專利名稱：一種高壓tsc晶閘管投切電容器閥組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組，還涉及到電力系統(tǒng)無功補償領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的高壓TSC晶閘管投切電容器閥組采用立式結(jié)構(gòu)，立式結(jié)構(gòu)由于整相閥組采用立式安裝，導(dǎo)致閥組柜整體重心高，不穩(wěn)定，在裝配、運輸、調(diào)試等各個環(huán)節(jié)都造成不便和安全隱患，由于立式重心高，在運輸過程中，易造成柜體傾覆等事故。且立式結(jié)構(gòu)的閥組由于散熱片的結(jié)構(gòu)，會造成柜體內(nèi)熱量聚集，對閥組柜的性能和壽命有不良影響?，F(xiàn)有的高壓TSC晶閘管投切電容器閥組采用立式結(jié)構(gòu)，由于立式重心高，會造成柜體內(nèi)熱量聚集，進而影響閥組柜的性能和壽命的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型是為了解決現(xiàn)有立式結(jié)構(gòu)的高壓TSC晶閘管投切電容器閥組重心高，并且會造成柜體內(nèi)熱量聚集、散熱性能差，進而影響閥組柜的性能和壽命的問題，而提出了一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組。一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組，它由陶瓷絕緣支柱、絕緣框架、接線柱、多個晶閘管、多條連接銅排和散熱片組成，所述絕緣框架為長方體結(jié)構(gòu)，陶瓷絕緣支柱固定于絕緣框架的底部，散熱片固定于絕緣框架內(nèi)，每個晶閘管的導(dǎo)熱面與散熱片固定連接，每個晶閘管的電極均通過連接銅排與接線柱連接，所述接線柱固定在絕緣框架上。本實用新型采用臥式閥組結(jié)構(gòu)，通過多個晶閘管的導(dǎo)熱面與散熱片的散熱面固定連接，使晶閘管采用臥式結(jié)構(gòu)，具有散熱性能好的優(yōu)點，能夠保證晶閘管的性能和壽命。本實用新型可用于電力系統(tǒng)的無功補償。

圖1是本實施方式所述的一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組的主視圖；圖2是本實施方式所述的一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組的側(cè)視圖。
具體實施方式
具體實施方式
一、參見圖1和圖2說明本實施方式。本實施方式所述一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組，它由陶瓷絕緣支柱1、絕緣框架2、接線柱3、多個晶閘管4、多條連接銅排5和散熱片6組成，所述絕緣框架2為長方體結(jié)構(gòu)，陶瓷絕緣支柱I固定于絕緣框架2的底部，散熱片6固定于絕緣框架2內(nèi)，每個晶閘管4的導(dǎo)熱面與散熱片6固定連接，每個晶閘管4的電極均通過連接銅排5與接線柱3連接，所述接線柱3固定在絕緣框架2上。[0011]具體實施方式
二、本實施方式與具體實施方式
一所述的一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組不同點在于晶閘管4為臥式結(jié)構(gòu)的晶閘管。本實施方式所述的一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組采用臥式結(jié)構(gòu)，使柜體散熱片的散熱性能好，能夠延長閥組柜的壽命和性能。
具體實施方式
三，每個晶閘管4與散熱片6之間填充有導(dǎo)熱硅膠。
權(quán)利要求1.一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組，其特征在于，它由陶瓷絕緣支柱(I)、絕緣框架(2)、接線柱(3)、多個晶閘管(4)、多條連接銅排(5)和散熱片(6)組成， 所述絕緣框架(2)為長方體結(jié)構(gòu)，陶瓷絕緣支柱(I)固定于絕緣框架(2)的底部，散熱片(6)固定于絕緣框架(2)內(nèi)，每個晶閘管(4)的導(dǎo)熱面與散熱片(6)固定連接，每個晶閘管(4)的電極均通過連接銅排(5)與接線柱(3)連接，所述接線柱(3)固定在絕緣框架(2)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組，其特征在于，晶閘管(4)為臥式結(jié)構(gòu)的晶閘管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組，其特征在于，每個晶閘管(4)與散熱片(6)之間填充有導(dǎo)熱娃膠。
專利摘要一種高壓TSC晶閘管投切電容器閥組，它屬于電力系統(tǒng)無功補償領(lǐng)域。它為了解決現(xiàn)有的高壓TSC晶閘管投切電容器閥組采用立式結(jié)構(gòu)，由于立式重心高，會造成柜體內(nèi)熱量聚集，散熱性能差，進而影響閥組柜的性能和壽命的問題。絕緣框架為長方體結(jié)構(gòu)，陶瓷絕緣支柱固定于絕緣框架的底部，散熱片固定于絕緣框架內(nèi)，每個晶閘管的導(dǎo)熱面與散熱片固定連接，每個晶閘管的電極均通過連接銅排與接線柱連接，所述接線柱固定在絕緣框架上。它可用于電力系統(tǒng)的無功補償。
文檔編號H02J3/18GK202949234SQ201220720178
公開日2013年5月22日 申請日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者李國勇 申請人:李國勇