專利名稱：風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，且尤其涉及一種風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置。
背景技術(shù)：
風(fēng)力發(fā)電是利用風(fēng)力帶動(dòng)風(fēng)車(chē)葉片旋轉(zhuǎn)，再透過(guò)增速機(jī)將旋轉(zhuǎn)的速度提升，來(lái)促使發(fā)電機(jī)發(fā)電。依據(jù)目前的風(fēng)車(chē)技術(shù)，大約是每秒三公尺的微風(fēng)速度(微風(fēng)的程度)， 便可以開(kāi)始發(fā)電。風(fēng)力發(fā)電正在世界上形成一股熱潮，因?yàn)轱L(fēng)力發(fā)電沒(méi)有燃料問(wèn)題，也不會(huì)產(chǎn)生輻射或空氣污染。風(fēng)力發(fā)電在芬蘭、丹麥等國(guó)家很流行；我國(guó)也在西部地區(qū)大力提倡。小型風(fēng)力發(fā)電機(jī)多數(shù)米用三相永磁電機(jī)，發(fā)電機(jī)輸出電壓較低，多數(shù)為24-48V無(wú)法直接實(shí)現(xiàn)逆變并網(wǎng)。國(guó)內(nèi)現(xiàn)有并網(wǎng)型風(fēng)力發(fā)電逆變器基本的實(shí)現(xiàn)方式有兩類，一類是采用先整流，再逆變到與電網(wǎng)同相位的50Hz交流電，然后通過(guò)工頻變壓器升壓到交流220V并入電網(wǎng)。這種方式結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，也具有較好的可靠性，缺點(diǎn)是工頻變壓器體積和重量較大，功率損耗也比較大。另一類是采用先升壓，再逆變的方式。先進(jìn)行整流得到較低的直流電壓，采用Boost升壓電路或高頻升壓變壓器，把電壓升到350V直流電壓，再通過(guò)高頻逆變電路逆變得到220V交流電，并入電網(wǎng)。這種方式缺點(diǎn)是需要經(jīng)過(guò)兩級(jí)高頻變換，增加了能量損失。電網(wǎng)側(cè)需要一個(gè)電感量較大的輸出電抗器，體積和重量較大，功率損耗也較大，并網(wǎng)電流中開(kāi)關(guān)頻率的高次諧波含量較重。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的風(fēng)力發(fā)電體積和重量較大、功率損耗較大的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，至少包括輸入整流濾波回路，和所述風(fēng)力發(fā)電機(jī)相連；高頻變流回路，和所述輸入整流濾波回路相連，所述高頻變流回路包括至少一組逆變電路，每組所述逆變電路包括兩個(gè)互補(bǔ)輸出的MOSFET和一個(gè)與所述一兩個(gè)MOSFET相連的高頻變壓器；工頻變流回路，和所述高頻變流回路相連，所述工頻變流回路包括組成H橋的四只單向可控硅、與所述四只單向可控硅相連的光耦可控硅驅(qū)動(dòng)電路以及給所述光耦可控硅驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)出控制信號(hào)的DSP?？蛇x的，所述兩個(gè)MOSFET的輸出波形的相位相差180°?？蛇x的，所述風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置還包括一停機(jī)保護(hù)回路，所述停機(jī)保護(hù)回路連接于所述風(fēng)力發(fā)電機(jī)和所述輸入整流濾波回路之間?？蛇x的，所述輸入整流濾波回路包括三對(duì)肖特基二極管以及與每對(duì)所述肖特基二極管均并聯(lián)的電解電容?？蛇x的，所述電解電容的容量不小于1000 μ F?？蛇x的，所述高頻變流回路包括兩組逆變電路、三組逆變電路或四組逆變電路?？蛇x的，每組所述逆變電路還包括一高頻濾波電容，所述高頻濾波電容并聯(lián)于所述高頻變壓器的兩端。
