專利名稱：一種ac-dc芯片、系統(tǒng)及其高壓?jiǎn)?dòng)控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，尤其涉及一種AC-DC芯片、系統(tǒng)及其高壓?jiǎn)?dòng)控制電路。
背景技術(shù)：
在許多情況下，一般電力(如市電)需要經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換才能符合工業(yè)生產(chǎn)和生活使用的需要。為了達(dá)到將交流轉(zhuǎn)換成直流、高電壓變成低電壓等的轉(zhuǎn)換目的，手段是多種多樣的。廣義上講，凡是用半導(dǎo)體功率器件作為開(kāi)關(guān)，將一種電源形態(tài)轉(zhuǎn)換為另一形態(tài)的主電路都叫做開(kāi)關(guān)變換器電路；轉(zhuǎn)變時(shí)用自動(dòng)控制、閉環(huán)穩(wěn)定輸出并有保護(hù)電路的則稱為開(kāi)關(guān)電源。一般而言，AC-DC變換包括整流及離線式變換，市電AC輸入經(jīng)過(guò)整流以后變成一個(gè)直流高壓，再經(jīng)過(guò)DC-DC變換就得到可用的低壓直流電。之所以稱為離線是因?yàn)樽儞Q器中有高頻變壓器隔離，使輸出的直流離線的緣故。一般的AC-DC系統(tǒng)如圖1所示，虛線框內(nèi)所示為AC-DC芯片200。市電AC輸入經(jīng)過(guò)整流以后，得到一個(gè)直流高壓。系統(tǒng)剛上電時(shí)，VDD的電壓為0，此時(shí)電源開(kāi)關(guān)Ml—直關(guān)閉，輸出電壓也為0。為了給VDD充電，傳統(tǒng)的做法如圖1所示，會(huì)采用一個(gè)啟動(dòng)電阻Rr給 VDD的外掛電容Cl充電。當(dāng)輸入VDD的電壓達(dá)到啟動(dòng)電壓閾值時(shí)，電源開(kāi)關(guān)Ml開(kāi)始開(kāi)關(guān)動(dòng)作，而輸出電壓或電流將反饋到FB端口，來(lái)控制Ml的打開(kāi)時(shí)間，達(dá)到使輸出電壓或電流穩(wěn)定的目的。這樣一個(gè)AC-DC系統(tǒng)有一個(gè)缺點(diǎn)就是待機(jī)功耗較大。若AC電壓為220V，則所得直流電壓約為300V ；若Rr = IM Ω，則充電電流Ir約為300uA，那么其待機(jī)功耗約為 300VX 300uA = 90mW。在提倡節(jié)能環(huán)保的今天，此種AC-DC系統(tǒng)的待機(jī)功耗太大了，這樣的啟動(dòng)電路已經(jīng)慢慢不適應(yīng)時(shí)代的發(fā)展了。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種待機(jī)功耗極低的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，以解決現(xiàn)有的AC-DC系統(tǒng)待機(jī)功耗過(guò)大的問(wèn)題。改進(jìn)后的AC-DC系統(tǒng)將圖1所示的原系統(tǒng)中消耗了很大待機(jī)功耗的啟動(dòng)電阻Rr 去掉了，取而代之的是在系統(tǒng)內(nèi)部增加的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的一種AC-DC芯片的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，與AC-DC系統(tǒng)變壓器初級(jí)線圈的第二端與所述AC-DC芯片的電源開(kāi)關(guān)Ml的高電位端的公共連接端相連，用以控制對(duì)所述AC-DC芯片外的外掛電容Cl的充電快慢，所述AC-DC芯片的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路包括高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管M0、二極管DO、電阻RO、電流源單元、PMOS管M3、PM0S管M4、NM0S 管M5、開(kāi)關(guān)管M6和比較器UO ；所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端接所述AC-DC芯片的電源開(kāi)關(guān)Ml的高電位端，所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的低電位端接所述二極管DO的陽(yáng)極，所述二極管DO的陰極通過(guò)所述電阻RO同時(shí)接所述電流源單元的輸入端、所述PMOS管M3的源極、所述PMOS管M4的源極和所述開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，所述PMOS管M3的漏極同時(shí)接所述PMOS管M3的柵極和所述電流源單元的第一輸出端，所述PMOS管M3的柵極與所述PMOS管M4的柵極相連，所述PMOS管M4的漏極同時(shí)接所述NMOS管M5的漏極和所述開(kāi)關(guān)管M6的控制端，所述NMOS 管M5的柵極接所述比較器UO的輸出端，所述NMOS管M5的源極與所述電流源單元的第二輸出端相連并接地，所述比較器UO的同相輸入端接所述開(kāi)關(guān)管M6的低電位端，所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的控制端與所述開(kāi)關(guān)管M6的控制端相連，所述比較器UO的反相輸入端接參考電壓，所述外掛電容Cl接在所述比較器UO的同相輸入端與地之間。
