專(zhuān)利名稱(chēng)：氮化鎵功率晶體管三電平驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)功率晶體管的三電平門(mén)極驅(qū)動(dòng)方法，屬于半導(dǎo)體應(yīng)用或電能變換領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)材料具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大、飽和電子漂移速度高、介電常數(shù)小以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，特別是基于GaN的AlGaN/ GaN結(jié)構(gòu)具有更高的電子遷移率，使得GaN器件具有低的導(dǎo)通電阻、高的工作頻率，符合下一代開(kāi)關(guān)電源變換器高頻率、高功率密度及高可靠性的要求。由于氮化鎵功率晶體管的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、損耗機(jī)制相比硅基MOSFET有顯著差異，如何實(shí)現(xiàn)對(duì)氮化鎵功率晶體管的驅(qū)動(dòng)，對(duì)發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)、提高系統(tǒng)整體性能的作用舉足輕重。目前，硅基MOSFET的驅(qū)動(dòng)方式可以歸納為PWM方式和諧振方式兩大類(lèi)。其中，PWM驅(qū)動(dòng)方式又可以分為集成式驅(qū)動(dòng)和分立式驅(qū)動(dòng)。集成式引起驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠而被廣泛使用，尤其是對(duì)于互補(bǔ)開(kāi)通的橋臂結(jié)構(gòu)。對(duì)于需要互補(bǔ)導(dǎo)通的橋臂結(jié)構(gòu)，為了避免兩管直通造成對(duì)源的短路，通常兩個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間留有一定死區(qū)時(shí)間，由于開(kāi)關(guān)管上升下降時(shí)間隨工作條件不同而改變，因此死區(qū)時(shí)間的設(shè)置通常是考慮最?lèi)毫拥那闆r，即取最大值。集成驅(qū)動(dòng)器中預(yù)設(shè)了死區(qū)時(shí)間，因其既可以實(shí)現(xiàn)高可靠開(kāi)通又可有效避免橋臂直通而被廣泛采用。然而，傳統(tǒng)的PWM方式并沒(méi)有考慮到控制死區(qū)時(shí)間對(duì)于開(kāi)關(guān)管的控制，對(duì)于互補(bǔ)導(dǎo)通的橋臂結(jié)構(gòu)，控制死區(qū)時(shí)間由開(kāi)關(guān)管的反向?qū)C(jī)制實(shí)現(xiàn)電流續(xù)流。氮化鎵功率晶體管由于沒(méi)有體二極管，反向?qū)C(jī)制與硅基MOSFET不同，其壓降也遠(yuǎn)高于硅基MOSFET體二極管的壓降。這對(duì)于高頻工作的氮化鎵功率晶體管而言，若是沿用原有的PWM驅(qū)動(dòng)方式，死區(qū)時(shí)間的導(dǎo)通損耗將成為效率提高的障礙。針對(duì)橋臂互補(bǔ)導(dǎo)通增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體管結(jié)構(gòu)，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體(現(xiàn)德州儀器)2012年初剛剛推出一款集成的控制器LM5113，該控制器實(shí)際上還是基于傳統(tǒng)的PWM方式，不同的是把死區(qū)時(shí)間設(shè)置的問(wèn)題推給了邏輯控制電路，并沒(méi)有從根本上解決死區(qū)時(shí)間反向?qū)ǖ膯?wèn)題。另外，采用反并二極管的方式解決導(dǎo)通壓降的問(wèn)題在頻率上升到兆赫茲級(jí)別時(shí)是不適用的。