專利名稱：一種dc/dc轉換器的電流限制電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于集成電路設計技術領域，具體涉及一種DC/DC轉換器的電流限制電路。
背景技術：
在中小功率DC/DC轉換器中，特別是應用于以太網(wǎng)供電PoE (Power overEthernet)系統(tǒng)中的DC/DC轉換器，當負載發(fā)生過載、短路等異常情況時，流過DC/DC轉換器的負載電流會遠大于正常工作時的電流，長時間工作在這種大電流狀態(tài)下會導致功率管等功率器件或者以太網(wǎng)電纜線產(chǎn)生過熱而燒壞，甚至損壞整個系統(tǒng)。所以對DC/DC轉換器，需 要電流限制電路對負載電流設定一個電流閾值，在系統(tǒng)出現(xiàn)負載過載、短路等異常情況時限制流過負載的電流在此限流點上不讓其繼續(xù)增大，從而對系統(tǒng)進行保護。電流限制電路的限流點通常是根據(jù)負載電流的變化范圍和功率管等功率器件的安全工作區(qū)域而設定。在以太網(wǎng)供電系統(tǒng)中，傳輸?shù)墓β仕經(jīng)Q定了限流點，在對應的IEEE802. 3af或者IEEE802. 3at等標準中通常有明確的指定，而以太網(wǎng)電纜線對發(fā)熱的敏感性要求系統(tǒng)的限流點很精確。傳統(tǒng)的電流限制電路是通過在電流通路中串聯(lián)一個采樣電阻來對DC/DC轉換器的負載電流進行檢測，檢測得到的電壓信號與晶體管的閾值電壓進行比較，對負載電路中的功率管的導通程度進行控制，從而實現(xiàn)電流限制，具體電路原理如圖I所示。在該電路中，虛線框內(nèi)電路部分為電流限制電路，主要包括檢測電阻Rl、功率管Ml和MOS管M2，圖中的功率管Ml用于限制DC/DC轉換器的負載電流Itl，采樣電阻Rl用于對負載電流Itl進行檢測，通過MOS管M2調(diào)節(jié)功率管Ml的柵端電壓控制其導通程度來實現(xiàn)電流限制。正常工作時，負載電流I。比較小，采樣電阻Rl兩端的電壓比較小，不足夠打開M2，此時功率管Ml柵端保持高電平，電流正常地流通。當負載發(fā)生過載或者短路等異常情況時，負載電流I。變大，采樣電阻Rl兩端的電壓也變大，當電壓增大到M2管的閾值電壓以上時，M2開啟，拉低功率管Ml的柵端電壓，從而控制功率管Ml的導通程度，把電流限制在設置的限流點上，不讓其繼續(xù)增大。以上所述的電流限制電路的限流點近似表達式為Ia=Vth/Rl ;其中，Vth為M2的閾值電壓，且通常為0. 7V左右，比較大，電路工作在限流狀態(tài)時Rl的功耗會很大。同時，Vth和電阻Rl的阻值隨工藝角的變化很大，電阻Rl通常是用多晶硅電阻來實現(xiàn)，具有正的溫度系數(shù)，而Vth為負的溫度系數(shù)，從以上表達式可以看出，電流限制電路的限流點很不精確，會在不同工藝角和溫度變化時出現(xiàn)很大的變化。為了減小電流限制電路的功耗，在相同的電流水平下，應該減小采樣電阻的電壓，也即減小被比較的基準電壓。而為了實現(xiàn)高精度的電流限制，要求所用的采樣電阻和被比較的基準電壓很精確，同時需要使用高精度運放對很小的檢測電壓和基準電壓進行差值放大。在溫度變化時，根據(jù)采樣電阻的溫度系數(shù)，被比較的基準電壓應該跟隨電阻阻值的變化而變化，這樣能實現(xiàn)高精度的電流限制。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術所存在的上述技術缺陷，本發(fā)明提供了ー種DC/DC轉換器的電流限制電路，精度高，功耗小。