一種保護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種保護(hù)電路，包括：整流單元，用于對(duì)輸入的交流電壓進(jìn)行整流處理，輸出直流電壓；濾波單元，用于對(duì)所述整流模塊輸出的直流電壓進(jìn)行濾波處理；第一保護(hù)單元，包括第一電阻，第一電容、NMOS管及第二電阻，所述第一電阻及第一電容串聯(lián)后連接在所述濾波單元的兩個(gè)輸出端之間，所述NMOS管的柵極接所述第一電阻及第一電容的公共節(jié)點(diǎn)，源極接所述第一電容與濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)，漏極接地，所述第二電阻連接在所述第一電阻及第一電容的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管的漏極之間。采用本發(fā)明，可吸收開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間的浪涌電流，保護(hù)驅(qū)動(dòng)安全，提高燈具工作的穩(wěn)定性和可靠性，降低燈具維修的成本。
【專利說(shuō)明】—種保護(hù)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及照明燈具領(lǐng)域，尤其涉及一種保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在日常生活中，照明燈具隨處可見(jiàn)，其正逐漸成為人們?nèi)粘Ｉ畹谋匦杵罚瑸槿藗兊纳顜?lái)了極大的便利。如果在夜晚，照明燈具出現(xiàn)故障，將對(duì)人們的生活工作帶來(lái)不便，甚至造成重大的損失。因此，確保照明燈具工作的穩(wěn)定性和可靠性十分重要。
[0003]目前，照明燈具的驅(qū)動(dòng)損壞是照明燈具出現(xiàn)故障的一種典型情況，驅(qū)動(dòng)損壞將導(dǎo)致照明燈具無(wú)法正常工作。而驅(qū)動(dòng)損壞的原因一般是因?yàn)轵?qū)動(dòng)在電源開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間，受到浪涌沖擊，從未損壞，因此，如何避免浪涌沖擊成了保護(hù)驅(qū)動(dòng)必須解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種保護(hù)電路?？晌臻_(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間的浪涌電流，保護(hù)驅(qū)動(dòng)安全，提高燈具工作的穩(wěn)定性和可靠性，降低燈具維修的成本。
[0005]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種保護(hù)電路，包括:
其中，整流單元，用于對(duì)輸入的交流電壓進(jìn)行整流處理，輸出直流電壓；
濾波單元，用于對(duì)所述整流模塊輸出的直流電壓進(jìn)行濾波處理；
第一保護(hù)單元，包括第一電阻，第一電容、NMOS管及第二電阻，所述第一電阻及第一電容串聯(lián)后連接在所述濾波單元的兩個(gè)輸出端之間，所述NMOS管的柵極接所述第一電阻及第一電容的公共節(jié)點(diǎn)，源極接所述第一電容與濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)，漏極接地，所述第二電阻連接在所述第一電阻及第一電容的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管的漏極之間。
[0006]其中，所述第一保護(hù)單元還包括:
穩(wěn)壓管，所述穩(wěn)壓管與所述第二電阻并聯(lián)，正極接所述第一電容與所述濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)。
[0007]其中，所述第一保護(hù)單元還包括:
可調(diào)電阻，所述可調(diào)電阻一端接所述NMOS管源極與第二電阻的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述NMOS管的漏極。
[0008]其中，所述保護(hù)電路還包括第二保護(hù)單元，所述第二保護(hù)單元包括開(kāi)關(guān)管，所述開(kāi)關(guān)管集電極連接在所述第一電阻及第一電容的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管的柵極之間，發(fā)射極連接在所述可調(diào)電阻及NMOS管源極的公共節(jié)點(diǎn)與所述第二電阻與濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)之間。
[0009]其中，所述第二保護(hù)單元還包括:第三電阻，所述第三電阻一端接所述開(kāi)關(guān)管的基極，另一端通過(guò)所述NMOS管的源極接所述可調(diào)電阻的一端；
第四電阻，所述第四電阻一端接所述第三電阻與開(kāi)關(guān)管基極的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述可調(diào)電阻的另一端。
[0010]其中，所述整流模塊為四個(gè)二極管組成的整流橋堆，所述整流橋堆的第一輸入端及第二輸入端分別接交流電壓的正負(fù)極，所述整流橋堆的第一輸出端及第二輸出端接所述濾波單元。
