用于感應功率傳輸?shù)拇艌龀尚蔚闹谱鞣椒?br> 【專利摘要】一種用于生成或接收磁通量的IPT系統(tǒng)磁通量設備，所述設備包括導磁磁芯（2）和與所述磁芯（2）磁關(guān)聯(lián)的至少一個線圈（4）。屏蔽（6）排斥磁通量，并被定位在所述磁芯（2）的相對面上，使得所述屏蔽（6）包括延伸到所述磁芯的至少一部分周界之外的外面部分（δA1）。
【專利說明】用于感應功率傳輸?shù)拇艌龀尚?br> 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于成形(shaping)或引導由感應功率傳輸(IPT)系統(tǒng)中使用的磁通量生成或接收設備來生成或接收的磁場的設備和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]IPT系統(tǒng)是眾所周知的。如國際專利申請WO 2010/090539中討論的，在一些IPT應用(諸如電動車輛充電)中，需要提供松散耦合的系統(tǒng)，松散耦合的系統(tǒng)能夠用磁通量發(fā)射和接收結(jié)構(gòu)之間的大的氣隙操作。
[0003]由于大規(guī)模部署固定充電和道路供電電動車輛的應用的趨勢，使用最少的材料高效地操作的磁通量發(fā)射和接收結(jié)構(gòu)是非常期望的。
[0004]除了效率之外，松散耦合系統(tǒng)的另一問題是消除或控制可能造成健康危害的雜散磁場，在大多數(shù)國家，法規(guī)規(guī)定將雜散磁場控制在特定范圍內(nèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供用于感應功率傳輸?shù)母倪M的設備或方法，或者提供改進的IPT功率傳輸襯墊，或者至少給公眾或業(yè)界提供有用的替代方式。
[0006]因此，一方面，本發(fā)明概括地提供一種用于生成或接收磁通量的IPT系統(tǒng)磁通量設備，所述設備包括:導磁磁芯裝置、與所述磁芯裝置磁關(guān)聯(lián)的至少一個線圈和屏蔽(shielding)裝置，所述屏蔽裝置排斥在所述磁芯裝置的相對面上提供的磁通量，使得所述屏蔽裝置包括延伸到所述磁芯裝置的至少一部分周界之外的外面部分。
[0007]所述屏蔽裝置包括板材。
[0008]優(yōu)選地，所述設備包括襯墊。
[0009]優(yōu)選地，所述外面部分具有周界邊緣，并且在所述磁芯周界和所述周界邊緣之間有間隙。在一個實施例中，所述間隙可以填充或部分地填充非磁性材料。
[0010]在一個實施例中，所述外面部分基本上在所述磁芯的平面上從襯墊延伸，并且所述周界邊緣以相對于所述外面部分成一定角度地提供。在一個實施例中，所述角度基本上是90度，使得所述周界邊緣基本上包括唇緣。在其它的實施例中，所述周界邊緣被設置成相對于所述外面部分成大于90度的角度，例如相對于所述外面部分成大約90度和150度之間的角度。
[0011]在一個實施例中,所述外面部分基本上包圍所述磁芯。
[0012]優(yōu)選地，所述外面部分進一步包括所述唇緣的凸緣邊。在一個實施例中，所述凸緣在大致平行于第一部分的平面內(nèi)。
[0013]優(yōu)選地，所述線圈是基本扁平的線圈。
[0014]優(yōu)選地，所述線圈提供于與屏蔽相對的磁芯的一面上。
[0015]在另一實施例中，所述屏蔽裝置進一步包括籠子(cage)。所述籠子適于接收一個或更多個繞組。在一個實施例中，所述籠子包括箱形區(qū)段。[0016]優(yōu)選地，所述板材包括板。
