內(nèi)部永磁體馬達的制作方法
【專利摘要】用于提高包括內(nèi)部永磁體電機在內(nèi)的電機的性能的裝置。在一些實施例中，具有多對永磁體。每個永磁體都由一對材料制成，所述材料中的一種被選擇來改進高溫磁性能；而在一些實施例中，第二種材料被選擇來改進在低溫下的磁性能，雖然其在高溫下具有比另一材料低的磁性能。
【專利說明】內(nèi)部永磁體馬達
[0001]相關申請
[0002]本申請要求2011年12月28日提交的美國臨時申請?zhí)?1/580841的優(yōu)先權權益，該臨時申請通過引用合并于此。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明的各種實施例涉及選取用于在電機中使用的永磁體的材料，并且更具體地涉及在內(nèi)部永磁體(IPM)電機或表面安裝式永磁體(SPM)電機中使用的永磁體的多種構型的使用。
【背景技術】
[0004]在高功率IPM電機中，“稀土”材料用來改進性能。用于這些的原材料非常昂貴并且也提供了變化的溫度、性能折中。
[0005]在IPM電機內(nèi)的利用高性能磁體的轉子可能不能在由所需連續(xù)功率水平下所產(chǎn)生的溫度下運行。由此，在峰值可用功率與退磁防護之間能夠形成折中。目前，必須選取能夠承受高溫而具有減小的峰值可用功率的磁體，或者具有較高的峰值功率但具有減小的持續(xù)溫度的磁體。而且，能夠耐受較高溫度的磁體是較昂貴的。
[0006]本文討論的本發(fā)明的各種實施例以新穎而非顯然的方式解決IPM電機中的這些方面。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的一些實施例的一個方面涉及內(nèi)部永磁體馬達。在一些實施例中，所述馬達具有不同尺寸和構型的永磁體，并且使用用于磁體的多種類型的材料。
[0008]本發(fā)明的一方面涉及永磁體馬達。所述轉子具有外徑以及多個永磁體對，每對所述永磁體對的每個磁體具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的磁材料性能。而其它實施例包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域在第一磁通密度和預定溫度下具有第一退磁拐點，所述第二區(qū)域在第二磁通密度和相同的預定溫度下具有第二退磁拐點，且所述第一磁通密度小于所述第二磁通密度。
[0009]本發(fā)明的另一個方面涉及一種永磁體馬達。一些實施例包括定子，所述定子包括能夠承載預定電流的多個電導體。其它實施例包括轉子，所述轉子具有外徑并且被能旋轉地設置于所述定子的內(nèi)徑內(nèi)，所述轉子包括多個永磁體對，每對所述永磁體對的每個磁體具有包括第一材料的第一區(qū)域和包括第二材料的第二區(qū)域。而其它實施例包括包括在預定定子電流下具有第一磁通密度的第一區(qū)域以及在相同的預定定子電流下具有第二磁通密度的第二區(qū)域。另外一些實施例包括第一材料和第二材料，所述第一材料在預定溫度下具有第一退磁磁通密度，所述第二材料在所述預定溫度下具有第二退磁磁通密度，所述第一磁通密度小于所述第二退磁磁通密度，所述第二磁通密度大于所述第二退磁磁通密度。
[0010]另一實施例包括轉子，所述轉子具有外徑、和由第一材料制成的第一多個永磁體以及由不同的第二材料制成的第二多個永磁體。在又一實施例中，所述第一材料具有在第一磁通密度下的第一退磁拐點，而所述第二材料具有在第二磁通密度下的第二退磁拐點。又一實施例包括具有第一質量的所述第一多個磁體中的每一個；具有第二質量的所述第二多個磁體中的每一個；其中，所述第一質量小于所述第二質量，并且所述第一磁通密度小于所述第二磁通密度。
[0011]本發(fā)明的另一方面涉及一種內(nèi)部永磁體馬達。一些實施例包括定子，所述定子包括能夠承載預定電流的多個電導體。其他實施例包括可旋轉地支承在所述定子內(nèi)的轉子，所述轉子包括由第一材料制成的第一多個永磁體和由不同的第二材料制成的第二多個永磁體。在又一實施例中，所述第一多個永磁體具有在預定定子電流下的第一磁通密度，而所述第二多個永磁體具有在相同預定定子電流下的第二磁通密度。在又一實施例中，所述第一材料具有在第一磁通密度下的第一退磁磁通，而所述第二材料具有在所述第二磁通密度下的第二退磁磁通；其中，所述第一磁通密度小于所述第二退磁磁通，而所述第二磁通密度大于所述第二退磁磁通。
[0012]應當理解的是，在該
【發(fā)明內(nèi)容】
中以及在本申請的其他地方描述的各種裝置和方法能夠表述為大量不同組合和子組合。所有這些有用的、新穎的和發(fā)明性的組合和子組合在本文構思，應當明白的是對這些組合中的每一個的清楚表述是不必要的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]本文所示的附圖中的一些可以包括維度。另外，本文所示的附圖中的一些可以已經(jīng)由能縮放的繪圖或者由能縮放的照片生成。應當理解的是，這些維度、或者在附圖內(nèi)的相對比例是作為示例的，并且不應當理解為限制。
[0014]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的馬達組件的立體圖。
[0015]圖2為圖1的裝置的側視圖。
[0016]圖3A為圖2的轉子和定子的分解圖。
[0017]圖3B為圖2的轉子和定子的側視立體圖。
[0018]圖4A為圖2的組裝的轉子和定子的截面部分的放大圖。
[0019]圖4B為圖4A的裝置的一部分的放大圖。
[0020]圖5A為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的一對涂布磁體組件的立體圖。
[0021 ]圖5B為圖5A的組件在沒有涂布情況下的視圖。
[0022]圖5C為圖5B的組件的端視圖。
[0023]圖6A為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的轉子和定子的截面的一部分。
[0024]圖6B為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的轉子和定子的截面的一部分。