[0011]其中，所述濾波單元包括第二電容、第一電感及第二電感，所述第二電容并聯(lián)在所述整流橋堆的第一輸出端及第二輸出端之間，所述第二電容的正極接所述整流橋堆的第一輸出端，所述第一電感的一端接所述第二電容的正極，另一端通過(guò)所述第一電阻接所述第一電容，所述第二電感一端接所述第二電容的負(fù)極，另一端接所述第二電阻與所述NMOS管源極的公共節(jié)點(diǎn)。
[0012]其中，所述第一保護(hù)單元還包括:
第五電阻，所述第五電阻的一端接所述第一電感與所述第一電阻的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述第二電阻與所述第一電容的公共節(jié)點(diǎn)。
[0013]其中，所述保護(hù)電路還包括:
第三電容，所述第三電容的正極接所述保護(hù)電路的電壓輸出端，負(fù)極接地。
[0014]其中，所述開(kāi)關(guān)管為NPN型三極管。
[0015]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有如下有益效果:
在第一保護(hù)單元中，利用電容充電的延時(shí)性及充電過(guò)程中電容兩端的電壓變化實(shí)現(xiàn)延時(shí)控制電壓輸出端的通斷；在電路中設(shè)置閉合回路，通過(guò)電阻消除開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間時(shí)產(chǎn)生的浪涌沖擊電壓后，控制電路導(dǎo)通，輸出正常的電壓，從而確保了燈具使用時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性，避免了浪涌沖擊電壓對(duì)燈具造成的損壞，降低了燈具的維修成本；加入第二保護(hù)單元，在電壓輸出端短路時(shí)控制電壓輸出端斷路，由此實(shí)現(xiàn)了對(duì)后級(jí)短路的保護(hù)作用。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1是本發(fā)明保護(hù)電路的第一實(shí)施例的組成示意圖；
圖2是本發(fā)明保護(hù)電路的第二實(shí)施例的組成示意圖；
圖3是本發(fā)明保護(hù)電路的第三實(shí)施例的組成示意圖；
圖4是本發(fā)明保護(hù)電路的第四實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0019]請(qǐng)參照?qǐng)D1，為本發(fā)明保護(hù)電路的第一實(shí)施例的組成示意圖，在本實(shí)施例中，所述保護(hù)電路包括:整流電源1、濾波單元2及第一保護(hù)單元3。
[0020]所述整流單元I用于對(duì)輸入的交流電壓進(jìn)行整流處理，輸出直流電壓。
[0021]具體地，可以采用半波整流，全波整流，也可以采用橋式整流實(shí)現(xiàn)將流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姟?br> [0022]所述濾波單元2用于對(duì)所述整流模塊輸出的直流電壓進(jìn)行濾波處理。從而抑制和防止干擾。
[0023]所述第一保護(hù)單元3包括第一電阻31，第一電容32、NM0S管33及第二電阻34，所述第一電阻31及第一電容32串聯(lián)后連接在所述濾波單元2的兩個(gè)輸出端之間，所述NMOS管33的柵極接所述第一電阻31及第一電容32的公共節(jié)點(diǎn)，源極接所述第一電容32與濾波單元2的公共節(jié)點(diǎn)，漏極接地，所述第二電阻34連接在所述第一電阻31及第一電容32的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管33的漏極之間。
[0024]當(dāng)電路的開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間，電路通過(guò)所述第一電阻31的分壓限流為所述第一電容32充電，充電開(kāi)始時(shí)，所述第一電容32兩端的電壓較低，無(wú)法驅(qū)動(dòng)所述NMOS管33的源極和漏極導(dǎo)通，此時(shí)，所述NMOS管33處于截止?fàn)顟B(tài)，無(wú)輸出電壓產(chǎn)生，所述NMOS管33的柵極、漏極與所述第二電阻34形成回路，因開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間產(chǎn)生的浪涌沖擊電壓降落在所述第二電阻34上，從而消除了開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間的浪涌沖擊對(duì)燈具驅(qū)動(dòng)的影響。隨著時(shí)間的推移，所述第一電容32不斷充電導(dǎo)致其兩端的電壓不斷升高，當(dāng)其兩端的電壓升高的某一臨界值時(shí)，所述NMOS管33將導(dǎo)通，整個(gè)電路開(kāi)始正常工作，輸出合適的輸出電壓，此時(shí)，已不存在浪涌沖擊電壓，因而不會(huì)對(duì)燈具的驅(qū)動(dòng)造成影響，從而提高了燈具使用的穩(wěn)定性和可靠性，降低了燈具維修的成本。
[0025]請(qǐng)參照?qǐng)D2，為本發(fā)明保護(hù)電路的第二實(shí)施例的組成示意圖，在本實(shí)施例中，所述保護(hù)電路包括:
整流單元1、濾波單元2、第一保護(hù)單元3，所述第一保護(hù)單元3還包括:
穩(wěn)壓管35，所述穩(wěn)壓管35與所述第二電阻34并聯(lián)，正極接所述第一電容31與所述濾波單元2的公共節(jié)點(diǎn)。
[0026]穩(wěn)壓管35的存在，可以防止較大的浪涌沖擊電壓導(dǎo)致所述NMOS管33的柵極電壓過(guò)高從而對(duì)所述NMOS管33造成不利影響。
[0027]可調(diào)電阻36，所述可調(diào)電阻36 —端接所述NMOS管33源極與第二電阻34的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述NMOS管33的漏極。
[0028]加入可調(diào)電阻36，與所述NMOS管的漏極、源極及第二電阻34構(gòu)成回路，可以根據(jù)浪涌沖擊電壓的實(shí)際大小進(jìn)行適應(yīng)的調(diào)節(jié)，提高了保護(hù)電路的適用性。
[0029]請(qǐng)參照?qǐng)D3，為本發(fā)明保護(hù)電路的第三實(shí)施例的組成圖，在本實(shí)施例中，所述保護(hù)電路包括:整流單元1、濾波單元2、第一保護(hù)單元3 (圖未示)及第二保護(hù)單元4 (圖未示)，所述第二保護(hù)單元4包括開(kāi)關(guān)管41，所述開(kāi)關(guān)管41的集電極連接在所述第一電阻31及第一電容32的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管33的柵極之間，發(fā)射極連接在所述可調(diào)電阻36及NMOS管33源極的公共節(jié)點(diǎn)與所述第二電阻34與濾波單元2的公共節(jié)點(diǎn)之間。
[0030]所述第二保護(hù)單元4還包括:第三電阻42，所述第三電阻42 —端接所述開(kāi)關(guān)管41的基極，另一端通過(guò)所述NMOS管33的源極接所述可調(diào)電阻36的一端；
第四電阻43，所述第四電阻43 —端接所述第三電阻42與開(kāi)關(guān)管41基極的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述可調(diào)電阻36的另一端。
[0031]所述第三電阻42及第四電阻43均起到分壓保護(hù)的作用。
[0032]當(dāng)電壓輸出短路時(shí)，若此時(shí)開(kāi)啟電路開(kāi)關(guān)，通過(guò)所述第一電阻32、第二電阻34、可調(diào)電阻36、第三電阻42、第四電阻43形成回路，由于電壓輸出短路時(shí)的電流增大，使得所述可調(diào)電阻36兩端的電壓升高，此電壓即為所述開(kāi)關(guān)管41的基極電壓，當(dāng)基極電壓升高的某一臨界值時(shí)，所述開(kāi)關(guān)管41導(dǎo)通，從而使得所述NMOS管33的柵極電壓拉低，所述NMOS管33隨之截止，所述可調(diào)電阻36在很短時(shí)間內(nèi)燒毀，使得電壓輸出端無(wú)電壓輸出，從而起到了保護(hù)后級(jí)短路的作用。
[0033]請(qǐng)參照?qǐng)D4，為本發(fā)明保護(hù)電路的第四實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖，在本實(shí)施例中，所述保護(hù)電路包括:
整流單元，用于對(duì)輸入的交流電壓進(jìn)行整流處理，輸出直流電壓；
濾波單元，用于對(duì)所述整流模塊輸出的直流電壓進(jìn)行濾波處理；
第一保護(hù)單兀，包括第一電阻Rl，第一電容Cl、NMOS管Ql及第二電阻R2,所述第一電阻Rl及第一電容Cl串聯(lián)后連接在所述濾波單元的兩個(gè)輸出端之間，所述NMOS管Ql的柵極接所述第一電阻Rl及第一電容Cl的公共節(jié)點(diǎn)，源極接所述第一電容Cl與濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)，漏極接地，所述第二電阻R2連接在所述第一電阻Rl及第一電容Cl的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管Ql的漏極之間。
[0034]所述第一保護(hù)單元還包括:
穩(wěn)壓管Dl，所述穩(wěn)壓管Dl與所述第二電阻R2并聯(lián)，正極接所述第一電容Cl與所述濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)。
[0035]所述第一保護(hù)單元還包括:
可調(diào)電阻RTl，所述可調(diào)電阻RTl —端接所述NMOS管Ql源極與第二電阻R2的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述NMOS管Ql的漏極。
[0036]所述保護(hù)電路還包括第二保護(hù)單元，所述第二保護(hù)單元包括開(kāi)關(guān)管Q2，所述開(kāi)關(guān)管Q2的集電極連接在所述第一電阻Rl及第一電容Cl的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管Ql的柵極之間，發(fā)射極連接在所述可調(diào)電阻RTl及NMOS管Ql源極的公共節(jié)點(diǎn)與所述第二電阻R2與濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)之間。
[0037]優(yōu)選地，所述開(kāi)關(guān)管Q2為NPN型三極管。
