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一種單管全橋逆變電路的制作方法

文檔序號:7490128閱讀:1510來源:國知局
專利名稱:一種單管全橋逆變電路的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種單管全橋逆變電路,屬于IGBT技術領域。
背景技術
傳統(tǒng)的感應加熱電源全橋逆變方案普遍采用IGBT模塊的形式,IGBT模塊不僅體積大,而且成本高,對于小功率的感應加熱而言,在裝配空間小,成本相對又受限的情況下無法滿足用戶的需求。
發(fā)明內容本實用新型的目的是為解決傳統(tǒng)的感應加熱電源全橋逆變技術中,采用IGBT模塊的成本較高、體積較大的問題,進而提供一種單管全橋逆變電路。本實用新型的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的一種單管全橋逆變電路,包括四個IGBT組成的逆變橋和一個諧振回路,其中的第一個IGBT和第三個IGBT組成上橋臂,其中的第二個IGBT和第四個IGBT組成下橋臂,所述上橋臂和下橋臂分別串聯(lián)在諧振回路的兩端。本實用新型需通過四個IGBT逆變橋組成全橋逆變回路,使全橋逆變回路的結構變得簡單,并減少了制造成本。

圖1為本實用新型的具體實施方式
提供的單管全橋逆變電路的結構示意圖。
具體實施方式
具體實施方式
提供了一種單管全橋逆變電路,如圖1所示,包括四個IGBT和一個諧振回路,其中的第一個IGBT和第三個IGBT組成上橋臂,其中的第二個IGBT和第四個 IGBT組成下橋臂,所述上橋臂和下橋臂分別串聯(lián)在諧振回路的兩端。具體的,在圖1中,四個IGBT單管組逆變橋,其中Ql和Q3為上橋臂,Q2和Q4為下橋臂,在正半周,Ql和Q4同時導通,母線電壓加在電感和電容組成的串聯(lián)諧振回路上,在負半周,Q2和Q3同時導通,母線電壓反方向加在串聯(lián)諧振回路上。圖中的R1、R2、R3、和R4 為驅動電阻,R5、R6、R7和R8為驅動回路的下拉電阻,確保IGBT在加有母線電壓而沒有驅動信號的情況下不導通。C1、C2、C3和C4為緩沖電容,用于吸收在IGBT開關過程中因雜散電感產生的尖峰電壓,電阻R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15和R16為緩沖電容的放電電阻。 電容C5和電感INDUCT0R2組成串聯(lián)諧振回路。以上所述,僅為本實用新型較佳的具體實施方式
,但本實用新型的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內,可輕易想到的變化或替換,都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此,本實用新型的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
權利要求1. 一種單管全橋逆變電路,其特征在于,包括四個IGBT組成的逆變橋和一個諧振回路,其中的第一個IGBT和第三個IGBT組成上橋臂,其中的第二個IGBT和第四個IGBT組成下橋臂,所述上橋臂和下橋臂分別串聯(lián)在諧振回路的兩端。
專利摘要本實用新型提供了一種單管全橋逆變電路,屬于IGBT技術領域。本實用新型包括四個IGBT組成的逆變橋和一個諧振回路,其中的第一個IGBT和第三個IGBT組成上橋臂,其中的第二個IGBT和第四個IGBT組成下橋臂,所述上橋臂和下橋臂分別串聯(lián)在諧振回路的兩端。本實用新型需通過四個IGBT組成全橋逆變回路,使全橋逆變回路的結構變得簡單,并減少了制造成本。
文檔編號H02M7/48GK202221968SQ20112030945
公開日2012年5月16日 申請日期2011年8月22日 優(yōu)先權日2011年8月22日
發(fā)明者陽勇 申請人:陽春麗
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