針對(duì)硅基MOSFET的諧振式驅(qū)動(dòng)是利用驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感或諧振電感與開(kāi)關(guān)管結(jié)電容之間的諧振實(shí)現(xiàn)對(duì)開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)，通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)能量進(jìn)行回收降低驅(qū)動(dòng)損耗。而諧振式驅(qū)動(dòng)電路本身并非無(wú)損的，其之所以能降低損耗實(shí)際上是節(jié)省了邏輯電路驅(qū)動(dòng)損耗與功率電路驅(qū)動(dòng)損耗之間的功耗差。這對(duì)于％比較大的硅基MOSFET而言效果很明顯，而氮化鎵功率晶體管的％較小，諧振式驅(qū)動(dòng)利用功耗差提高效率的效果不再明顯。另外，與PWM — 樣，在用于橋臂結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)時(shí)，諧振式驅(qū)動(dòng)并沒(méi)有考慮死區(qū)時(shí)間的控制?？傊F(xiàn)有驅(qū)動(dòng)方案限制了氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要新的以充分發(fā)揮氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)、回避其不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服上述現(xiàn)有硅基MOSFET驅(qū)動(dòng)方式直接應(yīng)用到氮化鎵功率晶體管驅(qū)動(dòng)的缺陷，設(shè)計(jì)一種有利于充分發(fā)揮氮化鎵功率晶體管優(yōu)勢(shì)，彌補(bǔ)其特性上的不足，從而實(shí)現(xiàn)聞?lì)l、聞效率變換的驅(qū)動(dòng)方法。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下措施實(shí)現(xiàn)的
一種氮化鎵功率晶體管的三電平驅(qū)動(dòng)方法，其特征是在氮化鎵功率晶體管需要反向?qū)C(jī)制工作時(shí)，在其驅(qū)動(dòng)器的低端接一個(gè)低于開(kāi)關(guān)管門(mén)檻電壓的中間電平Vx，由該中間電平Vx補(bǔ)償晶體管反向?qū)C(jī)制引起的柵漏極電壓Vgd，使源漏極壓降從Vth減小為 Vth-Vx,晶體管反向?qū)▔航禍p小。氮化鎵功率晶體管的三電平驅(qū)動(dòng)電路包括氮化鎵功率晶體管、驅(qū)動(dòng)器和中間電平發(fā)生單元，該中間電平發(fā)生單元設(shè)有一個(gè)圖騰柱，該圖騰柱的輸入端接控制信號(hào)C0N，輸出端接驅(qū)動(dòng)器的低端，圖騰柱的低端接地，高端接電平Vx。互補(bǔ)導(dǎo)通控制的橋臂結(jié)構(gòu)中一個(gè)氮化鎵功率晶體管或兩個(gè)氮化鎵功率晶體管驅(qū)動(dòng)米用二電平驅(qū)動(dòng)。在氮化鎵功率晶體管用作同步整流管反向?qū)〞r(shí)，驅(qū)動(dòng)電路采用三電平驅(qū)動(dòng)。本發(fā)明的氮化鎵功率晶體管三電平驅(qū)動(dòng)方式，在現(xiàn)有兩電平驅(qū)動(dòng)方式的基礎(chǔ)上， 針對(duì)反向?qū)C(jī)制帶來(lái)的導(dǎo)通壓降大的問(wèn)題，提出在柵源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的死區(qū)時(shí)間內(nèi)預(yù)置一個(gè)低于門(mén)檻電壓的電平。該電平的引入可以補(bǔ)償反向?qū)C(jī)制帶來(lái)的柵漏極電壓，從而減小源漏極在反向?qū)C(jī)制工作時(shí)電壓降，最終降低反向?qū)ü模岣咦儞Q器的效率。該三電平驅(qū)動(dòng)方式可用于一切需要氮化鎵功率晶體管反向?qū)C(jī)制工作的場(chǎng)合， 典型應(yīng)用為互補(bǔ)導(dǎo)通控制的橋臂結(jié)構(gòu)以及同步整流管。