ー種DC/DC轉換器的電流限制電路，包括功率開關管，用于控制DC/DC轉換器負載電流的大?。凰龅墓β书_關管的輸入端與DC/DC轉換器相連，輸出端連接有采樣電阻，所述的采樣電阻的另一端接地；參考電流產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生參考電流信號；電流電壓轉換電路，用于將所述的參考電流信號轉換為基準電壓信號，同時采集所述的采樣電阻的電壓，并將該電壓轉換為檢測電壓信號；運算放大電路，用于對所述的基準電壓信號和檢測電壓信號進行差值放大，并輸 出開關控制信號以控制所述的功率開關管。優(yōu)選地，所述的采樣電阻的阻值為O. 08Ω ;采樣電阻阻值越小，電流限制電路的功耗就越低，對應的基準電壓也需要越小，其精度也越難做到很高，同時所用的運放也越難對檢測電壓和基準電壓進行精確的差值放大；故該阻值是根據(jù)對限流點、功耗要求、電阻實現(xiàn)的便利性等因素進行權衡折中后的最優(yōu)值。優(yōu)選地，所述的參考電流產(chǎn)生電路由三個MOS管、四個三極管和ー個電阻組成；其中，MOS管M1的源極與MOS管M2的源極和MOS管M3的源極相連并接電源電壓，MOS管M1的柵極與MOS管M2的漏極、MOS管M2的柵極、MOS管M3的柵極和三極管Q4的集電極相連，MOS管M3的漏極為參考電流產(chǎn)生電路的輸出端，MOS管M1的漏極與三極管Q3的集電極、三極管Q3的基極和三極管Q4的基極相連，三極管Q3的發(fā)射極與三極管Q1的集電極和三極管Q2的基極相連，三極管QX的發(fā)射極與三極管Q2的集電極和三極管Q1的基極相連，三極管Q2的發(fā)射極與電阻R1的一端相連，三極管Q1的發(fā)射極與電阻R1的另一端相連并接地。其中，MOS管M1I3均為PMOS管，三極管Q1M4均為NPN型三極管；三極管Q2與三極管Q1的發(fā)射極面積比等于三極管Q3與三極管Q4的發(fā)射極面積比且為m,M0S管M1與MOS管M2寬長比相同，且MOS管M3的寬長比是MOS管M1的寬長比的η倍，m和η均為大于I的自然數(shù)。該參考電流產(chǎn)生電路結構能夠產(chǎn)生隨溫度變化而變化的PTAT電流，從而使基準電壓隨之變化，可以一定程度上補償采樣電阻的正溫度系數(shù)，減小限流點與溫度的相關性，提聞系統(tǒng)的精度。優(yōu)選地，所述的電流電壓轉換電路由兩個電阻組成；其中，電阻R2的一端與參考電流產(chǎn)生電路和運算放大電路的正相輸入端相連，電阻R2的另一端接地，電阻R3的一端與采樣電阻相連，電阻R3的另一端與運算放大電路的反相輸入端。電阻R2和電阻R3阻值相同，且利用相同材質(zhì)的電阻或電阻串實現(xiàn)，完全匹配。使采樣電阻的電壓通過電阻R3接入運算放大電路的反相輸入端，可以消除運算放大電路輸入三極管基極電流對系統(tǒng)的精度造成的影響。優(yōu)選地，所述的運算放大電路由二十七個MOS管和四個三極管組成；其中，MOS管N9的漏極與MOS管N13的源極、MOS管N14的源極、MOS管N15的源極、MOS管N19的源極、MOS管N2tl的源扱、MOS管N23的源極和MOS管N24的源極相連并接電源電壓，MOS管N13的柵極與MOS管N13的漏極、MOS管N16的源極、MOS管N14的柵極和MOS管N15的柵極相連，MOS管N14的漏極與MOS管N17的源極相連，MOS管N15的漏極與MOS管N18的源極相連，MOS管N16的柵極與MOS管N16的漏