專利名稱：直流電高電壓輸入保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電路，尤其是指一種高電壓輸入保護(hù)電路。
技術(shù)背景熟知的，電子產(chǎn)品均有一個(gè)系統(tǒng)額定輸入電壓范圍，其取決于一般供電電壓標(biāo)準(zhǔn)及電子產(chǎn)品內(nèi)部的芯片情況，然而隨著產(chǎn)品的多元化，現(xiàn)有用戶一家有多個(gè)充電器已不少見(jiàn)，而充電接頭的品種往往也會(huì)有重復(fù)的。這就導(dǎo)致不同電壓的充電器之間容易產(chǎn)生混用，然而一旦所插接的充電器電壓高于對(duì)應(yīng)電子產(chǎn)品的正常使用電壓范圍的電源時(shí)，極易導(dǎo)致廣品的損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服了上述缺陷，提供一種供直流供電產(chǎn)品保護(hù)其不被插入的高電壓損壞的直流電高電壓輸入保護(hù)電路。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種直流電高電壓輸入保護(hù)電路，它包括電源輸出調(diào)整模塊、電源輸出控制模塊及電源輸出開(kāi)關(guān)模塊；所述電源輸出調(diào)整模塊接入輸入電壓，電源輸出調(diào)整模塊連接電源輸出控制模塊，電源輸出控制模塊連接電源輸出開(kāi)關(guān)模塊，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊輸出正常輸出電壓；電源輸出調(diào)整模塊根據(jù)輸入電壓是否符合設(shè)定從而啟動(dòng)電源輸出控制模塊的開(kāi)/關(guān)，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊的正常輸出電壓根據(jù)電源輸出控制模塊開(kāi)/關(guān)對(duì)應(yīng)導(dǎo)通/關(guān)斷；上述結(jié)構(gòu)中，所述電源輸出開(kāi)關(guān)模塊包括P溝道MOS管；上述結(jié)構(gòu)中，所述電源輸出控制模塊包括NPN型三極管；所述電源輸出調(diào)整模塊包括穩(wěn)壓管；所述穩(wěn)壓管負(fù)極連接輸入電壓，穩(wěn)壓管正極連接三極管基極，三極管的集電極與P溝道MOS管的柵極相連，三極管發(fā)射極接地，所述P溝道MOS管的漏極輸出所述正常輸出電壓；上述結(jié)構(gòu)中，所述輸入電壓還通過(guò)電阻后連接三極管的集電極；所述輸入電壓連接P溝道MOS管的源極；上述結(jié)構(gòu)中，所述P溝道MOS管的源極與柵極之間還串接有Rl第一電阻；上述結(jié)構(gòu)中，所述穩(wěn)壓管與三極管之間還串接有R3第三電阻；上述結(jié)構(gòu)中，所述R3第三電阻一路連接三極管，另一路串聯(lián)R4第四電阻后接入地。本實(shí)用新型的有益效果在于設(shè)置了電源輸出調(diào)整模塊、電源輸出控制模塊及電源輸出開(kāi)關(guān)模塊構(gòu)成的保護(hù)電路，從而用戶誤插入了高于設(shè)備正常使用電壓范圍的電源時(shí)，保護(hù)產(chǎn)品不被插入的高于本機(jī)供電范圍電源而損壞，相比現(xiàn)有無(wú)保護(hù)電路的產(chǎn)品而言增加本專利電路能夠保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和安全性。

[0012]
以下結(jié)合附圖詳述本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)圖I為本實(shí)用新型的電路原理框圖；圖2為本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)施方式涉及一種直流電高電壓輸入保護(hù)電路，它包括電源輸出調(diào)整模塊、電源輸出控制模塊及電源輸出開(kāi)關(guān)模塊；所述電源輸出調(diào)整模塊接入輸入電壓，電源輸出調(diào)整模塊連接電源輸出控制模塊，電源輸出控制模塊連接電源輸出開(kāi)關(guān)模塊，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊輸出正常輸出電壓；電源輸出調(diào)整模塊根據(jù)輸入電壓是否符合設(shè)定從而啟動(dòng) 電源輸出控制模塊的開(kāi)/關(guān)，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊的正常輸出電壓根據(jù)電源輸出控制模塊開(kāi)/關(guān)對(duì)應(yīng)導(dǎo)通/關(guān)斷。上述電路結(jié)構(gòu)中，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊可直接采用P溝道MOS管。參見(jiàn)圖2為一具體實(shí)施例的電路圖，本實(shí)施例中電源輸出開(kāi)關(guān)模塊采用的就是P溝道MOS管Q2，電源輸出控制模塊則采用NPN型三極管Ql和Q3，而電源輸出調(diào)整模塊則包括有穩(wěn)壓管Dl。穩(wěn)壓管Dl的負(fù)極連接輸入電壓VIN，穩(wěn)壓管Dl的正極通過(guò)R3電阻和R4電阻分壓后連接三極管Ql的基級(jí)，三極管Ql的集電極與三極管Q3的基極連接，Q3集電極通過(guò)電阻R2與P溝道MOS管Q2的柵極相連，三極管的發(fā)射極接地，所述P溝道MOS管Q2的漏極輸出所述正常輸出電壓V0UT，在P溝道MOS管Q2的源極與柵極之間還串接有電阻Rl。上述中，輸入電壓VIN還通過(guò)電阻Rl和R2后連接三極管Ql的集電極、輸入電壓VIN還連接P溝道MOS管Q2的源極。