本發(fā)明基于氮化鎵功率晶體管的反向?qū)C(jī)制及其結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)的特性所提出，在控制死區(qū)時(shí)間內(nèi)，于柵極與源極之間施加一個(gè)低于其門(mén)檻電壓的電平，從反向?qū)C(jī)制的電壓平衡角度，解決漏源極在反向?qū)〞r(shí)壓降大的問(wèn)題。本發(fā)明與現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)方式相比的主要技術(shù)特點(diǎn)是，通過(guò)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法，可以大幅的降低氮化鎵功率晶體管反向?qū)▔航?理論上可以做到零壓降)，從而降低反向?qū)〒p耗，提高變換器的效率，尤其是在高頻工作時(shí)的效率。


圖I互補(bǔ)導(dǎo)通的兩只開(kāi)關(guān)管傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)方式；
圖2三電平驅(qū)動(dòng)方式；
圖3互補(bǔ)導(dǎo)通的兩只開(kāi)關(guān)管三電平驅(qū)動(dòng)方式；
圖4 Vx電平產(chǎn)生機(jī)理；
圖5邏輯控制時(shí)序圖6橋臂下管三電平驅(qū)動(dòng)(同步整流Buck變換器)應(yīng)用實(shí)例；
圖7橋臂下管三電平驅(qū)動(dòng)(同步整流Buck變換器)驅(qū)動(dòng)邏輯時(shí)序；
圖8三電平與兩電平效率曲線對(duì)比；圖9三電平與反并二極管在不同工作頻率的情況對(duì)比；
圖10橋臂上管三電平驅(qū)動(dòng)(同步整流Boost變換器)應(yīng)用實(shí)例；
圖11橋臂上管三電平驅(qū)動(dòng)(同步整流Boost變換器)驅(qū)動(dòng)邏輯時(shí)序；
圖12橋臂結(jié)構(gòu)雙管三電平驅(qū)動(dòng)電路；
圖13橋臂結(jié)構(gòu)雙管三電平驅(qū)動(dòng)電路邏輯時(shí)序；
圖14半波同步整流電路；
圖15全波同步整流電路；
圖16倍流同步整流電路。圖中PWM、PWM1、PWM2為脈寬信號(hào)；C0N為控制信號(hào)；Vx為中間電平；Vgs為驅(qū)動(dòng)電壓；M為驅(qū)動(dòng)控制的死區(qū)時(shí)間；Q1、Q2、SR1、SR2為氮化鎵功率晶體管。各圖中的M為控制死區(qū)時(shí)間。
具體實(shí)施例方式三電平驅(qū)動(dòng)方式是相對(duì)于傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)管兩電平驅(qū)動(dòng)方式而言的。一般兩只開(kāi)關(guān)管需要互補(bǔ)導(dǎo)通的應(yīng)用場(chǎng)合，為了避免短路故障，兩只開(kāi)關(guān)控制信號(hào)之間存在一個(gè)死區(qū)，電流通過(guò)開(kāi)關(guān)管的反向?qū)C(jī)制續(xù)流。驅(qū)動(dòng)信號(hào)為兩電平，即高電平與低電平(如圖I)。而所謂的三電平則是在傳統(tǒng)柵源極兩電平的驅(qū)動(dòng)方式中引入一個(gè)中間電平Vx (如圖2)。在Vx低于氮化鎵功率晶體管的門(mén)檻電壓Vth時(shí)，柵源極電壓不足以開(kāi)通開(kāi)關(guān)管； 此時(shí)Vx可以用于補(bǔ)償柵漏極電壓Vgd由于反向?qū)C(jī)制工作帶來(lái)的壓降Vth，使得實(shí)際源漏極電壓降為Vth-Vx，從而減小反向?qū)C(jī)制帶來(lái)的高頻工作損耗大的問(wèn)題。對(duì)兩只需要互補(bǔ)導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)管，可能存在的工作方式可以分為兩種(如圖3)，即一只開(kāi)關(guān)管兩電平、一只三電平以及兩只均采用三電平。根據(jù)實(shí)際情況，選用不同的驅(qū)動(dòng)方式，即需要反向工作機(jī)制動(dòng)作的開(kāi)關(guān)管選用三電平驅(qū)動(dòng)方式。實(shí)施例一
