專(zhuān)利名稱(chēng)：雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)及其雙電壓控制驅(qū)動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)涉及一種直流電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)裝置，尤其涉及一種雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)及其雙電壓控制驅(qū)動(dòng)裝置。
背景技術(shù)：
目前對(duì)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的控制均采用單一直流電壓，其控制方式為三種，即角度位置控制、電流斬波控制和電壓斬波控制。直流斬波是將固定的直流電壓變換成可變的直流電壓，也稱(chēng)為DC/DC變換。用斬波器斬切直流的基本思想是如果改變開(kāi)關(guān)的動(dòng)作頻率，或改變直流電流接通和斷開(kāi)的時(shí)間比例，就可以改變加到負(fù)載上的電壓、電流平均值。上述控制方式多為現(xiàn)有技術(shù)所常用，如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器等。直流斬波器乃利用功率組件對(duì)固定電壓之電源做適當(dāng)之切割以達(dá)成負(fù)載端電壓改變之目的。若其輸出電壓較輸入之電源電壓低，則稱(chēng)為降壓式直流斬波器，若其輸出電壓較輸入之電源電壓高，則稱(chēng)為升壓式直流斬波器。但是其缺點(diǎn)是不能得到理想的低噪音和較低的開(kāi)關(guān)頻率，穩(wěn)定 性也不可靠。而本技術(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的控制則是采用雙直流電壓，其控制方式也不同于電流斬波和電壓斬波控制。

發(fā)明內(nèi)容
本技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種電機(jī)的噪音低、功率器件的開(kāi)關(guān)頻率低、效率高、可靠性好的雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)及其雙電壓控制驅(qū)動(dòng)裝置。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本技術(shù)針對(duì)雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)采取的技術(shù)方案為一種雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)，包括速度給定單元、PI調(diào)節(jié)器、單片機(jī)控制單元、電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元、電流檢測(cè)單元、用于檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)轉(zhuǎn)速的速度反饋單元和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)；速度給定單元、單片機(jī)控制單元、電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)順次電連接；電流檢測(cè)單元連接在開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)和單片機(jī)控制單元之間，電流檢測(cè)單元檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的電機(jī)繞組電流并將電流信號(hào)輸出給單片機(jī)控制單元；速度反饋單元連接在開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)和PI調(diào)節(jié)器之間，速度反饋單元檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的轉(zhuǎn)速并將轉(zhuǎn)速信號(hào)反饋給PI調(diào)節(jié)器；速度給定單元將給定信號(hào)輸出給PI調(diào)節(jié)器，PI調(diào)節(jié)器通過(guò)對(duì)給定信號(hào)和反饋的轉(zhuǎn)速信號(hào)進(jìn)行比較后，輸出PI控制信號(hào)給單片機(jī)控制單元，單片機(jī)控制單元輸出控制信號(hào)給電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元，電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)運(yùn)行；其特征在于所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元包括第一 MOS管BGl和第三二極管D3 ;第一 MOS管BGl的源極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，漏極用于連接第一電源VG，柵極與墊片及單元連接；第三二極管D3陰極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的整機(jī)電源端連接，陽(yáng)極用于連接第二電源VD ;開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的陰極電源端接地。作為本技術(shù)進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案,還包括能量?jī)?chǔ)存單元，所述能量?jī)?chǔ)存單元包括第三MOS管BG3、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一二極管Dl和第二二極管D2 ；第一電容Cl連接在MOS管的漏極和源極之間；第二電容C2連接在第三二極管D3的陽(yáng)極和地之間；第二二極管D2陽(yáng)極與地連接，陰極與MOS管的源極連接；第三MOS管BG3的源極與第三二極管D3的陰極連接，漏極與第一二極管Dl的陰極連接，第一二極管Dl的陽(yáng)極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的負(fù)極電源端連接；第三電容C3—端與第三二極管D3的陽(yáng)極連接，另一端與第一二極管Dl的陰極連接；當(dāng)?shù)谝?MOS管BGl導(dǎo)通時(shí)，第三MOS管BG3截止。
