專利名稱：用于電子標簽的整流器的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及射頻技術(shù)領域，具體是用于電子標簽的整流器。
背景技術(shù)：
射頻識別是當前應用最廣泛的非接觸式自動目標識別技術(shù)之一，其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優(yōu)點，因此被廣泛應用于各個領域。射頻識別系統(tǒng)主要包括閱讀器和電子標簽，閱讀器發(fā)射接收天線耦合過來的是交流信號，在獲取內(nèi)部電源前必須對其進行整流，即將交流信號轉(zhuǎn)換為直流信號。現(xiàn)今人們主要用MOS晶體管實現(xiàn)整流電路，由于MOS晶體管形成的單向?qū)娐返膲航挡粌H與其閾值電壓有關(guān)，同時隨流過它的電流呈線性平方根增長，因此會導致在MOS管上的壓降不是一個定值，在電源所能提供的功率是一個常量時，這就導致內(nèi)部負載電流變化時系統(tǒng)電源電壓產(chǎn)生波動。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了在內(nèi)部負載電流變化時能減小系統(tǒng)電源電壓波動的用于電子標簽的整流器。本實用新型的目的主要通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)用于電子標簽的整流器，包括第一 MOS晶體管、第二 MOS晶體管、第三MOS晶體管及第四MOS晶體管，所述第一 MOS晶體管和第二MOS晶體管均為二極管連接的MOS管，第一MOS晶體管的源極和漏極分別與第四MOS晶體管漏極和第二 MOS晶體管漏極連接，第一 MOS晶體管柵極與第三MOS晶體管柵極連接，第二 MOS晶體管源極和柵極分別與第三MOS晶體管漏極和第四MOS晶體管柵極連接，第三MOS晶體管和第四MOS晶體管兩者的源極均接地；所述第一MOS晶體管源極與第四MOS晶體管漏極之間的線路上連接有第一射頻信號輸入線，所述第二 MOS晶體管源極與第三MOS晶體管漏極之間的線路上連接有第二射頻信號輸入線，所述第一 MOS晶體管漏極和第二 MOS晶體管漏極之間的線路上連接有電源。用于電子標簽的整流器，還包括第一電容、第二電容及第一電阻，所述第二電容與第一電阻串聯(lián)后與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設有第一電阻的一端與第
一MOS晶體管漏極和第二MOS晶體管漏極之間的線路連接，其另一端接地，所述電源連接在第一電阻與第二電容之間的線路上。本實用新型中第一電容、第二電容及第一電阻整體構(gòu)成一個帶通濾波器，通過該帶通濾波器能使電源更加穩(wěn)定。因為電子標簽經(jīng)常要承受電感諧振網(wǎng)絡產(chǎn)生的高壓信號的沖擊，出于耐壓考慮，作為優(yōu)選，所述第一 MOS晶體管、第二 MOS晶體管、第三MOS晶體管及第四MOS晶體管均為N溝道增強型場效應管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下有益效果本實用新型包括第一 MOS晶體管、第二 MOS晶體管、第三MOS晶體管及第四MOS晶體管，其中，第一 MOS晶體管的源極和漏極分別與第四MOS晶體管漏極和第二MOS晶體管漏極連接，第一MOS晶體管柵極與第三MOS晶體管柵極連接，第二 MOS晶體管源極和柵極分別與第三MOS晶體漏極和第四MOS晶體管柵極連接，第三MOS晶體管和第四MOS晶體管兩者的源極均接地，第一MOS晶體管源極與第四MOS晶體管漏極之間的線路上連接有第一射頻信號輸入線，第二 MOS晶體管源極與第三MOS晶體管漏極之間的線路上連接有第二射頻信號輸入線，本實用新型采用上述結(jié)構(gòu)，整體結(jié)構(gòu)簡單，便于實現(xiàn)，本實用新型中第一MOS晶體管和第二 MOS晶體管采用二極管的連接方法，第三MOS晶體管和第四MOS晶體管采取交叉開關(guān)的連接結(jié)構(gòu)，因為第一射頻信號輸入線和第二射頻信號輸入線具有對稱性，本實用新型中第一 MOS晶體管和第三MOS晶體管導通時第二 MOS晶體管和第四MOS晶體管關(guān)斷，而第一 MOS晶體管和第三MOS晶體管關(guān)斷時第
二MOS晶體管和第四MOS晶體管導通，如此，本實用新型可將輸出電壓由兩個閾值電壓降減小為一個閾值電壓降，進而在內(nèi)部負載電流變化時能減小系統(tǒng)電源電壓波動。