互補(bǔ)導(dǎo)通控制的橋臂結(jié)構(gòu)中一只氮化鎵功率晶體管驅(qū)動(dòng)采用三電平驅(qū)動(dòng)。如圖6，是氮化鎵功率晶體管三電平驅(qū)動(dòng)在同步整流Buck變換器中的應(yīng)用(即橋臂下管需要反向?qū)ǖ那闆r)，下管采用三電平驅(qū)動(dòng)。該三電平驅(qū)動(dòng)電路包括中間電平發(fā)生單元、氮化鎵功率晶體管Ql及其驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵功率晶體管Q2及其驅(qū)動(dòng)器，中間電平發(fā)生單元的圖騰柱輸出端接氮化鎵功率晶體管Q2驅(qū)動(dòng)器的低端。脈沖PWMl經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路接氮化鎵功率晶體管Ql驅(qū)動(dòng)器的脈寬輸入端；脈沖PWM2接氮化鎵功率晶體管Q2驅(qū)動(dòng)器的脈寬輸入端；中間電平發(fā)生單元圖騰柱的輸入端接控制信號(hào)C0N。實(shí)施例二
上述圖6是下管需要反向?qū)?，?duì)于上管需要反向?qū)ǖ那闆r(如同步整流Boost變換器)，驅(qū)動(dòng)電路略有不同，如圖10所示。該三電平驅(qū)動(dòng)電路同樣包括中間電平發(fā)生單元、氮化鎵功率晶體管Ql及其驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵功率晶體管Q2及其驅(qū)動(dòng)器。不同之處在于是中間電平發(fā)生單元的圖騰柱輸出端接氮化鎵功率晶體管Ql驅(qū)動(dòng)器的低端，圖騰柱低端接橋臂中點(diǎn)，即Ql的源極和Q2的漏極，而控制信號(hào)通過(guò)電平轉(zhuǎn)換電路連接到圖騰柱的輸入端。脈沖PWMl經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路接氮化鎵功率晶體管Ql驅(qū)動(dòng)器的脈寬輸入端；脈沖PWM2接氮化鎵功率晶體管Q2驅(qū)動(dòng)器的脈寬輸入端。
實(shí)施例三
互補(bǔ)導(dǎo)通控制的橋臂結(jié)構(gòu)中兩只氮化鎵功率晶體管驅(qū)動(dòng)均采用三電平動(dòng)。如圖12，該三電平驅(qū)動(dòng)電路包括中間電平發(fā)生單元、氮化鎵功率晶體管Ql及其驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵功率晶體管Q2及其驅(qū)動(dòng)器，中間電平發(fā)生單元包括兩個(gè)圖騰柱，一個(gè)圖騰柱的輸出端接氮化鎵功率晶體管Q2驅(qū)動(dòng)器的低端，其低端接地，信號(hào)輸入端接控制信號(hào)C0N。另一個(gè)圖騰柱的輸出端接氮化鎵功率晶體管Ql驅(qū)動(dòng)器的低端，低端接橋臂中點(diǎn)即Ql的源極和Q2的漏極，控制信號(hào)CON經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路與該圖騰柱的輸入端連接。脈沖PWMl經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路接氮化鎵功率晶體管Ql驅(qū)動(dòng)器的脈寬輸入端；脈沖PWM2接氮化鎵功率晶體管Q2驅(qū)動(dòng)器的脈寬輸入端；中間電平發(fā)生單元的信號(hào)輸入端接控制信號(hào)C0N，控制信號(hào)CON—路直接一個(gè)圖騰柱的輸入端，控制信號(hào)CON又經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路與另一圖騰柱的輸入端。實(shí)施例四