本技術(shù)針對(duì)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的雙電壓控制驅(qū)動(dòng)裝置采取的技術(shù)方案為一種開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的雙電壓控制驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于包括第一 MOS管BG1、第三二極管D3和用于控制第一 MOS管BGl導(dǎo)通和截止的單片機(jī)控制單元；第一 MOS管BGl的源極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，漏極用于連接第一電源VG，柵極與單片機(jī)控制單元連接；第三二極管D3陰極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，陽(yáng)極用于連接第二電源VD。作為本技術(shù)進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案,還包括能量?jī)?chǔ)存單元,所述能量?jī)?chǔ)存單元包括第三MOS管BG3、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一二極管Dl和第二二極管D2 ；第一電容Cl連接在MOS管的漏極和源極之間；第二電容C2連接在第三二極管D3的陽(yáng)極和地之間；第二二極管D2陽(yáng)極與地連接，陰極與MOS管的源極連接；第三MOS管BG3的 源極與第三二極管D3的陰極連接，漏極與第一二極管Dl的陰極連接，第一二極管Dl的陽(yáng)極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的負(fù)極電源端連接；第三電容C3—端與第三二極管D3的陽(yáng)極連接，另一端與第一二極管Dl的陰極連接；當(dāng)?shù)谝?MOS管BGl導(dǎo)通時(shí)，第三MOS管BG3截止。
本技術(shù)雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)采用雙直流電壓控制，其控制方式也不同于電流斬波和電壓斬波控制。單片機(jī)控制單元根據(jù)速度給定單元送來(lái)的速度給定信號(hào)的大小和電流檢測(cè)單元的電流反饋信號(hào)，再通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元對(duì)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)進(jìn)行速度控制，最終通過(guò)對(duì)二組不同的電壓進(jìn)行不斷地相互切換，以調(diào)節(jié)電機(jī)繞組中的電流，使電機(jī)的輸出轉(zhuǎn)矩與負(fù)載轉(zhuǎn)矩相匹配，以達(dá)到開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)調(diào)速的目的。采用雙直流電壓的優(yōu)點(diǎn)是可以減少電機(jī)的噪音和功率器件的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)裝置通過(guò)單片機(jī)控制單元根據(jù)速度給定單元送來(lái)的速度給定信號(hào)的大小和電流檢測(cè)單元的電流反饋信號(hào)，再通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元對(duì)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)進(jìn)行速度控制，最終通過(guò)對(duì)二組不同的電壓進(jìn)行不斷地相互切換，以調(diào)節(jié)電機(jī)繞組中的電流，使電機(jī)的輸出轉(zhuǎn)矩與負(fù)載轉(zhuǎn)矩相匹配，以達(dá)到開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)調(diào)速的目的。


圖I為本技術(shù)的控制流程圖。圖2為本技術(shù)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元的電路示意圖。圖3為本技術(shù)的電路控制示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例I
