專利名稱：應用在pfc電源轉(zhuǎn)換器的橋式整流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)一種交流轉(zhuǎn)直流的整流電路，特別是關(guān)于一種橋式整流器(bridgerectifier)。
背景技術(shù)：
在功率因數(shù)校正(Power Factor Correction ；PFC)電源轉(zhuǎn)換器的應用中，需要橋式整流器將交流波形轉(zhuǎn)換為直流波形。如圖1所示，傳統(tǒng)的橋式整流器10使用四個二極管D1、D2、D3及D4架橋，將交流電壓VACIN整流成為直流電壓VIN給PFC電源轉(zhuǎn)換器12。二極管的順向偏壓約為0.6V，假設通過二極管D1、D2、D3及D4的電流峰值為0.2A，則二極管導通時將造成0.076W的功率損失。為了降低橋式整流器的功率損失以提高效能，已經(jīng)有部分的橋式整流器使用金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)取代二極管，例如美國專利號7，411，768及美國專利公開號2009/0257259。一般而言，MOSFET的導通阻值為ι Ω等級，假設MOSFET的導通阻值為I Ω，而通過MOSFET的電流峰值為0.2Α，則MOSFET消耗的功率為0.02W,因此以MOSFET取代二極管可以降低功率損失，得到較佳的效能。然而，現(xiàn)有的MOSFET橋式整流器在高側(cè)需要使用高壓的PM0SFET，例如參照美國專利號7，411，768及美國專利公開號2009/0257259，因此成本較高。再者，使用MOSFET的橋式整流器需要判斷交流電壓VACIN的正負半周以控制MOSFET的切換，因此也需要能準確控制MOSFET的電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一，在于提出一種應用在PFC電源轉(zhuǎn)換器的橋式整流器。本發(fā)明的目的之一，在于提出一種能準確控制MOSFET切換的橋式整流器。本發(fā)明的目的之一，在于提出一種在高側(cè)使用NM0SFET的橋式整流器。根據(jù)本發(fā)明，一種應用在PFC電源轉(zhuǎn)換器的橋式整流器包括第一 MOSFET連接在該橋式整流器的第一交流輸入端及直流輸出端之間，第二 MOSFET連接在該第一交流輸入端及地端之間，第三MOSFET連接在該橋式整流器的第二交流輸入端及該直流輸出端之間，第四MOSFET連接在該第二交流輸入端及該地端之間，檢測器檢測該第一交流輸入端的第一電壓及該第二交流輸入端的第二電壓，并在該第一電壓大于第一預設值時產(chǎn)生第一檢測信號，在該第二電壓大于第二預設值時產(chǎn)生第二檢測信號，以及浮動閘驅(qū)動器根據(jù)該第一檢測信號控制該第一及第四M0SFET，根據(jù)該第二檢測信號控制該第二及第三M0SFET。由于浮動閘驅(qū)動器可以提供高壓的控制信號，因此在高側(cè)的第一及第三MOSFET可以使用NM0SFET以減少成本。根據(jù)本發(fā)明，一種應用在PFC電源轉(zhuǎn)換器的橋式整流器包括第一 MOSFET連接在該橋式整流器的第一交流輸入端及直流輸出端之間，受控于第一控制信號，第二 MOSFET連接在該第一交流輸入端及地端之間，受控于第二控制信號，第三MOSFET連接在該橋式整流器的第二交流輸入端及該直流輸出端之間，受控于第三控制信號，第四MOSFET連接在該第二交流輸入端及該地端之間，受控于第四控制信號，檢測器檢測該第一交流輸入端的第一電壓及該第二交流輸入端的第二電壓產(chǎn)生該第二及第四控制信號，以及準位平移器平移該第二及第四控制信號產(chǎn)生該第一及第三控制信號。當該第一電壓大于第一預設值時，該第一及第四MOSFET導通，當該第二電壓大于第二預設值時，該第二及第三MOSFET導通。本發(fā)明的橋式整流器使用MOSFET取代二極管，因此具有較佳的效能，而且藉檢測第一及第二交流輸入端的電壓來判斷交流電壓的正負半周，因而可以準確控制這些MOSFET的切換。


