將輸入的差動(dòng)電壓信號(hào)的偏置電壓成分除去而得到的負(fù)極的差動(dòng)信號(hào)；電源端子 104C，與電源布線VDD連接；接地端子104D，與接地布線GND連接。PMOS晶體管106是被保護(hù)而不受閂鎖影響的對(duì)象(被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件)，并且， 具有與輸出端子104A連接的柵極端子、與電源布線VDD連接的源極端子以及與輸出端子 114連接的漏極端子，并且，當(dāng)在柵極端子上施加了截止電壓(使源極端子和漏極端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài)的電壓)時(shí)，正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的源極端子和漏極端子之間變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。PMOS晶體管108是在放大器100中利用過(guò)電流檢測(cè)電路(圖示省略)檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)使PMOS晶體管106的源極端子和漏極端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件，并且，具有與電源布線VDD連接的源極端子；與PMOS晶體管106的柵極端子連接的漏極端子；柵極端子，與連接到過(guò)電流檢測(cè)電路的控制電路(圖示省略)連接，在正常時(shí)利用該控制電路被施加截止電壓。NMOS晶體管110是第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件，并且，具有與輸出端子104B連接的柵極端子、與接地布線GND連接的源極端子以及與輸出端子114連接的漏極端子，并且，當(dāng)在柵極端子上施加了截止電壓時(shí)，在正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的源極端子和漏極端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)。對(duì)于NMOS晶體管112來(lái)說(shuō)，當(dāng)在放大器100中利用過(guò)電流檢測(cè)電路檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)，使NMOS晶體管110的源極端子和漏極端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)，并且，具有源極端子， 與電源布線VDD連接；漏極端子，與NMOS晶體管110的柵極端子連接；柵極端子，與控制電路連接，在正常時(shí)利用該控制電路被施加截止電壓。在這樣構(gòu)成的放大器100中，在利用過(guò)電流檢測(cè)電路檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)，控制電路對(duì)PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112進(jìn)行控制，以使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的各自的源極端子與漏極端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)。即，對(duì)在PMOS晶體管108以及 NMOS晶體管112的各自的柵極端子上所施加的電壓的大小進(jìn)行控制，以使PMOS晶體管108 以及NMOS晶體管112的各自的源極端子與漏極端子之間為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，由于對(duì)PMOS 晶體管108以及NMOS晶體管110的各自的柵極端子施加了截止電壓，所以，過(guò)電流被切斷。[專利文獻(xiàn)1]日本特開2005-252494號(hào)公報(bào)。[專利文獻(xiàn)2]日本特開平3-159408號(hào)公報(bào)。但是，由于對(duì)PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的各自的柵極端子急劇地施加了截止電壓(針對(duì)PMOS晶體管106的柵極端子的施加電壓的大小的隨時(shí)間變化的一例參照?qǐng)D10(b))，所以，PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的各自的源極端子和漏極端子之間從導(dǎo)通狀態(tài)急劇地變化為非導(dǎo)通狀態(tài)，作為一例，如圖10(c)所示，在輸出端子114產(chǎn)生從流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)向電流不流過(guò)的狀態(tài)的急劇變化。因此，在輸出端子114產(chǎn)生浪涌電流，作為一例，如圖10 (a)所示，由于所產(chǎn)生的浪涌電流，放大器100的輸出電壓的大小暫時(shí)地低于接地電壓的大小，其結(jié)果是，存在如下問(wèn)題在PMOS晶體管106以及NMOS晶體管 110中產(chǎn)生閂鎖，PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110被破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供能夠阻止保護(hù)對(duì)象的開關(guān)元件的閂鎖的保護(hù)裝置、互補(bǔ)型保護(hù)裝置、信號(hào)輸出裝置、閂鎖阻止方法以及程序。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案1所述的保護(hù)裝置具有串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)連接的電阻元件而構(gòu)成，并且，一端與被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的控制端子連接，另一端與第一電壓線連接，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與施加了與該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線以及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子，當(dāng)在該控制端子上施加了截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子與所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有的預(yù)定電容值的電容；控制單元，進(jìn)行控制，使得在使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第一開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)。在技術(shù)方案1所述的保護(hù)裝置中，串聯(lián)元件部包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)連接的電阻元件而構(gòu)成，并且，一端與被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的控制端子連接，另一端與第一電壓線連接，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與施加了與該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線以及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子，當(dāng)在該控制端子上施加了截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子與所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在技術(shù)方案1所述的保護(hù)裝置中，所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有預(yù)定電容值的電容。并且，在技術(shù)方案1所述的保護(hù)裝置中，利用控制單元進(jìn)行控制，使得在使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)。這樣，在技術(shù)方案1所述的保護(hù)裝置中，串聯(lián)元件部包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)連接的電阻元件而構(gòu)成，并且，一端與被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的控制端子連接，另一端與第一電壓線連接，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與施加了與該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線以及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子，當(dāng)在該控制端子上施加了截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子與所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)，所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有預(yù)定電容值的電容，進(jìn)行控制，使得在使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第一開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，所以，能夠阻止保護(hù)對(duì)象的開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案2如技術(shù)方案1所述的保護(hù)裝置，將所述串聯(lián)元件部的一端經(jīng)由第二電阻元件連接到所述控制端子。由此，能夠使被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案3如技術(shù)方案2所述的保護(hù)裝置，還包括短路、非短路切換單元，能夠切換為使所述第二電阻元件的兩端之間短路的短路狀態(tài)和不使該兩端之間短路的非短路狀態(tài)，所述控制單元在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以第一電流值以上且小于第二電流值的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第二電阻元件的兩端之間成為短路狀態(tài)的方式對(duì)所述短路、非短路切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)電流狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第二電阻元件的兩端之間成為非短路狀態(tài)的方式對(duì)所述短路、非短路切換單元進(jìn)行控制。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小多階段地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案4如技術(shù)方案1 3的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置，還包括可否充電切換單元，在使所述電容為電容性負(fù)載的情況下，能夠?qū)⒃撾娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于第二電流值的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述可否充電切換單元進(jìn)行控制，以使所述電容性負(fù)載成為不可充電狀態(tài)，在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述可否充電切換單元進(jìn)行控制，以使所述電容性負(fù)載成為可充電狀態(tài)。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小，極細(xì)微地多階段地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案5如技術(shù)方案1 4的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置，還包括至少一個(gè)與所述電容并聯(lián)連接的第二電容性負(fù)載。由此，能夠使被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案6如技術(shù)方案5所述的保護(hù)裝置，還包括第二可否充電切換單元， 對(duì)所述第二電容性負(fù)載的至少一個(gè)設(shè)置，并且，能夠?qū)⒃摰诙娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第二可否充電切換單元進(jìn)行控制，使得與該電流的大小的增加相對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的所述第二電容性負(fù)載增加。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小極細(xì)微地多階段地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案7如技術(shù)方案1 6的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置，使所述第一開關(guān)元件為將柵極電容C為100pF<C<300pF作為前提的輸出用晶體管，在使該輸出用晶體管的驅(qū)動(dòng)能力為Xum的情況下，在用于進(jìn)行控制以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的功率降低信號(hào)的信號(hào)路徑中插入了滿足Xum<RC<(60000/X)um的電阻。由此，能夠更加高精度地阻止保護(hù)對(duì)象的開關(guān)元件的閂鎖。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案8所述的保護(hù)裝置包括串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)連接的電阻元件而構(gòu)成， 所述第一開關(guān)元件側(cè)的一端連接到被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的控制端子上，所述電阻元件側(cè)的另一端連接到第一電壓線上，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與施加了與該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線以及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子，當(dāng)對(duì)該控制端子施加截止電壓時(shí)，使在正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子和所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；一端與所述第一開關(guān)元件以及所述電阻元件的連接部連接且另一端與所述第一電壓線連接、并且正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)元件；控制單元，在過(guò)電流不流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件以及所述第二開關(guān)元件分別成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。在技術(shù)方案8所述的保護(hù)裝置中，串聯(lián)元件部包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)的電阻元件而構(gòu)成，串聯(lián)元件部的所述第一開關(guān)元件側(cè)的一端連接到被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的控制端子上，串聯(lián)元件部的所述電阻元件側(cè)的另一端連接到第一電壓線上，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與施加了與該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線以及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子，當(dāng)對(duì)該控制端子施加截止電壓時(shí)，使在正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子和所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，在技術(shù)方案8所述的保護(hù)裝置中，正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)元件的一端連接到所述第一開關(guān)元件和所述電阻元件的連接部，另一端與所述第一電壓線連接。并且，在技術(shù)方案8所述的保護(hù)裝置中，利用控制單元，在過(guò)電流不流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件以及所述第二開關(guān)元件分別成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。這樣，在技術(shù)方案8所述的保護(hù)裝置中，在過(guò)電流不流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件以及所述第二開關(guān)元件分別成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，所以，能夠阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖，并且，能夠抑制靜電噪聲的產(chǎn)生。另外，技術(shù)方案9如技術(shù)方案8所述的保護(hù)裝置，將所述串聯(lián)元件部的一端經(jīng)由第二電阻元件連接到所述控制端子。由此，能夠使被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案10如技術(shù)方案9所述的保護(hù)裝置，還包括短路、非短路切換單元， 能夠切換為使所述第二電阻元件的兩端之間短路的短路狀態(tài)和不使該兩端之間短路的非短路狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以第一電流值以上且小于第二電流值的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第二電阻元件的兩端之間成為短路狀態(tài)的方式對(duì)所述短路、非短路切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第二電阻元件的兩端之間成為非短路狀態(tài)的方式對(duì)所述短路、非短路切換單元進(jìn)行控制。由此，能夠根據(jù)電流的大小多階段地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案11如技術(shù)方案8 10的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置，還包括所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件所具有的預(yù)定電容值的電容。由此，能夠使被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案12如技術(shù)方案11所述的保護(hù)裝置，還包括可否充電切換單元，在使所述電容為電容性負(fù)載的情況下，能夠?qū)⒃撾娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于第二電流值的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述電容性負(fù)載成為不可充電狀態(tài)的方式對(duì)所述可否充電切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述電容性負(fù)載成為可充電狀態(tài)的方式對(duì)所述可否充電切換單元進(jìn)行控制。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小極細(xì)微地多階段地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。