極、MOS管N1的漏極、MOS管N17的柵極和MOS管N18的柵極相連，MOS管N17的漏極與MOS管N9的柵極、三極管T3的集電極和MOS管Nltl的漏極相連，MOS管N18的漏極與三極管T4的集電極和MOS管N27的源極相連，三極管T3的基極與三極管T4的基極、MOS管N9的源極和MOS管N2的漏極相連，三極管T3的發(fā)射極與三極管T1的發(fā)射極相連，三極管T4的發(fā)射極與三極管T2的發(fā)射極相連，三極管T1的基極和三極管T2的基極分別為運算放大電路的正相輸入端和反相輸入端，MOS管N27的柵極與MOS管N27的漏極、MOS管N3的漏極和MOS管N12的柵極相連，MOS管Nltl的源極與MOS管N4的漏極相連，MOS管Nltl的柵極與MOS管N11的柵極、MOS管N11的漏極和MOS管N21的漏極相連，MOS管N12的源極與MOS管N7的漏極相連，MOS管N12的漏極與MOS管N25的漏極相連并為運算放大電路的輸出端，MOS管N19的柵極與MOS管N22的源極、MOS管N2tl的柵極和MOS管N2tl的漏極相連，MOS管N19的漏極與MOS管N21的源極相連，MOS管N21的柵極與MOS管N5的漏極、MOS管N22的柵極和MOS管N22的漏極相連，MOS管N23的柵極與MOS管N26的源極、MOS管N24的柵極和MOS管N24的漏極相連，MOS管N23的漏極與MOS管N25的源極相連，MOS管N25的柵極與MOS管N8的漏極、MOS管N26的柵極和MOS管N26的漏極相連，MOS管N1的柵極與MOS管N2的柵極、MOS管N3 的柵極、MOS管N4的柵極、MOS管N5的柵極、MOS管N6的柵極、MOS管N6的漏極、MOS管N7的柵極和MOS管N8的柵極相連并接收給定的基準電流信號，MOS管N1的源極與MOS管N2的源極、MOS管N3的源極、MOS管N4的源極、MOS管N5的源極、MOS管N6的源極、MOS管N7的源極、MOS管N8的源極、MOS管N11的源極、三極管T1的集電極和三極管T2的集電極相連并接地。其中，MOS管N1I12均為NMOS管，MOS管N13 N27均為PMOS管，三極管T1飛均為PNP型三極管，三極管T3I4均為NPN型三極管。該運算放大電路采用三極管作為輸入級，偏置電壓很小，同時在電路處于限流狀態(tài)時消除同相輸入端與反向輸入端基極電流的差別，可以實現(xiàn)對檢測電壓和基準電壓高精度地差值放大。本發(fā)明電流限制電路的原理為通過在電流通路中串聯(lián)阻值很小的金屬采樣電阻對DC/DC轉換器的負載電流進行檢測，得到的檢測電壓與精確且電壓值很小的基準電壓通過高精度運放電路進行差值放大，當負載電流超過預先設定的電流閾值時，通過環(huán)路負反饋作用控制功率管的導通程度從而實現(xiàn)電流限制。上述的基準電壓是通過參考電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生的PTAT電流作用在電阻上得到的，通過調(diào)整PTAT電流和電阻的大小，可以一定程度上消除金屬采樣電阻的正溫度系數(shù)，減小限流點與溫度的相關性；高精度運放電路采用三極管作為輸入級，偏置電壓很小，同時在電路處于限流狀態(tài)時消除同相輸入端與反向輸入端基極電流的差別，可以實現(xiàn)對檢測電壓和基準電壓高精度地差值放大；采樣電阻的阻值和基準電壓都很小，而且很精確，再加上基準電壓可以一定程度上補償金屬采樣電阻與溫度的相關性，所以本發(fā)明的電流限制電路功耗小、精度高。


圖I為傳統(tǒng)電流限制電路的結構示意圖。圖2為本發(fā)明電流限制電路的結構示意圖。
