專利名稱：一種h半橋驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種H橋驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
H橋驅(qū)動(dòng)電路是半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域內(nèi)常用的一種驅(qū)動(dòng)器，H橋驅(qū)動(dòng)電路常用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、EL燈驅(qū)動(dòng)等場合。傳統(tǒng)H橋驅(qū)動(dòng)電路的框圖如附圖I所示，橋壁上有4只MOS管構(gòu)成，Ml、M2是PMOS管，構(gòu)成了上橋臂，M3、M4 一般是NMOS管構(gòu)成了下橋臂，H橋定序模塊控制著4只MOS管的導(dǎo)通與關(guān)閉，要使電路正常驅(qū)動(dòng)負(fù)載，必須導(dǎo)通對(duì)角線上的ー對(duì)MOS管，根據(jù)不同MOS管對(duì)的導(dǎo)通情況，可以控制負(fù)載中電流的流向。 目前，在實(shí)際應(yīng)用中，H橋的驅(qū)動(dòng)能力一般是靠PWM(脈沖寬度調(diào)制)的方式進(jìn)行調(diào)節(jié)，這種調(diào)節(jié)方式固然有效，但電路實(shí)現(xiàn)較為復(fù)雜。另外，在實(shí)際應(yīng)用中為了防止上下橋臂管子的貫通，通常要求對(duì)驅(qū)動(dòng)電路添加一定的死區(qū)時(shí)間，傳統(tǒng)的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)電路一般采用的是RC延時(shí)的方式實(shí)現(xiàn)，這種調(diào)節(jié)方式的死區(qū)時(shí)間由于溫度等因素的影響而不夠精確，且大電阻不便于集成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有H橋驅(qū)動(dòng)電路中存在的驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)不便的問題，提出了ー種H半橋驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明的技術(shù)方案是ー種H半橋驅(qū)動(dòng)電路,具體包括一電流偏置模塊、一高壓可控開關(guān)、一高壓ニ極管組件、一死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊、一電平位移模塊、一反相器、第一 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管，其中，所述電平位移模塊的輸入端、反相器的輸入端和死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸入端連接在一起作為所述H半橋驅(qū)動(dòng)電路的控制端；所述高壓ニ極管組件的正極端接外部的高壓直流電源，所述高壓ニ極管組件的負(fù)極端接所述第二 NMOS管的漏扱，所述第二 NMOS管的柵極接所述反相器的輸出端，所述第二NMOS管的源極接所述電流偏置模塊的第一輸出端，所述電流偏置模塊的第二輸出端接所述電平位移模塊的電流偏置端，所述高壓可控開關(guān)的第一端接外部的高壓直流電源，所述高壓可控開關(guān)的第二端接第二 NMOS管的漏扱，所述高壓可控開關(guān)的控制端接所述電平位移模塊的輸出端，所述電平位移模塊的電壓偏置端接外部的高壓直流電源，所述第一 PMOS管的源極接外部的高壓直流電源，所述第一 PMOS管的柵極接所述第二 NMOS管的漏扱，所述第一 PMOS管的漏極與第一 NMOS管的漏極相連接并作為所述H半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，所述第一 NMOS管的源極接地，所述第一 NMOS管的柵極接所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸出端。進(jìn)ー步的，所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊電路包括ー恒流源、第一可控開關(guān)、第二可控開關(guān)、一電容兀件、第一反相器、第二反相器，其中，所述恒流源的第一端接外部的低壓直流電源，所述恒流源的第二端接所述第一可控開關(guān)的第一端，所述第一可控開關(guān)的第二端接所述第二可控開關(guān)的第一端、所述電容元件的第一端以及所述第一反相器的輸入端，所述第二可控開關(guān)的第二端接地，所述電容元件的第二端接地，所述第一反相器的輸出端接所述的第二反相器的輸入端，所述第二反相器的輸出端作為所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸出端，所述第一可控開關(guān)的控制端和第二可控開關(guān)的控制端連接在一起并作為所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸入端。本發(fā) 明的有益效果本發(fā)明的H半橋驅(qū)動(dòng)電路采用一高壓ニ極管組件來鉗位控制H橋臂上PMOS管即第一 PMOS管的過驅(qū)動(dòng)電壓，針對(duì)不同阻抗的負(fù)載，通過調(diào)節(jié)串聯(lián)高壓ニ極管組件中二極管的個(gè)數(shù)，從而比較方便地實(shí)現(xiàn)對(duì)H橋驅(qū)動(dòng)電流的控制調(diào)節(jié)。本發(fā)明采用ー恒流源對(duì)ー電容元件充電升壓，產(chǎn)生較為精確的延時(shí)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)死區(qū)時(shí)間的精確調(diào)節(jié)。