另外，技術(shù)方案13如技術(shù)方案11或者技術(shù)方案12所述的保護(hù)裝置，還包括至少一個(gè)與所述電容并聯(lián)連接的第二電容性負(fù)載。由此，能夠使被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案14如技術(shù)方案13所述的保護(hù)裝置，還包括第二可否充電切換單元，對(duì)所述第二電容性負(fù)載的至少一個(gè)設(shè)置，能夠?qū)⒃摰诙娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第二可否充電切換單元進(jìn)行控制，使得與該過(guò)電流的大小的增加對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的所述第二電容性負(fù)載增加。由此， 能夠根據(jù)過(guò)電流的大小極細(xì)微地多階段地阻止被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案15所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置包括技術(shù)方案1 7的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置；第二串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)元件以及與該第三開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三電阻元件而構(gòu)成，一端連接到第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的對(duì)應(yīng)控制端子并且另一端連接到所述第二電壓線，該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與所述第一端子對(duì)應(yīng)且與所述第二電壓線連接的對(duì)應(yīng)第一端子、與所述第二端子對(duì)應(yīng)且與該第二端子連接的對(duì)應(yīng)第二端子以及與所述控制端子對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)控制端子，當(dāng)對(duì)該對(duì)應(yīng)控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件所具有的預(yù)定電容值的第二電容，所述控制單元進(jìn)一步在使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。在技術(shù)方案15所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置中，包括技術(shù)方案1 7的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置而構(gòu)成，第二串聯(lián)元件部包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)元件以及與該第三開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三電阻元件而構(gòu)成，一端連接到第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的對(duì)應(yīng)控制端子并且另一端連接到所述第二電壓線，該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與所述第一端子對(duì)應(yīng)且與所述第二電壓線連接的對(duì)應(yīng)第一端子、與所述第二端子對(duì)應(yīng)且與該第二端子連接的對(duì)應(yīng)第二端子以及與所述控制端子對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)控制端子，當(dāng)對(duì)該對(duì)應(yīng)控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，在技術(shù)方案15所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置中，所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有預(yù)定電容值的第二電容。并且，在技術(shù)方案15所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置中，利用所述控制單元進(jìn)一步以如下方式控制在使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)。這樣，在技術(shù)方案15所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置中，包括技術(shù)方案1 7的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置；第二串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)元件以及與該第三開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三電阻元件而構(gòu)成，一端連接到第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的對(duì)應(yīng)控制端子并且另一端連接到所述第二電壓線，該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與所述第一端子對(duì)應(yīng)且與所述第二電壓線連接的對(duì)應(yīng)第一端子、與所述第二端子對(duì)應(yīng)且與該第二端子連接的對(duì)應(yīng)第二端子以及與所述控制端子對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)控制端子，當(dāng)對(duì)該對(duì)應(yīng)控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件所具有的預(yù)定電容值的第二電容，進(jìn)而，在使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，所以，能夠防止保護(hù)對(duì)象的開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案16如技術(shù)方案15所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，將所述第二串聯(lián)元件部的一端經(jīng)由所述第四電阻元件連接到所述對(duì)應(yīng)控制端子。由此，能夠使各第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止各第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案17如技術(shù)方案16所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括第二短路、非短路切換單元，能夠切換為使所述第四電阻元件的兩端之間短路的短路狀態(tài)和不使該兩端之間短路的非短路狀態(tài)，所述控制單元在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于所述第二電流值的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的所述對(duì)應(yīng)第一端子與所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第四電阻元件成為短路狀態(tài)的方式對(duì)所述第二短路、非短路切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第四電阻元件成為非短路狀態(tài)的方式對(duì)所述第二短路、非短路切換單元進(jìn)行控制。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小多階段地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案18如技術(shù)方案15 17的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括第三可否充電切換單元，在使所述第二電容為第三電容性負(fù)載的情況下，能夠?qū)⒃摰谌娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于所述第二電流值的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三電容性負(fù)載成為不可充電狀態(tài)的方式對(duì)所述第三可否充電切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三電容性負(fù)載成為可充電狀態(tài)的方式對(duì)所述第三可否充電切換單元進(jìn)行控制。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小極細(xì)微地多階段地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案19如技術(shù)方案15 18的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括至少一個(gè)與所述第二電容并聯(lián)連接的第四電容性負(fù)載。由此，能夠使第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案20如技術(shù)方案19所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括第四可否充電切換單元，對(duì)所述第四電容性負(fù)載的至少一個(gè)設(shè)置，能夠?qū)⒃摰谒碾娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第四可否充電切換單元進(jìn)行控制，使得與該電流的大小的增加對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的所述第四電容性負(fù)載增加。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小更加極細(xì)微地多階段地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案21如技術(shù)方案15 20的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，使所述第三開關(guān)元件為將柵極電容C為100pF<C<300pF作為前提的輸出用晶體管，在使該輸出用晶體管的驅(qū)動(dòng)能力為Xum的情況下，在用于進(jìn)行控制以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的功率降低信號(hào)的信號(hào)路徑上插入滿足Xum<RC<(60000/X)um的電阻。由此，能夠更加高精度地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案22所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置包括技術(shù)方案8 14的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置；第二串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)元件以及與該第三開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三電阻元件而構(gòu)成，并且，所述第三開關(guān)元件側(cè)的一端連接到第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的對(duì)應(yīng)控制端子，所述第三電阻元件側(cè)的另一端連接到所述第二電壓線，該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與所述第一端子對(duì)應(yīng)且與所述第二電壓線連接的對(duì)應(yīng)第一端子、與所述第二端子對(duì)應(yīng)且與該第二端子連接的對(duì)應(yīng)第二端子以及與所述控制端子對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)控制端子，當(dāng)對(duì)該對(duì)應(yīng)控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；一端連接到所述第三開關(guān)元件與所述第三電阻元件的連接部并且另一端與所述第二電壓線連接、并且正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第四開關(guān)元件，所述控制單元進(jìn)一步在過(guò)電流不流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以分別使所述第三開關(guān)元件以及所述第四開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。在技術(shù)方案22所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置中，包括技術(shù)方案8 14的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置而構(gòu)成，第二串聯(lián)元件部包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)元件以及與該第三開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三電阻元件而構(gòu)成，并且，第二串聯(lián)元件部的所述第三開關(guān)元件側(cè)的一端連接到第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的對(duì)應(yīng)控制端子，第二串聯(lián)元件部的所述第三電阻元件側(cè)的另一端連接到所述第二電壓線，該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與所述第一端子對(duì)應(yīng)且與所述第二電壓線連接的對(duì)應(yīng)第一端子、與所述第二端子對(duì)應(yīng)且與該第二端子連接的對(duì)應(yīng)第二端子以及與所述控制端子對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)控制端子，當(dāng)對(duì)該對(duì)應(yīng)控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，在技術(shù)方案22所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置中，第四開關(guān)元件的一端連接到所述第三開關(guān)元件與所述第三電阻元件的連接部，第四開關(guān)元件的另一端與所述第二電壓線連接。并且，在技術(shù)方案22所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置中，利用所述控制單元，進(jìn)一步在過(guò)電流不流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以分別使所述第三開關(guān)元件以及所述第四開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。
