專利名稱：電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，具體是電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
射頻識別是當前應用最廣泛的非接觸式自動目標識別技術(shù)之一，其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優(yōu)點，因此被廣泛應用于各個領(lǐng)域。射頻識別系統(tǒng)主要包括閱讀器和電子標簽，電子標簽接收閱讀器的能量會受作用距離、與閱讀器天線之間的角度影響，電子標簽感應到的電壓可能會比較大，所以必須有單獨的模塊電路實現(xiàn)限幅，將電壓限制在一定范圍之內(nèi)，以防止接收MOS管柵極被擊穿。限幅的最簡單直接的措施是降低耦合系數(shù)，現(xiàn)今人們常常通過調(diào)整閱讀器和電子標簽的作用距離或者調(diào)整電子標簽的輸入電容來降低耦合系數(shù)，其中，采用調(diào)整閱讀器和電子標簽的作用距離對于操作人員來說是很 難把握的，該方法不切合實際；改電子標簽的輸入電容，即是改變諧振頻率，降低耦合系數(shù)，電子標簽中傳送的功率也會降低，在大規(guī)模集成電路設計中電容的實現(xiàn)會占用較大的芯片面積，而且電容的參數(shù)浮動相對較大。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種便于操作控制，結(jié)構(gòu)簡單，且在進行電壓限幅時不會影響傳送功率的電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)。本實用新型的目的主要通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)，包括第一 N溝道增強型場效應管、第二 N溝道增強型場效應管、第三N溝道增強型場效應管、第四N溝道增強型場效應管、第一電容及多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管，第三N溝道增強型場效應管、第四N溝道增強型場效應管及多個P溝道增強型場效應管均為二極管連接的MOS管，所述第三N溝道增強型場效應管的漏極和源極分別與第四N溝道增強型場效應管漏極和第一 N溝道增強型場效應管漏極連接，第二 N溝道增強型場效應管的漏極與第四N溝道增強型場效應管源極連接，第一 N溝道增強型場效應管源極和第二 N溝道增強型場效應管源極均接地，所述多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管的串聯(lián)支路兩端分別串聯(lián)第三電阻和第四電阻后與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路一端與第三N溝道增強型場效應管漏極和第四N溝道增強型場效應管漏極之間的線路連接，其另一端接地，所述第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管兩者的柵極均與多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管和第四電阻之間的線路連接；所述第二電容與第五電阻串聯(lián)，第二電容和第五電阻的串聯(lián)支路一端與第三N溝道增強型場效應管漏極和第四N溝道增強型場效應管漏極之間的線路連接，其另一端與多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管和第四電阻之間的線路連接。本實用新型中二極管連接的MOS管是將MOS管的柵極和源極連接在一起，由于MOS管在一定電壓下存在漏電流，所以本實用新型中二極管連接的MOS管用來模擬一個阻值很大的電阻，并且可以通過調(diào)整MOS管的參數(shù)來實現(xiàn)對阻值的控制。所述第一 N溝道增強型場效應管漏極和第三N溝道增強型場效應管源極之間的線路上連接有第一電阻；所述第二 N溝道增強型場效應管漏極與第四N溝道增強型場效應管源極之間的線路上連接有第二電阻。作為優(yōu)選，所述P溝道增強型場效應管的數(shù)量為五個。本實用新型在應用時，天線的一個信號輸入端連接在第一電阻與第一 N溝道增強型場效應管漏極之間的線路上，天線的另一個信號輸入端連接在第二電阻與第二 N溝道增強型場效應管漏極之間的線路上，第三N溝道增強型場效應管、第四N溝道增強型場效應管及第一電容用于采樣射頻信號，第三電阻、第四電阻及多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管形成參考控制電壓，第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管為泄流管，第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管并聯(lián)在天線兩端進行限幅分流。當采樣的信號高于參考電平時，流經(jīng)第四電阻的電流增加，因此控制第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管兩者柵極的電位提高，增加第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管的導通能力，流經(jīng)第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝 道增強型場效應管的電流增加，降低標簽天線的有效負載，從而限制天線信號的電壓幅度。本實用新型中第三電阻、第四電阻、第一電容及多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管構(gòu)成的串并聯(lián)線路為低通濾波回路，其對低頻信號變化產(chǎn)生反應，該低通濾波回路反饋調(diào)整第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管的導通程度，從而保證本實用新型應用時電壓的穩(wěn)定；第五電阻和第二電容構(gòu)成高通通路，其對接收信號的突變做出迅速反映，以此增加限幅能力。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下有益效果本實用新型包括第一 N溝道增強型場效應管、第二 N溝道增強型場效應管、第三N溝道增強型場效應管、第四N溝道增強型場效應管、第五電阻、第一電容、第二電容及多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管，本實用新型使用電子元件的數(shù)量少，整體結(jié)構(gòu)簡單，集成在模塊上時體積小，便于實現(xiàn)、成本低，且本實用新型在應用時通過提高第一N溝道增強型場效應管和第二增強型場效應管的柵極電壓，不會對功率產(chǎn)生影響，在輸入電壓高于一定電壓值時使并聯(lián)分流電路導通，使電路的電流變大，從而使電壓穩(wěn)壓在一定的范圍內(nèi)。