[0017]替代性地，所述板材包括網(wǎng)狀材料。
[0018]替代性地，所述板材包括板的一個或更多個區(qū)段和網(wǎng)狀物的一個或更多個區(qū)段。
[0019]優(yōu)選地，所述板材包括延伸到所述磁芯的周界之外的凸緣。
[0020]優(yōu)選地，所述磁芯具有縱軸線，所述屏蔽的外面部分延伸到所述磁芯的每個縱向端之外。
[0021]優(yōu)選地，所述板材是由鋁構(gòu)造的。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于生成或接收磁通量的IPT系統(tǒng)磁通量襯墊，所述襯墊包括導磁磁芯裝置、與所述磁芯磁關(guān)聯(lián)的至少一個線圈和籠子裝置，所述籠子裝置適于接收所述線圈的一個或更多個繞組。
[0023]優(yōu)選地，所述籠子提供于所述磁芯的第一面上，使得在所述磁芯的第一面上的一匝或更多匝線圈通過所述籠子。
[0024]替代性地，所述籠子提供于所述磁芯的一端，另一籠子裝置提供于所述磁芯的相對端，并且另一線圈被提供，因此一匝或更多匝的線圈通過所述籠子裝置，一匝或更多匝的另一線圈通過所述另一籠子裝置。
[0025]通過下面的描述，本發(fā)明的更多方面將變得明顯。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]參照附圖在下文描述本發(fā)明的一個或更多個實施例，其中:
圖1是圓形感應功率傳輸襯墊的平面圖；
圖2A和B是顯示線圈直徑相對于襯墊直徑的比率變化時，具有相同電感的兩個相同的耦合襯墊的Psu和互感的變化的圖形；
圖3是顯示Psu隨外面部分(δ Α1)(即磁芯周界和由背板或屏蔽界定的外襯墊直徑之間的距離)變化的圖形；
圖4示出了對于圖1的襯墊，作為距離的函數(shù)的B;
圖5是雙D襯墊的透視圖；
圖6是顯示襯墊結(jié)構(gòu)的一個實施例的橫截面的立視圖；
圖7是圖6襯墊的透視圖；
圖8是顯示襯墊構(gòu)造的另一實施例的橫截面的立視圖；
圖9是圖8的構(gòu)造的透視圖；
圖10示出了圖8和10中所示的襯墊的橫截面的立視圖，但標識了所述屏蔽結(jié)構(gòu)的尺
寸；
圖11是另一襯墊結(jié)構(gòu)的透視圖；
圖12是顯示圖11的襯墊結(jié)構(gòu)和在襯墊加電時的磁場的部分橫截面；
圖13示出了雙D襯墊的襯墊結(jié)構(gòu)；
圖14和15示出了與具有不延伸到磁芯周界之外的背板或屏蔽的結(jié)構(gòu)相比，對于圖13B和13C的襯墊結(jié)構(gòu)，B隨距離的變化；
圖16A至16F示出了多種不同的襯墊實施例的橫截面的正視圖和由每個實施例產(chǎn)生的磁場的表不?！揪唧w實施方式】
[0027]如上文討論的，用來生成并接收磁通量以便提供IPT系統(tǒng)的初級和次級電路之間的耦合的磁結(jié)構(gòu)或設備可以采用各種方式。所述的結(jié)構(gòu)通常被稱作襯墊，原因是它們通常在兩個維度上延伸得比在第三維度上延伸得更遠。第三維度通常有這樣的厚度，該厚度旨在被最小化使得襯墊結(jié)構(gòu)能夠被并入在車輛的另一側(cè)中和/或例如道路、停車位和車庫地面中。