圖1系傳統(tǒng)的橋式整流器；圖2系本發(fā)明的橋式整流器的第一實施例；圖3系圖2電路的波形圖；圖4系圖2中高側(cè)浮動電路及準位平移器的實施例；圖5系圖2中檢測器的第二實施例；圖6系圖2中檢測器的第三實施例；以及圖7系本發(fā)明的橋式整流器的第二實施例。主要元件符號說明:10橋式整流器12 PFC電源轉(zhuǎn)換器20橋式整流器22 PFC電源轉(zhuǎn)換器24浮動閘驅(qū)動器26檢測器28交流輸入端30交流輸入端32直流輸出端34高側(cè)浮動電路36準位平移器38低側(cè)電路40高側(cè)浮動電路42準位平移器44低側(cè)電路46比較器48比較器50電壓過低關(guān)閉電路52 SR 正反器54驅(qū)動器56 節(jié)點
57反相器58節(jié)點59反相器60電流感測器62電流感測器64電流源66電流 源68節(jié)點70節(jié)點
具體實施例方式參照圖2，根據(jù)本發(fā)明的橋式整流器20具有交流輸入端28及30供連接交流電壓源VACIN以及直流輸出端32供連接PFC電源轉(zhuǎn)換器22。橋式整流器20包括NMOSFET Ml、M2、M3及M4、浮動閘驅(qū)動器24以及檢測器26。NMOSFET Ml連接在直流輸出端32及交流輸入端28之間，受控于控制信號UGl ；NMOSFET M2連接在交流輸入端28及地端GND之間，受控于控制信號LG2 ；NMOSFET M3連接在直流輸出端32及交流輸入端30之間，受控于控制信號UG2 ；NMOSFET M4連接在交流輸入端30及地端GND之間，受控于控制信號LGl。檢測器26檢測交流輸入端28及30的電壓Vl及V2分別產(chǎn)生檢測信號Scl及Sc2，浮動閘驅(qū)動器24根據(jù)檢測信號Scl產(chǎn)生控制信號UGl及LGl，根據(jù)檢測信號Sc2產(chǎn)生控制信號UG2及LG2，控制信號UG1、LG2、UG2及LGl分別控制NMOSFET M1、M2、M3及M4的切換，將交流電壓VACIN轉(zhuǎn)換為直流電壓VIN給PFC電源轉(zhuǎn)換器22。如圖3的波形所示，當交流輸入端28的電壓Vl大于預設值Vth時，檢測器26發(fā)出檢測信號Scl，浮動閘驅(qū)動器24將導通(turnon) NMOSFET Ml及M4 ;當交流輸入端30的電壓V2大于預設值Vth時，檢測器26發(fā)出檢測信號Sc2，浮動閘驅(qū)動器24將導通NMOSFET M2及M3。在圖2的實施例中，橋式整流器20使用浮動閘驅(qū)動器24提供高壓的控制信號UGl及UG2，因而可以在高側(cè)使用NMOSFET Ml及M3以減少成本。圖2的浮動閘驅(qū)動器24包括高側(cè)浮動電路34及40、準位平移器36及42、低側(cè)電路38及44、電容Cbl及Cb2以及二極管Dl及D2。二極管Dl連接在電源電壓端Vcc及高側(cè)浮動電路34的電源輸入端342之間；二極管D2連接在電源電壓端Vcc及高側(cè)浮動電路40的電源輸入端402之間；電容Cbl連接在交流輸入端28及高側(cè)浮動電路34的電源輸入端342之間，使電壓Vcl隨電壓Vl變化；電容Cb2連接在交流輸入端30及高側(cè)浮動電路40的電源輸入端402之間，使電壓Vc2隨電壓V2變化。