[0025]圖6C為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的轉子和定子的截面的一部分。
[0026]圖6D為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的轉子和定子的截面的一部分。
[0027]圖6E為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的轉子和定子的截面的一部分。
[0028]圖7為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的材料的磁性曲線作為溫度的函數(shù)的圖像表示。
[0029]圖8為對于若干不同的材料而言圖7的退磁斷點作為磁體溫度的函數(shù)的圖像表
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[0030]圖9為對于特定材料而言的如在多個不同溫度下所示的磁體表面磁通密度的法向分量作為電流的函數(shù)的圖像表示。
[0031]圖10為對于不同材料而言的如在多個不同溫度下所示的磁體表面磁通密度的法向分量作為電流的函數(shù)的圖像表示。
[0032]圖1lA-圖1lH為根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的永磁體的示意圖。這些單獨的字母標記中的每一個布置為示出正交關系的端視圖-端視圖-端視圖，其中圖1lA示出了另外的側視圖。
[0033]圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的轉子和定子的截面的一部分。
[0034]圖13是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的轉子和定子的截面的一部分。
【具體實施方式】
[0035]為了促進對本發(fā)明的原理的理解的目的，現(xiàn)在將對附圖中圖示的實施例進行參照，并且具體的語言將用來描述這些實施例。但是應當理解的是，不旨在限制本發(fā)明的范圍；對于所說明裝置的改變和進一步的修改、以及本文說明的本發(fā)明的原理的進一步的應用均為本發(fā)明所涉及領域的技術人員的常規(guī)構思。本發(fā)明的至少一個實施例將被描述和示出，并且本申請可以示出和/或描述本發(fā)明的其他實施例。應當理解的是，對“本發(fā)明”的任意參照為對同族發(fā)明的實施例的參照，其中除非另外表述，沒有單個實施例包括應當包括在所有實施例中的裝置、工藝或組成。另外，盡管可能會對由本發(fā)明的一些實施例所提供的“優(yōu)點”進行討論，但是應當理解的是，又一實施例可以包括這些相同的優(yōu)點，或者可以包括其他不同的優(yōu)點。本文所述的任意優(yōu)點并非理解為限制于權利要求中的任一項。表示優(yōu)選的詞語例如“優(yōu)選地”的使用指的是在至少一個實施例中出現(xiàn)但對一些實施例而言為可選的結構和方面。
[0036]除了后文示出和描述的以外，并且除了介于100與199之間的元件標記以外，N系前綴對于元件標記(NXX.XX)的使用指的是與無前綴元件(XX.XX)相同的元件。作為示例，除了對元件1020.1示出和描述的不同結構以外的那些，元件1020.1與元件20.1相同。另夕卜，共同的元件以及相關元件的共同結構在不同附圖中以相同的方式繪出，和/或在不同的附圖中使用相同的符號。由此，并非必須描述1020.1和20.1的相同的結構，這是由于這些共同的結構對相關【技術領域】的技術人員而言是顯然的。這種描述慣例也應用到后綴為引號C )、雙引號(”)和三引號("')的元件標記上。由此，并非必須描述20.1、20.1'、
20.1”和20.1"'的相同的結構，這是由于這些共同的結構對于相關【技術領域】的技術人員而目是顯然的。
[0037]盡管各種具體參量(空間維度、溫度、壓力、時間、力、電阻、電流、磁通密度、電壓、濃度、波長、頻率、熱傳遞系數(shù)、無維度參數(shù)等)可以在本文陳述，但是這些具體參量僅僅作為示例給出，并且另外，除非另外表明，這些具體參量為大約值，并且應當視為在每個參量前置有詞語“大約”。另外，利用涉及對物質的具體成分的討論，該描述僅僅作為示例，并且并不限制該成分的其他物品的應用性，而且其也不限制與所述成分不相關的其他成分的應用性。
[0038]本發(fā)明的各實施例涉及內(nèi)部永磁體電機，在該電機中，內(nèi)部永磁體包含具有不同磁性能的至少兩種材料。一種材料被選取為在較高溫度下具有相對較低磁性能，另一種材料被選取為在較高溫度下具有相對較高磁性能。在又一實施例中，一種材料被選取為在較低溫度下具有相對較高磁性能，另一種材料被選取為在較高溫度下具有相對較高磁性能。通過提供這種雙材料磁體，通過在最需要磁場的地方設置較高溫度的材料(通常更貴)和僅在能在電機的工作溫度內(nèi)使用的磁場位置處使用低溫材料(有時較便宜)，能減小IPM的成本和復雜度。
[0039]不同的實施例包括制造這些雙材料(或“混合”)永磁體。例如，在一些實施例，雙性能、雙材料磁體被分開制造為多個塊，然后這些塊被接合在一起，使得其在轉子內(nèi)是一個、一體或整體的磁體?？梢酝ㄟ^粘結劑、緊固件和通過接合固定件來實現(xiàn)接合。在使用接合固定件的情形，接合固定件可以是繞被接合的一對部件的帶，在邊緣處附著至一對部件的
彈黃夾。
[0040]在又一實施例中，雙材料磁體可以同過載磁體的特定部分施加磁性能改變的材料來制造。例如，本發(fā)明可以將稀土材料摻雜在磁體的具有在較高溫度下的有益的較高磁性能的部分處。類似地，在不必在較高溫度下具有較高磁性能的磁體的其他位置處，通常不施加該稀土材料，或施加較少量的稀土材料。而且，雖然不同實施例涉及添加諸如鏑或釹的稀土材料，但是應理解，這僅是為了參考，不旨在限制，本發(fā)明的其它實施例涉及在磁體的某些被選擇的部分上施加任何已知能增強磁性能的任何元素或成分。
[0041]而且，應理解，具有轉子槽的這些雙成分磁體的布置僅是非限制性的示例。在一些實施例中，磁體的在較高溫度下具有較高磁性能的部分可能在轉子槽的徑向最靠外的部分，而在其它實施例中，有利的是，這些磁體定向為較高溫度材料在徑向最靠內(nèi)位置。應理解，對雙成分、雙磁性能最經(jīng)濟有效的利用可能馬達設計者眼中的各種參數(shù)。例如，不同馬達的冷卻方案將影響轉子磁體所面臨的溫度。不同的實施例可以在轉子溫度和周圍磁場的結合最理想處使用更貴的高溫材料。