參見(jiàn)圖1，本雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)，包括速度給定單元、PID調(diào)節(jié)器、單片機(jī)控制單元、電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元、電流檢測(cè)單元、用于檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)轉(zhuǎn)速的速度反饋單元和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)；速度給定單元、單片機(jī)控制單元、電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)順次電連接；電流檢測(cè)單元連接在開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)和單片機(jī)控制單元之間，電流檢測(cè)單元檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的電機(jī)繞組電流并將電流信號(hào)輸出給單片機(jī)控制單元；速度反饋單元連接在開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)和PI調(diào)節(jié)器之間，速度反饋單元檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的轉(zhuǎn)速并將轉(zhuǎn)速信號(hào)反饋給PI調(diào)節(jié)器；速度給定單元將給定信號(hào)輸出給PI調(diào)節(jié)器，PI調(diào)節(jié)器通過(guò)對(duì)給定信號(hào)和反饋的轉(zhuǎn)速信號(hào)進(jìn)行比較后，輸出PI控制信號(hào)給單片機(jī)控制單元，單片機(jī)控制單元輸出控制信號(hào)給電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元，電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)運(yùn)行；參見(jiàn)圖2，所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元包括第一 MOS管BGl和第三二極管D3 ;第一MOS管BGl的源極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，漏極用于連接第一電源VG，柵極與墊片及單元連接；第三二極管D3陰極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的整機(jī)電源端連接，陽(yáng)極用于連接第二電源VD ;開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的陰極電源端接地。本實(shí)施例采用二個(gè)直流工作電壓，一個(gè)是額定的工作電壓VG,另一個(gè)是低于額定的工作電壓VD，可以是二分之一的額定工作電壓。根據(jù)電流和轉(zhuǎn)速的變化，相互不斷地切換供電電壓。當(dāng)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，由單片機(jī)控制單元發(fā)出指令，讓BGl導(dǎo)通，二極管D3處于反偏狀態(tài)，由\提供電機(jī)的工作電壓，當(dāng)電流檢測(cè)檢測(cè)到電機(jī)的工作電流超過(guò)設(shè)定值或電機(jī)的轉(zhuǎn)速超過(guò)轉(zhuǎn)速給定值時(shí)，單片機(jī)控制單元發(fā)出指令，讓BGl截止，二極管D3正向?qū)?，由Vd來(lái)提供電機(jī)的工作電壓。當(dāng)電機(jī)的轉(zhuǎn)速低于速度給定值時(shí)，再導(dǎo)通BG1，來(lái)提高電 機(jī)的轉(zhuǎn)速。就這樣，根據(jù)電機(jī)繞組LA中的電流大小和電機(jī)速度的變化，不斷地調(diào)節(jié)二組不同的工作電壓，以達(dá)到穩(wěn)定速度的目的。當(dāng)BGl導(dǎo)通時(shí)，由于二極管D3處于反偏，因此VD無(wú)法提供工作電壓。但BGl截止后，二極管D3處于正向?qū)顟B(tài)，故此時(shí)由VD提供電機(jī)的工作電壓。參見(jiàn)圖2和圖3，還包括能量?jī)?chǔ)存單元，所述能量?jī)?chǔ)存單元包括第三MOS管BG3、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一二極管Dl和第二二極管D2 ；第一電容Cl連接在MOS管的漏極和源極之間；第二電容C2連接在第三二極管D3的陽(yáng)極和地之間；第二二極管D2陽(yáng)極與地連接，陰極與MOS管的源極連接；第三MOS管BG3的源極與第三二極管D3的陰極連接，漏極與第一二極管Dl的陰極連接，第一二極管Dl的陽(yáng)極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的負(fù)極電源端連接；第三電容C3 —端與第三二極管D3的陽(yáng)極連接，另一端與第一二極管Dl的陰極連接；當(dāng)?shù)谝?MOS管BGl導(dǎo)通時(shí)，第三MOS管BG3截止。當(dāng)BGl導(dǎo)通，VG供電時(shí)，電機(jī)的能量回饋路徑為DD、D1、C3、D3、GS和DD、D1、C3、C2、D2、GS。由于此時(shí)BG3截止，故在電容C3上儲(chǔ)存了 BGl開(kāi)通時(shí)回饋的能量。當(dāng)BGl關(guān)閉時(shí)，開(kāi)通BG3，則儲(chǔ)存在C3上的能量通過(guò)BG3向電機(jī)繞組LA泄放能量，由于C3的電壓高于VD，C3泄放能量時(shí)，D3處于反偏，故待C3上的能量泄放完以后，VD才會(huì)投入工作，從而節(jié)約了供電能量。如圖3所示，本實(shí)施例中電流檢測(cè)單元是通過(guò)VOS管的導(dǎo)通壓降與導(dǎo)通電流特性曲線來(lái)確定其所要保護(hù)的電流值，而不需要任何其它的電流采樣器件。W2為電流采樣設(shè)定值，快恢復(fù)二極管D7的陰極與BG2的漏極DD相連，當(dāng)電機(jī)繞組LA的電流小于設(shè)定的電流值時(shí)，BG2的導(dǎo)通電壓小于W2的電壓值，此時(shí)DF正向?qū)?，A點(diǎn)的電壓被鉗位在0. 