低側(cè)電路38根據(jù)檢測信號Scl產(chǎn)生控制信號LG1、設定信號Ssl及重置信號Sri。準位平移器36平移設定信號Ssl及重置信號Srl產(chǎn)生設定信號Ss2及重置信號Sr2。高側(cè)浮動電路34根據(jù)設定信號Ss2及重置信號Sr2決定控制信號UG1，高側(cè)浮動電路34的電源輸入端342及344分別接收電壓Vcl及VI，以使其所輸出的控制信號UGl可以驅(qū)動NMOSFET Ml。低側(cè)電路44根據(jù)檢測信號Sc2產(chǎn)生控制信號LG2、設定信號Ss3及重置信號Sr3。準位平移器42平移設定信號Ss3及重置信號Sr3產(chǎn)生設定信號Ss4及重置信號Sr4。高側(cè)浮動電路40根據(jù)設定信號Ss4及重置信號Sr4決定控制信號UG2，高側(cè)浮動電路40的電源輸入端402及404分別接收電壓Vc2及V2,以使其所輸出的控制信號UG2可以驅(qū)動NMOSFET M3。圖4系圖2中高側(cè)浮動電路34及準位平移器36的實施例。高側(cè)浮動電路34包括電壓過低關(guān)閉(Under Voltage Lock Out ；UVL0)電路50、SR正反器52及驅(qū)動器54。SR正反器52根據(jù)設定信號Ss2及重置信號Sr2決定信號Q，驅(qū)動器54根據(jù)信號Q產(chǎn)生控制信號UG1，UVLO電路50檢測電壓Vcl，在電壓Vcl低于預設的臨界值時關(guān)閉SR正反器52。準位平移器36包括電阻R5及R6、二極管D3及D4、開關(guān)M5及M6以及反相器57及59。電阻R5連接在電壓端Vcl及節(jié)點56之間，二極管D3與電阻R5并聯(lián)以限制節(jié)點56的電壓，開關(guān)M5連接在節(jié)點56及地端GND之間，反相器57連接節(jié)點56，根據(jù)節(jié)點56的電壓產(chǎn)生重置信號Sr2，電阻R6連接在電壓端Vcl及節(jié)點58之間，二極管D4與電阻R6并聯(lián)以限制節(jié)點58的電壓，開關(guān)M6連接在節(jié)點58及地端GND之間，反相器59連接節(jié)點58，根據(jù)節(jié)點56的電壓產(chǎn)生設定信號Ss2。開關(guān)M5及M6分別受控于重置信號Srl及設定信號Ssl,當開關(guān)M5導通(turn on)而開關(guān)M6關(guān)閉(turn off)時，節(jié)點56的電壓為低準位，故重置信號Sr2為高準位，而節(jié)點58的電壓為高準位，故設定信號Ss2為低準位，因而使高側(cè)浮動電路34結(jié)束控制信號UGl。當開關(guān)M5關(guān)閉而開關(guān)M6導通時，節(jié)點56的電壓為高準位，故重置信號Sr2為低準位，而節(jié)點58的電壓為低準位，故設定信號Ss2為高準位，因而使高側(cè)浮動電路34觸發(fā)控制信號UGl。圖2中高側(cè)浮動電路40及準位平移42的架構(gòu)與圖4的高側(cè)浮動電路34及36相同，不再贅述。圖2及圖4系以最常見的浮動閘驅(qū)動器為實施例，本發(fā)明亦可使用其他架構(gòu)的浮動閘驅(qū)動器，例如美國專利號5，552，731及7，236，020。圖2的檢測器26包括電阻R1、R2、R3及R4以及比較器46及48。電阻Rl及R2串聯(lián)在交流輸入端28及地端GND之間，將交流輸入端28的電壓Vl分壓產(chǎn)生電壓Vdl，比較器46比較電壓Vdl及參考電壓Vref產(chǎn)生檢測信號Scl，電阻R3及R4串聯(lián)在交流輸入端30及地端GND之間，將交流輸入端30的電壓V2分壓產(chǎn)生電壓Vd2，比較器48比較電壓Vd2及參考電壓Vref產(chǎn)生檢測信號Sc2。