圖3為參考電流產(chǎn)生電路的結構示意圖。圖4為電流電壓轉換電路的結構示意圖。圖5為運算放大電路的結構示意圖。
具體實施例方式為了更為具體地描述本發(fā)明，下面結合附圖及具體實施方式
對本發(fā)明的技術方案及其相關原理進行詳細說明。如圖2所示，ー種DC/DC轉換器的電流限制電路，包括功率開關管M、采樣電阻R、參考電流產(chǎn)生電路、電流電壓轉換電路和運算放大電路。 功率開關管M用于控制DC/DC轉換器負載電流Itl的大小；其輸入端與DC/DC轉換器相連，輸出端與米樣電阻R的一端相連，米樣電阻R的另一端接地；本實施方式中，米樣電阻R的阻值為O. 08Ω。參考電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生參考電流信號Iptat，其與電流電壓轉換電路相連；本實施方式中，參考電流產(chǎn)生電路由三個MOS管M1I3,四個三極管Q1M4和一個電阻R1組成，如圖3所示；其中，MOS管M1的源極與MOS管M2的源極和MOS管M3的源極相連并接電源電壓VDD，M0S管M1的柵極與MOS管M2的漏極、MOS管M2的柵極、MOS管M3的柵極和三極管Q4的集電極相連，MOS管M3的漏極為參考電流產(chǎn)生電路的輸出端，MOS管M1的漏極與三極管Q3的集電極、三極管Q3的基極和三極管Q4的基極相連，三極管Q3的發(fā)射極與三極管Q1的集電極和三極管Q2的基極相連，三極管Q4的發(fā)射極與三極管Q2的集電極和三極管Q1的基極相連，三極管Q2的發(fā)射極與電阻R1的一端相連，三極管Q1的發(fā)射極與電阻R1的另一端相連并接地。MOS管M1I3均為PMOS管，三極管Q^Q4均為NPN型三極管，M1與M2寬長比相同，Q2與Q1的發(fā)射極面積比等于Q3與Q4的發(fā)射極面積比且為m，M3的寬長比是M^M2的寬長比的η倍；本實施方式中，m=8, n=4。電流電壓轉換電路用于將參考電流信號Iptat轉換為基準電壓信號VP，同時采集采樣電阻R的電壓Vsense,并將Vsense轉換為檢測電壓信號\，Vsense=I0R, I0為DC/DC轉換器的負載電流；如圖4所示，本實施方式中，電流電壓轉換電路由兩個電阻R2I3組成；其中，電阻R2的一端與參考電流產(chǎn)生電路的輸出端和運算放大電路的正相輸入端相連，電阻R2的另ー端接地，電阻R3的一端與采樣電阻R的一端相連，電阻R3的另一端與運算放大電路的反相輸入端；電阻R2和電阻R3阻值相同，且利用相同材質(zhì)的電阻或電阻串實現(xiàn)，完全匹配。運算放大電路用于對基準電壓信號Vp和檢測電壓信號Vn進行差值放大，并輸出開關控制信號GATE以控制功率開關管M，其輸出端與功率開關管M的控制端相連；如圖5所示，本實施方式中，運算放大電路由二十七個MOS管N廣N27和四個三極管T廣T4組成；其中，MOS管N9的漏極與MOS管N13的源極、MOS管N14的源極、MOS管N15的源極、MOS管N19的源極、MOS管N2tl的源極、MOS管N23的源極和MOS管N24的源極相連并接電源電壓VDD，MOS管N13的柵極與MOS管N13的漏極、MOS管N16的源極、MOS管N14的柵極和MOS管N15的柵極相連，MOS管N14的漏極與MOS管N17的源極相連，MOS管N15的漏極與MOS管N18的源極相連，MOS管N16的柵極與MOS管N16的漏極、MOS管N1的漏極、MOS管N17的柵極和MOS管N18的柵極相連，MOS管N17的漏極與MOS管N9的柵極、三極管T3的集電極