可選的，所述風(fēng)カ發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置還包括一輸出濾波回路，所述輸出濾波回路和所述エ頻變流回路相連。本發(fā)明風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置的有益技術(shù)效果為本發(fā)明風(fēng)カ發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置實(shí)現(xiàn)了ー種小型風(fēng)カ發(fā)電并網(wǎng)逆變裝置，具有體積小、重量輕、效率高、電能質(zhì)量好、抗電網(wǎng)干擾性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)本裝置可以實(shí)現(xiàn)多臺(tái)風(fēng)機(jī)的并聯(lián)輸出，同時(shí)具備最大功率跟蹤和大風(fēng)過(guò)功率停機(jī)保護(hù)等基本的控制功能。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的輸入整流濾波回路的示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的聞?lì)l逆變回路的不意圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的高頻逆變單元輸出電流的波形圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例的第二級(jí)直流母線電壓波形圖。圖5為本發(fā)明實(shí)施例的エ頻逆變回路的示意圖。圖6為本發(fā)明實(shí)施例的控制功能框圖。圖7為本發(fā)明另ー實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面，結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步的詳細(xì)說(shuō)明。圖I為輸入整流濾波回路的示意圖，風(fēng)カ發(fā)電機(jī)10輸出三根電源線，直接連接到輸入整流濾波回路14的六只肖特基ニ極管15組成的三相全橋整流電路，在經(jīng)過(guò)并聯(lián)的電解電容Cl，將風(fēng)カ發(fā)電機(jī)10發(fā)出的電變?yōu)槠椒€(wěn)直流電。所述電解電容Cl的容量不小于1000 μ F。肖特基ニ極管15具有極低的導(dǎo)通壓降，可以有效地降低輸入整流濾波回路的功率損耗。風(fēng)カ發(fā)電機(jī)10采用三相永磁式發(fā)電機(jī)，輸出頻率、電壓和功率隨轉(zhuǎn)速增加。對(duì)每ー個(gè)風(fēng)速值，有一個(gè)與之相對(duì)應(yīng)的葉輪轉(zhuǎn)速可以得到最大功率，只要通過(guò)輸出功率控制使風(fēng)電機(jī)組整流后的直流電源穩(wěn)定在一定范圍內(nèi)，就可以得到該風(fēng)速下相應(yīng)的最大輸出功率。在輸入整流濾波回路14和風(fēng)カ發(fā)電機(jī)10之間還設(shè)置一停機(jī)保護(hù)回路11，停機(jī)保護(hù)回路11由兩組并聯(lián)的停機(jī)保護(hù)單元組成，每組停機(jī)保護(hù)單元由串聯(lián)的保護(hù)電阻13和開(kāi)關(guān)12組成。風(fēng)カ發(fā)電機(jī)10遇到臺(tái)風(fēng)等高風(fēng)速天氣，風(fēng)カ發(fā)電機(jī)10輸出功率大幅度超過(guò)額定功率，為避免風(fēng)カ發(fā)電機(jī)10的飛車(chē)損壞，或造成并網(wǎng)逆變器過(guò)功率損壞，對(duì)風(fēng)力發(fā)電機(jī)10實(shí)行軟剎車(chē)制動(dòng)，保護(hù)風(fēng)カ發(fā)電機(jī)10和逆變器安全。圖2為高頻逆變回路的示意圖，高頻變流回路20，和所述輸入整流濾波回路14相連，所述高頻變流回路20包括至少ー組逆變電路，每組所述逆變電路包括兩個(gè)互補(bǔ)輸出的MOSFET 21和ー個(gè)與所述ー兩個(gè)MOSFET 21相連的高頻變壓器23，優(yōu)選的，所述高頻變流回路包括兩組逆變電路、三組逆變電路或四組逆變電路；采用MOSFET 21加高頻變壓器23組成反激式電路，由于整個(gè)變壓器流過(guò)高頻電流，變壓器不會(huì)因鐵心飽和而導(dǎo)致輸出電流失真，且變壓器高低壓側(cè)的匝數(shù)都很少，因而整個(gè)變壓器的體積很小。每個(gè)MOSFET 21加高頻變壓器23組成的逆變電路輸出功率在200W，輸出功率需擴(kuò)大時(shí)，可以采用多組并聯(lián)，分別通過(guò)快恢復(fù)ニ極管整流，得到脈動(dòng)的直流電壓。