如圖3的波形所示，當電壓Vdl大于參考電壓Vref時，表示電壓Vl大于預設值Vth，比較器46發(fā)出檢測信號Scl ;當電壓Vd2大于參考電壓Vref時，表示電壓V2大于預設值Vth，比較器48發(fā)出檢測信號Sc2。圖5系圖2中檢測器26的第二實施例，其系藉檢測通過NMOSFET Ml及M3的電流Il及13來判斷交流輸入端28及30的電壓，進而決定檢測信號Scl及Sc2。圖5的檢測器26包括電流感測器60及62、比較器46及48以及電流源64及66。電流感測器60及62分別感測NMOSFET Ml及M3的電流Il及13產(chǎn)生電流感測信號12及14，電流源64及66提供固定的電流Iref，當交流輸入端28的電壓Vl上升時，NMOSFET Ml的基底二極管(bodydiode)Dbl導通，因而產(chǎn)生電流Il由交流輸入端28經(jīng)基底二極管Dbl流向直流輸出端32，電流11及電流感測信號12將隨著電壓Vl的上升而上升，當電流感測信號12大于電流Iref時，節(jié)點68的電壓Vdl上升，在電壓Vdl大于參考電壓Vref時，比較器46發(fā)出檢測信號Scl。當交流輸入端30的電壓V2上升時，NMOSFET M3的基底二極管Db2導通，電流13從交流輸入端30經(jīng)基底二極管Db2流向直流輸出端32，電流13及電流感測信號14將隨著電壓V2的上升而上升，當電流感測信號14大于電流Iref時，節(jié)點70的電壓Vd2上升，在電壓Vd2大于參考電壓Vref時，比較器48發(fā)出檢測信號Sc2。電流感測器60包括電感LI及L2，電感LI與NMOSFET Ml串聯(lián)，因此電感LI的電流等于NMOSFET Ml的電流II，電感L2感應電感LI的電流Il產(chǎn)生電流感測信號12。電流感測器62包括電感L3及L4，電感L3與NMOSFET M3串聯(lián)，因此電感L3的電流等于NM0SFETM3的電流13，電感L4感應電感L3的電流13產(chǎn)生電流感測信號14。圖6系圖2中檢測器26的第三實施例，其系將圖2的電阻Rl及R3以閘極接地的N型空乏型晶體管M7及M8取代。當電壓Vl及V2為O時，空乏型晶體管M7及M8為導通狀態(tài)。當交流輸入端28的電壓Vl上升時，空乏型晶體管M7的源極電壓Vdl隨之上升，當電壓Vdl達到空乏型晶體管M7的臨界電壓時，空乏型晶體管M7關(guān)閉，因而限制電壓Vdl的最大值，防止高電壓進入檢測器26，在電壓Vdl大于參考電壓Vref時，比較器46發(fā)出檢測信號Scl。同理，當交流輸入端30的電壓V2上升時，電壓Vd2跟著上升，當電壓Vd2達到空乏型晶體管M8的臨界電壓時，空乏型晶體管M8關(guān)閉，因而限制電壓Vd2的最大值，在電壓Vd2大于參考電壓Vref時，比較器48發(fā)出檢測信號Sc2。在此實施例中，電阻R2及R4系作為限流電阻。圖7系橋式整流器20的第二實施例，其包括NMOSFET M2及M4、PM0SFET M9及M10、檢測器26以及準位平移器36。PMOSFET M9連接在直流輸出端32及交流輸入端28之間，NMOSFET M2連接在交流輸入端28及地端GND之間，PMOSFET MlO連接在直流輸出端32及交流輸入端30之間，NMOSFET M4連接在交流輸入端30及地端GND之間，檢測器26檢測交流輸入端28及30的電壓Vl及V2產(chǎn)生控制信號LGl及LG2分別控制NMOSFET M4及M2，準位平移器36平移控制信號LGl及LG2產(chǎn)生控制信號UGl及UG2分別控制PMOSFET M9及M10。