這樣，在技術(shù)方案22所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置中，利用控制單元，進(jìn)一步在過(guò)電流不流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以分別使所述第三開關(guān)元件以及所述第四開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，所以，能夠阻止構(gòu)成互補(bǔ)型的開關(guān)元件的被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以及第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖，并且，能夠抑制靜電噪聲的產(chǎn)生。另外，技術(shù)方案23如技術(shù)方案22所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，將所述第二串聯(lián)元件部的一端經(jīng)由所述第四電阻元件連接到所述對(duì)應(yīng)控制端子。由此，能夠使各第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止各第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案M如技術(shù)方案23所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括第二短路、非短路切換單元，能夠切換為使所述第四電阻元件的兩端之間短路的短路狀態(tài)和不使該兩端之間短路的非短路狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于所述第二電流值的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制， 并且，以使所述第四電阻元件成為短路狀態(tài)的方式對(duì)所述第二短路、非短路切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第四電阻元件成為非短路狀態(tài)的方式對(duì)所述第二短路、非短路切換單元進(jìn)行控制。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小多階段地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案25如技術(shù)方案22 M的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有的預(yù)定電容值的第二電容。由此，能夠使第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案沈如技術(shù)方案25所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括第三可否充電切換單元，在使所述第二電容為第三電容性負(fù)載的情況下，能夠?qū)⒃摰谌娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于所述第二電流值的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第三可否充電切換單元進(jìn)行控制，以使所述第三電容性負(fù)載成為不可充電狀態(tài)，在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第三可否充電切換單元進(jìn)行控制，以使所述第三電容性負(fù)載成為可充電狀態(tài)。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小，極細(xì)微地多階段地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案27如技術(shù)方案25或者技術(shù)方案沈所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括至少一個(gè)與所述第二電容并聯(lián)連接的第四電容性負(fù)載。由此，能夠使第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的移動(dòng)速度更加平緩，所以，能夠更加可靠地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案觀如技術(shù)方案27所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，還包括第四可否充電切換單元，對(duì)所述第四電容性負(fù)載的至少一個(gè)設(shè)置，能夠?qū)⒃摰谒碾娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第四可否充電切換單元進(jìn)行控制，使得與該過(guò)電流的大小的增加對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的所述第四電容性負(fù)載增加。由此，能夠根據(jù)過(guò)電流的大小，極細(xì)微地多階段地阻止第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖。另外，技術(shù)方案四如技術(shù)方案22 觀的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，使構(gòu)成由所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件、所述第一開關(guān)元件以及所述第二開關(guān)元件構(gòu)成的開關(guān)元件組、由所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件、所述第三開關(guān)元件以及所述第四開關(guān)元件構(gòu)成的開關(guān)元件組中的一方的開關(guān)元件組的各開關(guān)元件為N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，使構(gòu)成另一方的開關(guān)元件組的各開關(guān)元件為P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由此，能夠阻止構(gòu)成互補(bǔ)型的開關(guān)元件的被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以及第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的閂鎖，并且，能夠抑制靜電噪聲的產(chǎn)生。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案30所述的信號(hào)輸出裝置具有技術(shù)方案 15 四的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置；電壓施加單元，對(duì)所述控制端子施加用于對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電壓，并且，對(duì)所述對(duì)應(yīng)控制端子施加用于對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電壓；信號(hào)輸出單元，經(jīng)由所述電感部輸出與所述電壓施加單元所施加的電壓對(duì)應(yīng)的信號(hào)。另外，技術(shù)方案30所述的信號(hào)輸出裝置具有技術(shù)方案15 四的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置；電壓施加單元，對(duì)所述控制端子施加用于對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電壓，并且，對(duì)所述對(duì)應(yīng)控制端子施加用于對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電壓；信號(hào)輸出單元，經(jīng)由所述電感部輸出與所述電壓施加單元所施加的電壓對(duì)應(yīng)的信號(hào)。在技術(shù)方案30所述的信號(hào)輸出裝置中，包括技術(shù)方案15 四的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置而構(gòu)成，利用電壓施加單元，對(duì)所述控制端子施加用于對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電壓，并且，對(duì)所述對(duì)應(yīng)控制端子施加用于對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電壓，利用信號(hào)輸出單元，經(jīng)由所述電感部輸出與所述電壓施加單元所施加的電壓對(duì)應(yīng)的信號(hào)。因此，技術(shù)方案30所述的信號(hào)輸出裝置與技術(shù)方案15 四的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置同樣地進(jìn)行作用，所以，能夠得到與技術(shù)方案15 四的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置相同的效果。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案31提供一種技術(shù)方案8 14的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置的閂鎖阻止方法，其中，在過(guò)電流不流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，分別使所述第一開關(guān)元件以及所述第二開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且，使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)。
因此，技術(shù)方案31所述的閂鎖阻止方法與技術(shù)方案8 14的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置同樣地進(jìn)行作用，所以，能夠得到與技術(shù)方案1所述的保護(hù)裝置相同的效果。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案32提供一種技術(shù)方案22 30的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置的閂鎖阻止方法，其中，在過(guò)電流不流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，分別使所述第三開關(guān)元件以及所述第四開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，技術(shù)方案32所述的閂鎖阻止方法與技術(shù)方案22 30的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置同樣地進(jìn)行作用，所以，能夠得到與技術(shù)方案22 30的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置相同的效果。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案33提供一種程序，用于使計(jì)算機(jī)起到如下單元的作用進(jìn)行控制，使得在過(guò)電流不流過(guò)被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)連接的電阻元件而構(gòu)成、并且所述第一開關(guān)元件側(cè)的一端連接到控制端子且所述電阻元件側(cè)的另一端連接到第一電壓線的串聯(lián)元件部的該第一開關(guān)元件、以及一端連接到所述第一開關(guān)元件與所述電阻元件的連接部并且另一端連接到所述第一電壓線且正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)元件分別成為導(dǎo)通狀態(tài)，其中，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與被施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與被施加了與該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線以及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子， 并且，在對(duì)該控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子與所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；進(jìn)行控制，使得在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)， 并且，使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，技術(shù)方案33所述的程序與技術(shù)方案8所述的保護(hù)裝置同樣地進(jìn)行作用，所以，能夠得到與技術(shù)方案8所述的保護(hù)裝置相同的效果。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案34提供一種程序，用于使計(jì)算機(jī)起到如下單元的作用進(jìn)行控制，使得在過(guò)電流不流過(guò)被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)連接的電阻元件而構(gòu)成、并且所述第一開關(guān)元件側(cè)的一端連接到控制端子且所述電阻元件側(cè)的另一端連接到第一電壓線的串聯(lián)元件部的該第一開關(guān)元件、以及一端連接到所述第一開關(guān)元件和所述電阻元件的連接部并且另一端與所述第一電壓線連接且正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)元件分別成為導(dǎo)通狀態(tài)，其中，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與被施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與被施加了和該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子，并且，在對(duì)該控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子與所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；進(jìn)行控制，使得在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且，使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)；進(jìn)行控制，使得在過(guò)電流不流過(guò)第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)元件以及與該第三開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三電阻元件而構(gòu)成、并且所述第三開關(guān)元件側(cè)的一端連接到該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的對(duì)應(yīng)控制端子且所述第三電阻元件側(cè)的另一端連接到所述第二電壓線的第二串聯(lián)元件部的該第三開關(guān)元件、以及一端連接到該第三開關(guān)元件和該第三電阻元件的連接部并且另一端與所述第二電壓線連接且正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第四開關(guān)元件分別成為導(dǎo)通狀態(tài)，其中，該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與所述第一端子對(duì)應(yīng)并且與所述第二電壓線連接的對(duì)應(yīng)第一端子、與所述第二端子對(duì)應(yīng)并且與該第二端子連接的對(duì)應(yīng)第二端子、以及與所述控制端子對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)控制端子，并且，在對(duì)該對(duì)應(yīng)控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述對(duì)應(yīng)第一端子與所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；進(jìn)行控制，使得在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且，使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)。
因此，技術(shù)方案34所述的程序與技術(shù)方案22所述的保護(hù)裝置同樣地進(jìn)行作用，所以，能夠得到與技術(shù)方案22所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置相同的效果。根據(jù)本發(fā)明，能夠阻止保護(hù)對(duì)象的開關(guān)元件的閂鎖。


圖1是表示第一實(shí)施方式的放大器的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示圖1示出的放大器的功率降低時(shí)的電壓值或者電流值的隨時(shí)間變化的一例的圖表，(a)表示放大器的輸出端子的電壓值的隨時(shí)間變化的情況，(b)表示在保護(hù)對(duì)象的PMOS晶體管的柵極端子上所施加的電壓值的隨時(shí)間變化的情況，(c)表示在放大器中流過(guò)的過(guò)電流的電流值的隨時(shí)間變化的情況。圖3是表示第二實(shí)施方式的放大器的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。圖4是表示第二實(shí)施方式的功率降低處理程序的處理的流程的流程圖。圖5是表示第三實(shí)施方式的放大器的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。圖6是表示第三 第五實(shí)施方式的功率降低處理程序的處理的流程的流程圖。圖7是表示第四實(shí)施方式的放大器的結(jié)構(gòu)的一例結(jié)構(gòu)圖。圖8是表示第五實(shí)施方式的放大器的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。圖9是表示現(xiàn)有的放大器的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。圖10是表示圖9示出的放大器的功率降低時(shí)的電壓值或者電流值的隨時(shí)間變化的一例的圖表，(a)表示放大器的輸出端子的電壓值的隨時(shí)間變化的情況，(b)表示在保護(hù)對(duì)象的PMOS晶體管的柵極端子上所施加的電壓值的隨時(shí)間變化的情況，(c)表示在放大器中流過(guò)的過(guò)電流的電流值的隨時(shí)間變化的情況。圖11是表示用于對(duì)實(shí)施方式的放大器進(jìn)行控制的結(jié)構(gòu)的變形例的圖。圖12是表示用于對(duì)實(shí)施方式的放大器進(jìn)行控制的結(jié)構(gòu)的變形例的圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明 10、50、60、80、150 放大器 16控制部