和MOS管Nltl的漏極相連，MOS管N18的漏極與三極管T4的集電極和MOS管N27的源極相連，三極管T3的基極與三極管T4的基極、MOS管N9的源極和MOS管N2的漏極相連，三極管T3的發(fā)射極與三極管T1的發(fā)射極相連，三極管T4的發(fā)射極與三極管T2的發(fā)射極相連，三極管T1的基極和三極管T2的基極分別為運算放大電路的正相輸入端和反相輸入端，MOS管N27的柵極與MOS管N27的漏極、MOS管N3的漏極和MOS管N12的柵極相連，MOS管Nltl的源極與MOS管N4的漏極相連，MOS管N10的柵極與MOS管N11的柵極、MOS管N11的漏極和MOS管N21的漏極相連，MOS管N12的源極與MOS管N7的漏極相連，MOS管N12的漏極與MOS管N25的漏極相連并為運算放大電路的輸出端，MOS管N19的柵極與MOS管N22的源極、MOS管N2tl的柵極和MOS管N2tl的漏極相連，MOS管N19的漏極與MOS管N21的源極相連，MOS管N21的柵極與MOS管N5的漏極、MOS管N22的柵極和MOS管N22的漏極相連，MOS管N23的柵極與MOS管N26的源極、MOS管N24的柵極和MOS管N24的漏極相連，MOS管N23的漏極與MOS管N25的源極相連，MOS管N25的柵極與MOS管N8的漏極、MOS管N26的柵極和MOS管N26的漏極相連，MOS管N1的柵極與MOS管N2的柵極、MOS管N3的柵極、MOS管N4的柵極、MOS管N5的柵極、MOS管N6的柵極、MOS管N6的漏極、MOS管N7的柵極和MOS管N8的柵極相連并接收給定的基準電流信號IMf，MOS管N1的源極與MOS管N2的源極、MOS管N3的源極、MOS管N4的源極、MOS管N5的源極、MOS管N6的 源極、MOS管N7的源極、MOS管N8的源極、MOS管N11的源極、三極管T1的集電極和三極管T2的集電極相連并接地；其中，MOS管N廣N12均為NMOS管，MOS管N13 N27均為PMOS管，三極管TrT2均為PNP型三極管，三極管TfT4均為NPN型三極管。參考電流產(chǎn)生電路中，根據(jù)三極管的連接關系，VbeJVbeJI2R1=VbeJVbei，M1與M2組成電流鏡且寬長比相同，所以有Vbe4=Vbei、Vbe3=Vbe2，可以得出I2的表達式為
-)J/ ]- / 11 : I s 4j _Wbe4-vUEi) _ T h 11Si _2Frlnm
2 _ 瓦 _ Ti, _ ~R,~產(chǎn)生的參考電流Iptat為I2的拷貝，拷貝比例為I :n (本實施方式，n=4)，具體表達式為
. r InVr In/;/1 =nl2=^^——其中VBE1、VBE2, VBE3> Vbe4分別為Q1'的基極_發(fā)射極電壓，Vt為熱電壓(常溫下VT=26mV);IS3、Is4分別為Q3和Q4的反向飽和電流，兩者的比例即為Q3與Q4的發(fā)射極面積比m (本實施方式，m=8)。電流電壓轉換電路中，參考電流Iptat作用在R2上產(chǎn)生基準電壓Vp輸入到運算放大器的正相輸入端，采樣電阻R上的電壓Vsense被轉換為檢測電壓Vn輸入到運算放大器的反相輸入端。