圖7的檢測器26包括電阻R1、R2、R3及R4以及比較器46及48。電阻Rl及R2串聯(lián)在交流輸入端28及地端GND之間，將電壓Vl分壓產(chǎn)生電壓Vdl，比較器46比較電壓Vdl及參考電壓Vref產(chǎn)生控制信號LG1，電阻R3及R4串聯(lián)在交流輸入端30及地端GND之間，將電壓V2分壓產(chǎn)生電壓Vd2，比較器48比較電壓Vd2及參考電壓Vref產(chǎn)生控制信號LG2。圖7的檢測器26亦可修改成如圖6所示的檢測器。圖7的準位平移器36包括電阻R5及R6、二極管D3及D4、開關(guān)M5及M6以及空乏型晶體管Mll及Ml2。電阻R5及二極管D3并聯(lián)在直流輸出端32及PMOSFET M9的閘極之間，電阻R6及二極管D4并聯(lián)在直流輸出端32及PMOSFET MlO的閘極之間，空乏型晶體管MlI連接在PMOSFET M9的閘極及開關(guān)M5之間，空乏型晶體管M12連接在PMOSFET MlO的閘極及開關(guān)M6之間，空乏型晶體管Mll及M12系用以阻隔高壓，避免開關(guān)M5及M6上的跨壓過高。如圖3所示，當電壓Vl大于預設值Vth，電壓Vdl大于參考電壓Vref，控制信號LGl導通NMOSFET M4，同時開關(guān)M5也被控制信號LGl導通，因而使控制信號UGl轉(zhuǎn)為低準位而導通PMOSFET M9。當電壓V2大于預設值Vth，電壓Vd2大于參考電壓Vref，控制信號LG2導通NMOSFET M2及開關(guān)M6，開關(guān)M6導通時，控制信號UG2轉(zhuǎn)為低準位，因而導通PMOSFETM10。
權(quán)利要求
1.一種應用在PFC電源轉(zhuǎn)換器的橋式整流器，其特征在于，所述的橋式整流器包括: 第一及第二交流輸入端，供連接交流電源； 直流輸出端，供連接所述的PFC電源轉(zhuǎn)換器； 第一 MOSFET，連接在所述的第一交流輸入端及所述的直流輸出端之間； 第二 MOSFET，連接在所述的第一交流輸入端及地端之間； 第三MOSFET，連接在所述的第二交流輸入端及所述的直流輸出端之間； 第四MOSFET，連接在所述的第二交流輸入端及所述的地端之間； 檢測器，連接所述的第一及第二交流輸入端，檢測所述的第一交流輸入端的第一電壓及所述的第二交流輸入端的第二電壓，并在所述的第一電壓大于第一預設值時產(chǎn)生第一檢測信號，在所述的第二電壓大于第二預設值時產(chǎn)生第二檢測信號；以及 浮動閘驅(qū)動器，連接所述的檢測器、第一 MOSFET、第二 MOSFET、第三MOSFET及第四M0SFET，根據(jù)所述的第一及第二檢測信號控制所述的第一、第二、第三及第四MOSFET。
2.如權(quán)利要求1所述的橋式整流器，其特征在于，所述的第一及第三MOSFET具有N型通道。
3.如權(quán)利要求1所述的橋式整流器，其特征在于，所述的檢測器包括: 第一對串聯(lián)的電阻，連接 所述的第一交流輸入端，將所述的第一電壓分壓產(chǎn)生第三電壓； 第一比較器，連接所述的第一對串聯(lián)的電阻，比較所述的第三電壓及第一參考電壓產(chǎn)生所述的第一檢測信號； 第二對串聯(lián)的電阻，連接所述的第二交流輸入端，將所述的第二電壓分壓產(chǎn)生第四電壓；以及 第二比較器，連接所述的第二對串聯(lián)的電阻，比較所述的第四電壓及第二參考電壓產(chǎn)生所述的第二檢測信號。