20、30、162、164串聯(lián)元件部20A、22、106 PMOS 晶體管 20B、30B、66、77 電阻元件 30A、32、110 NMOS 晶體管
53、55、68、74、84、86開關(guān)
54、56、64、70電容器 116線圈
158控制電路 166、168柵極電容。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)地對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式的一例進(jìn)行說(shuō)明。并且，以下，對(duì)將本發(fā)明應(yīng)用于與揚(yáng)聲器連接而使用的放大器的情況進(jìn)行說(shuō)明。另外，在本實(shí)施方式的放大器中，對(duì)與圖9所示的放大器100的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略說(shuō)明。 另外，以下，舉出將構(gòu)成互補(bǔ)型的開關(guān)元件(所謂的CMOS)的PMOS晶體管以及NMOS晶體管的這二者作為不受閂鎖影響的保護(hù)對(duì)象的情況為例進(jìn)行說(shuō)明，但是，在將PMOS晶體管以及 NMOS晶體管的任意一種作為保護(hù)對(duì)象的情況下，至少對(duì)于保護(hù)對(duì)象的MOS晶體管應(yīng)用本發(fā)明即可，這是當(dāng)然的。此外，在圖9所示的放大器100中，來(lái)自輸出端子114的輸出在接地短路時(shí)使過(guò)電流停止時(shí)，由于負(fù)浪涌電流而產(chǎn)生閂鎖，來(lái)自輸出端子114的輸出在電源短路時(shí)使過(guò)電流停止時(shí)，由于正浪涌電流而產(chǎn)生閂鎖。另外，考慮到產(chǎn)生閂鎖的線圈116的電感值在過(guò)電流為3A時(shí)是350nH左右，這是公知的。因此，在具有350nH左右的電感成分的線圈116或者與線圈116相當(dāng)?shù)碾姼胁窟B接到輸出端子114上的情況下，需要用于阻止閂鎖的對(duì)策。[第一實(shí)施方式]
在圖1中示出了能夠使功率降低從而阻止PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的閂鎖的產(chǎn)生的本第一實(shí)施方式的放大器150的一例。如該圖所示，放大器150與圖9所示的放大器100相比，僅在以下兩點(diǎn)不同應(yīng)用輸出級(jí)152代替輸出級(jí)105 ；設(shè)置有在圖9中省略了圖示的控制電路158以及在圖9中省略了圖示的過(guò)電流檢測(cè)電路160。輸出級(jí)152與圖9所示的輸出級(jí)105相比，僅在設(shè)置有串聯(lián)元件部162、164以及柵極電容166、168這一點(diǎn)上不同。并且，本第一實(shí)施方式的放大器150由ICantegrated Circuit)構(gòu)成，在該IC中形成有對(duì)放大器150整體進(jìn)行控制的控制電路158。串聯(lián)元件部162包括PMOS晶體管108以及電阻元件IM而構(gòu)成，電阻元件154與 PMOS晶體管108串聯(lián)連接，使得與PMOS晶體管108 —起將電源布線VDD和PMOS晶體管106 的柵極端子之間連接。換言之，PMOS晶體管108的漏極端子經(jīng)由電阻元件巧4與PMOS晶體管106的柵極端子連接。串聯(lián)元件部164包括NMOS晶體管112以及電阻元件156而構(gòu)成，電阻元件156與匪OS晶體管112串聯(lián)連接，使得與匪OS晶體管112 —起將接地布線GND和匪OS晶體管106 的柵極端子之間連接。換言之，NMOS晶體管112的漏極端子經(jīng)由電阻元件156與NMOS晶體管110的柵極端子連接。
柵極電容166是PMOS晶體管106的柵極電容。為了容易理解，在附圖中以插入在 PMOS晶體管106的柵極端子和PMOS晶體管106的源極端子之間的方式進(jìn)行圖示。柵極電容168是NMOS晶體管110的柵極電容。為了容易理解，在附圖中以插入在 NMOS晶體管110的柵極端子和NMOS晶體管110的源極端子之間的方式進(jìn)行圖示。并且，在本第一實(shí)施方式中，作為電容性負(fù)載，舉出了柵極電容166、168為例，但是，并不限于此，例如也可以應(yīng)用電容器來(lái)代替柵極電容。在該情況下，例如代替柵極電容168而應(yīng)用的電容器的一個(gè)電極與PMOS晶體管106的柵極端子連接、另一個(gè)電極與PMOS晶體管106的源極端子連接，代替柵極電容168而應(yīng)用的電容器的一個(gè)電極與NMOS晶體管110的柵極端子連接、另一個(gè)電極與NMOS晶體管110的源極端子連接。另外，不限于電容器，也可以應(yīng)用可變電容二極管等的電容性負(fù)載。這樣，在MOS晶體管的源極端子和柵極端子之間形成有預(yù)定電容值的電容即可。并且，在本第一實(shí)施方式中，作為“預(yù)定電容值”是能夠阻止PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的閂鎖的電容值，采用利用模擬(simulation)或?qū)嶒?yàn)等預(yù)先決定的電容值。過(guò)電流檢測(cè)電路160插入在線圈116和接地線之間，在檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)，輸出過(guò)電流檢測(cè)信號(hào)。另外，過(guò)電流檢測(cè)電路160與控制電路158連接。因此，控制電路158能夠接收從過(guò)電流檢測(cè)電路160輸出的過(guò)電流檢測(cè)信號(hào)。另一方面，PMOS晶體管108的柵極端子與控制電路158連接。另外，NMOS晶體管 112的柵極端子也與控制電路158連接。因此，控制電路158能夠分別對(duì)PMOS晶體管108 的柵極端子以及NMOS晶體管112的柵極端子施加用于對(duì)PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112各自的作為開關(guān)元件的功能的導(dǎo)通狀態(tài)以及截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)行切換的電壓。接著，對(duì)本第一實(shí)施方式的放大器150的作用進(jìn)行說(shuō)明。在如上述那樣構(gòu)成的放大器150中，在利用過(guò)電流檢測(cè)電路160檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)， 控制電路158對(duì)PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112進(jìn)行控制，以使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的各自的源極端子和漏極端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)。S卩，對(duì)PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112的各柵極端子上所施加的電壓的大小進(jìn)行控制，以使PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112的各自的源極端子和漏極端子之間成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，PMOS 晶體管106的柵極端子在柵極電容166被充電的同時(shí)被上拉，并且，NMOS晶體管110的柵極端子在柵極電容168被充電的同時(shí)被下拉。在該情況下，與圖9所示的放大器100相比， 由于針對(duì)PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的各自的柵極端子的施加電壓的大小平緩地變大(針對(duì)PMOS晶體管106的柵極端子的施加電壓的大小的隨時(shí)間變化的一例參照?qǐng)D 2(b))，所以，PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的各自的源極端子和漏極端子之間從導(dǎo)通狀態(tài)平緩地變化到非導(dǎo)通狀態(tài)，作為一例，如圖2(c)所示，在輸出端子114，從流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)到電流不流過(guò)的狀態(tài)的變化與圖10(c)相比變得平緩。因此，在輸出端子114不產(chǎn)生浪涌電流，作為一例，如圖2(a)所示，放大器100的輸出電壓的大小與圖10(a)相比， 平緩地下降到接地電壓的大小。其結(jié)果是，在PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110不產(chǎn)生閂鎖的情況下，能夠使放大器150功率降低。另外，在本第一實(shí)施方式中，以作為上述各MOS晶體管的柵極電容能夠具有大致 100 300pF的電容為前提，舉出存在350nH左右的電感成分的情況的方式例進(jìn)行了說(shuō)明， 但是，在以作為上述各MOS晶體管的柵極電容能夠具有大致100 300pF的電容為前提，假定存在500nH的電感成分的情況下，使導(dǎo)通狀態(tài)的輸出晶體管(例如，在本第一實(shí)施方式中，PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110)成為非導(dǎo)通狀態(tài)所需要的時(shí)間為3 μ s以上(若考慮過(guò)電流導(dǎo)致的破壞，則上限為20ms)。但是，對(duì)于該值來(lái)說(shuō)，作為前提條件，依賴于輸出用MOS晶體管(例如，在本第一實(shí)施方式中，PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112)的最大驅(qū)動(dòng)能力，在本第一實(shí)施方式中假定1 5A。例如，采用了 5A的情況下，從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移所需時(shí)間為5μ s以上。并且，若作為從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)移到非導(dǎo)通狀態(tài)的延遲時(shí)間的計(jì)算模型還包含其他的延遲要素，則能夠以“延遲時(shí)間t=RC 2RC”簡(jiǎn)易地進(jìn)行計(jì)算。 在該情況下，考慮最壞模型，作為電阻元件154、156，優(yōu)選插入以t=RC形成500nH的電感成分的電阻元件。另外，在本第一實(shí)施方式中，舉出了檢測(cè)到過(guò)電流時(shí)在PMOS晶體管108以及NMOS 晶體管112的各自的柵極端子施加電壓，以使PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112的各自的源極端子和漏極端子之間成為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但是并不限于此，以在正常時(shí)使PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112的各自的源極端子和漏極端子之間成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式在PMOS晶體管108以及NMOS晶體管112的各柵極端子上施加電壓當(dāng)然也可以。另外，在本第一實(shí)施方式中，舉出了電阻元件154與PMOS晶體管106的柵極端子連接、PMOS晶體管108的源極端子與電源布線VDD連接的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，PMOS晶體管108的源極端子與PMOS晶體管106的柵極端子連接、電阻元件IM與電源布線VDD連接也可以。這樣，在電源布線VDD和PMOS晶體管106的柵極端子之間插入有串聯(lián)連接的PMOS晶體管108和電阻元件154即可。另外，在本第一實(shí)施方式中，舉出了電阻元件156與NMOS晶體管110的柵極端子連接、NMOS晶體管112的源極端子與接地布線GND連接的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，NMOS晶體管112的源極端子與NMOS晶體管110的柵極端子連接、電阻元件156與接地布線GND連接也可以。這樣，在接地布線GND和NMOS晶體管110的柵極端子之間插入有串聯(lián)連接的NMOS晶體管112以及電阻元件156即可。并且，在本第一實(shí)施方式中，舉出利用控制電路158對(duì)放大器150進(jìn)行控制的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，代替控制電路158而應(yīng)用在后述的第二 五的實(shí)施方式中所說(shuō)明的控制部16當(dāng)然也可以。[第二實(shí)施方式]
但是，在上述第一實(shí)施方式中所說(shuō)明的圖1所示的放大器150不論有無(wú)過(guò)電流的產(chǎn)生， 與圖9所示的放大器100相比，接受向功率降低狀態(tài)的轉(zhuǎn)移指示之后直至轉(zhuǎn)移到功率降低狀態(tài)所需要的時(shí)間較長(zhǎng)，在正常時(shí)向功率降低狀態(tài)進(jìn)行轉(zhuǎn)移時(shí)產(chǎn)生了微小的靜電噪聲(pop noise)這樣的問(wèn)題。因此，在本第二實(shí)施方式中，對(duì)用于解決上述問(wèn)題的放大器10進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示本第二實(shí)施方式的放大器10的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。如該圖所示，放大器10與圖9 所示的放大器100相比，在以下兩點(diǎn)不同應(yīng)用輸出級(jí)12代替輸出級(jí)105 ；還設(shè)置有電流計(jì) 14、控制部16以及輸入輸出端口 (以下，稱為“I/O”。)18。輸出級(jí)12與圖9所示的輸出級(jí)105相比，在以下兩點(diǎn)不同應(yīng)用串聯(lián)元件部20以及PMOS晶體管22來(lái)代替PMOS晶體管108 ；應(yīng)用串聯(lián)元件部30以及NMOS晶體管32來(lái)代替NMOS晶體管112。串聯(lián)元件部20包含作為第一開關(guān)元件的PMOS晶體管20A以及電阻元件20B而構(gòu)成。PMOS晶體管20A以及電阻元件20B串聯(lián)連接，串聯(lián)元件部20的一端20C 與PMOS晶體管106的柵極端子連接、另一端20D與作為第一電壓線的電源布線VDD連接。 PMOS晶體管20A的漏極端子構(gòu)成串聯(lián)元件部20的一端20C。電阻元件20B的一端與PMOS 晶體管20A的源極端子連接，電阻元件20B的另一端構(gòu)成串聯(lián)元件部20的另一端20D。作為第二開關(guān)元件的PMOS晶體管22的漏極端子連接到串聯(lián)元件部20的PMOS晶體管20A與電阻元件20B的連接部20E、PM0S晶體管22的源極端子連接到電源布線VDD。串聯(lián)元件部30包含作為第三開關(guān)元件的NMOS晶體管30A以及作為第三電阻元件的電阻元件30B而構(gòu)成。NMOS晶體管30A以及電阻元件30B串聯(lián)連接，串聯(lián)元件部30的一端30C與NMOS晶體管110的柵極端子連接、另一端30D與作為第二電壓線的接地布線GND 連接。NMOS晶體管30A的漏極端子構(gòu)成串聯(lián)元件部30的一端30C。電阻元件30B的一端與NMOS晶體管30A的源極端子連接，電阻元件30B的另一端構(gòu)成串聯(lián)元件部30的另一端 30D。作為第四開關(guān)元件的NMOS晶體管32的漏極端子連接到串聯(lián)元件部30的NMOS晶體管30A與電阻元件30B的連接部30E、NM0S晶體管32的源極端子連接到接地布線GND。電流計(jì)14插入在線圈116和接地點(diǎn)之間，對(duì)從線圈116向接地點(diǎn)流出的電流的大小進(jìn)行測(cè)量?？刂撇?6是包括如下等部分而構(gòu)成的計(jì)算機(jī)CPU(中央處理裝置)，執(zhí)行預(yù)定程序的處理，從而對(duì)放大器10整體進(jìn)行控制；作為預(yù)先存儲(chǔ)有對(duì)放大器10的動(dòng)作進(jìn)行控制的控制程序或后述的功率降低處理程序、各種參數(shù)等的儲(chǔ)存介質(zhì)的R0M(Read only Memory)； 作為被用作各種程序的執(zhí)行時(shí)的工作區(qū)域(work area)等的儲(chǔ)存介質(zhì)的RAM (Random Access Memory)。1/0 18是與控制部16連接的輸入輸出端口，連接有電流計(jì)14的輸出端子、差動(dòng)級(jí)102的正輸入端子102A、差動(dòng)級(jí)102的負(fù)輸入端子102B、PM0S晶體管20A、22的各柵極端子以及NMOS晶體管30A、32的各柵極端子。因此，控制部16能夠分別進(jìn)行經(jīng)由I/ 0 18的電流計(jì)14的測(cè)量結(jié)果的掌握、經(jīng)由1/0 18的針對(duì)差動(dòng)級(jí)102的正輸入信號(hào)以及負(fù)輸入信號(hào)的輸出、經(jīng)由1/0 18的針對(duì)PMOS晶體管20A、22的各柵極端子以及匪OS晶體管 30A、32的各柵極端子的信號(hào)的輸出。并且，在本第二實(shí)施方式中，舉出利用軟件結(jié)構(gòu)對(duì)放大器10進(jìn)行控制的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，可以是利用硬件結(jié)構(gòu)進(jìn)行控制的方式，也可以是對(duì)軟件結(jié)構(gòu)以及硬件結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合的控制方式。接著，對(duì)本第二實(shí)施方式的放大器10的作用進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)經(jīng)由放大器10從揚(yáng)聲器輸出聲音的情況進(jìn)行說(shuō)明。并且，以下，為了避免復(fù)雜的情況，對(duì)放大器10被設(shè)定為初始狀態(tài)的情況、即對(duì)表示成為從揚(yáng)聲器輸出的對(duì)象的聲音的模擬的聲音信號(hào)從外部裝置 (省略圖示)輸入到放大器10的情況進(jìn)行說(shuō)明。另外，在本實(shí)施方式中，“初始狀態(tài)”是表示使PMOS晶體管20A、22的漏極端子和源極端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài)(PM0S晶體管20A、22 的分別作為開關(guān)元件的功能為截止?fàn)顟B(tài))、NM0S晶體管30A、32的漏極端子和源極端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài)(NM0S晶體管30A、32的分別作為開關(guān)元件的功能為截止?fàn)顟B(tài)),PMOS晶體管 106的漏極端子和源極端子之間為導(dǎo)通狀態(tài)(PM0S晶體管106的作為開關(guān)元件的功能為導(dǎo)通狀態(tài))、以及NMOS晶體管110的漏極端子和源極端子之間為導(dǎo)通狀態(tài)(NM0S晶體管110 的作為開關(guān)元件的功能為導(dǎo)通狀態(tài))。