三電平驅(qū)動(dòng)的具體實(shí)現(xiàn)方式(如圖4)為在傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)之上，加上一個(gè)圖騰柱結(jié)構(gòu)，圖騰柱中點(diǎn)輸出接到原先驅(qū)動(dòng)器的低端，通過(guò)控制輸入的CON信號(hào)實(shí)現(xiàn)在原有兩電平PWM信號(hào)兩側(cè)上疊加中間電平Vx，實(shí)現(xiàn)上述的三電平驅(qū)動(dòng)方式。其基本邏輯控制時(shí)序電路如圖5所示，當(dāng)CON信號(hào)為低時(shí)，中間電平發(fā)生單元輸出為低電位(即此時(shí)該單元不參與電路運(yùn)行)，對(duì)外表現(xiàn)就是傳統(tǒng)兩電平驅(qū)動(dòng)器，PWM輸入為高電平，驅(qū)動(dòng)輸出為高電平，PWM輸入為低電平時(shí)則對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)輸出為低電平；當(dāng)CON的電平為高時(shí)，中間電平發(fā)生單元的輸出電平為Vx，而傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器單元此時(shí)的輸出信號(hào)為低，因此，這一段時(shí)間加到開(kāi)關(guān)管門(mén)極和源極的電平為Vx，從而實(shí)現(xiàn)了中間電平；這樣一個(gè)周期內(nèi)驅(qū)動(dòng)輸出就有三個(gè)電平，即實(shí)現(xiàn)了三電平驅(qū)動(dòng)方式，該驅(qū)動(dòng)方式可以用于實(shí)現(xiàn)對(duì)圖14-16中同步整流管SRl和SR2的驅(qū)動(dòng)，由于SRl和SR2共地，這三種情況無(wú)需電平轉(zhuǎn)換電路。實(shí)施例五
為了說(shuō)明該方法的有效性，采用一個(gè)同步整流Buck變換器進(jìn)行了驗(yàn)證，簡(jiǎn)要電路如圖 6所示，其中上管仍然是兩電平工作，下管為三電平工作，工作方式與圖4中相同。圖7給出的是對(duì)應(yīng)的PWM信號(hào)、控制信號(hào)以及輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這里開(kāi)關(guān)管采用EPC公司的EPC1015， 傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器LM27222，死區(qū)時(shí)間16ns，開(kāi)關(guān)頻率為IMHz，電感值為150nH。圖8給出的是樣機(jī)在不同Vx下的效率對(duì)比。顯然，在Vx〈Vth的前提下，增大Vx意味著變換器效率的提高。與此同時(shí)，為了比較GaN與Si MOSFET的性能，這里同樣給出了一組優(yōu)化設(shè)計(jì)的Si MOSFET樣機(jī)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，Ql和Q2分別采用TI的CSD16410和CSD16325， 其余參數(shù)保持一致。在工作頻率為IMHz時(shí)，GaN兩電平驅(qū)動(dòng)的滿載效率要高于MOSFET ;但是由于其反向?qū)▔航颠h(yuǎn)大于MOSFET的體二極管壓降，因此其輕載工作時(shí)的效率要遠(yuǎn)低于 MOSFET。另外，為了證明驅(qū)動(dòng)方法改進(jìn)的必要性，將發(fā)明所提出的控制策略與Q2并聯(lián)肖特基二極管的情形進(jìn)行了對(duì)比。其中，Vx=L 5V，當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率上升到2MHz時(shí)，濾波電感減小到 80nH，其余參數(shù)保持不變。圖9給出了效率曲線對(duì)比，在滿載條件下，fs=lMHz時(shí)，三電平驅(qū)動(dòng)方案比并聯(lián)二極管方案的效率高O. 3% ;當(dāng)頻率上升到2MHz時(shí)，三電平方案的優(yōu)勢(shì)接近 1%。也就是說(shuō)，隨著頻率上升，所提的三電平方案優(yōu)勢(shì)增大，這對(duì)于適用于高頻開(kāi)關(guān)的GaN 功率晶體管而言是十分必要的。實(shí)施例六當(dāng)僅上管需要反向?qū)C(jī)制工作時(shí)，如同步整流Boost變換器通過(guò)反向?qū)C(jī)制實(shí)現(xiàn)續(xù)流管的軟開(kāi)關(guān)，可以采用將圖10中的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，其基本邏輯時(shí)序結(jié)構(gòu)如圖11所示。實(shí)施例七
