專利名稱：帶輸入電壓補(bǔ)償?shù)脑叿答伔醇な胶懔麟娫吹闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)，特別涉及集成電路技術(shù)。
背景技術(shù)：
原邊反饋反激式恒流電源廣泛應(yīng)用于隔離AC/DC電源適配器、充電器和LED驅(qū)動等領(lǐng)域。

圖1為現(xiàn)有的原邊反饋反激式恒流電源。電源由控制器1、M0SFET2、電流反饋電阻3、變壓器、二極管6，輸出電容7和負(fù)載8構(gòu)成。控制器1由比較器11、振蕩器12和RS 觸發(fā)器13構(gòu)成。RS觸發(fā)器13的R端連接比較器11的輸出端，S端連接OSC 12的輸出端。 RS觸發(fā)器13的輸出端連接MOSFET 2的柵極。M0SFET2的源極連接比較器11的正向輸入端，并且通過一個(gè)電流反饋電阻3接地。比較器11的反向輸入端連接參考電壓Vref。變壓器的原邊繞組5連接輸入電壓Vin 9和MOSFET 2的漏極。變壓器的次級繞組5、二極管 6和輸出電容7依次串聯(lián)為1個(gè)環(huán)路，且輸出電容7的兩端為輸出端，連接負(fù)載8。作為舉例，負(fù)載為LED。0SC12輸出固定頻率脈沖控制M0SFET2在每個(gè)時(shí)鐘周期開啟，原邊電流按固定斜率由0開始增加。電流增加的速度由輸入電壓Vin和變壓器原邊繞組4的電感值確定。原邊電流流過電流反饋電阻3產(chǎn)生反饋電壓Vcs。比較器比較Vcs和Vref，當(dāng)Vcs電壓超過Vref 電壓，比較器輸出翻轉(zhuǎn)，控制M0SFET2關(guān)閉。由于電路延遲，Vcs電壓達(dá)到Vref和M0SFET2 關(guān)閉之間會有一個(gè)延遲時(shí)間，在此期間原邊電流繼續(xù)增加。所以原邊電流的峰值Ipp比參考電壓Vref和電流反饋電阻3的阻值Rcs確定的參考電流大。而且此差值與輸入電壓Vin 和變壓器原邊繞組4的電感值有關(guān)。圖2為現(xiàn)有的原邊反饋反激式恒流電源的典型波形，Vcs超出Vref繼續(xù)上升一個(gè)延遲時(shí)間，在此期間比較器輸出一直為高。假設(shè)輸入電壓為Vin，變壓器原邊繞組5的電感為Lp，電流反饋電阻3的阻值為 Rcs，則Vcs電壓上升的斜率為
權(quán)利要求
1.帶輸入電壓補(bǔ)償?shù)脑叿答伔醇な胶懔麟娫?，包括控制?1)、MOSFET(2)、電流反饋電阻(3)、變壓器、二極管(6)，輸出電容(7)，控制器⑴包含比較器(11)，其特征在于， 比較器(11)的反向輸入端連接到第三MOS管03)的漏極，第三MOS管03)的漏極通過第四電阻04)接第一輸入?yún)⒖茧娖近c(diǎn)(10)，第三MOS管03)的柵極和第二 MOS管Q2)的柵極以及第二 MOS管02)的漏極連接，輸入電平Vin通過第一電阻接第二 MOS管Q2) 的漏極，第二 MOS管02)和第三MOS管03)的源極接地。
全文摘要
帶輸入電壓補(bǔ)償?shù)脑叿答伔醇な胶懔麟娫?，涉及電子技術(shù)。本發(fā)明包括控制器、MOSFET、電流反饋電阻、變壓器、二極管，輸出電容，控制器包含比較器，其特征在于，比較器的反向輸入端連接到第三MOS管的漏極，第三MOS管的漏極通過第四電阻接第一輸入?yún)⒖茧娖近c(diǎn)，第三MOS管的柵極和第二MOS管的柵極以及第二MOS管的漏極連接，輸入電平Vin通過第一電阻接第二MOS管的漏極，第二MOS管和第三MOS管的源極接地。本發(fā)明解決了現(xiàn)有的原邊反饋反激式恒流電源，其輸出電流與輸入電壓相關(guān)，無法做到真正恒流的局限。
文檔編號H02M3/335GK102437740SQ201110435819
公開日2012年5月2日 申請日期2011年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月22日
發(fā)明者于廷江, 向本才, 李向華, 李文昌, 高繼, 黃國輝 申請人:成都成電硅?？萍脊煞萦邢薰?br>