為了減小運算放大器的偏置電壓，實現(xiàn)電壓信號Vi^PVn差值的精確放大，運算放大器輸入級采用三極管作為輸入管，電壓轉換時需要考慮運算放大器輸入三極管的基極電流Ib+與Ib-;故電壓信號Vp和Vn的表達式如下Vp=Iptat R2+Ib+ R2VN-VSENSE+IB_ R3運算放大器對電壓信號Vp和Vn進行放大，當負載電流Itl比較小，低于限流點時，Vsense很小，此時VN〈VP且差值較大，運算放大器第一級輸出電壓OUTl很小，所以N27關斷，此時運放輸出的開關控制信號GATE為高電平，控制功率管M導通，負載電流Itl正常通過M ；當負載電流Itl逐漸增大時，電壓Vsense (Vn)也逐漸變大，當電流Itl增大到某一閾值時,運放第一級輸出電壓OUTl增大到開啟N27, N12的下拉作用使得開關控制信號GATE逐漸減小，功率管M導通程度降低，控制負載電流Itl減小而不讓其繼續(xù)増大，從而實現(xiàn)電流限制，上述的閾值即為限流點。通過電流電壓轉換電路、運算放大器和功率管組成的負反饋環(huán)路鉗制運放兩個輸入端的電壓Vp和Vn到近似相等，運放通過引入共源共柵等增益提升技術實現(xiàn)高増益，從而可以提升上述的鉗制精度，可以得出限流點電流Ia滿足以下表達式
權利要求
1.一種DC/DC轉換器的電流限制電路，其特征在于，包括 功率開關管，用于控制DC/DC轉換器負載電流的大?。凰龅墓β书_關管的輸入端與DC/DC轉換器相連，輸出端連接有采樣電阻，所述的采樣電阻的另一端接地； 參考電流產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生參考電流信號； 電流電壓轉換電路，用于將所述的參考電流信號轉換為基準電壓信號，同時采集所述的采樣電阻的電壓，并將該電壓轉換為檢測電壓信號； 運算放大電路，用于對所述的基準電壓信號和檢測電壓信號進行差值放大，并輸出開關控制信號以控制所述的功率開關管。
2.根據(jù)權利要求I所述的DC/DC轉換器的電流限制電路，其特征在于所述的參考電流產(chǎn)生電路由三個MOS管、四個三極管和一個電阻組成；其中，MOS管M1的源極與MOS管M2的源極和MOS管M3的源極相連并接電源電壓，MOS管M1的柵極與MOS管M2的漏極、MOS管M2的柵極、MOS管M3的柵極和三極管Q4的集電極相連，MOS管M3的漏極為參考電流產(chǎn)生電路的輸出端，MOS管M1的漏極與三極管Q3的集電極、三極管Q3的基極和三極管Q4的基極相連，三極管Q3的發(fā)射極與三極管Q1的集電極和三極管Q2的基極相連，三極管Q4的發(fā)射極與三極管Q2的集電極和三極管Q1的基極相連，三極管92的發(fā)射極與電阻&的一端相連，三極管Q1的發(fā)射極與電阻R1的另一端相連并接地。
3.根據(jù)權利要求I所述的DC/DC轉換器的電流限制電路，其特征在于所述的電流電壓轉換電路由兩個電阻組成；其中，電阻R2的一端與參考電流產(chǎn)生電路和運算放大電路的正相輸入端相連，電阻R2的另一端接地，電阻R3的一端與采樣電阻相連，電阻R3的另一端與運算放大電路的反相輸入端。
4.根據(jù)權利要求I所述的DC/DC轉換器的電流限制電路，其特征在于所述的運算放大電路由二十七個MOS管和四個三極管組成；其中，MOS管N9的漏極與MOS管N13的源極、MOS管N14的源極、MOS管N15的源極、MOS管N19的源極、MOS管N2tl的源極、MOS管N23的源極和MOS管N24的源極相連并接電源電壓，MOS管N13的柵極與MOS管N13的漏極、MOS管N16的源極、MOS管N14的柵極和MOS管N15的柵極相連，MOS管N14的漏極與MOS管N17的源極相連，MOS管N15的漏極與MOS管N18的源極相連，MOS管N16的柵極與MOS管N16的漏極、MOS管N1的漏極、MOS管N17的柵極和MOS管N18的柵極相連，MOS管N17的漏極與MOS管N9的柵極、三極管T3的集電極和MOS管Nltl的漏極相連，MOS管N18的漏極與三極