控制部16將表示從揚(yáng)聲器(省略圖示)輸出的聲音的聲音信號(hào)改變極性并經(jīng)由 I/O 18輸出到差動(dòng)級(jí)102A。在差動(dòng)級(jí)102A中，生成作為從控制部16輸入的聲音信號(hào)的正輸入信號(hào)以及負(fù)輸入信號(hào)的差電壓信號(hào)，將生成的差電壓信號(hào)進(jìn)行放大，經(jīng)由偏置級(jí)104， 將正極的差動(dòng)信號(hào)輸出到PMOS晶體管106的柵極端子，并且，將負(fù)極的差動(dòng)信號(hào)輸出到 NMOS晶體管110。PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110與基于從偏置級(jí)104輸入的差動(dòng)信號(hào)的電壓對(duì)應(yīng)地成為導(dǎo)通狀態(tài)或者非導(dǎo)通狀態(tài)，與此對(duì)應(yīng)，電流從輸出端子114輸出。在揚(yáng)聲器與輸出端子114連接的情況下，從揚(yáng)聲器再現(xiàn)利用從輸出端子114輸出的電流而被復(fù)原為原來(lái)的模擬信號(hào)的聲音信號(hào)。但是，在本第二實(shí)施方式的放大器10中，執(zhí)行為了防備產(chǎn)生過(guò)電流的情況而預(yù)先準(zhǔn)備的功率降低處理。接著，參照?qǐng)D4對(duì)執(zhí)行功率降低處理的放大器10的作用進(jìn)行說(shuō)明。并且，圖4是表示放大器10的電源(省略圖示)被接通時(shí)由控制部16執(zhí)行的功率降低處理程序的處理的流程的流程圖。并且，此處為了避免復(fù)雜的情況，對(duì)如下情況進(jìn)行說(shuō)明控制部16基于由電流計(jì)14測(cè)量出的電流值，檢測(cè)過(guò)電流在輸出端子114流過(guò)的情況。在該圖的步驟200中判定是否檢測(cè)到過(guò)電流，在成為否定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟202。在步驟202中判定是否滿足使放大器10向功率降低狀態(tài)轉(zhuǎn)移的條件(例如，控制部16接收到放大器100的電源的切斷指示這樣的條件、從將放大器100的電源接通之后經(jīng)過(guò)了預(yù)定時(shí)間的條件)，在成為否定判定的情況下，返回到步驟200，另一方面，在成為肯定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟204，在進(jìn)行了未產(chǎn)生過(guò)電流時(shí)的功率降低控制即正常功率降低控制后，結(jié)束本功率降低處理程序。在本步驟204中，具體地說(shuō)，對(duì)PMOS晶體管20A、22 以及NMOS晶體管30A、32的各柵極端子施加對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電壓，以使各個(gè)非導(dǎo)通狀態(tài)的PMOS 晶體管20A、22以及NMOS晶體管30A、32成為導(dǎo)通狀態(tài)。并且，在本說(shuō)明書中，“導(dǎo)通電壓” 是表示用于使MOS晶體管的源極端子和漏極端子之間成為導(dǎo)通狀態(tài)(使MOS晶體管的作為開關(guān)元件的功能為導(dǎo)通狀態(tài))的柵極電壓。根據(jù)步驟204的處理，PMOS晶體管20A成為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，PMOS晶體管22也成為導(dǎo)通狀態(tài)，所以，串聯(lián)元件部20的另一端20D和連接部20E成為短路狀態(tài)，從電源布線 VDD經(jīng)由PMOS晶體管22以及PMOS晶體管20A對(duì)PMOS晶體管106的柵極端子施加電源電壓。由此，PMOS晶體管106成為非導(dǎo)通狀態(tài)(PM0S晶體管106的柵極端子被上拉)。另外，根據(jù)步驟204的處理，NMOS晶體管30A成為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，NMOS晶體管 32也成為導(dǎo)通狀態(tài)，所以，串聯(lián)元件部30的另一端30D和連接部30E成為短路狀態(tài)，從接地布線GND經(jīng)由NMOS晶體管32以及NMOS晶體管30A對(duì)NMOS晶體管110的柵極端子施加接地電壓。由此，NMOS晶體管110成為非導(dǎo)通狀態(tài)(NM0S晶體管110的柵極端子被下拉)。另一方面，在步驟200中，在成為肯定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟206，在進(jìn)行產(chǎn)生過(guò)電流時(shí)的功率降低控制即異常功率降低控制后，結(jié)束本功率降低處理程序。在本步驟206 中，具體地說(shuō)，對(duì)各個(gè)非導(dǎo)通狀態(tài)的PMOS晶體管20A、22以及NMOS晶體管30A、32之中的 PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A的各柵極端子施加對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電壓。根據(jù)上述步驟206的處理，PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A成為導(dǎo)通狀態(tài)。 此時(shí)，由于PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32都成為非導(dǎo)通狀態(tài)，所以，轉(zhuǎn)移到功率降低狀態(tài)時(shí)的輸出端子114中流過(guò)的電流與圖1所示的放大器150同樣地動(dòng)作。即，負(fù)浪涌電流的產(chǎn)生被抑制。由此，能夠阻止PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的閂鎖。并且，在本第二實(shí)施方式中，將PMOS晶體管22的導(dǎo)通電阻的電阻值設(shè)定得比電阻元件20B的電阻值小，由此，PMOS晶體管22成為支配因素，將NMOS晶體管32的導(dǎo)通電阻的電阻值設(shè)定得比電阻元件30B的電阻值小，由此，NMOS晶體管32成為支配因素，但是，在使PMOS晶體管20A、22這二者成為導(dǎo)通狀態(tài)情況下，通過(guò)對(duì)PMOS晶體管20A、22的尺寸進(jìn)行變更，由此，能夠成為與在圖9所示的放大器100的PMOS晶體管108的上拉同等的功率降低時(shí)間，在使NMOS晶體管30A、32這二者成為導(dǎo)通狀態(tài)情況下，通過(guò)對(duì)NMOS晶體管30A、 32的尺寸進(jìn)行變更，由此，能夠成為與在圖9所示的放大器100的NMOS晶體管112的下拉同等的功率降低時(shí)間。[第三實(shí)施方式]
圖5是表示本第三實(shí)施方式的放大器50的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。并且，本第三實(shí)施方式的放大器50與圖3所示的放大器10相比，僅在應(yīng)用輸出級(jí)52來(lái)代替輸出級(jí)12這一點(diǎn)上不同，所以，在本第三實(shí)施方式中，僅對(duì)與上述第二實(shí)施方式不同之處進(jìn)行說(shuō)明。另外，在本第三實(shí)施方式中，與上述第二實(shí)施方式中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說(shuō)明。輸出級(jí)52與圖3所示的輸出級(jí)12相比，不同點(diǎn)僅在于還設(shè)置有作為可否充電切換單元的開關(guān)53 ；作為電容性負(fù)載的電容器M ；作為第三可否充電切換單元的開關(guān)55 ；作為第三電容性負(fù)載的電容器56。電容器M的一個(gè)電極經(jīng)由開關(guān)53與PMOS晶體管106的柵極端子連接、另一個(gè)電極與PMOS晶體管106的源極端子連接。電容器56的一個(gè)電極經(jīng)由開關(guān)55與NMOS晶體管110的柵極端子連接、另一個(gè)電極與NMOS晶體管110的源極端子連接。開關(guān)53具有第一端子、第二端子以及控制端子，并且，通過(guò)切換導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為導(dǎo)通狀態(tài))和非導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài))，由此，將電容器M切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)。開關(guān)53的第一端子與電容器 54的一個(gè)電極連接、開關(guān)53的第二端子與PMOS晶體管106的柵極端子連接。開關(guān)53的控制端子經(jīng)由I/O 18與控制部16連接。因此，控制部16能夠經(jīng)由I/O 18對(duì)開關(guān)53的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行切換。開關(guān)55具有第一端子、第二端子以及控制端子，并且，通過(guò)切換導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為導(dǎo)通狀態(tài))和非導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài))， 由此，將電容器56切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)。開關(guān)55的第一端子與電容器56的一個(gè)電極連接、開關(guān)陽(yáng)的第二端子與NMOS晶體管110的柵極端子連接。開關(guān)55的控制端子經(jīng)由I/O 18與控制部16連接。因此，控制部16能夠經(jīng)由I/O 18對(duì)開關(guān)55的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行切換。接著，參照?qǐng)D6對(duì)執(zhí)行功率降低處理的放大器50的作用進(jìn)行說(shuō)明。并且，圖6是表示在放大器50的電源(省略圖示)接通時(shí)由控制部16執(zhí)行的功率降低處理程序的處理的流程的流程圖。并且，對(duì)與圖4所示的功率降低處理程序的步驟相同的步驟，標(biāo)注相同的步驟編號(hào)并省略說(shuō)明。另外，此處為了錯(cuò)綜復(fù)雜的情況，對(duì)如下情況進(jìn)行說(shuō)明在上述步驟200的處理中，當(dāng)流過(guò)輸出端子114的電流值為第一電流值以上時(shí)，對(duì)過(guò)電流進(jìn)行檢測(cè)， 將在圖3所示的放大器10的電路結(jié)構(gòu)中預(yù)先決定為閂鎖的對(duì)策不充分的過(guò)電流的電流值 (至少比第一電流值大的電流值)作為第二電流值。在該圖的步驟200中，在成為肯定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟300，判定由電流計(jì) 14所測(cè)量到的電流值是否為第二電流值以上，在成為否定判定的情況下，判定為當(dāng)前流動(dòng)的過(guò)電流的電流值為第一電流值以上且小于第二電流值，轉(zhuǎn)移到步驟302。在步驟302中， 進(jìn)行第一電流值以上且小于第二電流值的過(guò)電流流過(guò)時(shí)的功率降低控制即第一異常功率降低控制后，結(jié)束本功率降低處理程序。在本步驟302中，具體地說(shuō)，對(duì)各個(gè)非導(dǎo)通狀態(tài)的 PMOS晶體管20A、22以及NMOS晶體管30A、32之中的PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A 的各柵極端子施加對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電壓，并且，對(duì)開關(guān)53、55進(jìn)行控制，以使開關(guān)53、55成為非導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)上述步驟302的處理，PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A成為導(dǎo)通狀態(tài)。 另外，開關(guān)53、55成為非導(dǎo)通狀態(tài)。由此，PMOS晶體管106的柵極端子經(jīng)由電阻元件20B以及PMOS晶體管20A被上拉，NMOS晶體管110的柵極端子經(jīng)由電阻元件30B以及NMOS晶體管30A被下拉。另一方面，在步驟300中，在成為肯定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟304。在步驟304 中，進(jìn)行第二電流值以上的過(guò)電流流過(guò)時(shí)的功率降低控制即第二異常功率降低控制后，結(jié)束本功率降低處理程序。在本步驟304中，具體地說(shuō)，對(duì)各個(gè)非導(dǎo)通狀態(tài)的PMOS晶體管20A、 22以及NMOS晶體管30A、32之中的PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A的各柵極端子施加對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電壓，并且，對(duì)開關(guān)53、55進(jìn)行控制，以使開關(guān)53、55成為導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)上述步驟304的處理，PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A成為導(dǎo)通狀態(tài)。 另外，開關(guān)53、55也成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，PMOS晶體管106的柵極端子在電容器M被充電的同時(shí)經(jīng)由電阻元件20B以及PMOS晶體管20A被上拉，并且，NMOS晶體管110的柵極端子在電容器56被充電的同時(shí)經(jīng)由電阻元件30B以及NMOS晶體管30A被下拉。因此，與利用上述步驟302的處理將PMOS晶體管106的柵極端子上拉的情況相比，利用上述步驟304的處理，PMOS晶體管106的柵極端子被平緩地上拉。另外，與利用上述步驟302的處理將NMOS晶體管110的柵極端子下拉的情況相比，利用上述步驟304的處理，NMOS晶體管110的柵極端子被平緩地下拉。即，在放大器50中，在過(guò)電流為第二電流值以上時(shí)的功率降低時(shí)，電容器M、56被充電，所以，根據(jù)電阻元件20B以及電容器M的時(shí)間常數(shù)和電阻元件30B以及電容器56的時(shí)間常數(shù)，與過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值時(shí)相比，PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)平緩地(緩慢地)進(jìn)行轉(zhuǎn)移，所以，能夠更加可靠地阻止PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的閂鎖。另外，在本第三實(shí)施方式中，舉出使用PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明即使不采用PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32也成立。 在該情況下，在本第三實(shí)施方式的功率降低處理程序的上述步驟204的處理中，不需要對(duì) PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32的各柵極端子施加導(dǎo)通電壓，所以，也能夠減輕控制部 16的處理負(fù)荷。并且，在該情況下，即使沒(méi)有開關(guān)53、55，本發(fā)明也成立，但是，在使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的開關(guān)的響應(yīng)速度根據(jù)電流的大小多階段地變化的情況下， 優(yōu)選采用開關(guān)53、55。例如，舉出了如下的例子在正常時(shí)進(jìn)行功率降低的情況下，使開關(guān)53為非導(dǎo)通狀態(tài)，在產(chǎn)生過(guò)電流時(shí)，使開關(guān)53為導(dǎo)通狀態(tài)。并且，即使不采用開關(guān)53、55， 本發(fā)明也成立。在該情況下，優(yōu)選應(yīng)用MOS晶體管的柵極電容(在本實(shí)施方式中是PMOS晶體管106的柵極電容以及NMOS晶體管110的柵極電容)來(lái)代替電容器M、56。[第四實(shí)施方式]