兩個(gè)MOSFET 21的輸出波形的相位相差180°，兩只MOSFET的相位21相差180度，使使等效輸出頻率加倍，便于高頻諧波的濾除，多只變壓器并列輸出時(shí)，波形為每個(gè)變壓器輸出的總和，波形更平滑，諧波含量更少。 圖3為高頻逆變單元輸出電流的波形圖，在高頻變壓器輸出側(cè)得到一組由高頻脈沖群組成的直流電流，其包絡(luò)線為與電網(wǎng)電壓同相位的50Hz正弦波的正半波。圖4為第二級(jí)直流母線電壓波形圖，經(jīng)小電容濾波后，在第二級(jí)直流母線上電壓峰值略高于電網(wǎng)工頻220V峰值的半波正弦電壓，相位與電網(wǎng)同相。多組變流器并聯(lián)時(shí)，各組MOSFET交錯(cuò)觸發(fā)導(dǎo)通，提高了等效開(kāi)關(guān)頻率，降低了諧波含量。圖5為工頻逆變回路的示意圖，和所述高頻變流回路20相連，所述工頻變流回路40包括組成H橋的四只單向可控硅43、與所述四只單向可控硅43相連的光耦可控硅驅(qū)動(dòng)電路42以及給所述光耦可控硅驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)出控制信號(hào)的DSP 41。采用四只單向可控硅43組成H橋，形成工頻逆變回路，由DSP41發(fā)出控制信號(hào)，經(jīng)光耦隔離后驅(qū)動(dòng)電路42可控硅觸發(fā)，每IOms進(jìn)行一次反相，把脈動(dòng)直流電變?yōu)檎?fù)半波相間的交流電。可控硅工作在50Hz的工頻狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗低，導(dǎo)通壓降小。與傳統(tǒng)的采用IGBT或MOSFET組成的并網(wǎng)輸出級(jí)電路相比，可控硅具有更強(qiáng)的抗過(guò)載能力和耐沖擊性，降低了電網(wǎng)出現(xiàn)瞬變時(shí)可能造成的器件損壞，提高了系統(tǒng)的可靠性。圖6為本發(fā)明實(shí)施例的控制功能框圖，包括(I)電網(wǎng)電壓測(cè)量，通過(guò)對(duì)電網(wǎng)電壓的測(cè)量、鎖相得到與電網(wǎng)同相位的標(biāo)準(zhǔn)正弦波，通過(guò)比較器與30kHz開(kāi)關(guān)頻率比較，得到SPWM開(kāi)關(guān)脈沖用于控制高頻變流回路MOSFET開(kāi)關(guān)。鎖相得到的正弦波過(guò)零點(diǎn)用于控制工頻變流回路可控硅觸發(fā)。(2)直流電壓測(cè)量，通過(guò)對(duì)第一級(jí)直流母線電壓的測(cè)量，結(jié)合風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速和變流器輸出功率，采用小擾動(dòng)法實(shí)現(xiàn)風(fēng)機(jī)的最大功率跟蹤。(3)風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速測(cè)量，通過(guò)對(duì)風(fēng)機(jī)電壓的監(jiān)測(cè)，結(jié)合發(fā)電機(jī)極對(duì)數(shù)得到風(fēng)機(jī)的葉輪轉(zhuǎn)速，作為風(fēng)機(jī)最大功率跟蹤和大風(fēng)超速停機(jī)保護(hù)的基礎(chǔ)。(4)風(fēng)速測(cè)量，只需要采用簡(jiǎn)易的熱線式風(fēng)速儀實(shí)現(xiàn)粗略風(fēng)速測(cè)量，結(jié)合輸出功率和風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速測(cè)量，用于實(shí)現(xiàn)風(fēng)機(jī)的最大功率跟蹤和大風(fēng)停機(jī)保護(hù)。(5)并網(wǎng)電流測(cè)量，通過(guò)對(duì)逆變器并網(wǎng)電流的測(cè)量，結(jié)合電網(wǎng)電壓算出風(fēng)機(jī)的輸出功率，結(jié)合該風(fēng)機(jī)風(fēng)速-功率曲線，采用比例積分算法，得到最大目標(biāo)功率，用于高頻變流單元的逆變器的SPWM閉環(huán)控制，實(shí)現(xiàn)最大功率跟蹤。同時(shí)對(duì)工作異常和短路時(shí)出現(xiàn)的大電流實(shí)施保護(hù)?？