7V，Wl、W3的電壓設(shè)定值均為2V，故此時(shí)電壓比較器U9輸出低電平，U7電壓比較器輸出高電平，RS觸發(fā)器U8的Q輸出端也為高電平，經(jīng)二級(jí)反相后使雙輸入端與非門(mén)Ul的2端為高電平，Ul的I端為電機(jī)運(yùn)行控制的輸入端，通過(guò)U2，經(jīng)驅(qū)動(dòng)片IR2110，控制電機(jī)的上橋臂BGl的導(dǎo)通與關(guān)斷，從而保證電機(jī)的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。當(dāng)電機(jī)繞組中的電流大于設(shè)定值時(shí)，二極管DF反偏，此時(shí)，A點(diǎn)的電壓經(jīng)對(duì)電容CA的充電后會(huì)大于2V，則U9輸出高電平，U7輸出低電平，U8的Q端輸出低電平，經(jīng)二級(jí)反相后，Ul的2端也變?yōu)榈碗娖?，迫使?qū)動(dòng)片IR2110輸出低電平而關(guān)閉BGl，切斷VG供電，轉(zhuǎn)入低壓VD供電，從而使電機(jī)繞組中的電流下降。
例如希望電機(jī)繞組中的電流不超過(guò)60A，根據(jù)BG2的導(dǎo)通壓降和導(dǎo)通電流的特性曲線可知，在柵極驅(qū)動(dòng)電壓為10V，室溫為25°C時(shí)，60A對(duì)應(yīng)BG2的導(dǎo)通壓降是3V。則W2的設(shè)定電壓為3V，當(dāng)電機(jī)繞組中的電流小于60A時(shí)，因BG2的導(dǎo)通壓降小于3V，故此時(shí)A點(diǎn)的電壓被鉗制在0. 7V，BG1導(dǎo)通，VG為電機(jī)提供工作電壓。當(dāng)電機(jī)繞組中的電流大于60A時(shí)，因VF反偏，從而使得A點(diǎn)的電位不斷上升，當(dāng)大于2V時(shí)，U9輸出高電平，Ul的2腳為低電平,迫使BGl關(guān)斷，電機(jī)的供電電壓由VG改為VD，此時(shí)，電機(jī)繞組中的電流將下降。當(dāng)電機(jī)的轉(zhuǎn)速一旦低于給定轉(zhuǎn)速時(shí)，“速度給定”輸出信號(hào)給單片機(jī)，由單片機(jī)輸出控制信號(hào)，開(kāi)通BGl, VG開(kāi)始供電，此時(shí)二極管D3反偏，迫使VD不能供電。當(dāng)電機(jī)轉(zhuǎn)速超過(guò)給定轉(zhuǎn)速或電流大于60A時(shí)，又重復(fù)上述過(guò)程。如此反復(fù)不斷地切換二組不同的工作電壓，達(dá)到電機(jī)穩(wěn)定的工作。實(shí)施例2
參見(jiàn)圖2和圖3，本開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的雙電壓控制驅(qū)動(dòng)裝置，包括第一 MOS管BG1、第三二極管D3和用于控制第一 MOS管BGl導(dǎo)通和截止的單片機(jī)控制單元；第一 MOS管BGl的源極 與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，漏極用于連接第一電源VG，柵極與單片機(jī)控制單元連接；第三二極管D3陰極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，陽(yáng)極用于連接第二電源VD。還包括能量?jī)?chǔ)存單元，所述能量?jī)?chǔ)存單元包括第三MOS管BG3、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一二極管Dl和第二二極管D2 ；第一電容Cl連接在MOS管的漏極和源極之間；第二電容C2連接在第三二極管D3的陽(yáng)極和地之間；第二二極管D2陽(yáng)極與地連接，陰極與MOS管的源極連接；第三MOS管BG3的源極與第三二極管D3的陰極連接，漏極與第一二極管Dl的陰極連接，第一二極管Dl的陽(yáng)極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的負(fù)極電源端連接；第三電容C3一端與第三二極管D3的陽(yáng)極連接，另一端與第一二極管Dl的陰極連接；當(dāng)?shù)谝?MOS管BGl導(dǎo)通時(shí)，第三MOS管BG3截止。本實(shí)施例的能量存儲(chǔ)原理與實(shí)施例I相同，不再詳述。
權(quán)利要求
1.ー種雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)，包括速度給定單元、PID調(diào)節(jié)器、單片機(jī)控制單元、電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元、電流檢測(cè)單元、用于檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)轉(zhuǎn)速的速度反饋單元和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)；速度給定單元、單片機(jī)控制單元、電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)順次電連接；電流檢測(cè)單元連接在開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)和單片機(jī)控制單元之間，電流檢測(cè)單元檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的電機(jī)繞組電流并將電流信號(hào)輸出給單片機(jī)控制單元；速度反饋單元連接在開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)和PI調(diào)節(jié)器之間，速度反饋單元檢測(cè)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的轉(zhuǎn)速并將轉(zhuǎn)速信號(hào)反饋給PI調(diào)節(jié)器；速度給定單元將給定信號(hào)輸出給PI調(diào)節(jié)器，PI調(diào)節(jié)器通過(guò)對(duì)給定信號(hào)和反饋的轉(zhuǎn)速信號(hào)進(jìn)行比較后，輸出PI控制信號(hào)給單片機(jī)控制單元，單片機(jī)控制單元輸出控制信號(hào)給電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元，電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)運(yùn)行；其特征在于所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元包括第一 