專利名稱：三相電弧形半橋整流模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種三相電弧形半橋整流模塊，屬整流器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，三相電整流半橋基本上都是采用三個金屬封裝的普通整流管，通過螺母連接固定在同一個膠木板上，組成一個整流半橋。這種構(gòu)造的整流半橋不僅電損耗大，熱阻率高，散熱效果差，而且使用不方便，外觀也不美觀。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種電損耗小，熱阻率低，散熱效果好且使用方便、美觀大方的三相電弧形半橋整流模塊。其技術(shù)方案是一種三相電弧形半橋整流模塊，包括紫銅底板、DBC陶瓷基片雙面覆銅板和硅芯片，其特征在于所述紫銅底板為弧形，弧形紫銅底板上固定連接弧形外殼， 弧形外殼內(nèi)的紫銅底板上間隔焊接四片DBC陶瓷基片雙面覆銅板；其中，第一至第三DBC陶瓷基片雙面覆銅板的一端分別焊接一個外伸在弧形外殼端面上的輸入電極，另一端分別焊接一個同極的硅芯片，硅芯片的另一極由一銅片并聯(lián)連接至第四DBC陶瓷基片雙面覆銅板的一端，第四DBC陶瓷基片雙面覆銅板的另一端，焊接一個外伸在弧形外殼端面上的整流輸出電極。其有益效果是本三相電弧形半橋整流模塊不僅結(jié)構(gòu)緊湊、合理，且整流過程中電損耗小，過電流、電壓能力強；同時，整流元件硅芯片的一端電極直接焊接在與銅底板連接的DBC陶瓷基片雙面覆銅板上，使其在整流過程中導(dǎo)熱率高，熱阻率低，散熱效果好，可實現(xiàn)大面積快速散熱；另外，本模塊性能穩(wěn)定，使用方便，美觀大方，壽命長，較現(xiàn)有同樣產(chǎn)品的使用壽命提高了 50%以上。

圖1是本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，一種三相電弧形半橋整流模塊，包括紫銅底板、DBC陶瓷基片雙面覆銅板和硅芯片。紫銅底板1為弧形，弧形紫銅底板上固定連接弧形塑料外殼2，弧形外殼內(nèi)的紫銅底板上間隔焊接四片DBC陶瓷基片雙面覆銅板4。其中，第一至第三DBC陶瓷基片雙面覆銅板的一端分別焊接一個外伸在弧形外殼端面上的輸入電極5，另一端分別焊接一個同極的硅芯片3，硅芯片的另一極由一銅片6并聯(lián)連接至第四DBC陶瓷基片雙面覆銅板的一端，第四DBC陶瓷基片雙面覆銅板的另一端，焊接一個外伸在弧形外殼端面上的整流輸出電極9。弧形外殼內(nèi)澆注有環(huán)氧樹脂7，將DBC陶瓷基片雙面覆銅板和硅芯片封裝在弧形外殼內(nèi)。 紫銅底板的兩端分別開設(shè)有安裝孔8。
權(quán)利要求1.一種三相電弧形半橋整流模塊，包括紫銅底板、DBC陶瓷基片雙面覆銅板和硅芯片， 其特征在于所述紫銅底板(1)為弧形，弧形紫銅底板上固定連接弧形塑料外殼(2)，弧形外殼內(nèi)的紫銅底板上間隔焊接四片DBC陶瓷基片雙面覆銅板(4)；其中，第一至第三DBC陶瓷基片雙面覆銅板的一端分別焊接一個外伸在弧形外殼端面上的輸入電極(5)，另一端分別焊接一個同極的硅芯片(3)，硅芯片的另一極由一銅片(6)并聯(lián)連接至第四DBC陶瓷基片雙面覆銅板的一端，第四DBC陶瓷基片雙面覆銅板的另一端，焊接一個外伸在弧形外殼端面上的整流輸出電極(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相電弧形半橋整流模塊，其特征在于所述弧形外殼(2) 內(nèi)澆注有環(huán)氧樹脂(7 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相電弧形半橋整流模塊，其特征在于所述紫銅底板的兩端分別開設(shè)有安裝孔(8)。
專利摘要三相電弧形半橋整流模塊，屬整流器技術(shù)領(lǐng)域。其目的是提供一種電損耗小，熱阻率低且使用方便、美觀大方的三相電弧形半橋整流模塊。其技術(shù)要點是包括紫銅底板、DBC陶瓷基片雙面覆銅板和硅芯片，紫銅底板(1)為弧形，弧形紫銅底板上固定連接弧形塑料外殼(2)，弧形外殼內(nèi)的紫銅底板上間隔焊接四片DBC陶瓷基片雙面覆銅板(4)；其中，第一至第三DBC陶瓷基片雙面覆銅板的一端分別焊接一個外伸在弧形外殼端面上的輸入電極(5)，另一端分別焊接一個同極的硅芯片(3)，硅芯片的另一極由一銅片(6)并聯(lián)連接至第四DBC陶瓷基片雙面覆銅板的一端，第四DBC陶瓷基片雙面覆銅板的另一端，焊接一個外伸在弧形外殼端面上的整流輸出電極(9)。
文檔編號H02M7/02GK202049949SQ20112011046
公開日2011年11月23日 申請日期2011年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月15日
發(fā)明者胡國振 申請人:胡國振