管T4的集電極和MOS管N27的源極相連，三極管T3的基極與三極管T4的基極、MOS管N9的源極和MOS管N2的漏極相連，三極管T3的發(fā)射極與三極管T1的發(fā)射極相連,三極管T4的發(fā)射極與三極管T2的發(fā)射極相連，三極管T1的基極和三極管T2的基極分別為運算放大電路的正相輸入端和反相輸入端，MOS管N27的柵極與MOS管N27的漏極、MOS管N3的漏極和MOS管N12的柵極相連，MOS管Nltl的源極與MOS管N4的漏極相連，MOS管Nltl的柵極與MOS管N11的柵極、MOS管Nn的漏極和MOS管N21的漏極相連，MOS管N12的源極與MOS管N7的漏極相連，MOS管N12的漏極與MOS管N25的漏極相連并為運算放大電路的輸出端，MOS管N19的柵極與MOS管N22的源極、MOS管N2tl的柵極和MOS管N2tl的漏極相連，MOS管N19的漏極與MOS管N21的源極相連，MOS管N21的柵極與MOS管N5的漏極、MOS管N22的柵極和MOS管N22的漏極相連，MOS管N23的柵極與MOS管N26的源極、MOS管N24的柵極和MOS管N24的漏極相連，MOS管N23的漏極與MOS管N25的源極相連，MOS管N25的柵極與MOS管N8的漏極、MOS管N26的柵極和MOS管N26的漏極相連，MOS管N1的柵極與MOS管N2的柵極、MOS管N3的柵極、MOS管N4的柵極、MOS管N5的柵極、MOS管N6的柵極、MOS管N6的漏極、MOS管N7的柵極和MOS管N8的柵極相連并接收給定的基準電流信號，MOS管N1的源極與MOS管N2的源極、MOS管N3的源極、MOS管N4的源極、MOS管N5的源極、MOS管N6的源極、MOS管N7的源極、MOS管N8的源極、MOS管Nn的源極、三極管T1的集電極和三極管T2的集電極相連并接地。
5.根據(jù)權利要求3所述的DC/DC轉換器的電流限制電路，其特征在于所述的電阻R2和電阻R3阻值相同。
6.根據(jù)權利要求2所述的DC/DC轉換器的電流限制電路，其特征在于所述的三極管Q2與三極管Q1的發(fā)射極面積比等于三極管Q3與三極管Q4的發(fā)射極面積比且為m，m為大于I的自然數(shù)。
7.根據(jù)權利要求I所述的DC/DC轉換器的電流限制電路，其特征在于所述的采樣電阻的阻值為0. 08Q。
8.根據(jù)權利要求2所述的DC/DC轉換器的電流限制電路，其特征在于所述的MOS管M1與MOS管M2寬長比相同，且MOS管M3的寬長比是MOS管M1的寬長比的n倍，n為大于I的自然數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種DC/DC轉換器的電流限制電路，包括與DC/DC轉換器相連的功率開關管、與功率開關管相連的采樣電阻、與采樣電阻相連的電流電壓轉換電路、與電流電壓轉換電路相連的參考電流產(chǎn)生電路，與功率開關管和電流電壓轉換電路相連的運算放大器。本發(fā)明通過在電流通路中串聯(lián)阻值很小的金屬采樣電阻對DC/DC轉換器的負載電流進行檢測，得到的檢測電壓與精確且電壓值很小的基準電壓通過高精度運放電路進行差值放大，當負載電流超過預先設定的電流閾值時，通過環(huán)路負反饋作用控制功率管的導通程度從而實現(xiàn)電流限制，且功耗小，精度高。
文檔編號H02M1/32GK102710109SQ20121016958
公開日2012年10月3日 申請日期2012年5月24日 優(yōu)先權日2012年5月24日
發(fā)明者何樂年, 姜俊敏, 寧志華, 胡志成 申請人:浙江大學