[0042]在以下的討論中，將參照包含多對磁體的馬達，每對磁體被相對于馬達的徑向延伸的中心線放置。這些構造中的一些可以使出為關于不同的中心線的套疊的V形的磁體對。普通技術人員應理解，對這些套疊的V形的磁體對的說明同樣適用于具有關于相應的中心線布置的單個V形或任何其它形狀的雙材料永磁體。
[0043]在本文示出和說明的以及本發(fā)明的不同實施例是對進行的一個或多個實驗的討論。應理解，這些示例僅僅是例子，不應被解釋為對本發(fā)明的任何實施例的限制。應理解，本發(fā)明的實施例不必為此出闡明的數(shù)學分析所限制或說明。
[0044]圖1和圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的內(nèi)部永磁體(IPM)電機10的外部視圖。電機10優(yōu)選地為馬達例如用來向混合動力車輛提供運動功率的那些馬達，但是本發(fā)明的其他實施例可以在任意類型應用中使用。馬達10的外部結構包括向馬達的內(nèi)部結構提供防護蓋的端帽14a、套筒14b和端板14c。接線端子12適配為且配置為向馬達10提供三相電功率。
[0045]圖3A和圖3B示出了容納在套筒14B內(nèi)的定子20和轉子60的簡化示意分解圖。定子20包括疊片組件22，疊片組件22包括多個基本相同構型的堆疊板。電導體組件24提供在由疊片組件22限定的環(huán)形套筒內(nèi)的分布式三相電功率。轉子組件60包括疊片組件62，疊片組件62包括多個堆疊的、基本相同的單獨疊片板。這些板聯(lián)接到轂61上，轂61提供對疊片組件62的支承，并且向旋轉的部件(例如傳動器或其他機器的輸入軸)提供運動功率。轉子60由軸承(未示出)支承并且在定子20內(nèi)繞旋轉軸線11旋轉。[0046]圖4A和圖4B為示出定子20和轉子60的部分的截面圖，其中截面垂直于中心線
11。圖4A示出了位于定子20內(nèi)的組裝的轉子60的四分之一部。疊片組件22的板中的每一個包括繞組件22的內(nèi)周緣等距分布的多個狹槽22.1。狹槽中的每一個容納在操作期間提供繞轉子60的外徑的三相旋轉磁場的多個電導體組件24。為了簡單起見，在每個狹槽
22.1內(nèi)僅僅示出了單個導體。
[0047]圖4A示出了制造到疊片組件62的各板中的每一個內(nèi)的四組腔室62.1的部分。四組腔室62.1a,62.1b,62.1c和62.1d繞轉子60的周緣62.2等距地間隔開。圖4A和圖4B示出了大致為V形的組62.1，并且V形的腿部優(yōu)選地具有范圍為從大約八十度至大約
一百二十度的夾角。
[0048]圖4B是單組腔室62.1的特寫。每個疊片板限定用于一組磁體的多個腔室62.1。在一些實施例中，組62.1包括繞組的中心線71對稱布置的兩對腔室62.1。這些腔室中的一些(但不必是其為全部)被適配為且配置為在它們之內(nèi)容納永磁體。外對永磁體74a和74b被容納在相應的腔室62.74a和62.74b內(nèi)。內(nèi)對永磁體76a和76b也繞軸線71對稱地設置。在一些實施例中，疊片組件62還包括設置在磁體76a與76b的縱向邊緣之間的中央腔室62.12。各種容納磁體的狹槽62優(yōu)選地具有適配為且配置為容納相應的永磁體以及塑料殼體69的形狀(參照圖5A)。塑料構件69c設置在腔室62.12內(nèi)。
[0049]再次參照圖4B，永磁體74和76能夠為任意形狀，但在一些實施例中為了易于制造和組裝，磁體形成為大致矩形的形狀(也在圖5B和圖5C中示出)。在一些實施例中，外對永磁體74和內(nèi)對磁體76具有基本相同且基本延伸疊片組件62的整個縱向程度的長度。在設計者的裁量下，磁體74和76的高度和寬度能夠為任意尺寸。
[0050]在本發(fā)明的一些實施例中，外對永磁體74的截面形狀適配為且配置為用于由第一材料成分制成的永磁體。另外，內(nèi)對永磁體76的截面形狀適配為且配置為用于由第二材料成分制成的磁體。在本發(fā)明的一些實施例中，第一材料成分和第二材料成分均包括一種或多種稀土元素，盡管本發(fā)明的其他實施例并非如此限制，并且第一和第二材料可以為適于永磁體的任意類型的成分。優(yōu)選地,外對永磁體74中的每個磁體具有比相應的內(nèi)對永磁體76的體積明顯小的體積。在一些實施例中，每個外磁體小于內(nèi)磁體的體積的大約一半。但是，本發(fā)明的各種實施例可以具有與磁體76基本相同尺寸和/或形狀的內(nèi)磁體74。另夕卜，又一實施例可以具有與磁體76基本相同體積和質量的內(nèi)磁體74,但是本發(fā)明的其他實施例不受如此限制，磁體74可以在形狀或體積上不同于或大于磁體76。
[0051]在本發(fā)明的一些實施例，外對磁體74適配為且配置為(例如就形狀、體積和位置而言)由與選取用于內(nèi)對磁體76的材料不同的材料構成。內(nèi)對永磁體76適配為且配置為由具有與用于制造外對永磁體74的材料不同性能的材料制成。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是，由于外對磁體74與定子20的旋轉磁場更有效地磁通相聯(lián)，因此外對磁體74更易于在操作期間退磁。
[0052]在其中外磁體在物理上小于內(nèi)磁體的那些實施例中，并且進一步地在其中外磁體設置為更靠近疊片組件62的外徑62.2的那些實施例中，外對磁體74所暴露給的表面磁通密度能夠明顯小于內(nèi)對磁體76所暴露給的表面磁通密度。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是，在內(nèi)對76與外對74之間的磁通密度的差異足夠大(特別是對于在導體24中的高電流的情況)以適應第一材料成分102制成的外對74，和由不同的磁性材料成分104制成的內(nèi)對76。在一些實施例中，由此可能的是由材料104制成內(nèi)對76磁體，材料104在給定溫度下比選取用于外對74的材料102在更高磁通量B (T)下退磁。外對的材料102能夠由當與不同的材料104相比時提供整體較低磁性能的材料102制成。