圖I為本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為N1—第一 N溝道增強型場效應管，N2—第二 N溝道增強型場效應管，N3—第三N溝道增強型場效應管，N4—第四N溝道增強型場效應管，Pl—第一 P溝道增強型場效應管，P2—第二 P溝道增強型場效應管，P3—第三P溝道增強型場效應管，P4—第四P溝道增強型場效應管，P5—第五P溝道增強型場效應管，Cl一第一電容，C2—第二電容，Rl—第一電阻，R2—第二電阻，R3—第三電阻，R4—第四電阻，R5—第五電阻，Antl—第一天線信號輸入端，Ant2—第二天線信號輸入端。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例及附圖對本實用新型作進一步的詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。實施例[0013]如圖I所示，電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)，包括外殼及設置在外殼內(nèi)的內(nèi)部電路，內(nèi)部電路包括第一 N溝道增強型場效應管NI、第二 N溝道增強型場效應管N2、第三N溝道增強型場效應管N3、第四N溝道增強型場效應管N4、第五電阻R5、第一電容Cl、第二電容C2及多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管，其中，第三N溝道增強型場效應管N3、第四N溝道增強型場效應管N4及多個P溝道增強型場效應管均為二極管連接的MOS管，在此二極管連接的MOS管為MOS管中的柵極與源極連接，P溝道增強型場效應管的數(shù)量優(yōu)選為五個，即為串聯(lián)的第一 P溝道增強型場效應管P1、第二 P溝道增強型場效應管P2、第三P溝道增強型場效應管P3、第四P溝道增強型場效應管P4及第五P溝道增強型場效應管P5。第三N溝道增強型場效應管N3的漏極和源極分別與第四N溝道增強型場效應管N4漏極和第一 N溝道增強型場效應管NI漏極連接，第二 N溝道增強型場效應管N2的漏極與第四N溝道增強型場效應管N4源極連接，第一 N溝道增強型場效應管NI源極和第二 N溝道增強型場效應管N2源極均接地，第一 N溝道增強型場效應管NI漏極和第三N溝道增強型場效應管N3源極之間的線路上連接有第一電阻Rl，第二 N溝道增強型場效應管N2漏極與第四N溝道增強型場效應管N4源極之間的線路上連接有第二電阻R2。五個串聯(lián)的P 溝道增強型場效應管的串聯(lián)支路兩端分別串聯(lián)第三電阻R3和第四電阻R4后與第一電容Cl并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路一端與第三N溝道增強型場效應管N3漏極和第四N溝道增強型場效應管N4漏極之間的線路連接，其另一端接地。第一 N溝道增強型場效應管NI和第二 N溝道增強型場效應管N2兩者的柵極均與多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管和第四電阻R4之間的線路連接。第二電容C2與第五電阻R5串聯(lián)，第二電容C2和第五電阻R5的串聯(lián)支路一端與第三N溝道增強型場效應管N3漏極和第四N溝道增強型場效應管N4漏極之間的線路連接，其另一端與多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管和第四電阻R4之間的線路連接。第一電阻Rl與第一 N溝道增強型場效應管NI漏極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端Antl，第二電阻R2與第二 N溝道增強型場效應管N2漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端Ant2。如上所述，則能很好的實現(xiàn)本實用新型。
權(quán)利要求1.電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)，其特征在于包括第一N溝道增強型場效應管(NI )、第二 N溝道增強型場效應管(N2)、第三N溝道增強型場效應管(N3)、第四N溝道增強型場效應管(N4)、第五電阻(R5)、第一電容(Cl)、第二電容(C2)及多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管，第三N溝道增強型場效應管(N3)、第四N溝道增強型場效應管(N4)及多個P溝道增強型場效應管均為二極管連接的MOS管，所述第三N溝道增強型場效應管(N3)的漏極和源極分別與第四N溝道增強型場效應管(N4)漏極和第一 N溝道增強型場效應管(NI)漏極連接，第二 N溝道增強型場效應管(N2)的漏極與第四N溝道增強型場效應管(N4)源極連接，第一 N溝道增強型場效應管(NI)源極和第二 N溝道增強型場效應管(N2)源極均接地，所述多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管的串聯(lián)支路兩端分別串聯(lián)第三電阻(R3)和第四電阻(R4)后與第一電容(Cl)并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路一端與第三N溝道增強型場效應管(N3)漏極和第四N溝道增強型場效應管(N4)漏極之間的線路連接，其另一端接地，所述第一 N溝道增強型場效應管(NI)和第二 N溝道增強型場效應管(N2)兩者的柵極均與多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管和第四電阻(R4)之間的線路連接；所述第二電容(C2)與第五電阻(R5)串聯(lián)，第二電容(C2)和第五電阻(R5)的串聯(lián)支路一端與第三N溝道增強型場效應管(N3)漏極和第四N溝道增強型場效應管(N4)漏極之間的線路連接，其另一端與多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管和第四電阻(R4)之間的線路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)，其特征在于所述第一 N溝道增強型場效應管(NI)漏極和第三N溝道增強型場效應管(N3)源極之間的線路上連接有第一電阻(Rl);所述第二 N溝道增強型場效應管(N2)漏極與第四N溝道增強型場效應管(N4 )源極之間的線路上連接有第二電阻(R2 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)，其特征在于所述P溝道增強型場效應管的數(shù)量為五個。
專利摘要本實用新型公開了電子標簽中天線信號的電壓限幅系統(tǒng)，包括第一N溝道增強型場效應管、第二N溝道增強型場效應管、第三N溝道增強型場效應管、第四N溝道增強型場效應管、第五電阻、第一電容、第二電容及多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管，多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路。第二電容和第五電阻的串聯(lián)支路一端與第三N溝道增強型場效應管漏極和第四N溝道增強型場效應管漏極之間的線路連接，其另一端與多個串聯(lián)的P溝道增強型場效應管和第四電阻之間的線路連接。采用上述結(jié)構(gòu)，在對天線實現(xiàn)電壓限幅時不會對功率產(chǎn)生影響，操作方便。
文檔編號H02H9/04GK202663107SQ20122031641
公開日2013年1月9日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司