[0038]所述第二保護(hù)單元還包括:第三電阻R3，所述第三電阻R3 —端接所述開(kāi)關(guān)管Q2的基極，另一端通過(guò)所述NMOS管Ql的源極接所述可調(diào)電阻RTl的一端；
第四電阻R4，所述第四電阻R4 —端接所述第三電阻R3與開(kāi)關(guān)管Q2基極的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述可調(diào)電阻RTl的另一端。
[0039]優(yōu)選地，所述整流單元為四個(gè)二極管組成的整流橋堆BD，所述整流橋堆BD的第一輸入端及第二輸入端分別接交流電壓的正負(fù)極，所述整流橋堆BD的第一輸出端及第二輸出端接所述濾波單元。
[0040]優(yōu)選地，所述濾波單元包括第二電容C2、第一電感LI及第二電感L2，所述第二電容C2并聯(lián)在所述整流橋堆的第一輸出端及第二輸出端之間，所述第二電容C2的正極接所述整流橋堆BD的第一輸出端,所述第一電感LI的一端接所述第二電容C2的正極,另一端通過(guò)所述第一電阻Rl接所述第一電容Cl，所述第二電感L2 —端接所述第二電容C2的負(fù)極，另一端接所述第二電阻R2與所述NMOS管Ql源極的公共節(jié)點(diǎn)。
[0041]優(yōu)選地，所述第一保護(hù)單元還包括:
第五電阻R5，所述第五電阻R5的一端接所述第一電感LI與所述第一電阻Rl的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述第二電阻R2與所述第一電容Cl的公共節(jié)點(diǎn)。
[0042]優(yōu)選地，所述保護(hù)電路還包括:
第三電容C3，所述第三電容C3的正極接所述保護(hù)電路的電壓輸出端，負(fù)極接地。
[0043]當(dāng)電路的開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間，電路通過(guò)所述第一電阻R1、第五電阻R5的分壓限流為所述第一電容Cl充電，充電開(kāi)始時(shí)，所述第一電容Cl兩端的電壓較低，無(wú)法驅(qū)動(dòng)所述NMOS管Ql的源極和漏極導(dǎo)通，此時(shí)，所述NMOS管Ql處于截止?fàn)顟B(tài)，無(wú)輸出電壓產(chǎn)生，所述NMOS管Ql的柵極、漏極與所述可調(diào)電阻RT1、第二電阻R2形成回路，因開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間產(chǎn)生的浪涌沖擊電壓降落在所述可調(diào)電阻RT1、第二電阻R2上，從而消除了開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間的浪涌沖擊對(duì)燈具驅(qū)動(dòng)的影響。隨著時(shí)間的推移，所述第一電容Cl不斷充電導(dǎo)致其兩端的電壓不斷升高，當(dāng)其兩端的電壓升高的某一臨界值時(shí)，所述NMOS管Ql將導(dǎo)通，整個(gè)電路開(kāi)始正常工作，輸出合適的輸出電壓，此時(shí)，已不存在浪涌沖擊電壓，因而不會(huì)對(duì)燈具的驅(qū)動(dòng)造成影響，從而提高了燈具使用的穩(wěn)定性和可靠性，降低了燈具維修的成本。
[0044]當(dāng)電壓輸出短路時(shí)，若此時(shí)開(kāi)啟電路開(kāi)關(guān)，通過(guò)所述第一電阻R1、第四電阻R4、可調(diào)電阻RT1、第三電阻R3、第二電阻R2、第五電阻R5形成回路，由于電壓輸出短路時(shí)的電流增大，使得所述可調(diào)電阻RTl兩端的電壓升高，此電壓即為所述開(kāi)關(guān)管Q2的基極電壓，當(dāng)基極電壓升高的某一臨界值時(shí)，所述開(kāi)關(guān)管Q2導(dǎo)通，從而使得所述NMOS管Ql的柵極電壓拉低，所述NMOS管Ql隨之截止，所述可調(diào)電阻RTl在很短時(shí)間內(nèi)燒毀，使得電壓輸出端無(wú)電壓輸出，從而起到了保護(hù)后級(jí)短路的作用。
[0045]需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其它實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)于裝置實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。
[0046]通過(guò)上述實(shí)施例的描述，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
在第一保護(hù)單元中，利用電容充電的延時(shí)性及充電過(guò)程中電容兩端的電壓變化實(shí)現(xiàn)延時(shí)控制電壓輸出端的通斷；在電路中設(shè)置閉合回路，通過(guò)電阻消除開(kāi)關(guān)開(kāi)啟瞬間時(shí)產(chǎn)生的浪涌沖擊電壓后，控制電路導(dǎo)通，輸出正常的電壓，從而確保了燈具使用時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性，避免了浪涌沖擊電壓對(duì)燈具造成的損壞，降低了燈具的維修成本；加入第二保護(hù)單元，在電壓輸出端短路時(shí)控制電壓輸出端斷路，由此實(shí)現(xiàn)了對(duì)后級(jí)短路的保護(hù)作用。
