專利名稱：補償電力系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型公開了一種補償電力系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的補償電力系統(tǒng)存在由于可控硅的兩極能承受的電壓有限，當(dāng)鏈開關(guān)中開關(guān)開啟時，可控硅的兩斷電壓為零，鏈節(jié)直流電壓加到可控硅兩極間，會造成可控硅承受耐受電壓以上的電壓，造成可控硅誤通而出現(xiàn)短路。本實用新型中當(dāng)鏈節(jié)輸出交流電壓起始是避免可控硅承受高電壓。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型針對以上技術(shù)問題，提供一種高壓鏈?zhǔn)酵窖a償中避免承受電壓過高而發(fā)生短路的補償電力系統(tǒng)。本實用新型的具體技術(shù)方案如下補償電力系統(tǒng)，由直流電容、功率半導(dǎo)體開關(guān)、并聯(lián)二極管、交流輸出端、限流電感、充電電路、充電二極管、吸收電阻、吸收電容、單像二極整流橋、可控硅組成，直流電容與四個功率半導(dǎo)體開關(guān)及其并聯(lián)二極管構(gòu)成橋功率模塊，橋功率模塊的輸出端連接限流電感，限流電感的另一端連接吸收電阻、吸收電容，限流電感另連接單像二極整流橋，單像二極整流橋的另一端連接可控硅和充電電路，充電二極管連接單像二極整流橋與直流電容之間。本實用新型中當(dāng)鏈節(jié)輸出交流電壓起始是避免可控硅承受高電壓。

圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I—直流電容、2—功率半導(dǎo)體開關(guān)、3—并聯(lián)二極管、4—交流輸出端、5—限流電感、6—吸收電阻、7—吸收電容、8—單像二極整流橋、9—可控硅、10——充電電路、11——充電二極管。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施方式
和說明書附圖對本實用新型作進(jìn)一步說明。補償電力系統(tǒng)，由直流電容、功率半導(dǎo)體開關(guān)、并聯(lián)二極管、交流輸出端、限流電感、充電電路、充電二極管、吸收電阻、吸收電容、單像二極整流橋、可控硅組成，直流電容與四個功率半導(dǎo)體開關(guān)及其并聯(lián)二極管構(gòu)成橋功率模塊，橋功率模塊的輸出端連接限流電感，限流電感的另一端連接吸收電阻、吸收電容，限流電感另連接單像二極整流橋，單像二極整流橋的另一端連接可控硅和充電電路，充電二極管連接單像二極整流橋與直流電容之間。本實用新型中當(dāng)鏈節(jié)輸出交流電壓起始是避免可控硅承受高電壓。
權(quán)利要求1.補償電力系統(tǒng)，由直流電容、功率半導(dǎo)體開關(guān)、并聯(lián)二極管、交流輸出端、限流電感、充電電路、充電二極管、吸收電阻、吸收電容、單像二極整流橋、可控硅組成，其特征在于直流電容與四個功率半導(dǎo)體開關(guān)及其并聯(lián)二極管構(gòu)成橋功率模塊，橋功率模塊的輸出端連接限流電感，限流電感的另一端連接吸收電阻、吸收電容，限流電感另連接單像二極整流橋，單像二極整流橋的另一端連接可控硅和充電電路，充電二極管連接單像二極整流橋與直流電容之間。
專利摘要本實用新型公開了一種補償電力系統(tǒng)。補償電力系統(tǒng)，直流電容與四個功率半導(dǎo)體開關(guān)及其并聯(lián)二極管構(gòu)成橋功率模塊，橋功率模塊的輸出端連接限流電感，限流電感的另一端連接吸收電阻、吸收電容，限流電感另連接單像二極整流橋，單像二極整流橋的另一端連接可控硅和充電電路，充電二極管連接單像二極整流橋與直流電容之間。本實用新型中當(dāng)鏈節(jié)輸出交流電壓起始是避免可控硅承受高電壓。
文檔編號H02M1/32GK202535259SQ20122013041
公開日2012年11月14日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月31日
發(fā)明者周軒, 王志雄, 肖前殊, 謝進(jìn)寶 申請人:四川省電力公司樂山電業(yè)局