圖I是傳統(tǒng)H橋驅(qū)動(dòng)電路的框圖。圖2是本發(fā)明H半橋驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明H半橋驅(qū)動(dòng)電路中的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明H全橋驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明H半橋驅(qū)動(dòng)電路具體實(shí)施例的電路圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)ー步的說明本發(fā)明H半橋驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)圖如圖2所示，具體包括一電流偏置模塊Iref、一高壓可控開K1、一高壓ニ極管組件D1、一死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊Dead Time、一電平位移模塊Level Shift、一反相器 NI、第一 PMOS 管 MP1、第一 NMOS 管 MNl、第二 NMOS 管 MN2，其中，電平位移模塊Level Shift的輸入端、反相器NI的輸入端和死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊Dead Time的輸入端連接在一起作為所述H半橋驅(qū)動(dòng)電路的控制端；高壓ニ極管組件Dl的正極端接高壓直流電源HV，所述高壓ニ極管組件Dl的負(fù)極端接第二 NMOS管匪2的漏極，第二 NMOS管匪2的柵極接所述反相器NI的輸出端，第二 NMOS管匪2的源極接電流偏置模塊Iref的第一輸出端，電流偏置模塊Iref的第二輸出端接電平位移模塊Level Shift的電流偏置端，高壓可控開關(guān)Kl的第一端接外部的高壓直流電源HV,高壓可控開關(guān)Kl的第二端接第二 NMOS管MN2的漏扱，高壓可控開關(guān)Kl的控制端接電平位移模塊Level Shift的輸出端，電平位移模塊Level Shift的電壓偏置端接外部的高壓直流電源HV，第一 PMOS管MPl的源極接外部的高壓直流電源HV，第一 PMOS管MPl的柵極接所述第二 NMOS管MN2的漏極，第一 PMOS管MPl的漏極與第一 NMOS管MNl的漏極相連接并作為所述H半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，第一 NMOS管麗I的源極接地，第一 NMOS管麗I的柵極接死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊Dead Time的輸出端。這里的電流偏置模塊Iref用于為電路提供需要的電流偏置，死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊Dead Time用于精確控制電路的死區(qū)時(shí)間，防止橋臂上電流貫通，電平位移模塊LevelShift用于產(chǎn)生一個(gè)高壓的方波控制信號(hào)，來控制高壓可控開關(guān)。 H半橋驅(qū)動(dòng)電路原理如下H半橋驅(qū)動(dòng)電路控制端的方波信號(hào)為高時(shí)，第二NMOS管匪2截止，高壓可控開關(guān)Kl閉合，第一 PMOS管MPl截止，同時(shí)死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸出端為高，第一 NMOS管匪I開啟，H半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端為低；H半橋驅(qū)動(dòng)電路控制端的方波信號(hào)為低吋，第二 NMOS管MN2開啟，高壓可控開關(guān)Kl斷開，第一 PMOS管MPl開啟，同時(shí)死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸出端為低，第二 NMOS管匪2截止，H半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端為高。