專利名稱：并聯(lián)均流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高頻電力電子電路領(lǐng)域，尤其涉及一種并聯(lián)均流電路。
背景技術(shù)：
隨著在高頻電力電子電路中功率密度的提高，單個(gè)晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)或二極管越來越難以滿足電流應(yīng)力和散熱的需要，需要使用N(N > 2)個(gè)晶閘管和二極管并聯(lián)使用，而晶閘管和二極管都屬于負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體，不能直接并聯(lián)使用， 通常采用串聯(lián)電阻或者異名端耦合電感以使晶閘管和二極管并聯(lián)均流。采用串聯(lián)電阻的方式需要在電路中額外增加電阻，而采用串聯(lián)異名端耦合電感(耦合電感的同名端在異側(cè)) 的方式則無法實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)均流。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種并聯(lián)均流電路，無需在電路中額外增加電阻即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)均流。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種并聯(lián)均流電路，包括并聯(lián)的多個(gè)負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體；分別與所述多個(gè)負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體串聯(lián)的多個(gè)導(dǎo)電線圈；所述多個(gè)導(dǎo)電線圈長(zhǎng)度相同、匝數(shù)相同且以相同的方向纏繞在同一磁芯，形成同名端在同一側(cè)的耦合電感。穩(wěn)態(tài)下，當(dāng)某一支路中電流增大，根據(jù)楞次定律，耦合電感阻礙上述支路中電流的增大，相應(yīng)的，阻礙其他支路中電流的減小。由于上述多個(gè)導(dǎo)電線圈長(zhǎng)度相同、匝數(shù)相同，因此每個(gè)導(dǎo)電線圈的阻抗Z相同，且由于每個(gè)導(dǎo)電線圈以相同的方向纏繞在同一磁芯，形成同名端在同一側(cè)的耦合電感，因此每個(gè)導(dǎo)電線圈的電壓U也相同，根據(jù)電流I與電壓U和阻抗Z之間的關(guān)系，S卩I = U/Z，可知流過每條導(dǎo)電線圈的電流相同，即實(shí)現(xiàn)了多個(gè)二極管穩(wěn)態(tài)下的并聯(lián)均流，且不需要在電路中額外增加電阻。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例中一種二極管的并聯(lián)均流電路圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中一種晶閘管的并聯(lián)均流電路圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種并聯(lián)均流電路，包括并聯(lián)的多個(gè)負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體，本實(shí)施例中的負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體為二極管D ；分別與多個(gè)負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體即二極管D串聯(lián)的多個(gè)導(dǎo)電線圈；多個(gè)導(dǎo)電線圈長(zhǎng)度相同、匝數(shù)相同且以相同的方向纏繞在同一磁芯，形成同名端在同一側(cè)的耦合電感L。穩(wěn)態(tài)下，當(dāng)某一支路中電流增大，根據(jù)楞次定律，耦合電感阻礙上述支路中電流的增大，相應(yīng)的，阻礙其他支路中電流的減小，迫使所有支路的電流趨于相等。由于上述多個(gè)導(dǎo)電線圈長(zhǎng)度相同、匝數(shù)相同，因此每個(gè)導(dǎo)電線圈的阻抗Z相同，且由于每個(gè)導(dǎo)電線圈以相同的方向纏繞在同一磁芯，形成同名端在同一側(cè)的耦合電感，因此每個(gè)導(dǎo)電線圈的電壓U 也相同，不會(huì)因?yàn)橥嗽诋悅?cè)而造成自感電壓與互感電壓的相互抵消，根據(jù)電流I與電壓U和阻抗Z之間的關(guān)系，S卩I = U/Z，可知流過每條導(dǎo)電線圈的電流相同，即實(shí)現(xiàn)了多個(gè)二極管穩(wěn)態(tài)下的并聯(lián)均流。由于實(shí)際電路中通常就有電感，因此只需要將電路中已經(jīng)有的電感用于穩(wěn)態(tài)下的并聯(lián)均流，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不需要在電路中額外增加電阻。需要說明的是，圖1中僅以兩個(gè)二極管的并聯(lián)為例說明本發(fā)明實(shí)施例，兩個(gè)以上的二極管并聯(lián)的方式與此相同。進(jìn)一步地，負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體除可以為二極管D夕卜，還可以如圖2所示，為晶閘管 SCR。實(shí)現(xiàn)了多個(gè)晶閘管或二極管在穩(wěn)態(tài)下的并聯(lián)均流。由于實(shí)際電路中通常就有電感，因此只需要將電路中已經(jīng)有的電感用于本方案即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)下的并聯(lián)均流，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不需要在電路中額外增加電阻。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種并聯(lián)均流電路，其特征在于，包括 并聯(lián)的多個(gè)負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體；分別與所述多個(gè)負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體串聯(lián)的多個(gè)導(dǎo)電線圈；所述多個(gè)導(dǎo)電線圈長(zhǎng)度相同、匝數(shù)相同且以相同的方向纏繞在同一磁芯，形成同名端在同一側(cè)的耦合電感。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的并聯(lián)均流電路，其特征在于， 所述負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體為晶閘管或二極管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種并聯(lián)均流電路，涉及高頻電力電子電路領(lǐng)域，無需在電路中額外增加電阻即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)均流。該并聯(lián)均流電路包括并聯(lián)的多個(gè)負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體；分別與所述多個(gè)負(fù)溫度系數(shù)半導(dǎo)體串聯(lián)的多個(gè)導(dǎo)電線圈；所述多個(gè)導(dǎo)電線圈長(zhǎng)度相同、匝數(shù)相同且以相同的方向纏繞在同一磁芯，形成同名端在同一側(cè)的耦合電感。
文檔編號(hào)H02M1/06GK102497086SQ20111039017
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者章陶, 鄒相陽 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司