刂齐娐凡糠?，采用TMS320F2801 DSP作為核心控制元件，完成測(cè)量、計(jì)算和控制。此外，該裝置還包括輸出濾波回路，采用L、C、L組成T型濾波網(wǎng)絡(luò)，LC諧振頻率調(diào)諧為MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率。本裝置采用LED數(shù)碼管顯示上述5個(gè)測(cè)量數(shù)據(jù)和輸出功率等計(jì)算數(shù)據(jù)，同時(shí)根據(jù)需要將這些數(shù)據(jù)通過(guò)485、CAN、以太網(wǎng)等標(biāo)準(zhǔn)通信模塊以有線方式，或無(wú)線HUB、GPRS等標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線通信方式傳送到監(jiān)控計(jì)算機(jī)。設(shè)置簡(jiǎn)易的按鈕鍵盤(pán)實(shí)現(xiàn)風(fēng)機(jī)參數(shù)等基本設(shè)置功能以適應(yīng)不同類型風(fēng)力發(fā)電機(jī)和電網(wǎng)要求。圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)不意圖，在本實(shí)施例中，所述聞?lì)l變流回路20包括兩組逆變電路。圖7為逆變器的一次結(jié)構(gòu)接線圖，最大功率輸出為1000W時(shí)，整個(gè)低頻并網(wǎng)逆變器的硬件設(shè)備如下采用兩臺(tái)450W，三相交流電壓48V輸出的風(fēng)力發(fā)電機(jī)作為電源，整流后直流電壓為Ul = 15V-48V，最大電流為20A，結(jié)合交流側(cè)轉(zhuǎn)速測(cè)量，實(shí)現(xiàn)最大功率控制。兩臺(tái)風(fēng)力發(fā)電機(jī)輸出在整流后直流母線并聯(lián)。逆變器額定輸出功率PN = 900W。
一、輸入整流濾波回路14采用6只100V10A的肖特基ニ極管組成橋式整流電路，發(fā)電機(jī)輸出的頻率變化的三相交流電，通過(guò)ニ極管全橋后，變?yōu)闃O性正確的直流電。采用肖特基ニ極管降低了由輸入ニ極管導(dǎo)通壓降造成的功率損失。直流穩(wěn)壓電容直流濾波電容Cl為電解電容，用于穩(wěn)定整流后直流電源的電壓，電容參數(shù)取2200uF/100V。停機(jī)保護(hù)電路采用兩組大功率NTC元件，串聯(lián)20A雙路繼電器，接入繼電器常閉觸點(diǎn)，組成能耗型制動(dòng)停機(jī)保護(hù)電路。風(fēng)速正常時(shí)，由控制DSP經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路控制繼電器得電斷開(kāi)常閉觸點(diǎn)。當(dāng)測(cè)得風(fēng)速超限或風(fēng)機(jī)過(guò)功率飛車(chē)時(shí)，繼電器閉合實(shí)現(xiàn)軟停機(jī)。ニ、高頻變流回路采用80A/160V的MOSFET功率管，DSP經(jīng)光耦TLP250驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通關(guān)斷。高頻變壓器變比kl k2 = 24 500，低壓側(cè)漏抗luH，縮短暫態(tài)過(guò)程，低壓側(cè)匝數(shù)約為3匝；高壓側(cè)電感約為400uH。配合輸出側(cè)快恢復(fù)ニ極管組成不可控整流電路，整流橋所用ニ極管耐壓800V，電流約為5A，流通功率大約為5W，可選用中功率快恢復(fù)ニ極管。高頻濾波電容C2，電容C2不是用于エ頻濾波，且并不是用于穩(wěn)壓，因而可取較小值，C2取O. luF，耐壓值取600V。三、エ頻變流回路エ頻變流全橋逆變器的可控硅工作于低頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)(50HZ)，管耗很小，可忽略不計(jì)，因而可節(jié)省半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管的散熱裝置，整個(gè)逆變橋占用體積很小，可控硅選用四只10A/600V的塑封可控硅。濾波裝置由于低頻逆變器采用可控硅逆變橋，開(kāi)關(guān)頻率為50Hz，導(dǎo)通和關(guān)斷都處于系統(tǒng)電壓波形過(guò)零時(shí)刻，不會(huì)產(chǎn)生諧波。