圖3給出了死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的一種實(shí)施方案，包括一恒流源II、第一可控開關(guān)K11、第二可控開關(guān)K12、一電容元件C、反相器N2、N3，其中，恒流源Il的第一端接外部的低壓直流電源VDD，恒流源Il的第二端接第一可控開關(guān)KlI的第一端，第一可控開關(guān)KlI的第二端接第二可控開關(guān)K12的第一端、電容元件C的第一端以及反相器N2的輸入端，第二可控開關(guān)K22的第二端接地，電容元件C的第二端接地，反相器N2的輸出端接反相器N3的輸入端，反相器N3的輸出端作為死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸出端，第一可控開關(guān)Kll的控制端和第二可控開關(guān)K12的控制端連接在一起并作為所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸入端。這里的低壓直流電源中的“低壓”可以理解為不超過5V，這里的高壓直流電源、高壓可控開關(guān)、高壓ニ極管組件中的“高壓”可以理解為電路中低壓直流電源兩倍以上的電壓值。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該意識(shí)到這里的“高壓”和“低壓”含義是清楚的。 這里的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的原理如下當(dāng)H半橋驅(qū)動(dòng)電路控制端的方波信號(hào)為高時(shí)，第一可控開關(guān)Kll閉合，第二可控開關(guān)K12斷開，由恒流源Il經(jīng)過第一可控開關(guān)Kll對(duì)電容元件C進(jìn)行充電，當(dāng)電容元件C的第一端電壓達(dá)到反相器N2的翻轉(zhuǎn)電壓吋，反相器N2的輸出為低，反相器N3的輸出為高，死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸出端為高；通過恒流源Il對(duì)電容元件C充電產(chǎn)生了一定時(shí)間的延時(shí)，進(jìn)而產(chǎn)生了所需的死區(qū)時(shí)間。所述H半橋驅(qū)動(dòng)電路控制端的方波信號(hào)為低時(shí)，第一可控開關(guān)Kll斷開，第二可控開關(guān)K12閉合，電容元件C通過可控開關(guān)K12快速放電，當(dāng)電容元件C的第一端電壓達(dá)到反相器N2的翻轉(zhuǎn)電壓吋，反相器N2的輸出為高，反相器N3的輸出為低，死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊輸出端為低。圖4給出了采用本發(fā)明的H半橋驅(qū)動(dòng)電路的H全橋驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，具體包括対稱的兩個(gè)所述H半橋驅(qū)動(dòng)電路以及一反相器，所述兩個(gè)H半橋驅(qū)動(dòng)電路ー個(gè)為左半橋驅(qū)動(dòng)電路，另一個(gè)為右半橋驅(qū)動(dòng)電路。所述左半橋驅(qū)動(dòng)電路的控制端接一占空比為50%頻率為f的方波信號(hào)，反相器的輸入端接所述左半橋驅(qū)動(dòng)電路的控制端，所述反相器的輸出端接所述右半橋驅(qū)動(dòng)電路的控制端。為了使本發(fā)明的H半橋驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合圖5對(duì)本發(fā)明做進(jìn)ー步的說明。圖5展示了本發(fā)明H半橋驅(qū)動(dòng)電路的ー種具體實(shí)施例，該H半橋驅(qū)動(dòng)電路包括高壓 MOS 管 M14-M18、MP1、MN1、MN2，低壓 MOS 管 M10-M13、M19,反相器 N1-N3，恒流源 II、12，電容元件C。圖中I2、M19、M10、M11構(gòu)成電流偏置模塊的具體實(shí)施例之一，恒流源12輸入到NMOS管MlO的漏極，NMOS管M10、M11、M19構(gòu)成電流鏡；圖中點(diǎn)線框中為所述電平位移模塊的具體實(shí)施例之一。這里，高壓可控開關(guān)Kl通過PMOS管M17實(shí)現(xiàn)，具體的，PMOS管M17的源極作為高壓可控開關(guān)Kl的第一端，漏極作為高壓可控開關(guān)Kl的第二端，柵極作為高壓可控開關(guān)Kl的控制端，PMOS管M17的開啟與截止通過鏡像電流源控制M17的柵極電壓來實(shí)現(xiàn)。這里，高壓ニ極管組件Dl由均是ニ極管接法的PMOS管M15、M16串接而成；具體的，PMOS管M15的源極作為高壓ニ極管組件Dl的正極端，PMOS管M15的柵極和漏極與PMOS管M16的源極相連接，PMOS管M16的柵極和漏極相連接作為負(fù)極端。