[0053]本發(fā)明的一些實施例的另外的方面在于選取用于制造外對74磁體的材料102當與選取用于制造內(nèi)對76磁體的材料104相比時優(yōu)選地具有更好的高溫性能。一些實施例的又一方面在于外對74磁體使用比內(nèi)對76少的材料。在結合前述方面中的一個或多個的那些實施例中，可能的是將更昂貴材料102的使用限制于較小的外對74，并且對內(nèi)對76使用較便宜的材料104，從而導致不僅內(nèi)對和外對的組合總體上較便宜，而且總體上還更抵抗退磁。
[0054]圖7是材料的磁性能的圖形表示。圖7示出了以特斯拉為單位的磁通密度作為以千安培每米為單位的磁場強度的函數(shù)。圖7示出了組100的六種材料的性能，其中繪圖的每根線表示不同的材料溫度。箭頭101示出了溫度在整個組上增大的方向。能夠見到的是，恒定溫度線中的五根其特征在于具有三個響應區(qū)域:(I)具有磁通密度作為場強函數(shù)的線性關系的區(qū)域，特別是當場強接近零時；(2)在其中磁通密度基本豎直漸近的場強水平的區(qū)域；以及(3)在區(qū)域(I)與(2)之間的過渡或“拐點”。
[0055]圖7示出了最低材料溫度線，其中對于整個圖形范圍存在從場強為-3 Λ H至場強為O的線性關系(具有正斜率)。在下一最高材料溫度處的第二根線顯示了在大約-2.5ΛΗ的場強處的拐點特征Α。下一最高溫度線(從左向右的第三根)顯示了在大約-2.2ΛΗ處的拐點特征B。第四恒定溫度線顯示了在大約-0.8ΛΗ的場強處發(fā)生的拐點特征C。在組100內(nèi)的最高溫度線顯示了在大約-0.75ΛΗ處的拐點特征。拐點特征表示從有用的磁性能范圍(即，其中磁性能對于提供運動功率為有用的范圍(I))和其中材料的磁化為可能的范圍(即，幾乎為豎直的范圍(2))的過渡。在區(qū)域(2)內(nèi)操作的IPM電機可能經(jīng)歷轉子磁體的部分或完全退磁。
[0056]圖8是圖7的信息中的一些與對應于不同材料類型的相似數(shù)據(jù)相結合的圖形表示。圖8示出了一組曲線，其表示作為材料溫度的函數(shù)的材料的過渡磁通密度。圖8包括線102，其表示在各種溫度下呈現(xiàn)拐點特征的點的位置，并且在應用平滑算法以在值之間進行插值之后。第一材料的拐點數(shù)據(jù)點Α、B、和C連同在其他溫度下的退磁磁通密度拐點在曲線102上示出。在一個實施例中，材料102表示包括一定量的釹、鏑、鐵和硼的稀土磁體。圖8也示出了具有不同性能的材料104的特征。圖8識別點A'、Β'和Ci，其中點A1、B'和C'識別材料104在與用于識別材料102的相同溫度下的拐點特征。在一些實施例中，材料104也為包括一定量的釹、鏑、鐵和硼的稀土永磁體，但優(yōu)選地為與材料102不同的百分比或者利用不同的處理。圖8示出了在任意特定溫度下，由材料104制成的磁體在比由材料102制成的磁體高的磁通密度下遇到退磁拐點過渡。
[0057]圖9和圖10是分別用于材料102和104的磁通密度作為定子電流的函數(shù)的圖像表示。這兩張圖中的任一張包括在預定設計溫度106下的拐點特征，其描繪為恒定磁通密度的直線。這些圖還包括預定設計的定子電流108，其描繪為豎直線。在一些實施例中，溫度線106與最大連續(xù)溫度相關，而設計特征108與最大峰值定子電流相關。
[0058]圖9和圖10也示出了由磁體對遇到的磁通密度作為定子電流的函數(shù)。線114表不用于外對74轉子磁體的磁通密度相對于電流的特征。曲線116表不由內(nèi)對76磁體遇到的磁通密度作為定子電流的函數(shù)。曲線114和116在一些實施例中通過馬達10的分析模型建立，但本發(fā)明的各種實施例可以描繪通過任意方法開發(fā)或測量的外對特征114和內(nèi)對特征116。
[0059]圖9和圖10還示出了用于相應材料的過渡或拐點退磁特征的溫度曲線組。圖9示出了表示磁通退磁拐點作為特定溫度的一組基本水平線(通過由點分開的雙虛線表示)。來自圖8的曲線102的相應點A、B和C各自描繪作為圖9中相應的線A、B和C。類似地，圖10包括可選材料104的材料特征，其中拐點特征A'、B'和Ci描繪作為圖10中相應的基本水平線A'、B'和C'。
[0060]圖9和圖10中的每一個分別包括箭頭115和117，箭頭115和117分別表示與外對74和內(nèi)對76相關的設計余量的類型。首先參照圖9，能夠見到的是，在峰值電流108處，外對74的磁通密度114在設計溫度106的上方間隔開(由箭頭115表示)。由此，當外對74磁體在由極值106表示的溫度下操作時，并且進一步地當向定子提供由極值108表示的電流時，磁體將在圖7的區(qū)域(I)中操作，并且由此具有使外對74的退磁不太可能的設計余量。對于由相同材料102制成的內(nèi)對76磁體，箭頭117表示保護免于在溫度條件106和電流條件108的作用下的退磁的甚而更大的余量。
[0061]參照圖10，相同的電流和磁通密度特征114和116示出為疊置在不同的第二材料104的特征之上。電流等級108和溫度等級106在圖10上與圖9相同。但是，能夠見到的是，利用材料104，外對74磁體將具有如有箭頭115'表示的負設計余量。在溫度等級106和電流等級108的這些操作條件下，外對74以比用于材料104的相應退磁拐點高的溫度操作。由此，當馬達10在分別在溫度條件106和電流條件108下進行操作時，存在磁體對74將變?yōu)橥舜诺妮^大可能性。但是，由材料104制成的磁體對76顯示在等級條件下的正設計余量117'。由此，由材料104制成的磁體對76不太可能在這些操作條件下退磁。但是，如關于圖9討論地，磁體對74能夠由材料102制成以使對76具有正退磁設計余量。
[0062]圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、和圖6E示出了根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的內(nèi)磁體和外磁體的布置。
[0063]圖6A是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的馬達210的一部分的截面圖。馬達210包括轉子260，轉子260由定子220支承且位于定子220內(nèi)。圖6A示出了位于定子220的疊片組件222內(nèi)的腔室，應當理解的是，這些腔室適配為且配置為容納用于提供三相功率的導體組件。