輸出電流的諧波主要是MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率產(chǎn)生的30kHz高次諧波，在逆變器的輸出端裝設(shè)LCL低通濾波裝置，L取值約為40uH/5A，C取值約為luF，L，C值都小，在逆變器中占用的體積和重量都很小。四、控制電路采用TMS2801系列DSP為主控芯片，配合標(biāo)準(zhǔn)外圍電路設(shè)計(jì)組成控制電路板。由DSP片內(nèi)A/D完成測(cè)量回路的信號(hào)數(shù)據(jù)采集，采用IOOMHz的CPU工作主頻完成系統(tǒng)控制策略的計(jì)算。通過(guò)片內(nèi)的PWM控制器，控制脈沖輸出信號(hào)經(jīng)專用光耦TLP250驅(qū)動(dòng)MOSFET實(shí)現(xiàn)高頻變流回路的控制。對(duì)電網(wǎng)系統(tǒng)電壓鎖相后得到電壓過(guò)零點(diǎn)，控制專用可控硅光耦驅(qū)動(dòng)器，控制エ頻變流回路可控硅的切換。同時(shí)完成最大功率跟蹤和風(fēng)機(jī)、變流器的異常保護(hù)功能。顯示鍵控采用DSP端ロ直接驅(qū)動(dòng)LED八段數(shù)碼管，直接連接按鈕鍵盤(pán)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)顯示和參數(shù)設(shè)定功能。芯片內(nèi)部自帶的485、CAN總線通信功能，連接標(biāo)準(zhǔn)外部接ロ芯片組成通信電路。逆變器工作電源，即系統(tǒng)控制電源從220V電網(wǎng)取電，采用標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)電源，輸出+5V、+3. 3V和±12V直流控制電源。本系統(tǒng)采用兩級(jí)直流母線，兩級(jí)變流器結(jié)構(gòu)。第一級(jí)直流母線為分散式結(jié)構(gòu)，風(fēng)機(jī)整流后直流電壓分別獨(dú)立控制，以實(shí)現(xiàn)最大功率跟蹤控制。第一級(jí)各直流母線分別采 用IOOOyF以上大電容濾波方式。前級(jí)變流器為高頻反激型升壓電路，采用多個(gè)高頻變壓器并列運(yùn)行。第一級(jí)直流母線中每段采用兩只變壓器互補(bǔ)輸出，每個(gè)變壓器由一只大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)，兩只MOSFET相差180度，使使等效輸出頻率加倍，便于高頻諧波的濾除。多只變壓器并列輸出時(shí)，波形為每個(gè)變壓器輸出的總和，波形更平滑，諧波含量更少。每只變壓器的輸出側(cè)采用ー只快恢復(fù)ニ級(jí)管整流后連接到第二級(jí)直流母線。第二級(jí)直流母線采用高壓小電容濾波，直流電壓波形為與電網(wǎng)交流電壓絕對(duì)值相同且同相的IOOHz脈動(dòng)直流電。后級(jí)逆變器采用四只 大功率可控硅組成橋式逆變電路，執(zhí)行換向功能，每IOms進(jìn)行一次反相，改變第二級(jí)直流母線的脈動(dòng)直流電輸出的正、負(fù)極性，按電網(wǎng)電壓相位，把輸出電流變?yōu)檎?、?fù)交替的標(biāo)準(zhǔn)正弦波。這兩部分設(shè)計(jì)是本專利區(qū)別于其他同類逆變器的核心部分。風(fēng)力發(fā)電機(jī)開(kāi)路輸出電壓在10-40VAC時(shí)都可以實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)和功率輸出。通過(guò)調(diào)整整流后的直流電壓，達(dá)到調(diào)整發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)速，改變風(fēng)機(jī)Cp值，進(jìn)一步調(diào)整風(fēng)機(jī)輸出功率，使風(fēng)機(jī)的輸出功率最優(yōu)。風(fēng)力發(fā)電機(jī)整流采用肖特基二極管整流，毫歐級(jí)超低導(dǎo)通電阻MOSFET開(kāi)關(guān)管，工作頻率30kHz，降低功率器件和電抗器的損耗。大風(fēng)天氣風(fēng)機(jī)通過(guò)串聯(lián)NTC元件后經(jīng)繼電器短路，實(shí)現(xiàn)柔性剎車(chē)制動(dòng)保護(hù)，柔性制動(dòng)減小了發(fā)電機(jī)的制動(dòng)電流和對(duì)葉輪的機(jī)械沖擊。