專利名稱：一種新型mosfmt模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種新型MOSFMT模塊。
背景技術(shù)：
在直流無刷多相電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制器設(shè)計(jì)中，新型MOSFMT模塊多使用TO. 220封裝的MOSFMT管并聯(lián)并排連接方式安裝在PCB線路板上。MOSFMT管分為上、下橋臂管，電源線和電機(jī)線之間并聯(lián)的MOSFMT稱做上橋臂管，電源地線和電機(jī)線之間并聯(lián)的MOSFMT稱做下橋臂管，上下橋臂管串成一線焊接在陶瓷PCB上，MOSFMT管的散熱片成一平面壓緊貼在散熱器上。并聯(lián)的上橋臂管的源極連接并聯(lián)的下橋臂管的漏極；由于上、下橋臂管一般各由多封裝的MOSFMT管并聯(lián)而成，現(xiàn)有技術(shù)中一般來說，MOSFMT管安裝在陶瓷PCB板一側(cè)， 把MOSFMT管的散熱片貼在陶瓷PCB板側(cè)面的鋁散熱器上，用螺釘固定，加工和更換都比較麻煩；MOSFMT管并聯(lián)密植連接方式時(shí)，存在安裝壓緊固定、有效散熱和抗電磁干擾的問題。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型為了解決直插型的MOSFMT器件并聯(lián)密植連接方式時(shí)，存在的上述問題，在經(jīng)過對(duì)現(xiàn)有方式和應(yīng)用做過詳細(xì)分析，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中MOSFMT管的安裝連接方式做出重大改進(jìn)，具體技術(shù)方案如下一種新型MOSFMT模塊，包括PCB線路板，PCB線路板上設(shè)置有直插型的MOSFMT 管、電容組和其它電器元件;MOSFMT管分為上、下橋臂管，采用串聯(lián)密植方式安裝在陶瓷 PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是采用相同的材料一體成型；所述散熱器內(nèi)開有冷卻水道，該冷卻水道經(jīng)循環(huán)水路與循環(huán)泵相通；所述循環(huán)泵的轉(zhuǎn)軸伸出循環(huán)泵，轉(zhuǎn)軸上安裝有風(fēng)扇，該風(fēng)扇正對(duì)所述散熱器的散熱面。所述的新型MOSFMT模塊，其中，特征是所述散熱器是“M"型散熱器，MOSFMT管設(shè)在“M”型散熱器相鄰的柵之間。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述固定裝置是“N”型卡簧。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述上橋臂管包括1 8個(gè)MOSFMT管；下橋臂管包括2—4個(gè)MOSFMT管。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述散熱片與散熱器采用相同的材料是陶瓷或鋁基。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述MOSFMT管是N溝道型；所述其它電器元件包括控制信號(hào)輸入端子、電源線端子、電機(jī)線端子、電源地線端子和驅(qū)動(dòng)控制IC ；輸入端子連接驅(qū)動(dòng)控制IC ；驅(qū)動(dòng)控制IC的上橋臂管柵極控制輸出連接上橋臂管柵極，驅(qū)動(dòng)控制IC的下橋臂管柵極控制輸出連接下橋臂管柵極；電源線端子連接上橋臂管的漏極；電源地線端子連接下橋臂管源極；電機(jī)線端子連接上橋臂管的源極和下橋臂管漏極；電容組為多個(gè)電容并聯(lián)而成，并聯(lián)連接在上橋臂管的漏極和下橋臂管源極之間。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述電容是電解電容。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用
3新型結(jié)構(gòu)通過鋁型材散熱器使MOSFMT管設(shè)在陶瓷PCB上達(dá)到密植并聯(lián)方式，并用固定裝置使MOSFM管密貼在型材上，加工簡(jiǎn)單，而且有效解決安裝壓緊固定和散熱的問題。采用2個(gè) “M’’型散熱器時(shí)，在上、下橋臂管所在的兩個(gè)“M”型散熱器之問還留出電容的安裝位置，使陶瓷PCB上印制線的走線距離短，高、低電壓分離；解決了電磁干擾問題。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的正視圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的側(cè)視圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的立體圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。如圖1、圖2、圖3所示，一種新型MOSFMT模塊，其特征是，包括PCB線路板4，PCB線路板4上設(shè)置有直插型的MOSFMT管2、電容組和其它電器元件；MOSFMT管分為上、下橋臂管，采用串聯(lián)密植方式安裝在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是采用相同的材料一體成型；所述散熱器內(nèi)開有冷卻水道，該冷卻水道經(jīng)循環(huán)水路與循環(huán)泵相通；所述循環(huán)泵的轉(zhuǎn)軸伸出循環(huán)泵，轉(zhuǎn)軸上安裝有風(fēng)扇，該風(fēng)扇正對(duì)所述散熱器的散熱面。所述的新型MOSFMT模塊，其中，特征是所述散熱器是“M"型散熱器4，MOSFMT管設(shè)在“M”型散熱器相鄰的柵之間。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述固定裝置是“N”型卡簧3。