由此，上述電路在使用時(shí)，首先按需選擇穩(wěn)壓管D1，此穩(wěn)壓管Dl的選擇決定了正常輸出電壓VOUT的電壓在什么電壓值被關(guān)斷輸出，例如選擇穩(wěn)壓管為6V，則輸入端電壓VIN在6V以下時(shí)，則VOUT約等于VIN，因?yàn)閂IN低于6V，則Dl不導(dǎo)通，Ql的基極=0V，Ql截止.，則集電極為高電平，則Q3導(dǎo)通，只要Rl和R2參數(shù)選擇得當(dāng)，滿足PMOS管Q2VGS導(dǎo)通電壓，則PMOS管導(dǎo)通。而當(dāng)輸入電壓高于6V時(shí)，Dl導(dǎo)通、則Ql導(dǎo)通、Q3截止，則PMOS管的柵極電壓等于源極電壓，不能滿足PMOS管的導(dǎo)通條件，Q2不導(dǎo)通，V0UT=0V。要想VOUT在什么電壓值被關(guān)斷，只需選擇對(duì)應(yīng)的穩(wěn)壓二極管Dl的參數(shù)即可。由此可見(jiàn)，通過(guò)采用增加本專利電路后，用戶誤插入了高于設(shè)備正常使用電壓范圍的電源時(shí)，保護(hù)產(chǎn)品不被插入的高于本機(jī)供電范圍電源而損壞，而現(xiàn)有產(chǎn)品一般無(wú)此保護(hù)電路，當(dāng)插入了高于設(shè)備規(guī)定的電壓時(shí)會(huì)損壞設(shè)備，相比之下能夠保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和安全性。因此本專利產(chǎn)品可有效解決直流供電產(chǎn)品在用戶使用不當(dāng)插入高于設(shè)備電源使用范圍的電壓時(shí)而損壞設(shè)備。以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種直流電高電壓輸入保護(hù)電路，其特征在于它包括電源輸出調(diào)整模塊、電源輸出控制模塊及電源輸出開(kāi)關(guān)模塊；所述電源輸出調(diào)整模塊接入輸入電壓，電源輸出調(diào)整模塊連接電源輸出控制模塊，電源輸出控制模塊連接電源輸出開(kāi)關(guān)模塊，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊輸出正常輸出電壓；電源輸出調(diào)整模塊根據(jù)輸入電壓是否符合設(shè)定從而啟動(dòng)電源輸出控制模塊的開(kāi)/關(guān)，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊的正常輸出電壓根據(jù)電源輸出控制模塊開(kāi)/關(guān)對(duì)應(yīng)導(dǎo)通/關(guān)斷。
2.如權(quán)利要求I所述的直流電高電壓輸入保護(hù)電路，其特征在于所述電源輸出控制模塊包括NPN型三極管。
3.如權(quán)利要求2所述的直流電高電壓輸入保護(hù)電路，其特征在于所述電源輸出開(kāi)關(guān)模塊包括P溝道MOS管；所述電源輸出控制模塊包括NPN三極管；所述電源輸出調(diào)整模塊包括穩(wěn)壓管；所述穩(wěn)壓管負(fù)極連接輸入電壓，穩(wěn)壓管正極連接三極管基級(jí)，三極管的集電極與P溝道MOS管的柵極相連，三極管發(fā)射極接地，所述P溝道MOS管的漏極輸出所述正常輸出電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的直流電高電壓輸入保護(hù)電路，其特征在于所述輸入電壓還通過(guò)Rl，R2，R5電阻后連接三極管的集電極；所述輸入電壓連接P溝道MOS管的源極。
5.如權(quán)利要求3或4所述的直流電高電壓輸入保護(hù)電路，其特征在于所述P溝道MOS管的源極與柵極之間還串接有Rl電阻。
6.如權(quán)利要求5所述的直流電高電壓輸入保護(hù)電路，其特征在于所述穩(wěn)壓管與三極管之間還串接有R3電阻。
7.如權(quán)利要求5所述的直流電高電壓輸入保護(hù)電路，其特征在于所述第三電阻R3—路連接三極管，另一路串聯(lián)R4第四電阻后接入地。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種直流電高電壓輸入保護(hù)電路，它包括電源輸出調(diào)整模塊、電源輸出控制模塊及電源輸出開(kāi)關(guān)模塊；所述電源輸出調(diào)整模塊接入輸入電壓，電源輸出調(diào)整模塊連接電源輸出控制模塊，電源輸出控制模塊連接電源輸出開(kāi)關(guān)模塊，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊輸出正常輸出電壓；電源輸出調(diào)整模塊根據(jù)輸入電壓是否符合設(shè)定從而啟動(dòng)電源輸出控制模塊的開(kāi)/關(guān)，電源輸出開(kāi)關(guān)模塊的正常輸出電壓根據(jù)電源輸出控制模塊開(kāi)/關(guān)對(duì)應(yīng)導(dǎo)通/關(guān)斷。本實(shí)用新型可有在用戶誤插入了高于設(shè)備正常使用電壓范圍的電源時(shí)，保護(hù)產(chǎn)品不被插入的高于本機(jī)供電范圍電源而損壞，相比現(xiàn)有無(wú)保護(hù)電路的產(chǎn)品而言增加本實(shí)用新型電路能夠保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和安全性。
文檔編號(hào)H02H3/20GK202663083SQ20122028000
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月14日
發(fā)明者余能堅(jiān), 蔣海華, 戴隆杰 申請(qǐng)人:深圳瑞信視訊技術(shù)有限公司