[0064]轉子260的疊片組件262限定多個腔室262.74a,262.74b,262.76a和262.76b，這些腔室制造到疊片組件的每個板內(nèi)且延伸轉子260的縱向長度。這些腔室優(yōu)選地布置為使得疊片板材料的分隔壁設置在相鄰的腔室262.74a與262.74b之間，并且也在腔室262.76a與262.76b之間。
[0065]外對永磁體274a和274b設置在它們相應的腔室內(nèi)。內(nèi)對276a和276b設置在它們相應的腔室內(nèi)。優(yōu)選地，磁體接收在它們相應的腔室內(nèi)，使得在位于磁體的每一側上的腔室中存在敞開空間，該敞開空間在一些實施例中未填充而在其他實施例中填充有塑料材料。優(yōu)選地，磁體274a和274b中的每一個為基本相同的形狀和尺寸，并且進一步地磁體276a和276b為基本相同的形狀和尺寸。優(yōu)選地，每個磁體274具有比內(nèi)磁體276中任一個小的體積。在一些實施例中，外磁體274由第一磁性材料制成,而內(nèi)磁體276由不同的第二材料制成，使得第一材料以與先前討論的材料102關于材料104的性能相似的方式具有與第二材料相關的性能。
[0066]圖6B是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的馬達310的一部分的截面圖。馬達310包括轉子360，轉子360由定子320支承且位于定子320內(nèi)。圖6B示出了位于定子320的疊片組件322內(nèi)的腔室，應當理解的是，這些腔室適配為且配置為容納用于提供三相功率的導體組件。
[0067]轉子360的疊片組件362限定多個腔室362.74和362.76，這些腔室制造到疊片組件的每個板內(nèi)且延伸轉子360的縱向長度。在一些實施例中，腔室362.74和362.76各自為單個連續(xù)腔室，并且還優(yōu)選地具有適于作為未填充空間的位于中央的區(qū)域。
[0068]外對永磁體374a和374b設置在它們相應的腔室內(nèi)。內(nèi)對376a和376b設置在它們相應的腔室內(nèi)。優(yōu)選地，磁體接收在它們相應的腔室內(nèi)，使得在位于磁體的每一側上的腔室中存在敞開空間，該敞開空間在一些實施例中未填充而在其他實施例中填充有塑料材料。優(yōu)選地，磁體374a和374b中的每一個為基本相同的形狀和尺寸，并且進一步地磁體376a和376b為基本相同的形狀和尺寸。優(yōu)選地，每個磁體374具有比內(nèi)磁體376中任一個小的體積。在一些實施例中，外磁體374由第一磁性材料制成,而內(nèi)磁體376由不同的第二材料制成，使得第一材料以與先前討論的材料102相對于材料104的性能相似的方式具有與第二材料相關的性能。
[0069]圖6C是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的馬達410的一部分的截面圖。馬達410包括轉子460，轉子460由定子420可旋轉地支承且位于定子420內(nèi)。圖6C示出了位于定子420的疊片組件422內(nèi)的腔室，應當理解的是，這些腔室適配為且配置為容納用于提供三相功率的導體組件。
[0070]轉子460的疊片組件462限定多個腔室462.74和462.76，這些腔室制造到疊片組件的每個板內(nèi)且延伸轉子460的縱向長度。在一些實施例中，腔室462.74和462.76各自為單個連續(xù)腔室，并且還優(yōu)選地分別包括位于中央的永磁體474c和476c。
[0071]多個外永磁體474a、474b和474c設置在它們在腔室462.74中的相應部分內(nèi)。多個內(nèi)永磁體476a、476b和476c設置在它們在腔室462.76中的相應部分內(nèi)。優(yōu)選地，磁體接收在它們相應的腔室內(nèi)，使得在位于磁體的每一側上的腔室中存在敞開空間，該敞開空間在一些實施例中未填充而在其他實施例中填充有塑料材料。優(yōu)選地，磁體474a、474b和474c中的每一個為基本相同的形狀和尺寸，并且進一步地磁體476a、476b和476c為基本相同的形狀和尺寸，但是還構思的是位于中央的磁體474c和476c可以為與位于它們的組內(nèi)的其他磁體不同的尺寸和構型。優(yōu)選地,每個磁體474具有比內(nèi)磁體476中任一個小的體積。在一些實施例中，外磁體474由第一磁性材料制成,而內(nèi)磁體476由不同的第二材料制成，使得第一材料以與先前討論的材料102相對于材料104的性能相似的方式具有與第二材料相關的性能。
[0072]圖6D是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的馬達510的一部分的截面圖。馬達510包括轉子560，轉子560由定子520可旋轉地支承且位于定子520內(nèi)。圖6D示出了位于定子520的疊片組件522內(nèi)的腔室，應當理解的是，這些腔室適配為且配置為容納用于提供三相功率的導體組件。
[0073]轉子560的疊片組件562限定多個腔室562.74a,562.74b,562.76a和562.76b，這些腔室制造到疊片組件的每個板內(nèi)且延伸轉子560的縱向長度。這些腔室優(yōu)選地布置為使得疊片材料的分隔壁設置在相應的腔室562.74a與562.74b之間，并且也在腔室562.76a與562.76b之間。
[0074]外對永磁體574a和574cI設置在它們的腔室內(nèi)，另一對磁體574b和574c2設置在它們的腔室內(nèi)。內(nèi)對576a和576cI設置在它們的腔室內(nèi)，而576b和576c2設置在它們的腔室內(nèi)。優(yōu)選地，磁體接收在它們相應的腔室內(nèi)，使得在位于磁體的每一側上的腔室中存在敞開空間，該敞開空間在一些實施例中未填充而在其他實施例中填充有塑料材料。在一些實施例中，位于中央的磁體574cl和574c2設置在中央分隔壁的任一側上，并且位于中央的磁體576cl和576c2設置在分隔壁的任一側上。