當(dāng)上下管都需要反向?qū)C(jī)制工作時(shí)，如移相全橋變換器、半橋LLC諧振變換器通過(guò)反向?qū)C(jī)制實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的軟開(kāi)關(guān)，可以將圖6中的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)做改動(dòng)(如圖12)，即可實(shí)現(xiàn)圖3 (b)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，達(dá)到減小反向?qū)▔航档哪康?，其基本邏輯時(shí)序結(jié)構(gòu)如圖13所示。對(duì)于互補(bǔ)橋臂以及同步整流驅(qū)動(dòng)而言，電路中都存在與原始PWM信號(hào)的互補(bǔ)信號(hào)，中間電平控制信號(hào)CON可以直接通過(guò)這兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生，其邏輯關(guān)系為
CON = PWMlUPWM2 °
權(quán)利要求
1.一種氮化鎵功率晶體管的三電平驅(qū)動(dòng)方法，其特征是在氮化鎵功率晶體管需要反向?qū)C(jī)制工作時(shí)，在其驅(qū)動(dòng)器的低端接一個(gè)低于開(kāi)關(guān)管門(mén)檻電壓的中間電平Vx，由該中間電平Vx補(bǔ)償晶體管反向?qū)C(jī)制引起的柵漏極電壓Vgd，使源漏極壓降從Vth減小為 Vth-Vx,晶體管反向?qū)▔航禍p小。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征是氮化鎵功率晶體管的三電平驅(qū)動(dòng)電路包括氮化鎵功率晶體管、驅(qū)動(dòng)器和中間電平發(fā)生單元，該中間電平發(fā)生單元設(shè)有一個(gè)圖騰柱，該圖騰柱的輸入端接控制信號(hào)C0N，輸出端接驅(qū)動(dòng)器的低端，圖騰柱的低端接地，高端接電平Vx。
3.根據(jù)權(quán)利要求I、或2所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征是互補(bǔ)導(dǎo)通控制的橋臂結(jié)構(gòu)中一個(gè)氮化鎵功率晶體管或兩個(gè)氮化鎵功率晶體管驅(qū)動(dòng)采用三電平驅(qū)動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征是在氮化鎵功率晶體管用作同步整流管反向?qū)〞r(shí)，驅(qū)動(dòng)電路采用三電平驅(qū)動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明的氮化鎵功率晶體管三電平驅(qū)動(dòng)方式，在現(xiàn)有兩電平驅(qū)動(dòng)方式的基礎(chǔ)上，針對(duì)反向?qū)C(jī)制帶來(lái)的導(dǎo)通壓降大的問(wèn)題，提出在柵源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的死區(qū)時(shí)間內(nèi)預(yù)置一個(gè)低于門(mén)檻電壓的電平。在氮化鎵功率晶體管需要反向?qū)C(jī)制工作時(shí)，在其驅(qū)動(dòng)器的低端接一個(gè)低于開(kāi)關(guān)管門(mén)檻電壓的中間電平Vx，由該中間電平Vx補(bǔ)償晶體管反向?qū)C(jī)制引起的柵漏極電壓Vgd，使源漏極壓降從Vth減小為Vth-Vx，晶體管反向?qū)▔航禍p小。最終降低反向?qū)ü模岣咦儞Q器的效率。該三電平驅(qū)動(dòng)方式可用于一切需要氮化鎵功率晶體管反向?qū)C(jī)制工作的場(chǎng)合，典型應(yīng)用為互補(bǔ)導(dǎo)通控制的橋臂結(jié)構(gòu)以及同步整流管。
文檔編號(hào)H02M1/088GK102611288SQ201210071969
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月19日
發(fā)明者任小永, 阮新波, 陳乾宏 申請(qǐng)人:南京航空航天大學(xué)