MOS管BGl和第三ニ極管D3 ;第一 MOS管BGl的源極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，漏極用于連接第一電源VG，柵極與墊片及單元連接；第三ニ極管D3陰極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正機(jī)電源端連接，陽(yáng)極用于連接第二電源VD ;開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的陰極電源端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)，還包括能量?jī)?chǔ)存單元，所述能量?jī)?chǔ)存單元包括第三MOS管BG3、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一ニ極管Dl和第ニニ極管D2;第一電容Cl連接在MOS管的漏極和源極之間；第二電容C2連接在第三ニ極管D3的陽(yáng)極和地之間；第ニニ極管D2陽(yáng)極與地連接，陰極與第一 MOS管BGl的源極連接；第三MOS管BG3的源極與第三ニ極管D3的陰極連接，漏極與第一ニ極管Dl的陰極連接，第一二極管Dl的陽(yáng)極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的負(fù)極電源端連接；第三電容C3 —端與第三ニ極管D3的陽(yáng)極連接，另一端與第一ニ極管Dl的陰極連接；當(dāng)?shù)谝?MOS管BGl導(dǎo)通吋，第三MOS管BG3截止。
3.一種開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的雙電壓控制驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于包括第一 MOS管BG1、第三ニ極管D3和用于控制第一 MOS管BGl導(dǎo)通和截止的單片機(jī)控制單元；第一 MOS管BGl的源極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，漏極用于連接第一電源VG，柵極與單片機(jī)控制單元連接；第三ニ極管D3陰極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，陽(yáng)極用于連接第二電源VD0
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的雙電壓控制驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于還包括能量?jī)?chǔ)存單元，所述能量?jī)?chǔ)存單元包括第三MOS管BG3、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一ニ極管Dl和第二ニ極管D2 ；第一電容Cl連接在MOS管的漏極和源極之間；第ニ電容C2連接在第三ニ極管D3的陽(yáng)極和地之間；第ニニ極管D2陽(yáng)極與地連接，陰極與第一 MOS管BGl的源極連接；第三MOS管BG3的源極與第三ニ極管D3的陰極連接，漏極與第一二極管Dl的陰極連接，第一ニ極管Dl的陽(yáng)極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的負(fù)極電源端連接；第三電容C3 —端與第三ニ極管D3的陽(yáng)極連接，另一端與第一ニ極管Dl的陰極連接；當(dāng)?shù)谝?MOS管BGl導(dǎo)通時(shí)，第三MOS管BG3截止。
全文摘要
本技術(shù)公開(kāi)了一種雙電壓控制開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)，所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元包括第一MOS管BG1和第三二極管D3；第一MOS管BG1的源極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正極電源端連接，漏極用于連接第一電源VG，柵極與墊片及單元連接；第三二極管D3陰極與開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的正機(jī)電源端連接，陽(yáng)極用于連接第二電源VD；開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的陰極電源端接地。還包括能量?jī)?chǔ)存單元，所述能量?jī)?chǔ)存單元包括第三MOS管BG3、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第一二極管D1和第二二極管D2。本技術(shù)可以減少電機(jī)的噪音和功率器件的開(kāi)關(guān)頻率，從而提高系統(tǒng)的效率和控制器的可靠性。
文檔編號(hào)H02P6/06GK102739133SQ20121017451
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月31日
發(fā)明者童自成 申請(qǐng)人:南京銀茂電氣自動(dòng)控制有限公司