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述上橋臂管包括1 8個(gè)MOSFMT管；下橋臂管包括2—4個(gè)MOSFMT管。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述散熱片與散熱器采用相同的材料是陶瓷或鋁基。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述MOSFMT管是N溝道型；所述其它電器元件包括控制信號(hào)輸入端子、電源線端子、電機(jī)線端子、電源地線端子和驅(qū)動(dòng)控制IC ；輸入端子連接驅(qū)動(dòng)控制IC ；驅(qū)動(dòng)控制IC的上橋臂管柵極控制輸出連接上橋臂管柵極，驅(qū)動(dòng)控制IC的下橋臂管柵極控制輸出連接下橋臂管柵極；電源線端子連接上橋臂管的漏極；電源地線端子連接下橋臂管源極；電機(jī)線端子連接上橋臂管的源極和下橋臂管漏極；電容組為多個(gè)電容并聯(lián)而成，并聯(lián)連接在上橋臂管的漏極和下橋臂管源極之間。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述電容5是電解電容。本實(shí)施例中上、下橋臂管匹配方式是NOSFMT管上4X與下4只，采用2個(gè)散熱器。 實(shí)際使用中根據(jù)設(shè)計(jì)要求和器件選型而定，還可以是MOSFMT管上3只與下3只、上3只與下4只、上2只與下4只、上4只與下5只、上5只與下5只等，散熱器的數(shù)量也可以米用1 個(gè)或多個(gè)。新型MOSFMT模塊，包括PCB線路板4，板上布設(shè)有8個(gè)TO—220封裝的N溝道型 MOSFMT管2、電容組和其它電器元件。MOSFMT管2分為4個(gè)上橋臂管和4個(gè)下橋臂管，采用并聯(lián)密植方式安裝在陶瓷PCB 4上，MOSFMT管2的散熱片上貼有散熱器。所述MOSFMT管2 的散熱片貼在散熱器對(duì)應(yīng)的面上用“N，型卡簧3卡緊，使散熱片密貼在散熱器對(duì)應(yīng)的面上， 達(dá)到很好的導(dǎo)熱效果。所述散熱器是“M，型鋁型材散熱器，MOSFMT管2設(shè)在“M”型散熱器1相鄰的柵之間。上述其它電器元件包括控制信號(hào)輸入端子、電源線端子、電機(jī)線端予、電源地線端子和驅(qū)動(dòng)控制IC。并聯(lián)的多個(gè)上橋臂管的散熱片貼在一個(gè)“M”型散熱器1上；并聯(lián)的多個(gè)下橋臂管的散熱片貼在另一個(gè)“M”型散熱器1上；上、下橋臂管分布在陶瓷PCB4的兩邊，電容組布設(shè)在上、下橋臂管之間的陶瓷PCB4上。陶瓷PCB4固定在散熱器1上。輸入端子連接驅(qū)動(dòng)控制IC。驅(qū)動(dòng)控制IC的上橋臂管柵極控制輸出連接上橋臂，驅(qū)動(dòng)控制IC的下橋臂管柵極控制輸出連接下橋臂管柵極。電源線端子連接上橋臂管的漏極；電源地線端子連接下橋臂管源極；電機(jī)線端子連接上橋臂管的源極和下橋臂管漏極。電容組為多個(gè)電容5并聯(lián)而成，并聯(lián)連接在上橋臂管的漏極和下橋臂管源極之間；所述MOSFMT管2以及其它電器元件之問通過陶瓷PCB4上的印制線連接。上述電容5是電解電容。 應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換， 而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種新型MOSFMT模塊，其特征是，包括PCB線路板，PCB線路板上設(shè)置有直插型的 MOSFMT管、電容組和其它電器元件；MOSFMT管分為上、下橋臂管，采用串聯(lián)密植方式安裝在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是采用相同的材料一體成型；所述散熱器內(nèi)開有冷卻水道，該冷卻水道經(jīng)循環(huán)水路與循環(huán)泵相通；所述循環(huán)泵的轉(zhuǎn)軸伸出循環(huán)泵，轉(zhuǎn)軸上安裝有風(fēng)扇，該風(fēng)扇正對(duì)所述散熱器的散熱面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型MOSFMT模塊，其特征是，所述散熱器是“M"型散熱器， MOSFMT管設(shè)在“M”型散熱器相鄰的柵之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型MOSFMT模塊，其特征是，所述上橋臂管包括1 8個(gè) MOSFMT管；下橋臂管包括2—4個(gè)MOSFMT管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型MOSFMT模塊，其特征是，所述散熱片與散熱器采用相同的材料是陶瓷或鋁基。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種新型MOSFMT模塊，其特征是，包括PCB線路板，PCB線路板上設(shè)置有直插型的MOSFMT管、電容組和其它電器元件；MOSFMT管分為上、下橋臂管，采用串聯(lián)密植方式安裝在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是采用相同的材料一體成型,本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)通過鋁型材散熱器使MOSFMT管設(shè)在陶瓷PCB上達(dá)到密植并聯(lián)方式，并用固定裝置使MOSFM管密貼在型材上，加工簡(jiǎn)單，而且有效解決安裝壓緊固定和散熱的問題。
文檔編號(hào)H02M1/00GK202172359SQ201120299479
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月18日
發(fā)明者王金, 黃澤軍 申請(qǐng)人:王金