圖7是表示本第四實(shí)施方式的放大器60的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。并且，本第四實(shí)施方式的放大器60與圖5所示的放大器50相比，僅在應(yīng)用輸出級(jí)62來(lái)代替輸出級(jí)52這一點(diǎn)上不同，所以，在本第四實(shí)施方式中，僅對(duì)與上述第三實(shí)施方式不同之處進(jìn)行說(shuō)明。另外，在本第四實(shí)施方式中，對(duì)與上述第三實(shí)施方式中進(jìn)行了說(shuō)明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說(shuō)明。輸出級(jí)62與圖5所示的輸出級(jí)52相比，僅在以下方面不同串聯(lián)元件部20的一端20C不與PMOS晶體管106的柵極端子直接連接；串聯(lián)元件部30的一端30C不與NMOS晶體管110的柵極端子直接連接；還設(shè)置有作為第二電容性負(fù)載的電容器64 ；還設(shè)置有作為短路、非短路切換單元的開關(guān)68 ；還設(shè)置有作為第四電容性負(fù)載的電容器70 ；還設(shè)置有作為第二電阻元件的電阻元件66 ；還設(shè)置有作為第四電阻元件的電阻元件72 ；還設(shè)置有作為第二短路、非短路切換單元的開關(guān)74。電容器64的一個(gè)電極與PMOS晶體管106的柵極端子連接、另一個(gè)電極與PMOS晶體管106的源極端子連接，以使與電容器M并聯(lián)連接。電阻元件66與串聯(lián)元件部20串聯(lián)連接。具體地說(shuō)，電阻元件66的一端與PMOS 晶體管106的柵極端子連接、另一端與串聯(lián)元件部20的一端20C連接。開關(guān)68具有第一端子、第二端子以及控制端子，通過(guò)切換導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為導(dǎo)通狀態(tài))和非導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài))，由此，將電阻元件66的兩端之間切換為短路狀態(tài)和非短路狀態(tài)。開關(guān)68的第一端子與串聯(lián)元件部20的一端20C連接、開關(guān)68的第二端子與PMOS晶體管106的柵極端子連接、開關(guān) 68的控制端子經(jīng)由I/O 18與控制部16連接。因此，控制部16能夠經(jīng)由I/O 18對(duì)開關(guān)68 的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行切換。電容器70的一個(gè)電極與NMOS晶體管110的柵極端子連接、另一個(gè)電極與NMOS晶體管Iio的源極端子連接，使得與電容器56并聯(lián)連接。電阻元件72與串聯(lián)元件部30串聯(lián)連接。具體地說(shuō)，電阻元件72的一端與NMOS 晶體管110的柵極端子連接、另一端與串聯(lián)元件部30的一端30C連接。開關(guān)74具有第一端子、第二端子以及控制端子，通過(guò)切換導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為導(dǎo)通狀態(tài))和非導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài))，由此，將電阻元件72的兩端之間切換為短路狀態(tài)和非短路狀態(tài)。開關(guān)74的第一端子與串聯(lián)元件部30的一端30C連接，開關(guān)74的第二端子與NMOS晶體管110的柵極端子連接，開關(guān) 74的控制端子經(jīng)由I/O 18與控制部16連接。因此，控制部16能夠經(jīng)由I/O 18對(duì)開關(guān)74 的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行切換。接著，參照?qǐng)D6對(duì)執(zhí)行功率降低處理的放大器60的作用進(jìn)行說(shuō)明。并且，圖6是表示放大器60的電源(省略圖示)被接通時(shí)由控制部16執(zhí)行的功率降低處理程序的處理的流程的流程圖。對(duì)與圖4所示的功率降低處理程序的步驟相同的步驟標(biāo)注相同的步驟編號(hào)并省略說(shuō)明。另外，此處為了避免復(fù)雜的情況，對(duì)如下情況進(jìn)行說(shuō)明在上述步驟200的處理中，當(dāng)流過(guò)輸出端子114的電流值為第一電流值以上時(shí)，檢測(cè)過(guò)電流，將在圖5所示的放大器50的電路結(jié)構(gòu)中預(yù)先決定為閂鎖的對(duì)策不充分的過(guò)電流的電流值(至少比第一電流值大的電流值)作為第二電流值。在該圖的步驟300中，在成為否定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟302B。在步驟302B 中，進(jìn)行本第四實(shí)施方式的第一異常功率降低控制后，結(jié)束本功率降低處理程序。在本步驟 302B中，具體地說(shuō)，對(duì)各個(gè)非導(dǎo)通狀態(tài)的PMOS晶體管20A、22以及NMOS晶體管30A、32之中的PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A的各柵極端子施加對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電壓，并且，對(duì)開關(guān) 68,74進(jìn)行控制，使得開關(guān)68、74成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且，還對(duì)開關(guān)84進(jìn)行控制，使得開關(guān)53、 陽(yáng)成為非導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)上述步驟302的處理，PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A成為導(dǎo)通狀態(tài)。 另外，開關(guān)68、74也成為導(dǎo)通狀態(tài)，電阻元件66的兩端之間以及電阻元件72的兩端之間分別成為短路狀態(tài)。由此，PMOS晶體管106的柵極端子在電容器64被充電的同時(shí)經(jīng)由電阻元件20B、PMOS晶體管20A以及開關(guān)68被上拉，NMOS晶體管110的柵極端子在電容器70被充電的同時(shí)經(jīng)由電阻元件30B、NMOS晶體管30A以及開關(guān)74被下拉。因此，與在上述第三實(shí)施方式中說(shuō)明了的圖5所示的放大器50的PMOS晶體管106 的柵極端子根據(jù)上述步驟302的處理而被上拉的情況相比，利用上述步驟302B的處理， PMOS晶體管106的柵極端子被緩慢地上拉，并且，與在上述第三實(shí)施方式中說(shuō)明了的圖5所示的放大器50的NMOS晶體管110的柵極端子根據(jù)上述步驟302的處理而被下拉的情況相比，NMOS晶體管110的柵極端子被緩慢地下拉。即，在放大器60中，在過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值時(shí)的功率降低時(shí)，電容器64、70被充電，所以，根據(jù)電阻元件20B 以及電容器64的時(shí)間常數(shù)、電阻元件30B以及電容器70的時(shí)間常數(shù)，與在上述第三實(shí)施方式中說(shuō)明了的放大器50中流動(dòng)的過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值時(shí)相比，能夠使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)平緩地(緩慢地)轉(zhuǎn)移。另一方面，在步驟300中，在成為肯定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟304B。在步驟 304B中，進(jìn)行本第四實(shí)施方式的第二異常功率降低控制后，結(jié)束本功率降低處理程序。在本步驟304B中，具體地說(shuō)，對(duì)各個(gè)非導(dǎo)通狀態(tài)的PMOS晶體管20A、22以及NMOS晶體管30B、32 之中的PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A的各柵極端子施加對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電壓，對(duì)開關(guān) 68,74進(jìn)行控制，以使開關(guān)68、74成為非導(dǎo)通狀態(tài)，并且，對(duì)開關(guān)53、55進(jìn)行控制，以使開關(guān) 53、55成為導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)上述步驟304B的處理，PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A成為導(dǎo)通狀態(tài)。 另外，開關(guān)53、55也成為導(dǎo)通狀態(tài)。并且，開關(guān)68、74成為非導(dǎo)通狀態(tài)，電阻元件66的兩端之間以及電阻元件72的兩端之間分別成為非短路狀態(tài)。由此，PMOS晶體管106的柵極端子在電容器討、64被充電的同時(shí)經(jīng)由電阻元件20B、PMOS晶體管20A以及電阻元件66被上拉，并且，NMOS晶體管110的柵極端子在電容器56、70被充電的同時(shí)經(jīng)由電阻元件30B、 NMOS晶體管30A以及電阻元件72被下拉。因此，與利用上述步驟302B的處理使PMOS晶體管106的柵極端子被上拉的情況相比，利用上述步驟304B的處理，PMOS晶體管106的柵極端子被緩慢地上拉。另外，與利用上述步驟302B的處理使NMOS晶體管110的柵極端子被下拉的情況相比，利用上述步驟304B的處理，NMOS晶體管110的柵極端子被緩慢地下拉。即，在放大器60中，在過(guò)電流為第二電流值以上時(shí)的功率降低時(shí)，電容器M、56、64、70被充電，所以，利用電阻元件20B以及電容器M、64的時(shí)間常數(shù)和電阻元件30B以及電容器56、70的時(shí)間常數(shù)，與上述步驟302B 的處理的情況相比，能夠使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)平緩地(緩慢地)轉(zhuǎn)移。另外，在本第四實(shí)施方式中，利用上述步驟302B的處理，使開關(guān)53、55為非導(dǎo)通狀態(tài)，但是并不限于此，也可以為導(dǎo)通狀態(tài)。在該情況下，電容器M、56被充電，所以，與使開關(guān)53、55為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況相比，能夠使PMOS晶體管106的上拉所需要的時(shí)間以及NMOS 晶體管110的下拉所需要的時(shí)間延遲。因此，能夠根據(jù)放大器60的使用環(huán)境或PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的導(dǎo)通電阻的大小等區(qū)分使用使開關(guān)53、55為導(dǎo)通狀態(tài)或?yàn)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。另外，在本第四實(shí)施方式中，利用上述步驟302B的處理，使開關(guān)68、74為導(dǎo)通狀態(tài)，利用上述步驟304B的處理，使開關(guān)68、74為非導(dǎo)通狀態(tài)，但不限于此，也可以使開關(guān)68、 74始終為導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，在本第四實(shí)施方式中，在過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值的情況下以及過(guò)電流為第二電流值以上的情況下，使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移時(shí)間不同，但不限于此，例如，在過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值的情況下、過(guò)電流為第二電流值以上且小于第三電流值的情況下、過(guò)電流為第三電流值以上的情況下，也可以使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移時(shí)間不同也可以。在該情況下，利用控制部16進(jìn)行如下控制即可 例如，在過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值的情況下，使開關(guān)53、55為非導(dǎo)通狀態(tài)，使開關(guān)68、74為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流為第二電流值以上且小于第三電流值的情況下，使開關(guān)53、55為導(dǎo)通狀態(tài)，使開關(guān)68、74為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流為第三電流值以上的情況下， 使開關(guān)53、55為導(dǎo)通狀態(tài)，使開關(guān)68、74為非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，在本第四實(shí)施方式中，舉出應(yīng)用PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明即使不采用PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32也成立。 在該情況下，在本第四實(shí)施方式的功率降低處理程序的上述步驟204的處理中，不需要對(duì) PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32的各柵極端子施加導(dǎo)通電壓，所以，也能夠減輕控制部 16的處理負(fù)荷。并且，在該情況下，即使沒(méi)有開關(guān)53、55，本發(fā)明也成立，但是，在使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的開關(guān)的響應(yīng)速度根據(jù)電流的大小多階段地變化的情況下， 優(yōu)選采用開關(guān)53、55。例如，舉出如下例子在正常時(shí)進(jìn)行功率降低的情況下，使開關(guān)53為非導(dǎo)通狀態(tài)，在產(chǎn)生過(guò)電流時(shí)，使開關(guān)53為導(dǎo)通狀態(tài)。[第五實(shí)施方式]
圖8是表示本第五實(shí)施方式的放大器80的結(jié)構(gòu)的一例的結(jié)構(gòu)圖。并且，本第五實(shí)施方式的放大器80與圖7所示的放大器60相比，僅在使用輸出級(jí)82來(lái)代替輸出級(jí)62這一點(diǎn)上不同，所以，在本第五實(shí)施方式中，僅對(duì)與上述第四實(shí)施方式不同之處進(jìn)行說(shuō)明。另外，在本第五實(shí)施方式中，對(duì)上述第四實(shí)施方式中說(shuō)明了的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說(shuō)明。輸出級(jí)82與圖7所示的輸出級(jí)62相比，僅在以下方面不同電容器64的一個(gè)電極不與PMOS晶體管的柵極端子直接連接；電容器70的一個(gè)電極不與NMOS晶體管110的柵極端子直接連接；還設(shè)置有作為第二可否充電切換單元的開關(guān)84 ；還設(shè)置有作為第四可否充電切換單元的開關(guān)86。開關(guān)84具有第一端子、第二端子以及控制端子，通過(guò)切換導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為導(dǎo)通狀態(tài))和非導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài))，由此，將電容器64切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)。開關(guān)84的第一端子與電容器64的一個(gè)電極連接、開關(guān)84的第二端子與PMOS晶體管106的柵極端子連接。開關(guān)84的控制端子經(jīng)由I/O 18與控制部16連接。因此，控制部16能夠經(jīng)由I/O 18對(duì)開關(guān)84的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行切換。開關(guān)86具有第一端子、第二端子以及控制端子，通過(guò)切換導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為導(dǎo)通狀態(tài))和非導(dǎo)通狀態(tài)(第一端子和第二端子之間為非導(dǎo)通狀態(tài))，由此，將電容器70切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)。開關(guān)86的第一端子與電容器70的一個(gè)電極連接、開關(guān)86的第二端子與NMOS晶體管110的柵極端子連接。開關(guān)86的控制端子經(jīng)由I/O 18與控制部16連接。因此，控制部16能夠經(jīng)由I/O 18對(duì)開關(guān)86的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行切換。接著，參照?qǐng)D6對(duì)執(zhí)行功率降低處理的放大器80的作用進(jìn)行說(shuō)明。并且，圖6是表示放大器80的電源(省略圖示)被接通時(shí)由控制部16執(zhí)行的功率降低處理程序的處理的流程表的流程圖。并且，在本第五實(shí)施方式的功率降低處理程序中，對(duì)與上述第三實(shí)施方式相同的步驟標(biāo)注相同的步驟編號(hào)并省略說(shuō)明。在該圖的步驟300中，在成為否定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟302C。在步驟302C 中，進(jìn)行本第五實(shí)施方式的第一異常功率降低控制后，結(jié)束本功率降低處理程序。在本步驟 302C中，具體地說(shuō)，對(duì)各個(gè)非導(dǎo)通狀態(tài)的PMOS晶體管20A、22以及NMOS晶體管30B、32之中的PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A的各柵極端子施加對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電壓，并且，對(duì)開關(guān) 68,74進(jìn)行控制，以使開關(guān)68、74為導(dǎo)通狀態(tài)，并且，對(duì)開關(guān)53、55、84、86進(jìn)行控制，以使開關(guān)53、55、84、86為非導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)上述步驟302C的處理，PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A成為導(dǎo)通狀態(tài)。 另外，開關(guān)68、74也成為導(dǎo)通狀態(tài)，電阻元件66的兩端之間以及電阻元件72的兩端之間分別成為短路狀態(tài)。并且，開關(guān)53、55、84、86成為非導(dǎo)通狀態(tài)。由此，PMOS晶體管106的柵極端子經(jīng)由電阻元件20B、PM0S晶體管20A以及開關(guān)68被上拉，NMOS晶體管110的柵極端子經(jīng)由電阻元件30B、NMOS晶體管30A以及開關(guān)74被下拉。另一方面，在步驟300中，在成為肯定判定的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟304C。在步驟 304C中，進(jìn)行本第五實(shí)施方式的第二異常功率降低控制后，結(jié)束本功率降低處理程序。在本步驟304C中，具體地說(shuō)，對(duì)各個(gè)非導(dǎo)通狀態(tài)的PMOS晶體管20A、22以及NMOS晶體管30A、 32之中的PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A的各柵極端子施加對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電壓，并且， 對(duì)開關(guān)68、74進(jìn)行控制，以使開關(guān)68、74為非導(dǎo)通狀態(tài)，并且，對(duì)開關(guān)53、55、84、86進(jìn)行控制，以使開關(guān)53、55、84、86為導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)上述步驟304C的處理，PMOS晶體管20A以及NMOS晶體管30A成為導(dǎo)通狀態(tài)。 