[0075]優(yōu)選地，磁體574a和574b中的每一個為基本相同的形狀和尺寸，并且進一步地磁體576a和576b為基本相同的形狀和尺寸。在一些實施例中，磁體574cl和574c2為相同的尺寸，并且，磁體574cl和574c2的每一個小于中央磁體576cl和576c2 (也具有相同尺寸)。在一些實施例中，夕卜磁體574由第一磁性材料制成,而內(nèi)磁體576由不同的第二材料制成，使得第一材料以與先前討論的材料102相對于材料104的性能相似的方式具有與第二材料相關的性能。
[0076]圖6E是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的馬達610的一部分的截面圖。馬達610包括轉子660，轉子660由定子620支承且位于定子620內(nèi)。圖6E示出了位于定子620的疊片組件622內(nèi)的腔室，應當理解的是，這些腔室適配為且配置為容納用于提供三相功率的導體組件。
[0077]轉子660的疊片組件662限定多個腔室662.74和662.76，這些腔室制造到疊片組件的每個板內(nèi)且延伸轉子660的縱向長度。在一些實施例中，腔室662.74和662.76各自為單個連續(xù)腔室，并且還優(yōu)選地具有適于與永磁體一起使用的位于中央的區(qū)域。
[0078]外永磁體674c設置在其相應的腔室內(nèi)。內(nèi)磁體676c設置在其相應的腔室內(nèi)。優(yōu)選地，磁體接收在它們相應的腔室內(nèi)，使得在位于磁體的每一側上的腔室中存在敞開空間，該敞開空間在一些實施例中未填充而在其他實施例中填充有塑料材料。優(yōu)選地，磁體674c具有比內(nèi)磁體676c小的體積。在一些實施例中，外磁體674c由第一磁性材料制成,而內(nèi)磁體676c由不同的第二材料制成,使得第一材料以與先前討論的材料102相對于于材料104的性能相似的方式具有與第二材料相關的性能。
[0079]圖11、圖12和圖13描繪了在包括內(nèi)部永磁體(IPM)電機和電馬達的表面永磁體(SPM)轉子中使用的永磁體的各個方面。
[0080]如前面討論的，存在與在IPM和SPM電機中的永磁體的選擇和構型相關的權衡。作為一個示例，提供在升高溫度下的改進的磁通密度水平和/或矯頑力的材料能夠比具有較低溫度下的相似性能的材料昂貴。另外，一些材料(例如鏑)具有較少的商業(yè)來源，這通常導致提高的價格和/或不規(guī)則的可得性。
[0081]在本發(fā)明的一些實施例中，不同成分的稀土材料被組合為在單勢壘永磁體轉子中使用的一件式磁體。在一些實施例中，一體式磁體包括已經(jīng)接合或加工為單一件的明顯不同的材料。在又一實施例中，永磁體在特定選定的區(qū)域中被摻雜(例如，包括鏑的那些)，其中摻雜的材料隨后被加工為基體材料，以便提供具有可變成分的單件式磁體。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的永磁體具有在單個磁體內(nèi)的多于一個的不同的B-h曲線，使得在磁體的不同區(qū)域中存在不同水平的磁通密度(B)和矯頑力(h)。[0082]在一些實施例中，磁體的各個區(qū)域被單獨形成并且隨后物理接合。這種物理接合能夠通過多種方法，包括使用粘結劑、緊固件和通過接合固定件。在又一實施例中，多級磁體材料在對磁體材料的加工期間接合到一起。例如，不同層的磁性粉末能夠被置于模具內(nèi)，每層含有不同成分的材料。分層的粉末隨后能夠被壓縮以形成具有不同區(qū)域的一件式固態(tài)磁體。在又一實施例中，磁體能夠通過常規(guī)的方法生產(chǎn)，并且隨后磁體的部分能夠涂布各種摻雜材料(例如，包括鏑的那些)。這些摻雜區(qū)域隨后被加工以使摻雜材料擴散到磁體材料內(nèi)。
[0083]圖11A、圖11B、圖1lC和圖1lF分別示出了永磁體874、974、1074和774的各種構型，其中不同永磁體材料的兩個區(qū)域(X78-1和X78-2)形成為單一的、一體式磁體。在所有這些示例中，兩種不同的磁性材料標記為以-1代表較低磁通密度的材料，并且以-2代表較高磁體密度的材料。還理解的是，-1標記能夠代表具有較低矯頑力的材料，而-2材料能夠代表具有較高矯頑力的不同材料。在這些示例中，在兩種不同材料區(qū)域之間存在明顯的分隔線。作為示例，該分隔線能夠代表介于不同磁性粉末層之間的粘結劑層或分隔區(qū)。
[0084]圖1lA示出了磁體874的四個正交布置圖，磁體874具有設置在多級磁體878的角部上的較高磁通密度材料的區(qū)域878-2。在一些實施例中，在區(qū)域878-1與872-2之間的分隔線通常對應于其中磁體874被使用的轉子的恒定半徑。當安裝時，較高磁通密度的區(qū)域878-2大致平行于轉子的軸線延伸。
[0085]圖1lB示出了與磁體874相似構造的磁體974，除了在區(qū)域978-2與978-1之間的分隔線大致正交于外部邊界。磁體974的構型能夠在其中-2和-1層的材料被布置在模具中且隨后被迫壓且加熱為最終形狀的那些應用中為有用的。圖1lF示出了與磁體974相似構造的磁體774，除了在-2與-1材料之間的分隔線布置為在安裝時使-2材料的縱向表面布置為大致面對定子。諸如磁體774之類的構型可以在SPM應用中為有用的。
[0086]圖1lC描繪了多級磁體1074，其中在_2與-1材料之間的分隔區(qū)定向為使得所安裝的磁體1074的磁通密度水平沿著轉子軸線的長度變化。
[0087]圖1lD和圖1lE示意性表示通過擴散工藝制造的多級磁體1174。圖1lD示出了均勻材料1178' -1的磁體。材料1178' -3的覆層布置為繞磁體1174'的一個端部。這種-3材料能夠為包括鏑水平的材料，其中鏑水平比-1材料內(nèi)的水平高。在適當?shù)臄U散工藝(例如，包括升高的溫度或壓力)之后，-3摻雜材料分布在磁體1178的端部內(nèi)以形成區(qū)域1178-2，區(qū)域1178-2具有比未摻雜區(qū)域1178-1高的磁通密度水平。在一些實施例中，期望的是所完成的磁體1174的磁通密度水平將從左向右(參照圖1lE的中央側視圖)均勻變化。圖1lG和圖1lH描繪了與磁體1174的構型相似的磁體1274的構型，除了摻雜材料1278' -3沿著磁體1274的邊緣(其大致平行于轉子的軸線)設置。