[0028]一種已知的襯墊結(jié)構(gòu)在WO 2008/140333中公開，該襯墊結(jié)構(gòu)在設計上大致是圓形的。圖1示出了對于圓形功率襯墊的布局。從該圖可以看到，磁芯結(jié)構(gòu)包括多個導磁材料(諸如鐵氧體)的徑向方向的條狀物2。在一個例子中，直徑(圖1中的Pd)長度為700毫米的襯墊使用容易獲得的193磁芯(每個徑向條狀物有3個)制造。一個或更多個基本扁平的線圈4位于磁芯結(jié)構(gòu)之上。在磁芯結(jié)構(gòu)的相對面(即底側(cè))上提供屏蔽，所述屏蔽包括由板材(優(yōu)選為鋁)制成的背板6，其在屏蔽的外面部分(δΑ1)的周界上具有形式為環(huán)8 (即向上方向的凸緣)的周界邊緣。鋁背板6和環(huán)8提高了魯棒性，并在襯墊周圍提供對可能存在的泄露磁通的屏蔽。與圖1的襯墊不同，現(xiàn)有技術(shù)的圓形襯墊中的環(huán)8位于非常鄰近磁芯的邊緣(即每個徑向鐵氧體條2的外端)的位置。
[0029]圖1中的符號如下:
Few 鐵氧體寬度
FeL 鐵氧體長度 δ A1 延長半徑 Cd 線圈直徑 Pd 襯墊直徑 Cff 線圈寬度
25阻線圈(04mm絞合線),IOmm厚的環(huán) I1 在 20kHz 時為 23A
構(gòu)造背板結(jié)構(gòu)6和環(huán)8的材料優(yōu)選為排斥磁通量的材料。該材料還優(yōu)選是良導體，并且是沒有損耗的。背板6可以包括板狀材料或網(wǎng)狀材料(例如鋁板或鋁網(wǎng)絲)。同樣，背板材料可以包括各種材料的組合，例如，支撐磁芯的板以及延長到磁芯周界之外的網(wǎng)絲部分。與使用網(wǎng)絲材料關(guān)聯(lián)的優(yōu)點包括更低的成本、與周圍基底(例如在道路應用中)的改進結(jié)合以及從結(jié)構(gòu)到周圍環(huán)境的改進熱傳遞。
[0030]我們發(fā)現(xiàn)將環(huán)8放置在靠近磁芯周界會降低泄露磁通，但不是理想的，原因是它對耦合具有不利影響。如下文進一步討論的，使環(huán)8和背板6延伸到磁芯的外周界之外能夠?qū)o定的磁場泄露帶來優(yōu)化耦合。
[0031]我們之前進行的工作已經(jīng)表明圓形襯墊的理想線圈直徑是包括鋁環(huán)的襯墊直徑的57%。為了進一步研究，進行了仿真，其中，在有鋁環(huán)(R)和沒有鋁環(huán)(NR)時，以125mm的垂直間隔，在700毫米直徑的襯墊上改變線圈直徑(Cd)。
[0032]結(jié)果顯示于圖2a和2b中，這兩個圖示出了 Psu (開路電壓乘以短路電流)和耦合因數(shù)k。假設發(fā)射器襯墊和接收器襯墊是相同的，并具有相同的電感。可以看到，如果去掉環(huán)，則功率有明顯增大。對于沒有環(huán)的襯墊，416_的磁芯直徑(大約是襯墊直徑的60%)是在傳輸功率和耦合系數(shù)之間的良好折衷。如圖2b所示，當線圈變得非?？拷h(huán)時，襯墊本身的電感急劇下降，而如果去掉環(huán)，則其本身的電感下降相對緩慢。由于來自會降低電感的任何電流的反向磁通，環(huán)有效地抵消了來自線圈的磁通。
[0033]當線圈大致位于具有環(huán)的襯墊中心時(-0.55〈Cd/Pdr0.7)，磁通能夠進入并從鐵氧體的端部出來，產(chǎn)生增大的電感。對于沒有環(huán)的襯墊，Cd為200_時產(chǎn)生最大電感，但看起來線圈的外邊緣上的磁通只具有很小的區(qū)域，通過該很小的區(qū)域磁通能夠進入鐵氧體條一鐵氧體分布關(guān)于線圈不是徑向?qū)ΨQ的。這可以在確定襯墊能夠在其磁場中存儲多少能量的電感方面進行解釋。磁力線傾向于通過穿越最小磁阻的路徑，排列自身以最小化能量存儲。由于襯墊的構(gòu)造，在襯墊的后部沒有磁通出來；線圈靜置在鐵氧體上，鐵氧體靜置在一層鋁屏蔽上。假設Cd小于其理想值，在線圈的內(nèi)側(cè)上，磁力線會互相排斥得更厲害，原因是在線圈的內(nèi)側(cè)上存在更小的磁通容量(鏈接線圈的磁力線的數(shù)量是固定的)。Cd被優(yōu)化后，由于在線圈的內(nèi)側(cè)上的增大容量，整體磁場“排斥”被最小化，因此，存儲的能量以及此特殊布置的電感被最大化。
