技術(shù)特征：
1.一種多物理場(chǎng)納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述納米發(fā)電機(jī)包括外電極(1)、內(nèi)電極(2)、碳納米管薄膜(3)和硅基復(fù)合材料基板(4)；其中，所述外電極(1)和內(nèi)電極(2)由鉑或鈀金屬材料加工制成條狀結(jié)構(gòu)，通過(guò)銀膠與碳納米管薄膜(3)兩端歐姆連接，碳納米管薄膜(3)成肘形結(jié)構(gòu)，并淀積于硅基復(fù)合材料基板(4)表面；所述的碳納米管薄膜(3)置于由光照(5)和氣流(6)組成的復(fù)雜多物理場(chǎng)環(huán)境中，并與來(lái)流氣體方向成一定角度(7)；太陽(yáng)能通過(guò)光熱效應(yīng)轉(zhuǎn)換為熱能，致使碳納米管薄膜(3)兩端之間產(chǎn)生溫度差；當(dāng)氣流(6)以一定速度流經(jīng)碳納米管薄膜(3)，由于伯努利效應(yīng)，碳納米管薄膜(3)表面產(chǎn)生壓力差和溫度梯度，進(jìn)一步增大碳納米管薄膜(3)兩端的溫度差，并通過(guò)塞貝克效應(yīng)轉(zhuǎn)換為電勢(shì)差，電勢(shì)差大小由外電極(1)和內(nèi)電極(2)連接電位計(jì)(8)測(cè)量。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多物理場(chǎng)納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述的碳納米管薄膜(3)經(jīng)由化學(xué)氣相沉積法制備，表現(xiàn)出p型半導(dǎo)體性質(zhì)，構(gòu)成p型發(fā)電單元(13)；所述的碳納米管薄膜(3)經(jīng)由摻雜或功能化，表現(xiàn)出n型半導(dǎo)體性質(zhì)，構(gòu)成n型發(fā)電單元(14)；多個(gè)p型和n型發(fā)電單元的兩端電極通過(guò)串聯(lián)或并聯(lián)方式交互連接，并以絕緣帶(15)隔離，固定于底座(16)，構(gòu)成矩陣式供電裝置，具有多個(gè)能量輸出節(jié)點(diǎn)(17)，可根據(jù)不同負(fù)載要求配置發(fā)電單元數(shù)量，提高發(fā)電機(jī)輸出功率。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多物理場(chǎng)納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述的矩陣式供電裝置具有一定冗余度，避免了變壓器、整流器兩種適配電路。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多物理場(chǎng)納米發(fā)電機(jī)，其特征在于，所述的矩陣式供電裝置無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可應(yīng)用于汽車(chē)、列車(chē)、飛機(jī)的蒙皮上，利用光照和氣流即可為內(nèi)部的微納米機(jī)電系統(tǒng)或器件裝置供電。