另外，開關(guān)53、55、84、86也成為導(dǎo)通狀態(tài)。并且，開關(guān)68、74成為非導(dǎo)通狀態(tài)，電阻元件66 的兩端之間以及電阻元件72的兩端之間分別成為非短路狀態(tài)。由此，PMOS晶體管106的柵極端子在電容器討、64被充電的同時(shí)經(jīng)由電阻元件20B、PMOS晶體管20A以及電阻元件 66被上拉，并且，NMOS晶體管110的柵極端子在電容器56、70被充電的同時(shí)經(jīng)由電阻元件 30B.NM0S晶體管30A以及電阻元件72被下拉。因此，與利用上述步驟302C的處理使PMOS晶體管106的柵極端子被上拉的情況相比，利用上述步驟304C的處理，PMOS晶體管106的柵極端子被緩慢地上拉。另外，與利用上述步驟302C的處理使NMOS晶體管110的柵極端子被下拉的情況相比，利用上述步驟 304C的處理，NMOS晶體管110的柵極端子被緩慢地下拉。另外，在放大器80中，利用第一異常功率降低控制，電容器M、56、64、70成為不可充電狀態(tài)，所以，與不具有開關(guān)84、86的上述第四實(shí)施方式中說(shuō)明了的放大器60相比，能夠縮短PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的上拉以及下拉所需要的時(shí)間。另一方面，利用第二異常功率降低控制，電容器64、70成為可充電狀態(tài)，所以，能夠在與不具有開關(guān)84、 86的上述第四實(shí)施方式中所說(shuō)明的放大器60中需要的PMOS晶體管106以及NMOS晶體管 110的上拉以及下拉的時(shí)間相當(dāng)?shù)臅r(shí)間內(nèi)，進(jìn)行PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的上拉以及下拉。并且，在本第五實(shí)施方式中，利用第一異常功率降低控制，使電容器64、70為不可充電狀態(tài)，但是，在以與上述第四實(shí)施方式相同的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行PMOS晶體管106的上拉以及NMOS晶體管110的下拉的情況下，使開關(guān)84、86始終為非導(dǎo)通狀態(tài)即可。另外，在本第五實(shí)施方式中，在過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值的情況下以及過(guò)電流為第二電流值以上的情況下，使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移時(shí)間不同，但是不限于此，例如，在過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值的情況下、過(guò)電流為第二電流值以上且小于第三電流值的情況下、過(guò)電流為第三電流值以上且小于第四電流值的情況下、以及過(guò)電流為第四電流值以上的情況下，使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的從導(dǎo)通狀態(tài)向非導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移時(shí)間不同也可以。具體地說(shuō)，利用控制部16以如下方式進(jìn)行控制即可在過(guò)電流為第一電流值以上且小于第二電流值的情況下，使開關(guān)53、55、84、86為非導(dǎo)通狀態(tài)，使開關(guān)68、74為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流為第二電流值以上且小于第三電流值的情況下，使開關(guān)53、55為導(dǎo)通狀態(tài)，使開關(guān)84、86為非導(dǎo)通狀態(tài)并且使開關(guān)68、74為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流為第三電流值以上且小于第四電流值的情況下，使開關(guān)53、55、84、86為導(dǎo)通狀態(tài)，使開關(guān)68、74為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流為第四電流值以上的情況下，使開關(guān)53、55、68、74、84、86為導(dǎo)通狀態(tài)。在該情況下，能夠以一種半導(dǎo)體集成電路選擇適于該使用環(huán)境的充電時(shí)間或者適于過(guò)電流的大小的充電時(shí)間。這樣，對(duì)各開關(guān)進(jìn)行控制，使得與過(guò)電流的大小的增加對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的電容增加，由此，能夠使PMOS晶體管106以及匪OS晶體管110的上拉以及下拉所需要的時(shí)間多階段地延遲。另外，在本第五實(shí)施方式中，舉出了利用并聯(lián)連接的電容器M、64將PMOS晶體管 106的柵極端子與源極端子之間連接、并且利用并聯(lián)連接的電容器56、70將NMOS晶體管 110的柵極端子和源極端子之間連接的情況下的方式例，但是，用三個(gè)以上的并聯(lián)連接的電容器將PMOS晶體管106的柵極端子和源極端子之間連接、并且用三個(gè)以上的并聯(lián)連接的電容器將NMOS晶體管110的柵極端子和源極端子之間連接也可以。在該情況下，為了對(duì)電容器64設(shè)置開關(guān)84、對(duì)電容器70設(shè)置開關(guān)86，對(duì)各個(gè)電容器設(shè)置能夠切換可充電狀態(tài)和
31不可充電狀態(tài)的開關(guān)，即，設(shè)置能夠利用控制部16進(jìn)行導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)的切換的開關(guān)，由此，能夠使PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的上拉以及下拉所需要的時(shí)間多階段地延遲，這是優(yōu)選的。另外，在本第五實(shí)施方式中，舉出應(yīng)用了 PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但是，本發(fā)明不采用PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32也成立。在該情況下，在本第五實(shí)施方式的功率降低處理程序的上述步驟204的處理中，不需要對(duì)PMOS晶體管22以及NMOS晶體管32的各柵極端子施加導(dǎo)通電壓，所以，能夠減輕控制部 16的處理負(fù)荷。并且，在該情況下，即使沒(méi)有開關(guān)53、55、84、86，本發(fā)明也成立，但是，在根據(jù)電流的大小來(lái)多階段地改變PMOS晶體管106以及NMOS晶體管110的開關(guān)的響應(yīng)速度的情況下，優(yōu)選采用開關(guān)53、55、84、86。例如，舉出了如下例子在正常時(shí)進(jìn)行功率降低的情況下，使開關(guān)53、55、84、86為非導(dǎo)通狀態(tài)，在產(chǎn)生過(guò)電流時(shí)，使開關(guān)53、55、84、86為導(dǎo)通狀態(tài)。并且，在上述各實(shí)施方式中，控制部16對(duì)電流計(jì)14的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行監(jiān)視，基于該測(cè)量結(jié)果，判斷為流過(guò)過(guò)電流時(shí)，以切換各MOS晶體管(PM0S晶體管20A、22以及NMOS晶體管30A、32)以及各開關(guān)(開關(guān)68、64、74、86)的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，但不限于此，用戶也可以對(duì)電流計(jì)14的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行監(jiān)視，在識(shí)別為產(chǎn)生了過(guò)電流時(shí)，經(jīng)由控制部16或經(jīng)由其他的開關(guān)電路，對(duì)各MOS晶體管以及各開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行切換。另外，在上述第二 第五實(shí)施方式中，為了避免復(fù)雜的情況，對(duì)以IC以外對(duì)放大器10、50、60、80進(jìn)行控制的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限定于此，例如，也可以應(yīng)用圖11所示的放大器10A。在該情況下，放大器IOA與圖3所示的放大器10相比，僅在以下方面不同控制部16以及I/O 18搭載在不同的IC上；在與I/O 18之間設(shè)置有I/O 18’。 即，放大器IOA經(jīng)由I/O 18’與搭載在另外的IC上的控制部16以及I/O 18連接。另外，作為其他例子，舉出了圖12所示的放大器10B。在該情況下，放大器IOB由與控制部16相同的IC構(gòu)成，與圖3所示的放大器10相比，僅在除去1/018這一點(diǎn)上不同。另外，在上述各實(shí)施方式中，對(duì)在輸出端子114上連接了具有500nH的電感成分的線圈116的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，例如可以是具有與線圈116同等的寄生電感成分的半導(dǎo)體裝置或揚(yáng)聲器所連接的電纜、或具有電感成分的電感部中的任意一種，該電感部由于放大器中流過(guò)的過(guò)電流瞬間地切斷而產(chǎn)生的電磁感應(yīng)現(xiàn)象引起的浪涌電流，引起PMOS 晶體管106以及NMOS晶體管110的閂鎖。另外，在上述各實(shí)施方式中，利用電阻元件進(jìn)行作為被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的PMOS 晶體管106的上拉以及NMOS晶體管110的下拉，但是，利用MOS晶體管的導(dǎo)通電阻來(lái)代替電阻元件也可以。另外，在上述各實(shí)施方式中，舉例以將本發(fā)明應(yīng)用在與揚(yáng)聲器連接的放大器中的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，也可以在調(diào)節(jié)器電路中使用本發(fā)明，對(duì)于本發(fā)明來(lái)說(shuō)， 若是阻止由于負(fù)浪涌電流的產(chǎn)生所導(dǎo)致產(chǎn)生的閂鎖的具有成為保護(hù)對(duì)象的開關(guān)元件的電路，則對(duì)于任何電路都能夠應(yīng)用。另外，在上述各實(shí)施方式中，舉出使用了 MOS晶體管的情況下的方式例進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，也可以使用雙極型晶體管。在該情況下，應(yīng)用雙極型晶體管來(lái)代替MOS晶體管，使得雙極型晶體管的集電極端子與MOS晶體管的漏極對(duì)應(yīng)、雙極型晶體管的發(fā)射極端子與MOS晶體管的源極端子對(duì)應(yīng)、雙極型晶體管的基極端子與MOS晶體管的柵極端子對(duì)應(yīng)。 另外，在上述各實(shí)施方式中，功率降低處理程序被預(yù)先存儲(chǔ)在ROM中，但是并不限于此，可以應(yīng)用在將功率降低處理程序存儲(chǔ)在利用⑶-ROM或DVD-ROM、USB (Universal Serial Bus)存儲(chǔ)器等的能夠由計(jì)算機(jī)讀取的儲(chǔ)存介質(zhì)的狀態(tài)下進(jìn)行提供的方式，也可以應(yīng)用經(jīng)由有線或者無(wú)線的通信手段進(jìn)行信息配送的方式。
權(quán)利要求
1.一種保護(hù)裝置，具有串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)連接的電阻元件而構(gòu)成，并且，一端與被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的控制端子連接，另一端與第一電壓線連接，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與施加了與該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線以及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子，當(dāng)在該控制端子上施加了截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子與所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有的預(yù)定電容值的電容；控制單元，進(jìn)行控制，使得在使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第一開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)裝置，其中，將所述串聯(lián)元件部的一端經(jīng)由第二電阻元件連接到所述控制端子。
3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)裝置，其中，還包括短路、非短路切換單元，能夠切換為使所述第二電阻元件的兩端之間短路的短路狀態(tài)和不使該兩端之間短路的非短路狀態(tài)，所述控制單元在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以第一電流值以上且小于第二電流值的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第二電阻元件的兩端之間成為短路狀態(tài)的方式對(duì)所述短路、非短路切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)電流狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第二電阻元件的兩端之間成為非短路狀態(tài)的方式對(duì)所述短路、非短路切換單元進(jìn)行控制。
4.如權(quán)利要求1 權(quán)利要求3的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置，其中，還包括可否充電切換單元，在使所述電容為電容性負(fù)載的情況下，能夠?qū)⒃撾娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于第二電流值的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述可否充電切換單元進(jìn)行控制，以使所述電容性負(fù)載成為不可充電狀態(tài)，在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述可否充電切換單元進(jìn)行控制，以使所述電容性負(fù)載成為可充電狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求1 權(quán)利要求4的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置，其中，還包括至少一個(gè)與所述電容并聯(lián)連接的第二電容性負(fù)載。
6.如權(quán)利要求5所述的保護(hù)裝置，其中，還包括第二可否充電切換單元，對(duì)所述第二電容性負(fù)載的至少一個(gè)設(shè)置，并且，能夠?qū)⒃摰诙娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第二可否充電切換單元進(jìn)行控制，使得與該電流的大小的增加相對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的所述第二電容性負(fù)載增加。
7.如權(quán)利要求1 權(quán)利要求6的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置，其中，使所述第一開關(guān)元件為將柵極電容C為100pF<C<300pF作為前提的輸出用晶體管，在使該輸出用晶體管的驅(qū)動(dòng)能力為Xum的情況下，在用于進(jìn)行控制以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的功率降低信號(hào)的信號(hào)路徑中插入了滿足Xum<RC<(60000/X)um的電阻。
8.一種保護(hù)裝置，包括串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)元件以及與該第一開關(guān)元件串聯(lián)連接的電阻元件而構(gòu)成，所述第一開關(guān)元件側(cè)的一端連接到被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的控制端子上，所述電阻元件側(cè)的另一端連接到第一電壓線上，該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與施加了第一電壓的所述第一電壓線連接的第一端子、與施加了與該第一電壓不同的第二電壓的第二電壓線以及具有電感成分的電感部連接的第二端子、以及控制端子，當(dāng)對(duì)該控制端子施加截止電壓時(shí)，使在正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述第一端子和所述第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；一端與所述第一開關(guān)元件以及所述電阻元件的連接部連接且另一端與所述第一電壓線連接、并且正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)元件；控制單元，在過(guò)電流不流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件以及所述第二開關(guān)元件分別成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。
9.如權(quán)利要求8所述的保護(hù)裝置，其中，使所述串聯(lián)元件部的一端經(jīng)由第二電阻元件連接到所述控制端子。
10.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)裝置，其中，還包括短路、非短路切換單元，能夠切換為使所述第二電阻元件的兩端之間短路的短路狀態(tài)和不使該兩端之間短路的非短路狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以第一電流值以上且小于第二電流值的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下， 以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第二電阻元件的兩端之間成為短路狀態(tài)的方式對(duì)所述短路、非短路切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第二電阻元件的兩端之間成為非短路狀態(tài)的方式對(duì)所述短路、非短路切換單元進(jìn)行控制。