[0088]圖12示出了布置在馬達710的轉子760上的單個勢壘中的一對永磁體774a和774b ο
[0089]圖13示出了布置在馬達710的轉子760上的單個勢壘中的一對永磁體874a和874b ο
[0090]本發(fā)明的不同實施例的各方面在以下Xl和X2段落部分中闡述:
[0091]X1.本發(fā)明的一個方面涉及一種內(nèi)馬達，包括:定子；以及轉子，所述轉子具有外徑并且被能旋轉地設置于所述定子內(nèi)。所述轉子包括多個永磁體對，每對所述永磁體對的每個磁體具有第一區(qū)域和第二區(qū)域。所述第一區(qū)域的材料在第一磁通密度和預定溫度下具有第一退磁拐點，所述第二區(qū)域的材料在第二磁通密度和相同的預定溫度下具有第二退磁拐點。優(yōu)選地，所述第一磁通密度小于所述第二磁通密度。
[0092]X2.本發(fā)明的另一個方面涉及一種馬達，包括:定子，所述定子包括靠近內(nèi)徑的能夠承載預定電流的多個電導體。所述馬達優(yōu)選包括轉子，所述轉子具有外徑并且被能旋轉地設置于所述定子的內(nèi)徑內(nèi)，所述轉子包括多個永磁體對，每對所述永磁體對的每個磁體具有包括第一材料的第一區(qū)域和包括第二材料的第二區(qū)域。所述馬達優(yōu)選包括在預定定子電流下具有第一磁通密度的第一區(qū)域以及在相同的預定定子電流下具有第二磁通密度的第二區(qū)域。優(yōu)選地，所述第一材料在預定溫度下具有第一退磁磁通密度，所述第二材料在所述預定溫度下具有第二退磁磁通密度，所述第一磁通密度小于所述第二退磁磁通密度，所述第二磁通密度大于所述第二退磁磁通密度。
[0093]而其它實施例涉及前述Xl和X2陳述中的任何一個，其與以下其它特征中的一個或多個結合。
[0094]其中，所述第一區(qū)域包括第一數(shù)量的稀土，所述第二區(qū)域包括第二數(shù)量的稀土，所述第一數(shù)量大于所述第二數(shù)量。
[0095]其中，所述稀土是釹或鏑。
[0096]其中，所述第一區(qū)域被稀土摻雜，而所述第二區(qū)域不被稀土摻雜；和/或所述摻雜稀土擴散進入所述第一區(qū)域。
[0097]其中，每對所述永磁體對的每個磁體均是整體的；和/或每個所述磁體的第一區(qū)域和每個所述磁體的第二區(qū)域被分開制成且被接合成整體結構；和/或所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是通過粘結劑接合；和/或所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是通過機械緊固件接合；和/或所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是通過接合固定件接合。
[0098]其中，所述轉子包括多個沿周緣間隔開的腔室，所述腔室具有大致V形的一對腿部，其中每對所述永磁體對的磁體位于不同腿部上；所述轉子包括多個徑向延伸的中心線，相應的所述磁體對的每個磁體被關于相應的中心線相對于另一永磁體對稱地放置。
[0099]其中，每對所述永磁體對是關于相應的中心線對稱地放置的僅有的永磁體對。
[0100]其中，每個所述磁體的第一區(qū)域的一部分距離所述中心線的位置比每個所述磁體的第二區(qū)域距離所述中心線的位置遠。
[0101]其中，所述第一區(qū)域的一部分距離外徑的位置比所述第二區(qū)域距離外徑的位置近。
[0102]其中，所述第一磁通密度和所述第二磁通密度均大于所述第一退磁磁通密度。
[0103]其中，所述第一磁通密度是表面磁通密度的法向分量。
[0104]其中，所述預定電流是所述馬達的最大峰值電流等級；和/或所述預定溫度大致小于或等于所述馬達的最大連續(xù)溫度等級。
[0105]其中，所述轉子包括多個徑向延伸的中心線，相應的所述永磁體對的每個磁體被關于相應的中心線設置為所述永磁體對的另一磁體的鏡像。
[0106]其中，每對所述永磁體對是關于相應的中心線對稱地放置的僅有的永磁體對。
[0107]其中，每個所述磁體的第一區(qū)域的一部分距離所述中心線的位置比每個所述磁體的第二區(qū)域距離所述中心線的位置遠。[0108]其中，所述第一區(qū)域的一部分距離外徑的位置比所述第二區(qū)域距離外徑的位置近。其中，所述第二區(qū)域的一部分距離外徑的位置比所述第一區(qū)域距離外徑的位置近。
[0109]盡管已經(jīng)在附圖和前述描述中詳細說明和描述了本發(fā)明，但是這些在性質上應當視為說明性的而非限制性的，應當理解的是，僅僅某些實施例已經(jīng)被示出和描述并且在本發(fā)明的范圍內(nèi)的所有變化和修改也期望受到保護。
【權利要求】
1.一種內(nèi)部永磁體馬達，包括: 定子，所述定子包括多個電導體；以及 轉子，所述轉子具有外徑并且被能旋轉地設置于所述定子內(nèi)，所述轉子包括多個永磁體對，每對所述永磁體對的每個磁體具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的磁材料性能； 其中，所述第一區(qū)域在第一磁通密度和預定溫度下具有第一退磁拐點，所述第二區(qū)域在第二磁通密度和相同的預定溫度下具有第二退磁拐點，所述第一磁通密度小于所述第二磁通密度。
2.根據(jù)權利要求1所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域包括第一數(shù)量的稀土，所述第二區(qū)域包括第二數(shù)量的稀土，所述第一數(shù)量大于所述第二數(shù)量。
3.根據(jù)權利要求2所述的馬達，其中，所述稀土是釹。
4.根據(jù)權利要求2所述的馬達，其中，所述稀土是鏑。
5.根據(jù)權利要求1所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域被稀土摻雜，而所述第二區(qū)域不被稀土摻雜。
6.根據(jù)權利要求5所述的馬達，其中，所述摻雜稀土擴散進入所述第一區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求5所述的馬達，其中，所述稀土是釹。
8.根據(jù)權利要求5所述的馬達，其中，所述稀土是鏑。
9.根據(jù)權利要求1所述的馬達,其中，每對所述永磁體對的每個磁體均是整體的。