由于電路的驅(qū)動(dòng)能力要求，本實(shí)施例中只串聯(lián)了 2個(gè)ニ極管連接形式的PMOS管，需要說明的是用高壓的MOS管來實(shí)現(xiàn)ニ極管只是ー種方式，也可以生產(chǎn)其它高壓的ニ極管。圖中虛線框中為死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊，恒流源Il為所述恒流源，第一可控開關(guān)Kll由NMOS管Ml2實(shí)現(xiàn)，所述第二可控開關(guān)Kl2由PMOS管Ml3實(shí)現(xiàn)，具體的，NMOS管Ml2的漏極作為第一可控開關(guān)Kll的第一端，NMOS管M12的源極作為第一可控開關(guān)Kll的第二端，NMOS管M12的柵極作為第一可控開關(guān)Kll的控制端；PM0S管M13的源極作為第二可控開關(guān)K12的第一端，PMOS管M13的漏極作為第二可控開關(guān)K12的第二端，PMOS管M13的柵極作為第二可控開關(guān)K12的控制端。M12、M13的柵極接輸入方波信號(hào)Vi以控制管子的開啟與截止；具體連接方式可見附圖5。設(shè)定低壓直流電源VDD的值為5V，高壓直流電源HV的值為90V，H半橋驅(qū)動(dòng)電路控制端方波信號(hào)的最小值為0V，最大值為5V。 電路具體工作原理如下當(dāng)H半橋驅(qū)動(dòng)電路控制端方波信號(hào)Vi為低吋，NMOS管M14截止，M14管所在的恒流源12的鏡像電流通路消失，PMOS管M17截止，同時(shí)反相器NI的輸出為高電平，NMOS管麗3開啟，此時(shí)高壓直流電源HV經(jīng)過PMOS管M15、M16以及NMOS管麗2、M11到地形成通路，通路的電流也是12的鏡像電流，PMOS管MPl的柵極電壓被鉗位在(HV-2Vgs)，其中，Vgs為M15、M16的柵源電壓，PMOS管MPl開啟，同時(shí)NMOS管M12截止，PMOS管M13開啟，電容C電經(jīng)過M13快速放電，N3輸出為低電平，NMOS管匪I截止，H半橋的輸出為高電平，該高電平的值接近于HV。當(dāng)方波信號(hào)Vi為高吋，NMOS管M14開啟，恒流源12的鏡像電流經(jīng)過NMOS管M14、M19以及PMOS管M18形成通路，PMOS管M17開啟，同時(shí)反相器NI輸出為低，NMOS管匪2截止，高壓直流電源HV經(jīng)過PMOS管M17對(duì)PMOS管MPl的柵極的寄生電容快速充電，充電過程是起始由于MPl管的柵極電壓被鉗位在HV-2Vgs，故M17管處于飽和區(qū)，故此時(shí)充電電流基本恒定，隨著MPl管的柵極電壓升高，M17進(jìn)入線性區(qū)，此時(shí)充電過程類似于RC充電，由于寄生電容容值較小，所以MPl的柵極電壓很快就可到達(dá)HV，PMOS管MPl截止。同時(shí)，NMOS管M12開啟，PMOS管M13截止，恒流源Il對(duì)電容C充電，當(dāng)電壓達(dá)到反相器N2的翻轉(zhuǎn)電壓Vth時(shí)，反相器N2的輸出為低電平，反相器N3的輸出為高電平，NMOS管麗I開啟，H半橋的輸出端為低電平。此處死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊對(duì)方波信號(hào)Vi上升沿的延時(shí)可精確的計(jì)算，為Td=C*VTH/Il，式中，C是電容的容值，Vth是反相器N2的翻轉(zhuǎn)電平，I1是恒流源Il的電流值。通過改變恒流源Il的大小以及電容C的大小可以調(diào)節(jié)延遲時(shí)間。假定從方波信號(hào)Vi的上升沿開始，到PMOS管MPl截止的延時(shí)時(shí)間為Tl，則電路實(shí)現(xiàn)的死區(qū)時(shí)間Tdead為Tdead=Td-Tl=OVI1-Tlt5根據(jù)對(duì)Vi為低電平時(shí)電路工作原理的分析，Tl時(shí)間很短，忽略Tl時(shí)間的延時(shí)有Tdead=C*VTH/Il。通過上述分析可以看出，本發(fā)明的H半橋驅(qū)動(dòng)電路達(dá)到了兩個(gè)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)第一、利用高壓ニ極管組件對(duì)高壓PMOS管進(jìn)行鉗位，通過改變ニ極管串接數(shù)量可調(diào)節(jié)橋臂驅(qū)動(dòng)電流，從而達(dá)到方便調(diào)節(jié)H橋驅(qū)動(dòng)能力的要求；第二、本發(fā)明的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊利用恒流源為電容充電的延時(shí)，可做到精確控制電路所需要的死區(qū)時(shí)間。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本發(fā)明的原理，應(yīng)被理解為本 發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種H半橋驅(qū)動(dòng)電路，具體包括一電流偏置模塊、一高壓可控開關(guān)、一高壓二極管組件、一死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊、一電平位移模塊、一反相器、第一 PMOS管、第一 NMOS管、第二NMOS管，其中， 所述電平位移模塊的輸入端、反相器的輸入端和死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸入端連接在一起作為所述H半橋驅(qū)動(dòng)電路的控制端； 所述高壓二極管組件的正極端接外部的高壓直流電源，所述高壓二極管組件的負(fù)極端接所述第二 NMOS管的漏極，所述第二 NMOS管的柵極接所述反相器的輸出端，所述第二 NMOS管的源極接所述電流偏置模塊的第一輸出端，所述電流偏置模塊的第二輸出端接所述電平位移模塊的電流偏置端，所述高壓可控開關(guān)的第一端接外部的高壓直流電源，所述高壓可控開關(guān)的第二端接第二 