11.如權(quán)利要求8 權(quán)利要求10的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置，其中，還包括所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件所具有的預(yù)定電容值的電容。
12.如權(quán)利要求11所述的保護(hù)裝置，其中，還包括可否充電切換單元，在使所述電容作為電容性負(fù)載的情況下，能夠?qū)⒃撾娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于第二電流值的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述電容性負(fù)載成為不可充電狀態(tài)的方式對(duì)所述可否充電切換單元進(jìn)行控制， 在對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述電容性負(fù)載成為可充電狀態(tài)的方式對(duì)所述可否充電切換單元進(jìn)行控制。
13.如權(quán)利要求11或者權(quán)利要求12所述的保護(hù)裝置，其中，還包括至少一個(gè)與所述電容并聯(lián)連接的第二電容性負(fù)載。
14.如權(quán)利要求13所述的保護(hù)裝置，其中，還包括第二可否充電切換單元，對(duì)所述第二電容性負(fù)載的至少一個(gè)設(shè)置，能夠?qū)⒃摰诙娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第二可否充電切換單元進(jìn)行控制，使得與該過(guò)電流的大小的增加對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的所述第二電容性負(fù)載增加。
15.一種互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1 權(quán)利要求7的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置；第二串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)元件以及與該第三開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三電阻元件而構(gòu)成，一端連接到第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的對(duì)應(yīng)控制端子并且另一端連接到所述第二電壓線，該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與所述第一端子對(duì)應(yīng)且與所述第二電壓線連接的對(duì)應(yīng)第一端子、與所述第二端子對(duì)應(yīng)且與該第二端子連接的對(duì)應(yīng)第二端子以及與所述控制端子對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)控制端子，當(dāng)對(duì)該對(duì)應(yīng)控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；以及所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件所具有的預(yù)定電容值的第二電容，所述控制單元進(jìn)一步在使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。
16.如權(quán)利要求15所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，將所述第二串聯(lián)元件部的一端經(jīng)由所述第四電阻元件連接到所述對(duì)應(yīng)控制端子。
17.如權(quán)利要求16所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，還包括第二短路、非短路切換單元，能夠切換為使所述第四電阻元件的兩端之間短路的短路狀態(tài)和不使該兩端之間短路的非短路狀態(tài)，所述控制單元在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于所述第二電流值的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的所述對(duì)應(yīng)第一端子與所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第四電阻元件成為短路狀態(tài)的方式對(duì)所述第二短路、 非短路切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第四電阻元件成為非短路狀態(tài)的方式對(duì)所述第二短路、非短路切換單元進(jìn)行控制。
18.如權(quán)利要求15 權(quán)利要求17的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，還包括第三可否充電切換單元，在使所述第二電容為第三電容性負(fù)載的情況下，能夠?qū)⒃摰谌娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于所述第二電流值的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三電容性負(fù)載成為不可充電狀態(tài)的方式對(duì)所述第三可否充電切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三電容性負(fù)載成為可充電狀態(tài)的方式對(duì)所述第三可否充電切換單元進(jìn)行控制。
19.如權(quán)利要求15 權(quán)利要求18的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中， 還包括至少一個(gè)與所述第二電容并聯(lián)連接的第四電容性負(fù)載。
20.如權(quán)利要求19所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，還包括第四可否充電切換單元，對(duì)所述第四電容性負(fù)載的至少一個(gè)設(shè)置，能夠?qū)⒃摰谒碾娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件流過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第四可否充電切換單元進(jìn)行控制，使得與該電流的大小的增加對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的所述第四電容性負(fù)載增加。
21.如權(quán)利要求15 權(quán)利要求20的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中， 使所述第三開關(guān)元件為將柵極電容C為100pF<C<300pF作為前提的輸出用晶體管， 在使該輸出用晶體管的驅(qū)動(dòng)能力為Xum的情況下，在用于進(jìn)行控制以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的功率降低信號(hào)的信號(hào)路徑上插入滿足Xum<RC<(60000/X)um的電阻。
22.—種互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8 權(quán)利要求14的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置；第二串聯(lián)元件部，包括正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)元件以及與該第三開關(guān)元件串聯(lián)連接的第三電阻元件而構(gòu)成，并且，所述第三開關(guān)元件側(cè)的一端連接到第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的對(duì)應(yīng)控制端子，所述第三電阻元件側(cè)的另一端連接到所述第二電壓線，該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有與所述第一端子對(duì)應(yīng)且與所述第二電壓線連接的對(duì)應(yīng)第一端子、與所述第二端子對(duì)應(yīng)且與該第二端子連接的對(duì)應(yīng)第二端子以及與所述控制端子對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)控制端子，當(dāng)對(duì)該對(duì)應(yīng)控制端子施加截止電壓時(shí)，使正常時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)；以及一端連接到所述第三開關(guān)元件與所述第三電阻元件的連接部并且另一端與所述第二電壓線連接、并且正常時(shí)非導(dǎo)通狀態(tài)的第四開關(guān)元件，所述控制單元進(jìn)一步在過(guò)電流不流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以分別使所述第三開關(guān)元件以及所述第四開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。
23.如權(quán)利要求22所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，將所述第二串聯(lián)元件部的一端經(jīng)由所述第四電阻元件連接到所述對(duì)應(yīng)控制端子。
24.如權(quán)利要求23所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，還包括第二短路、非短路切換單元，能夠切換為使所述第四電阻元件的兩端之間短路的短路狀態(tài)和不使該兩端之間短路的非短路狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于所述第二電流值的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的所述對(duì)應(yīng)第一端子和所述對(duì)應(yīng)第二端子之間成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第四電阻元件成為短路狀態(tài)的方式對(duì)所述第二短路、非短路切換單元進(jìn)行控制，在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，并且，以使所述第四電阻元件成為非短路狀態(tài)的方式對(duì)所述第二短路、非短路切換單元進(jìn)行控制。
25.如權(quán)利要求22 權(quán)利要求M的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，還包括所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件具有的預(yù)定電容值的第二電容。
26.如權(quán)利要求25所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，還包括第三可否充電切換單元，在使所述第二電容為第三電容性負(fù)載的情況下，能夠?qū)⒃摰谌娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第一電流值以上且小于所述第二電流值的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第三可否充電切換單元進(jìn)行控制，以使所述第三電容性負(fù)載成為不可充電狀態(tài)，在對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件以所述第二電流值以上的電流值流過(guò)過(guò)電流的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第三可否充電切換單元進(jìn)行控制，以使所述第三電容性負(fù)載成為可充電狀態(tài)。
27.如權(quán)利要求25或者權(quán)利要求沈所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，還包括至少一個(gè)與所述第二電容并聯(lián)連接的第四電容性負(fù)載。
28.如權(quán)利要求27所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，還包括第四可否充電切換單元，對(duì)所述第四電容性負(fù)載的至少一個(gè)設(shè)置，能夠?qū)⒃摰谒碾娙菪载?fù)載切換為可充電狀態(tài)和不可充電狀態(tài)，所述控制單元進(jìn)一步在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，對(duì)所述第四可否充電切換單元進(jìn)行控制，使得與該過(guò)電流的大小的增加對(duì)應(yīng)地使可充電狀態(tài)的所述第四電容性負(fù)載增加。
29.如權(quán)利要求22 權(quán)利要求28的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置，其中，使構(gòu)成由所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件、所述第一開關(guān)元件以及所述第二開關(guān)元件構(gòu)成的開關(guān)元件組、由所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件、所述第三開關(guān)元件以及所述第四開關(guān)元件構(gòu)成的開關(guān)元件組中的一方的開關(guān)元件組的各開關(guān)元件為N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，使構(gòu)成另一方的開關(guān)元件組的各開關(guān)元件為P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
30.一種信號(hào)輸出裝置，包括權(quán)利要求15 四的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置；電壓施加單元，對(duì)所述控制端子施加用于對(duì)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電壓，并且，對(duì)所述對(duì)應(yīng)控制端子施加用于對(duì)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電壓；以及信號(hào)輸出單元，經(jīng)由所述電感部輸出與所述電壓施加單元所施加的電壓對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
31.一種權(quán)利要求8 權(quán)利要求14的任意一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置的閂鎖阻止方法，其中， 在過(guò)電流不流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，分別使所述第一開關(guān)元件以及所述第二開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流流過(guò)所述被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第一開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且，使所述第二開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)。
32.—種權(quán)利要求22 權(quán)利要求30的任意一項(xiàng)所述的互補(bǔ)型保護(hù)裝置的閂鎖阻止方法，其中，在過(guò)電流不流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使該第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，分別使所述第三開關(guān)元件以及所述第四開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，在過(guò)電流流過(guò)所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件的狀態(tài)下使所述第二被保護(hù)對(duì)象開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，使所述第三開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使所述第四開關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種保護(hù)裝置、互補(bǔ)型保護(hù)裝置、信號(hào)輸出裝置、閂鎖阻止方法以及程序，目的在于提供能夠阻止保護(hù)對(duì)象的開關(guān)元件的閂鎖的保護(hù)裝置、互補(bǔ)型保護(hù)裝置、信號(hào)輸出裝置以及程序。在過(guò)電流不流過(guò)PMOS晶體管(106)的狀態(tài)下使PMOS晶體管(106)成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使PMOS晶體管(20A)以及PMOS晶體管(22)分別成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制，在過(guò)電流流過(guò)PMOS晶體管(106)的狀態(tài)下使PMOS晶體管(106)成為非導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，以使PMOS晶體管(20A)成為導(dǎo)通狀態(tài)并且使PMOS晶體管(22)為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式進(jìn)行控制。
文檔編號(hào)H02H9/02GK102412794SQ20111028126
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者巖佐洋助, 甲斐敦浩, 黑木修 申請(qǐng)人:拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社