其中，所述的電流源單元100包括電阻R1、電阻R2、匪OS管M2和匪OS管M7 ；所述電阻Rl的第一端是所述電流源單元100的輸入端，所述電阻Rl的第二端同時(shí)接所述NMOS 管M2的柵極和所述NMOS管M7的漏極，所述NMOS管M2的漏極作為所述電流源單元100的第一輸出端與所述PMOS管M3的漏極相連，所述NMOS管M2的源極同時(shí)接所述NMOS管M7 的柵極和所述電阻R2的第一端，所述NMOS管M7的源極與所述電阻R2的第二端相連作為所述電流源單元100的第二輸出端。 進(jìn)一步的，所述的高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO可以為耗盡型高壓NMOS管，所述耗盡型高壓 NMOS管的漏極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端，所述耗盡型高壓NMOS管的源極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的低電位端，所述耗盡型高壓NMOS管的柵極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管 MO的控制端。所述的高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO也可以為高壓JFET，所述高壓JFET的漏極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端，所述高壓JFET的源極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的低電位端， 所述高壓JFET的柵極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的控制端。更進(jìn)一步的，所述開(kāi)關(guān)管M6為NMOS管，所述NMOS管的柵極為所述開(kāi)關(guān)管M6的控制端，所述NMOS管的漏極為所述開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，所述匪OS管的源極為所述開(kāi)關(guān)管 M6的低電位端。所述開(kāi)關(guān)管M6也可以為PMOS管，所述PMOS管的柵極為所述開(kāi)關(guān)管M6的控制端， 所述PMOS管的源極為所述開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，所述PMOS管的漏極為所述開(kāi)關(guān)管M6的低電位端。本發(fā)明的另一目的在于提供一種AC-DC芯片，芯片連接在AC-DC系統(tǒng)變壓器初級(jí)線圈的第二端與地之間，包括電源開(kāi)關(guān)Ml和電源控制電路，所述的AC-DC芯片還包括如上所述的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，通過(guò)該高壓?jiǎn)?dòng)控制電路調(diào)整對(duì)外掛電容Cl充電的電流大小， 進(jìn)而控制AC-DC芯片的上電速度。本發(fā)明的另一目的還在于提供一種AC-DC系統(tǒng)，所述AC-DC系統(tǒng)包括上述的AC-DC
-H-· I I心片。本發(fā)明是在不增加外圍應(yīng)用元器件的基礎(chǔ)上，將傳統(tǒng)AC-DC電路系統(tǒng)中的高壓?jiǎn)?dòng)電阻去掉，在系統(tǒng)芯片內(nèi)增加高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，一方面解決了傳統(tǒng)AC-DC系統(tǒng)功耗過(guò)大的技術(shù)問(wèn)題，另一方面，也使電路系統(tǒng)得以簡(jiǎn)化，節(jié)省了系統(tǒng)板的空間和成本。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的AC-DC系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖；圖2是本發(fā)明提供的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路應(yīng)用于AC-DC系統(tǒng)后的結(jié)構(gòu)框圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路的具體電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的AC-DC系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。圖2是本發(fā)明提供的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路300應(yīng)用于AC-DC芯片200后的AC-DC系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖，虛線框內(nèi)為AC-DC芯片200，本發(fā)明提供的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路為圖中300所示部分。與圖1所示的原系統(tǒng)不同的是，將消耗了很大待機(jī)功耗的啟動(dòng)電阻Rr去掉了，取而代之的是在系統(tǒng)芯片內(nèi)部增加的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路。通過(guò)該高壓?jiǎn)?dòng)控制電路調(diào)整對(duì)外掛電容Cl充電的電流大小，進(jìn)而控制AC-DC芯片的上電速度。圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路的具體電路結(jié)構(gòu)圖，如圖3所示一種高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，與AC-DC系統(tǒng)變壓器初級(jí)線圈的第二端與所述AC-DC芯片的電源開(kāi)關(guān)Ml的高電位端的公共連接端相連，用以控制對(duì)所述AC-DC芯片外的外掛電容 Cl的充電快慢，包括高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管M0、二極管DO、電阻R0、電流源單元100、PM0S管M3、 PMOS管M4、NMOS管M5、開(kāi)關(guān)管M6、比較器UO ；電容Cl是外掛電容；高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端接AC-DC芯片的電源開(kāi)關(guān)Ml的高電位端，即電源開(kāi)關(guān)Ml的DRAIN端，高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的低電位端接二極管DO的陽(yáng)極，二極管DO的陰極通過(guò)電阻RO同時(shí)接電流源單元100的輸入端、PMOS管M3的源極、PMOS管M4的源極和開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，PMOS管M3的漏極同時(shí)接PMOS管M3的柵極和電流源單元100的第一輸出端，PMOS管M3的柵極與PMOS管M4的柵極相連，PMOS管M4的漏極同時(shí)接NMOS管M5的漏極和開(kāi)關(guān)管M6的控制端，NMOS管M5的柵極接比較器UO的輸出端，NMOS管M5的源極與電流源單元100的第二輸出端相連并接地，比較器UO的同相輸入端接開(kāi)關(guān)管M6的低電位端，高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的控制端與開(kāi)關(guān)管M6的控制端相連，比較器UO的反相輸入端接參考電壓，外掛電容Cl連接在比較器UO的同相輸入端與地之間。作為本發(fā)明的一種實(shí)施例，電流源單元100包括電阻R1、電阻R2、NMOS管M2和 NMOS管M7 ；電阻Rl的第一端是電流源單元100的輸入端，電阻Rl的第二端同時(shí)接NMOS 管M2的柵極和NMOS管M7的漏極，NMOS管M2的漏極作為電流源單元100的第一輸出端與 PMOS管M3的漏極相連，NMOS管M2的源極同時(shí)接NMOS管M7的柵極和電阻R2的第一端， NMOS管M7的源極與電阻R2的第二端相連作為電流源單元100的第二輸出端并接地。作為本發(fā)明的一種實(shí)施例，高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO為耗盡型高壓NMOS管，該耗盡型高壓NMOS管的閾值電壓Vth(MO)為負(fù)壓，且漏極耐壓可高達(dá)700V。將耗盡型高壓NMOS管的漏極作為高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端，耗盡型高壓NMOS管的源極為高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO 的低電位端，耗盡型高壓NMOS管的柵極為高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的控制端。作為本發(fā)明的另一種實(shí)施例，高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO為高壓JFET，同樣的，其閾值電壓Vth(MO)為負(fù)壓，且漏極耐壓可高達(dá)700V。高壓JFET的漏極為高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端，高壓JFET的源極為高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的低電位端，高壓JFET的柵極為高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的控制端。
作為本發(fā)明的又一種實(shí)施例，開(kāi)關(guān)管M6為NMOS管，NMOS管的柵極為開(kāi)關(guān)管M6的控制端，NMOS管的漏極為開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，NMOS管的源極為開(kāi)關(guān)管M6的低電位端。作為本發(fā)明的又一種實(shí)施例，開(kāi)關(guān)管M6為PMOS管，PMOS管的柵極為開(kāi)關(guān)管M6的控制端，PMOS管的源極為開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，PMOS管的漏極為開(kāi)關(guān)管M6的低電位端。下面針對(duì)圖3所示的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路的具體結(jié)構(gòu)，對(duì)其工作原理進(jìn)行說(shuō)明。其中開(kāi)關(guān)管M6采用NMOS管、高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO采用耗盡型高壓NMOS管或者高壓JFET時(shí)。高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO為耗盡型高壓NMOS管或高壓JFET，開(kāi)關(guān)管MO的閾值電壓 Vth(MO)為負(fù)壓，且漏極耐壓可高達(dá)700V。系統(tǒng)剛上電時(shí)，高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的柵極電壓Vg = 0，源極電壓Vs = 0，Vgs > Vth,高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO導(dǎo)通，二極管DO也導(dǎo)通，電流通過(guò)二極管DO和電阻RO進(jìn)入由電阻R1、電阻R2、NMOS管M2和NMOS管M7組成的電流源 100。當(dāng)電阻RO第二端處的電壓值Vl > Vth (M7)+Vth (M2)時(shí)，NMOS管M2禾口 NMOS管M7都導(dǎo)通，其所在的電流源100開(kāi)始工作，向PMOS管M3輸出電流，且流過(guò)PMOS管M3的電流值為 Vgs(M7)/R2。此時(shí)比較器UO同相輸入端的電位VDD還較低，使能信號(hào)輸出端E N為低電平，NMOS 管M5不導(dǎo)通，所以Vgs(MO) = -(VDQ+I*R0)，其中Vdq和I分別為二極管DO的壓降和流過(guò)電阻RO的電流。充電期間高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO —直導(dǎo)通，即只要保證Vgs (MO) = -(Vdo+I*RO)
