專(zhuān)利名稱(chēng)：低電容高速傳輸半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于固體放電管，具體涉及一種平面型固體放電管芯。
背景技術(shù)：
固體放電管又叫半導(dǎo)體放電管，是一種過(guò)壓保護(hù)器件，是利用晶閘管原理制成的，依靠PN結(jié)的擊穿電流觸發(fā)器件導(dǎo)通放電，可以流過(guò)很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍，構(gòu)成了過(guò)壓保護(hù)的范圍。固體放電管使用時(shí)可直接跨接在被保護(hù)電路兩端。但由于基區(qū)和發(fā)射區(qū)交界面承受較高反向電壓，加上制作工藝的限制，單個(gè)PN結(jié)的耐壓一般不超過(guò)400V ;而且容易漏電，長(zhǎng)時(shí)間使用后穩(wěn)定性下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，提供一種耐聞壓且反應(yīng)靈敏的低電容聞速傳輸半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件。本發(fā)明的技術(shù)方案是低電容高速傳輸半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，包括平面型固體放電管芯的硅片基底兩面、鏡像對(duì)稱(chēng)擴(kuò)散基區(qū)和發(fā)射區(qū)，其中在該平面型固體放電管芯兩表面的基區(qū)的四角處設(shè)有氧化區(qū)域。
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本半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件的表面覆有焊片，當(dāng)浪涌電流達(dá)到80A 100A以上、電壓達(dá)到4000V以上時(shí)，本器的熱量迅速`上升并超過(guò)焊料(焊片)熔點(diǎn)，焊料進(jìn)入氧化區(qū)域，這樣該電路可迅速保護(hù)通訊網(wǎng)絡(luò)及其他設(shè)備的電路。其反應(yīng)迅速，性能穩(wěn)定，長(zhǎng)期使用性能不下降。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。如圖1所示，本低電容高速傳輸半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件的主體結(jié)構(gòu)為平面型固體放電管，包括基底硅片3、鏡像對(duì)稱(chēng)擴(kuò)散基區(qū)2和發(fā)射區(qū)1，鏡像對(duì)稱(chēng)擴(kuò)散基區(qū)2分布在基底硅片3上下表面上，發(fā)射區(qū)I也呈鏡像對(duì)稱(chēng)設(shè)于對(duì)稱(chēng)擴(kuò)散基區(qū)2邊緣。在基底硅片3的四個(gè)角上設(shè)氧化區(qū)4，氧化區(qū)4的邊緣可與鏡像對(duì)稱(chēng)擴(kuò)散基區(qū)2相鄰，也可不可鄰。本半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件的表面覆有焊片，當(dāng)浪涌電流達(dá)到80A 100A以上、電壓達(dá)到4000V以上時(shí)，本器的熱量迅速上升并超過(guò)焊料(焊片)熔點(diǎn)，焊料進(jìn)入氧化區(qū)域，這樣該電路可迅速保護(hù)通訊網(wǎng)絡(luò)及其他設(shè)備的電路。
權(quán)利要求
1.一種低電容高速傳輸半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，包括平面型固體放電管芯的硅片基底兩面、鏡像對(duì)稱(chēng)擴(kuò)散基區(qū)和發(fā)射區(qū)，其特征在于在該平面型固體放電管芯兩表面的基區(qū)的四角處設(shè)有氧化區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種低電容高速傳輸半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，包括平面型固體放電管芯的硅片基底兩面、鏡像對(duì)稱(chēng)擴(kuò)散基區(qū)和發(fā)射區(qū)，其中在該平面型固體放電管芯兩表面的基區(qū)的四角處設(shè)有氧化區(qū)域。其反應(yīng)迅速，性能穩(wěn)定，長(zhǎng)期使用性能不下降。
文檔編號(hào)H02H9/02GK103035695SQ20111030227
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者史田元, 胡蛇慶 申請(qǐng)人:江蘇錦豐電子有限公司