[0034]圖2(b)中顯示的結(jié)果表明當加入環(huán)時，由于磁通的抵消效應，襯墊的電感下降。以功率傳輸為代價降低磁通泄露通常是必要的，以確保高功率系統(tǒng)能夠滿足磁場泄露標準。因此，為了分別地確定環(huán)和背板對功率傳輸?shù)挠绊?，進行了仿真，在有環(huán)和無環(huán)時，改變板材在磁芯周界之外的外面部分(Sai)。Psu和k曲線顯示于圖3中。這里，標志“R”暗示背板和環(huán)都存在，而標志“P”表明只有延長的背板存在。M代表發(fā)射器襯墊和接收器襯墊之間的互感，L2代表接收器襯墊的電感。將環(huán)放置在靠近鐵氧體的端部明顯地降低性能，因為去掉環(huán)時Psu增加了 27%。具有環(huán)和不具有環(huán)的襯墊達到3.9kVA的Psu，然而，在此點直徑增加了 170mm。
[0035]當δΑ1> IOOmm時，Psu曲線稍微分開，這表明環(huán)具有微小的“磁通捕捉”效應。由于性能有很少提升且更小的襯墊是更優(yōu)的，因此建議優(yōu)化的襯墊有40mm的外面部分δ Α1。
[0036]既然仿真結(jié)果表明試驗結(jié)果在幾個百分點內(nèi)是匹配的，因此通過仿真研究了磁場泄露。這里，用20kHz的正弦23A電流激勵發(fā)射器襯墊，開路接收器襯墊放置于其上125mm處。沿從襯墊之間的氣隙的中心向外延伸的I米輪廓記錄磁通量密度。由于來自鋁背板的屏蔽，磁通密度在接收器上方(是上襯墊)和發(fā)射器下方明顯更低。結(jié)果顯示于圖4中，這里，繪制了各種磁場泄露曲線。第一個標記為“無環(huán)”的曲線示出了沒有環(huán)且使Sai=O的輸出。這與環(huán)被放置就位但具有增大的Sai值的其它設計形成對比。“40mm板”輪廓(在無環(huán)時，使δΑ1=40_)也被加入，原因是從功率角度講其被描述為理想的。與將環(huán)放置得非常靠近鐵氧體端部一樣，去掉環(huán)大大地增加了磁通泄露。較大的背板輕微地衰減了泄露，但要達到最大的降低需要有環(huán)。當Sai增大時，磁場泄露降低，但這會有利地增大Psu (如圖3中所示)。在接收器襯墊中，外面部分Sai的上限是由EV底盤上可用的最大空間和增加的鋁的額外成本決定的。圖2(a)中的磁通矢量表明通過引起磁場彎曲，環(huán)產(chǎn)生了更高的磁阻路徑，從而降低了泄露。此“磁通捕捉”方法產(chǎn)生更低的功率傳輸。因此，沒有環(huán)的板提供了在泄露和耦合之間的折衷。磁通能夠容易地通過其端部進入鐵氧體條中，產(chǎn)生增大的功率。
[0037]圖2、3和4中的測量值圖示了對襯墊附近的金屬物體的襯墊敏感性。EV的底盤通常由鋼制成，這能夠嚴重地降低接收器或發(fā)射器襯墊的品質(zhì)因數(shù)Ql (這里，(^是在工作頻率下線圈的電抗除以其電阻)。更大的泄露在EV底盤周圍產(chǎn)生更多的能量損失-此損失與B2成比例，因此磁通密度的微小降低可能是非常有效的。圖4顯示環(huán)降低了磁通可以通過其逃逸的區(qū)域，但不逃逸的磁通傾向于向內(nèi)朝其相對的襯墊彎曲。因此，此磁通泄露較不可能與周圍的底盤平行。相反地，當如圖2(b)所示去掉環(huán)時(背板仍存在)，磁通路徑的這種成形被降低，允許磁通無阻礙地朝向底盤行進，產(chǎn)生更大的泄露因此造成更大的損失。