>Vth(MO)，當(dāng)高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO柵極電壓升高到Vg > Vth(M6)時(shí)，因圖中所示的開(kāi)關(guān)管 M6采用的是NMOS管，故NMOS管M6導(dǎo)通。設(shè)計(jì)使得流過(guò)電阻RO的電流足夠大，那么流過(guò) NMOS管M6的電流，也即是對(duì)比較器UO同相輸入端的外掛電容Cl充電的電流，就約等于流過(guò)電阻RO的電流；所以通過(guò)調(diào)整電阻RO的大小，可以限制對(duì)外掛電容Cl充電的電流大小， 進(jìn)而在一個(gè)較大范圍內(nèi)控制比較器UO的上電速度，即是控制AC-DC芯片的上電速度。流過(guò)高壓?jiǎn)?dòng)管MO的電流持續(xù)對(duì)比較器UO的外掛電容Cl充電，使同相輸入端電壓VDD —直上升，直到VDD > VR,使得比較器UO的芯片達(dá)到啟動(dòng)電壓，開(kāi)始正常工作，比較器UO將會(huì)翻轉(zhuǎn)，使能信號(hào)輸出端EN電平由低變高，NMOS管M5導(dǎo)通。NMOS管M5 —導(dǎo)通，高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO柵極電壓Vg被拉低，使得高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO和NMOS管M6都被關(guān)斷，此時(shí)匪OS管M6相當(dāng)于一個(gè)二極管，給PMOS管M3、PM0S管M4提供電流，并且Vl = VDD-Vd (M6)， Vd (M6)是NMOS管M6的寄生二極管的壓降，則Vl跟隨VDD維持較高電壓。二極管DO阻止了高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的反向?qū)?，即阻止VDD向電源開(kāi)關(guān)Ml的DRAIN端倒灌電流。此時(shí)，該電路工作過(guò)程中必須保證Vgs (MO) < Vth (MO)，即0_(V1+VDC1) < Vth(MO)， 解這個(gè)不等式就是Vl >-Vth(MO)-Vdci，這也說(shuō)明要使高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO重新開(kāi)啟的條件是 Vl 彡-Vth (MO) -Vdo，即 VDD 彡-Vth (MO) -VD0+Vd (M6)。換言之，當(dāng) VDD 滿足VDD
>-Vth (MO) -VD0+Vd (M6)時(shí)，才能保證系統(tǒng)開(kāi)始正常工作后，高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO被關(guān)斷，不會(huì)再有電流從高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO進(jìn)入系統(tǒng)。因圖1所示的傳統(tǒng)電路系統(tǒng)中消耗很大待機(jī)功耗的高壓?jiǎn)?dòng)電阻Rr已不復(fù)存在，故采用本發(fā)明提供的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路的AC-DC系統(tǒng)的待機(jī)功耗極低。本發(fā)明提供的AC-DC芯片和AC-DC系統(tǒng)，包括所述的任何一種實(shí)施例提供的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種AC-DC芯片的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，與AC-DC系統(tǒng)變壓器初級(jí)線圈的第二端與所述AC-DC芯片的電源開(kāi)關(guān)Ml的高電位端的公共連接端相連，用以控制對(duì)所述AC-DC芯片外的外掛電容Cl的充電快慢，其特征在于，所述AC-DC芯片的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路包括高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管M0、二極管DO、電阻RO、電流源單元、PMOS管M3、PMOS管M4、匪OS管 M5、開(kāi)關(guān)管M6和比較器UO ；所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端接所述AC-DC芯片的電源開(kāi)關(guān)Ml的高電位端，所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的低電位端接所述二極管DO的陽(yáng)極，所述二極管DO的陰極通過(guò)所述電阻RO同時(shí)接所述電流源單元的輸入端、所述PMOS管M3的源極、所述PMOS管M4的源極和所述開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，所述PMOS管M3的漏極同時(shí)接所述PMOS管M3的柵極和所述電流源單元的第一輸出端，所述PMOS管M3的柵極與所述PMOS管M4的柵極相連，所述PMOS 管M4的漏極同時(shí)接所述NMOS管M5的漏極和所述開(kāi)關(guān)管M6的控制端，所述NMOS管M5的柵極接所述比較器UO的輸出端，所述NMOS管M5的源極與所述電流源單元的第二輸出端相連并接地，所述比較器UO的同相輸入端接所述開(kāi)關(guān)管M6的低電位端，所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管 MO的控制端與所述開(kāi)關(guān)管M6的控制端相連，所述比較器UO的反相輸入端接參考電壓，所述外掛電容Cl接在所述比較器UO的同相輸入端與地之間。