圖I為本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為N1—第一 MOS晶體管，N2—第二 MOS晶體管，N3—第三MOS晶體管，N4—第四MOS晶體管，RFl—第一射頻信號輸入線，RF2—第二射頻信號輸入線，Cl一第一電容，C2一第二電容，Rl一第一電阻，VHDl一電源。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例及附圖對本實用新型作進一步的詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。實施例如圖I所示，用于電子標簽的整流器，包括與電子標簽內(nèi)其它部件共同的外殼，以及設置在外殼內(nèi)的內(nèi)部電路，其中，內(nèi)部電路第一 MOS晶體管NI、第二 MOS晶體管N2、第三MOS晶體管N3、第四MOS晶體管N4、第一電容Cl、第二電容C2及第一電阻Rl。第一 MOS晶體管NI、第二 MOS晶體管N2、第三MOS晶體管N3及第四MOS晶體管N4均為N溝道增強型場效應管。第一 MOS晶體管NI和第二 MOS晶體管N2均為二極管連接的MOS管，具體為第一 MOS晶體管NI的柵極與其源極連接，第二 MOS晶體管N2的柵極與其源極連接。第一 MOS晶體管NI的源極與第四MOS晶體管N4漏極連接，第一 MOS晶體管NI的漏極與第二 MOS晶體管N2漏極連接，第一 MOS晶體管NI柵極與第三MOS晶體管N3柵極連接，第二 MOS晶體管N2源極和柵極分別與第三MOS晶體N3漏極和第四MOS晶體管N4柵極連接，第三MOS晶體管N3和第四MOS晶體管N4兩者的源極均接地。第一 MOS晶體管NI源極與第四MOS晶體管N4漏極之間的線路上連接有第一射頻信號輸入線RF1，第二 MOS晶體管N2源極與第三MOS晶體管N3漏極之間的線路上連接有第二射頻信號輸入線RF2，第一 MOS晶體管NI漏極和第二 MOS晶體管N2漏極之間的線路上連接有電源VHD1。第二電容C2與第一電阻Rl串聯(lián)后與第一電容Cl并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設有第一電阻Rl的一端與第一 MOS晶體管NI漏極和第二 MOS晶體管N2漏極之間的線路連接，其另一端接地，電源VHDl連接在第一電阻Rl與第二電容C2之間的線路上。如上所述，則能很好的實現(xiàn)本實用新型。
權(quán)利要求1.用于電子標簽的整流器，其特征在于包括第一MOS晶體管(NI)、第二 MOS晶體管(N2 )、第三MOS晶體管(N3 )及第四MOS晶體管(N4 )，所述第一 MOS晶體管(NI)和第二 MOS晶體管(N2)均為二極管連接的MOS管，第一 MOS晶體管(NI)的源極和漏極分別與第四MOS晶體管(N4)漏極和第二 MOS晶體管(N2)漏極連接，第一 MOS晶體管(NI)柵極與第三MOS晶體管(N3)柵極連接，第二 MOS晶體管(N2)源極和柵極分別與第三MOS晶體(N3)漏極和第四MOS晶體管(N4)柵極連接，第三MOS晶體管(N3)和第四MOS晶體管(N4)兩者的源極均接地；所述第一 MOS晶體管(NI)源極與第四MOS晶體管(N4)漏極之間的線路上連接有第一射頻信號輸入線(RFl )，所述第二 MOS晶體管(N2)源極與第三MOS晶體管(N3)漏極之間的線路上連接有第二射頻信號輸入線(RF2)，所述第一 MOS晶體管(NI)漏極和第二 MOS晶體管(N2 )漏極之間的線路上連接有電源(VHDI)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于電子標簽的整流器，其特征在于還包括第一電容(Cl)、第二電容(C2)及第一電阻(R1)，所述第二電容(C2)與第一電阻(Rl)串聯(lián)后與第一電容(Cl)并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設有第一電阻(Rl)的一端與第一 MOS晶體管(NI)漏極和第二 MOS晶體管(N2)漏極之間的線路連接，其另一端接地，所述電源(VHDl)連接在第一電阻(Rl)與第二電容(C2)之間的線路上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的用于電子標簽的整流器，其特征在于所述第一MOS晶體管(NI)、第二 MOS晶體管(N2)、第三MOS晶體管(N3)及第四MOS晶體管(N4)均為N溝道增強型場效應管。
專利摘要本實用新型公開了用于電子標簽的整流器，包括第一MOS晶體管、第二MOS晶體管、第三MOS晶體管及第四MOS晶體管，其中，第一MOS晶體管和第二MOS晶體管均為二極管連接的MOS管，第一MOS晶體管的源極和漏極分別與第四MOS晶體管漏極和第二MOS晶體管漏極連接，第一MOS晶體管柵極與第三MOS晶體管柵極連接，第二MOS晶體管源極和柵極分別與第三MOS晶體管漏極和第四MOS晶體管柵極連接，第三MOS晶體管和第四MOS晶體管兩者的源極均接地，第一MOS晶體管漏極和第二MOS晶體管漏極之間的線路上連接有電源。采用上述結(jié)構(gòu)，可將輸出電壓由兩個閾值電壓降減小為一個閾值電壓降，進而能減小系統(tǒng)電源電壓波動。
文檔編號H02M1/14GK202634311SQ20122031634
公開日2012年12月26日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司