專利名稱：一種用于多晶硅鑄錠爐的直流供電電源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于多晶硅鑄錠爐設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種用于多晶硅鑄錠爐的直流 {共 ^！^ O
背景技術(shù)：
本領(lǐng)域現(xiàn)有的多晶硅鑄錠爐一般采用交流供電電源。這種交流電源采用三對雙向晶閘管進行三相交流調(diào)壓將380V電網(wǎng)電壓變?yōu)?-380V可調(diào)的電壓，再在后面接一個交流變壓器將電壓變?yōu)?-25V可調(diào)的交流電給多晶硅鑄錠爐的石墨加熱器進行加熱，這種方式的多晶硅鑄錠爐電源有以下缺點其一是其通過調(diào)節(jié)晶閘管的導(dǎo)通角來實現(xiàn)調(diào)壓，因此就存在著功率因數(shù)低、諧波含量高、對電網(wǎng)沖擊大等的缺點，其二是多晶鑄錠鑄錠用交流電加熱，交流電在石墨加熱器內(nèi)產(chǎn)生磁場會對多晶硅料起到到攪拌的作用，這樣就不斷地打斷晶粒的長大，不易形成大的晶粒從而影響多晶硅的質(zhì)量，其三是采用三相交流供電方式的多晶硅鑄錠爐的石墨加熱器需要考慮負載三相平衡等因素，因此對石墨加熱器的結(jié)構(gòu)性能要求比較高。

實用新型內(nèi)容本實用新型所解決的技術(shù)問題是提供一種功率因數(shù)高、產(chǎn)出晶錠質(zhì)量好、效率高、 穩(wěn)定性好、可靠性高、使用方便的用于多晶硅鑄錠爐的直流供電電源。為解決上述的技術(shù)問題，本實用新型采取的技術(shù)方案一種用于多晶硅鑄錠爐的直流供電電源，包括三相進線、斷路器、熔斷器，三相進線經(jīng)斷路器與熔斷器連接，熔斷器后端依次與三相二極管整流橋、直流斬波調(diào)壓電路、高頻逆變電路、高頻變壓器、整流濾波電路連接，整流濾波電路的輸出端與設(shè)置在多晶硅鑄錠爐內(nèi)的石墨加熱器連接。上述的高頻逆變電路采用IGBT功率器件高頻逆變電路。上述的整流濾波電路采用二極管整流濾波電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型采用不控整流，提高了電網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)，并通過IGBT 功率器件高頻逆變電路和高頻變壓器隔離降壓，再通過快速二極管整流濾波電路提高了功率因數(shù)和傳輸效率并降低了輸出紋波；并且采用直流供電式對石墨加熱器的工藝要求比較低，并能產(chǎn)生更好的熱場更有利于多晶硅的鑄錠。

圖1為本實用新型的電路圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型進行詳細說明。參見圖1，本實用新型包括三相進線1、斷路器2、熔斷器3，三相進線1經(jīng)斷路器2與熔斷器3連接，其特征在于熔斷器3后端依次與三相二極管整流橋4、直流斬波調(diào)壓電路5、高頻逆變電路6、高頻變壓器7、整流濾波電路8連接，整流濾波電路8的輸出端與多晶硅鑄錠爐的石墨加熱器連接。上述的高頻逆變電路6采用IGBT功率器件高頻逆變電路。上述的整流濾波電路8采用二極管整流濾波電路。本實用新型的供電方式采用三相全橋二極管整流，后面再接一個直流斬波調(diào)壓電路5，通過直流斬波調(diào)壓電路5來調(diào)節(jié)輸出電壓從而調(diào)節(jié)供給多晶硅鑄錠爐的功率，本電源采用二極管整流則電網(wǎng)側(cè)的功率因數(shù)始終為1，不污染電網(wǎng)，這樣就避免了采用交流供電還需要加諧波治理裝置，節(jié)約了成本，并通過IGBT功率器件高頻逆變電路和高頻變壓器隔離降壓，再通過快速二極管整流、濾波提高了功率因數(shù)和傳輸效率并降低了輸出紋波，多晶硅鑄錠爐采用直流電源可以降低對石墨加熱器工藝的要求，并對產(chǎn)生的熱場進行有效地改善，從而提高多晶硅晶錠的質(zhì)量。
權(quán)利要求1.一種用于多晶硅鑄錠爐的直流供電電源，其特征在于包括三相進線(1)、斷路器 (2)、熔斷器(3)，三相進線(1)經(jīng)斷路器(2)與熔斷器(3)連接，熔斷器(3)后端依次與三相二極管整流橋(4)、直流斬波調(diào)壓電路(5)、高頻逆變電路(6)、高頻變壓器(7)、整流濾波電路(8)連接，整流濾波電路(8)的輸出端與設(shè)置在多晶硅鑄錠爐內(nèi)的石墨加熱器連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅鑄錠爐的直流供電電源，其特征在于所述的高頻逆變電路(6)采用IGBT功率器件高頻逆變電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于多晶硅鑄錠爐的直流供電電源，其特征在于 所述的整流濾波電路(8)采用二極管整流濾波電路。
專利摘要本實用新型涉及一種用于多晶硅鑄錠爐的直流供電電源?，F(xiàn)有的多晶硅鑄錠爐一般采用交流供電電源，存在著功率因數(shù)低、諧波含量高、對電網(wǎng)沖擊大等的缺點，用交流電加熱，不斷地打斷晶粒的長大，不易形成大的晶粒從而影響多晶硅的質(zhì)量。本實用新型的熔斷器后端依次與三相二極管整流橋、直流斬波調(diào)壓電路、高頻逆變電路、高頻變壓器、整流濾波電路連接，整流濾波電路的輸出端與設(shè)置在多晶硅鑄錠爐內(nèi)的石墨加熱器連接。本實用新型采用不控整流，提高了電網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)，并通過IGBT功率器件高頻逆變電路和高頻變壓器隔離降壓，再通過快速二極管整流濾波電路提高了功率因數(shù)和傳輸效率并降低了輸出紋波。
文檔編號H02M3/155GK202103587SQ20112022757
公開日2012年1月4日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者周繼躍 申請人:西安華恒新能科技有限公司