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所述技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種風(fēng)カ發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，其特征在于，至少包括 輸入整流濾波回路，和所述風(fēng)カ發(fā)電機(jī)相連； 高頻變流回路，和所述輸入整流濾波回路相連，所述高頻變流回路包括至少ー組逆變電路，每組所述逆變電路包括兩個(gè)互補(bǔ)輸出的MOSFET和ー個(gè)與所述ー兩個(gè)MOSFET相連的高頻變壓器； エ頻變流回路，和所述高頻變流回路相連，所述エ頻變流回路包括組成H橋的四只單向可控硅、與所述四只單向可控硅相連的光耦可控硅驅(qū)動(dòng)電路以及給所述光耦可控硅驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)出控制信號(hào)的DSP。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，其特征在于所述兩個(gè)MOSFET的輸出波形的相位相差180°。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，其特征在于所述風(fēng)カ發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置還包括一停機(jī)保護(hù)回路，所述停機(jī)保護(hù)回路連接于所述風(fēng)カ發(fā)電機(jī)和所述輸入整流濾波回路之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，其特征在于所述輸入整流濾波回路包括三對(duì)肖特基ニ極管以及與每對(duì)所述肖特基ニ極管均并聯(lián)的電解電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，其特征在于所述電解電容的容量不小于1000 μ F。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，其特征在于所述高頻變流回路包括兩組逆變電路、三組逆變電路或四組逆變電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，其特征在于每組所述逆變電路還包括一高頻濾波電容，所述高頻濾波電容并聯(lián)于所述高頻變壓器的兩端。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，其特征在于所述風(fēng)カ發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置還包括一輸出濾波回路，所述輸出濾波回路和所述エ頻變流回路相連。
全文摘要
本發(fā)明提供一種風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置，根據(jù)本發(fā)明的建議，至少包括輸入整流濾波回路，和所述風(fēng)力發(fā)電機(jī)相連；高頻變流回路，和所述輸入整流濾波回路相連，所述高頻變流回路包括至少一組逆變電路，每組所述逆變電路包括兩個(gè)互補(bǔ)輸出的MOSFET和一個(gè)與所述一兩個(gè)MOSFET相連的高頻變壓器；工頻變流回路，和所述高頻變流回路相連，所述工頻變流回路包括組成H橋的四只單向可控硅、與所述四只單向可控硅相連的光耦可控硅驅(qū)動(dòng)電路以及給所述光耦可控硅驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)出控制信號(hào)的DSP。本發(fā)明風(fēng)力發(fā)電機(jī)并網(wǎng)逆變控制裝置具有體積小、重量輕、效率高、電能質(zhì)量好、抗電網(wǎng)干擾性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H02J3/38GK102624031SQ20121009999
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月6日
發(fā)明者張延遲 申請(qǐng)人:上海電機(jī)學(xué)院