2.如權(quán)利要求1所述的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，其特征在于，所述的電流源單元包括電阻 R1、電阻 R2、NMOS 管 M2 禾口 NMOS 管 M7 ；所述電阻Rl的第一端是所述電流源單元的輸入端，所述電阻Rl的第二端同時(shí)接所述 NMOS管M2的柵極和所述NMOS管M7的漏極，所述NMOS管M2的漏極作為所述電流源單元的第一輸出端與所述PMOS管M3的漏極相連，所述NMOS管M2的源極同時(shí)接所述NMOS管M7 的柵極和所述電阻R2的第一端，所述NMOS管M7的源極與所述電阻R2的第二端相連作為所述電流源單元的第二輸出端。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，其特征在于，所述的高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管 MO為耗盡型高壓NMOS管，所述耗盡型高壓NMOS管的漏極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端，所述耗盡型高壓NMOS管的源極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的低電位端，所述耗盡型高壓NMOS管的柵極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的控制端。
4.如權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，其特征在于，所述的高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管 MO為高壓JFET，所述高壓JFET的漏極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的高電位端，所述高壓 JFET的源極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的低電位端，所述高壓JFET的柵極為所述高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)管MO的控制端。
5.如權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管M6為NMOS 管，所述NMOS管的柵極為所述開(kāi)關(guān)管M6的控制端，所述NMOS管的漏極為所述開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，所述NMOS管的源極為所述開(kāi)關(guān)管M6的低電位端。
6.如權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管M6為PMOS 管，所述PMOS管的柵極為所述開(kāi)關(guān)管M6的控制端，所述PMOS管的源極為所述開(kāi)關(guān)管M6的高電位端，所述PMOS管的漏極為所述開(kāi)關(guān)管M6的低電位端。
7.一種AC-DC芯片，連接在AC-DC系統(tǒng)變壓器初級(jí)線圈的第二端與地之間，包括電源開(kāi)關(guān)Ml和電源控制電路，所述AC-DC芯片外接一個(gè)外掛電容Cl，其特征在于，所述的AC-DC 芯片還包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的高壓?jiǎn)?dòng)控制電路。
8. 一種AC-DC系統(tǒng)，其特征在于，所述AC-DC系統(tǒng)包括變壓器T、二極管D1、二極管D2、 電容Cl、電容C2、電阻R4、電感LO和如權(quán)利要求7所述的AC-DC芯片，所述變壓器T的初級(jí)線圈的第一端接市電高壓輸入端，所述變壓器T的初級(jí)線圈的第二端接所述AC-DC芯片上的電源開(kāi)關(guān)Ml的高電位端，所述AC-DC芯片同時(shí)接所述電容Cl的第一端和所述電阻R4的第一端，所述電容Cl的第二端接地，所述電阻R4的第二端接所述二極管Dl的陰極，所述二極管Dl的陽(yáng)極通過(guò)所述電感LO與所述AC-DC芯片上的電源開(kāi)關(guān)Ml的低電位端相連并接地，所述變壓器T的次級(jí)線圈通過(guò)所述二極管D2和所述電容C2輸出低壓直流電。
全文摘要
本發(fā)明屬于電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，尤其涉及一種AC-DC芯片、系統(tǒng)及其高壓?jiǎn)?dòng)控制電路。本發(fā)明利用現(xiàn)有的AC-DC芯片和系統(tǒng)，在不增加外圍應(yīng)用元器件的基礎(chǔ)上，去掉了傳統(tǒng)電路系統(tǒng)中的高壓?jiǎn)?dòng)電阻，提供了一種待機(jī)功耗極低的AC-DC芯片、系統(tǒng)及其高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，一方面解決了傳統(tǒng)AC-DC系統(tǒng)待機(jī)功耗消耗過(guò)大的技術(shù)問(wèn)題；另一方面，本發(fā)明也使電路系統(tǒng)得以簡(jiǎn)化，也節(jié)省了系統(tǒng)板的空間和成本。
文檔編號(hào)H02M1/36GK102437724SQ20111041240
公開(kāi)日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者張君志 申請(qǐng)人:深圳市富滿電子有限公司