4.如權(quán)利要求1所述的橋式整流器，其特征在于，所述的檢測器包括: 第一比較器，比較與所述的第一電壓相關(guān)的第三電壓及第一參考電壓產(chǎn)生所述的第一檢測信號；以及 第一電流感測器，連接所述的第一比較器，感測所述的第一 MOSFET的電流產(chǎn)生第一電流感測信號以決定所述的第三電壓； 第二比較器，比較與所述的第二電壓相關(guān)的第四電壓及第二參考電壓產(chǎn)生所述的第二檢測信號；以及 第二電流感測器，連接所述的第二比較器，感測所述的第三MOSFET的電流產(chǎn)生第二電流感測信號以決定所述的第四電壓。
5.如權(quán)利要求4所述的橋式整流器，其特征在于，所述的第一電流感測器包括: 第一電感，與所述的第一 MOSFET串聯(lián)；以及 第二電感，與所述的第一電感耦合，感應所述的第一電感的電流產(chǎn)生所述的第一電流感測信號。
6.如權(quán)利要求4所述的橋式整流器，其特征在于，所述的第二電流感測器包括: 第一電感，與所述的第三MOSFET串聯(lián)；以及 第二電感，與所述的第一電感耦合，感應所述的第一電感的電流產(chǎn)生所述的第二電流感測信號。
7.如權(quán)利要求1所述的橋式整流器，其特征在于，所述的檢測器包括: 第一空乏型晶體管，連接所述的第一交流輸入端，接收所述的第一電壓以產(chǎn)生第三電壓，并限制所述的第三電壓的最大值；以及 第一比較器，連接所述的第一空乏型晶體管，比較所述的第三電壓及第一參考電壓產(chǎn)生所述的第一檢測信號； 第二空乏型晶體管，連接所述的第二交流輸入端，接收所述的第二電壓以產(chǎn)生第四電壓，并限制所述的第四電壓的最大值；以及 第二比較器，連接所述的第二空乏型晶體管，比較所述的第四電壓及第二參考電壓產(chǎn)生所述的第二檢測信號。
8.如權(quán)利要求1所述的橋式整流器，其特征在于，所述的浮動閘驅(qū)動器包括: 第一高側(cè)浮動電路，具有第一電源輸入端及第二電源輸入端，所述的第二電源輸入端連接所述的第一交流輸入端，所述的第一高側(cè)浮動電路提供第一控制信號控制所述的第一MOSFET ； 第一電容，連接在所述的第一交流輸入端及所述的第一電源輸入端之間； 第一低側(cè)電路，連接所述的檢測器，根據(jù)所述的第一檢測信號決定第二控制信號、第一設定信號及第一重置信號，所述的第二控制信號控制所述的第四MOSFET ； 第一準位平移器，連接所述的第一高側(cè)浮動電路及所述的第一低側(cè)電路，平移所述的第一設定信號及所述的第一 重置信號產(chǎn)生第二設定信號及第二重置信號給所述的第一高側(cè)浮動電路，以決定所述的第一控制信號； 第二高側(cè)浮動電路，具有第三電源輸入端及第四電源輸入端，所述的第四電源輸入端連接所述的第二交流輸入端，所述的第二高側(cè)浮動電路提供第三控制信號控制所述的第三MOSFET ； 第二電容，連接在所述的第二交流輸入端及所述的第三電源輸入端之間； 第二低側(cè)電路，連接所述的檢測器，根據(jù)所述的第二檢測信號決定第四控制信號、第三設定信號及第三重置信號，所述的第四控制信號控制所述的第二 MOSFET ;以及 第二準位平移器，連接所述的第二高側(cè)浮動電路及所述的第二低側(cè)電路，平移所述的第三設定信號及第三重置信號產(chǎn)生第四設定信號及第四重置信號給所述的第二高側(cè)浮動電路，以決定所述的第三控制信號。