10.根據(jù)權利要求9所述的馬達，其中，每個所述磁體的第一區(qū)域和每個所述磁體的第二區(qū)域被分開制成且被接合成整體結構。
11.根據(jù)權利要求10所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是通過粘結劑接合。
12.根據(jù)權利要求10所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是通過機械緊固件接合。
13.根據(jù)權利要求10所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是通過接合固定件接合。
14.根據(jù)權利要求1所述的馬達，其中，所述轉子包括多個沿周緣間隔開的腔室，所述腔室具有大致V形的一對腿部，其中每對所述永磁體對的磁體位于相應的所述腔室的不同腿部上。
15.根據(jù)權利要求1所述的馬達，其中，所述轉子包括多個徑向延伸的中心線，相應的所述磁體對的每個磁體關于相應的中心線相對于另一永磁體對稱地放置。
16.根據(jù)權利要求15所述的馬達，其中，每對所述永磁體對是關于相應的中心線對稱地放置的僅有的永磁體對。
17.根據(jù)權利要求15所述的馬達，其中，每個所述磁體的第一區(qū)域的一部分距離所述中心線的位置比每個所述磁體的第二區(qū)域距離所述中心線的位置遠。
18.根據(jù)權利要求1所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域的一部分距離外徑的位置比所述第二區(qū)域距離外徑的位置近。
19.一種內(nèi)部永磁體馬達，包括: 定子，所述定子包括靠近內(nèi)徑的能夠承載預定電流的多個電導體；以及轉子，所述轉子具有外徑并且被能旋轉地設置于所述定子的內(nèi)徑內(nèi)，所述轉子包括多個永磁體對，每對所述永磁體對的每個磁體具有包括第一材料的第一區(qū)域和包括第二材料的第二區(qū)域； 其中，所述第一區(qū)域在預定定子電流下具有第一磁通密度，所述第二區(qū)域在相同的預定定子電流下具有第二磁通密度； 所述第一材料在預定溫度下具有第一退磁磁通密度，所述第二材料在所述預定溫度下具有第二退磁磁通密度，所述第一退磁磁通密度小于所述第二退磁磁通密度；以及 所述第一磁通密度小于所述第二退磁磁通密度，所述第二磁通密度大于所述第二退磁磁通密度。
20.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述第一磁通密度和所述第二磁通密度均大于所述第一退磁磁通密度。
21.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述第一磁通密度是表面磁通密度的法向分量。
22.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述預定電流是所述馬達的最大峰值電流等級。
23.根據(jù)權利要求22所述的馬達，其中，所述預定溫度大致小于或等于所述馬達的最大連續(xù)溫度等級。
24.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述第一材料包括不包括在所述第二材料中的至少一種稀土材料。
25.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域包括第一數(shù)量的鏑，所述第二區(qū)域包括第二數(shù)量的鏑，所述第一數(shù)量大于所述第二數(shù)量。
26.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域被稀土摻雜，而所述第二區(qū)域不被稀土摻雜。
27.根據(jù)權利要求26所述的馬達，其中，所述摻雜稀土擴散進入所述第一區(qū)域。
28.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，每對所述永磁體對的每個磁體均是整體的。
29.根據(jù)權利要求28所述的馬達，其中，每個所述磁體的第一區(qū)域和每個所述磁體的第二區(qū)域被分開制成且被接合成整體結構。
30.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述轉子包括多個沿周緣間隔開的腔室，所述腔室具有一對腿部，其中每對所述永磁體對的磁體位于相應的所述腔室的不同腿部上。
31.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述轉子包括多個徑向延伸的中心線，相應的所述永磁體對的每個磁體關于相應的中心線設置為所述永磁體對的另一磁體的鏡像。
32.根據(jù)權利要求31所述的馬達，其中，每對所述永磁體對是關于相應的中心線對稱地放置的僅有的永磁體對。
33.根據(jù)權利要求31所述的馬達，其中，每對所述永磁體對是關于所述相應的中心線對稱地放置的第一永磁體對，所述馬達還包括第二多個永磁體對，每對所述第二永磁體對關于所述中心線對稱地放置。
34.根據(jù)權利要求31所述的馬達，其中，每個所述磁體的第一區(qū)域的一部分距離所述中心線的位置比每個所述磁體的第二區(qū)域距離所述中心線的位置遠。
35.根據(jù)權利要求31所述的馬達，其中，每個所述磁體的第二區(qū)域的一部分距離所述中心線的位置比每個所述磁體的第一區(qū)域距離所述中心線的位置遠。
36.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述第一區(qū)域的一部分距離外徑的位置比所述第二區(qū)域距離外徑的位置近。
37.根據(jù)權利要求19所述的馬達，其中，所述第二區(qū)域的一部分距離外徑的位置比所述第一區(qū)域距離外徑的位置 近。
【文檔編號】H02K1/27GK103475123SQ201210585048
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2012年12月28日 優(yōu)先權日:2011年12月28日
【發(fā)明者】B·D·錢伯林, C·哈默 申請人:瑞美技術有限責任公司