[0047]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分流程，是可以通過(guò)計(jì)算機(jī)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，所述的程序可存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，可包括如上述各方法的實(shí)施例的流程。其中，所述的存儲(chǔ)介質(zhì)可為磁碟、光盤(pán)、只讀存儲(chǔ)記憶體(Read-Only Memory,簡(jiǎn)稱ROM)或隨機(jī)存儲(chǔ)記憶體(RandomAccess Memory,簡(jiǎn)稱 RAM)等。
[0048]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種保護(hù)電路，其特征在于，包括: 整流單元，用于對(duì)輸入的交流電壓進(jìn)行整流處理，輸出直流電壓； 濾波單元，用于對(duì)所述整流模塊輸出的直流電壓進(jìn)行濾波處理； 第一保護(hù)單元，包括第一電阻，第一電容、NMOS管及第二電阻，所述第一電阻及第一電容串聯(lián)后連接在所述濾波單元的兩個(gè)輸出端之間，所述NMOS管的柵極接所述第一電阻及第一電容的公共節(jié)點(diǎn)，源極接所述第一電容與濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)，漏極接地，所述第二電阻連接在所述第一電阻及第一電容的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管的漏極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述第一保護(hù)單元還包括: 穩(wěn)壓管，所述穩(wěn)壓管與所述第二電阻并聯(lián)，正極接所述第一電容與所述濾波單元的公共節(jié)點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述第一保護(hù)單元還包括: 可調(diào)電阻，所述可調(diào)電阻一端接所述NMOS管源極與第二電阻的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述匪OS管的漏極。
4.如權(quán)利要求3所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述保護(hù)電路還包括第二保護(hù)單元，所述第二保護(hù)單元包括開(kāi)關(guān)管，所述開(kāi)關(guān)管的集電極連接在所述第一電阻及第一電容的公共節(jié)點(diǎn)與所述NMOS管的柵極之間，發(fā)射極連接在所述可調(diào)電阻及NMOS管源極的公共節(jié)點(diǎn)與所述第二電阻與濾 波單元的公共節(jié)點(diǎn)之間。
5.如權(quán)利要求4所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述第二保護(hù)單元還包括:第三電阻，所述第三電阻一端接所述開(kāi)關(guān)管的基極，另一端通過(guò)所述NMOS管的源極接所述可調(diào)電阻的一端; 第四電阻，所述第四電阻一端接所述第三電阻與開(kāi)關(guān)管基極的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述可調(diào)電阻的另一端。
6.如權(quán)利要求所述5的保護(hù)電路，其特征在于，所述整流單元為四個(gè)二極管組成的整流橋堆，所述整流橋堆的第一輸入端及第二輸入端分別接交流電壓的正負(fù)極，所述整流橋堆的第一輸出端及第二輸出端接所述濾波單元。
7.如權(quán)利要求6所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述濾波單元包括第二電容、第一電感及第二電感，所述第二電容并聯(lián)在所述整流橋堆的第一輸出端及第二輸出端之間，所述第二電容的正極接所述整流橋堆的第一輸出端，所述第一電感的一端接所述第二電容的正極，另一端通過(guò)所述第一電阻接所述第一電容，所述第二電感一端接所述第二電容的負(fù)極，另一端接所述第二電阻與所述NMOS管源極的公共節(jié)點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述第一保護(hù)單元還包括: 第五電阻，所述第五電阻的一端接所述第一電感與所述第一電阻的公共節(jié)點(diǎn)，另一端接所述第二電阻與所述第一電容的公共節(jié)點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求8所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述保護(hù)電路還包括: 第三電容，所述第三電容的正極接所述保護(hù)電路的電壓輸出端，負(fù)極接地。
10.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管為NPN型三極管。
【文檔編號(hào)】H02H3/08GK103904631SQ201210584887
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月31日
【發(fā)明者】周明杰, 楊俊昌 申請(qǐng)人:海洋王（東莞）照明科技有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司