9.一種應用在PFC電源轉(zhuǎn)換器的橋式整流器，其特征在于，所述的橋式整流器包括: 第一及第二交流輸入端，供連接交流電源； 直流輸出端，供連接所述的PFC電源轉(zhuǎn)換器； 第一 M0SFET，連接在所述的第一交流輸入端及所述的直流輸出端之間，受控于第一控制信號； 第二 M0SFET，連接在所述的第一交流輸入端及地端之間，受控于第二控制信號； 第三M0SFET，連接在所述的第二交流輸入端及所述的直流輸出端之間，受控于第三控制信號； 第四M0SFET，連接在所述的第二交流輸入端及所述的地端之間，受控于第四控制信號;檢測器，檢測所述的第一交流輸入端的第一電壓及所述的第二交流輸入端的第二電壓產(chǎn)生所述的第二及第四控制信號；以及 準位平移器，連接所述的第一 MOSFET、第三MOSFET及所述的檢測器，平移所述的第二及第四控制信號產(chǎn)生所述的第一及第三控制信號； 其中，在所述的第一電壓大于第一預設值時，所述的第一及第四MOSFET導通，在所述的第二電壓大于第二預設值時，所述的第二及第三MOSFET導通。
10.如權(quán)利要求9所述的橋式整流器，其特征在于，所述的第一及第三MOSFET具有P型通道。
11.如權(quán)利要求9所述的橋式整流器，其特征在于，所述的檢測器包括: 第一對串聯(lián)的電阻，連接所述的第一交流輸入端，將所述的第一電壓分壓產(chǎn)生第三電壓； 第一比較器，連接所述的第一對串聯(lián)的電阻，比較所述的第三電壓及第一參考電壓產(chǎn)生所述的第四控制信號； 第二對串聯(lián)的電阻，連接所述的第二交流輸入端，將所述的第二電壓分壓產(chǎn)生第四電壓；以及 第二比較器，連接所述的第二對串聯(lián)的電阻，比較所述的第四電壓及第二參考電壓產(chǎn)生所述的第二控制信號。
12.如權(quán)利要求9所述的橋式整流器，其特征在于，所述的檢測器包括: 第一空乏型晶體管，連接 所述的第一交流輸入端，接收所述的第一電壓以產(chǎn)生第三電壓，并限制所述的第三電壓的最大值；以及 第一比較器，連接所述的第一空乏型晶體管，比較所述的第三電壓及第一參考電壓產(chǎn)生所述的第四控制信號； 第二空乏型晶體管，連接所述的第二交流輸入端，接收所述的第二電壓以產(chǎn)生第四電壓，并限制所述的第四電壓的最大值；以及 第二比較器，連接所述的第二空乏型晶體管，比較所述的第四電壓及第二參考電壓產(chǎn)生所述的第二控制信號。
13.如權(quán)利要求9所述的橋式整流器，其特征在于，所述的準位平移器包括: 第一電阻，連接在所述的直流輸出端及所述的第一 MOSFET的閘極之間； 第一二極管，與所述的第一電阻并聯(lián)，用以限制所述的第一電阻的跨壓； 第一開關(guān)，因應所述的第四控制信號而切換，以決定提供至所述的第一 MOSFET的閘極的第一控制信號； 第一空乏型晶體管，連接在所述的第一 MOSFET的閘極及所述的第一開關(guān)之間，用以限制所述的第一開關(guān)的最大跨壓； 第二電阻，連接在所述的直流輸出端及所述的第三MOSFET的閘極之間； 第二二極管，與所述的第二電阻并聯(lián)，用以限制所述的第二電阻的跨壓； 第二開關(guān)，因應所述的第二控制信號而切換，以決定提供至所述的第三MOSFET的閘極的第三控制信號；以及 第二空乏型晶體管，連接在所述的第三MOSFET的閘極及所述的第二開關(guān)之間，用以限制所述的第二開關(guān)的最大跨壓。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種橋式整流器，以MOSFET取代二極管，因此具有較佳的效能。該橋式整流器藉檢測其交流輸入端的電壓來判斷交流電壓的正負半周，因而可以準確的控制這些MOSFET的切換。
文檔編號H02M7/219GK103199717SQ20121001976
公開日2013年7月10日 申請日期2012年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月9日
發(fā)明者曾培凱, 何峻徹, 唐健夫, 陳曜洲 申請人:立锜科技股份有限公司