NMOS管的漏極，所述高壓可控開關(guān)的控制端接所述電平位移模塊的輸出端，所述電平位移模塊的電壓偏置端接外部的高壓直流電源，所述第一 PMOS管的源極接外部的高壓直流電源，所述第一 PMOS管的柵極接所述第二 NMOS管的漏極，所述第一PMOS管的漏極與第一 NMOS管的漏極相連接并作為所述H半橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一 NMOS管的柵極接所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的H半橋驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊電路包括一恒流源、第一可控開關(guān)、第二可控開關(guān)、一電容元件、第一反相器、第二反相器，其中， 所述恒流源的第一端接外部的低壓直流電源，所述恒流源的第二端接所述第一可控開關(guān)的第一端，所述第一可控開關(guān)的第二端接所述第二可控開關(guān)的第一端、所述電容元件的第一端以及所述第一反相器的輸入端，所述第二可控開關(guān)的第二端接地，所述電容元件的第二端接地，所述第一反相器的輸出端接所述的第二反相器的輸入端，所述第二反相器的輸出端作為所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸出端，所述第一可控開關(guān)的控制端和第二可控開關(guān)的控制端連接在一起并作為所述死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊的輸入端。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的H半橋驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述的高壓可控開關(guān)通過一PMOS管實(shí)現(xiàn)，具體的，所述PMOS管的源極作為高壓可控開關(guān)的第一端，漏極作為高壓可控開關(guān)的第二端，柵極作為高壓可控開關(guān)的控制端。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或3所述的H半橋驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述的高壓二極管組件由均是二極管接法的兩個(gè)PMOS管串接而成；具體的，第一個(gè)PMOS管的源極作為所述高壓二極管組件的正極端，第一個(gè)PMOS管的柵極和漏極與第二個(gè)PMOS管的源極相連接，第二個(gè)PMOS管的柵極和漏極相連接作為所述高壓二極管組件的負(fù)極端。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的H半橋驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，第一可控開關(guān)具體為一NMOS管，所述NMOS管的漏極作為第一可控開關(guān)的第一端，所述NMOS管的源極作為第一可控開關(guān)的第二端，所述NMOS管的柵極作為第一可控開關(guān)的控制端。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的H半橋驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，第二可控開關(guān)具體為一 PMOS管，所述PMOS管的源極作為第二可控開關(guān)的第一端，所述PMOS管的漏極作為第二可控開關(guān)的第二端，所述PMOS管的柵極作為第二可控開關(guān)的控制端。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種H半橋驅(qū)動(dòng)電路，具體包括一電流偏置模塊、一高壓可控開關(guān)、一高壓二極管組件、一死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)模塊、一電平位移模塊、一反相器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管。本發(fā)明的H半橋驅(qū)動(dòng)電路采用一高壓二極管組件來鉗位控制H橋臂上PMOS管即第一PMOS管的過驅(qū)動(dòng)電壓，針對(duì)不同阻抗的負(fù)載，通過調(diào)節(jié)串聯(lián)高壓二極管組件中二極管的個(gè)數(shù)，從而比較方便地實(shí)現(xiàn)對(duì)H橋驅(qū)動(dòng)電流的控制調(diào)節(jié)。本發(fā)明采用一恒流源對(duì)一電容元件充電升壓，產(chǎn)生較為精確的延時(shí)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)死區(qū)時(shí)間的精確調(diào)節(jié)。
文檔編號(hào)H02M7/537GK102801290SQ20121029128
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月16日
發(fā)明者方健, 潘福躍, 王賀龍, 黃帥 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)