[0038]因此，在一些應用中，只提供具有延伸到磁芯的周界之外的凸緣的屏蔽板可能是有利的。同樣，提供唇緣(諸如環(huán))，使得凸緣結(jié)構(gòu)提供磁芯之間的凹陷或間隙，唇緣也可以是有利的。
[0039]國際非電離福射防護委員會(ICNIRP)已經(jīng)制定出規(guī)定人類對時變磁場的暴露極限的指南。在3kHz-10MHz的范圍內(nèi)人體平均極限是27 μ T (不過必須考慮大于IOOkHz的RF特定水平)?，F(xiàn)場極限可能更大，但它們的幅值必須由每個國家的標準機構(gòu)限定。具有以40mm的δ A1放置的環(huán)的700mm的圓形襯墊在離襯墊中心大于500mm的點具有小于27 μ T的現(xiàn)場值，因此人體平均值會顯著地更低。如果去掉環(huán)(Sai= 40mm)，則在540mm的距離時達到此27 μ T的現(xiàn)場值,如果從原始襯墊去掉環(huán)(δΑ1= 0mm),則在600mm下達到此27 μ T的現(xiàn)場值。對于典型車輛的寬度尺寸，這些距離是容易接受的，不過，如果要求在更大的氣隙上有更高的功率水平，則環(huán)可能需要進一步延長。[0040]雙D拓撲
圖5中示出了另一襯墊拓撲，該拓撲通過在形成磁芯的鐵氧體條2的上方(而不是周圍)放置兩個線圈消除了不需要的后磁通路徑。鐵氧體引導線圈(標記為a和b)后面的主磁通，迫使磁通在一側(cè)(就是線圈位于的這一側(cè))上建立起來。因此，在磁芯下面提供的任何鋁(在圖5中沒有顯示)只需要屏蔽雜散場，產(chǎn)生可以忽略的損耗。理想磁通路徑顯示于圖5中，其在襯墊上形成弓形。這些路徑允許良好耦合到類似形狀的接收器，原因是基本高度(hz)基本上與襯墊長度的1A成比例。獲得兩個功率襯墊之間的高耦合因數(shù)的關(guān)鍵特征是襯墊內(nèi)耦合。襯墊內(nèi)磁通(Oip)的高度是通過調(diào)節(jié)線圈a和b在他們彼此非?？拷膮^(qū)域中的寬度來控制的。此區(qū)域在圖5中被陰影化，并被稱作線圈a和線圈b之間的“磁管”。耦合到接收器襯墊的磁通Φ?ρ中一部分是互磁通(ΦΜ)，因此，形成磁管的線圈部分應當理想地制成盡可能長。相反，線圈的剩余長度應當被理想地最小化以節(jié)省銅，降低Ra。。這樣做會產(chǎn)生形狀類似“D”的線圈，并且由于有兩個這種線圈背靠背放置，此襯墊在本文檔中被稱作雙D (DD)結(jié)構(gòu)。
[0041]此外，背板結(jié)構(gòu)可以用來控制襯墊前方的磁場的形狀和/或用來消除恰巧在襯墊的側(cè)面或后面周圍傳播的任何磁場。DD襯墊上的這種背板結(jié)構(gòu)或磁通成形結(jié)構(gòu)的效果以及該襯墊的變形在下文討論。
[0042]已經(jīng)研究了在DD襯墊的周界周圍的鋁背板的單一平面的外面部分延長的效果，以及提供周界邊緣(諸如環(huán)(作為延長的凸緣的一部分提供的形式為直立的、有角度的或垂直的唇緣))的效果。參照圖13A，圖解說明了 DD襯墊的設計，其中背板或屏蔽板16具有50mm的延長凸緣16a。圖13B示出了進一步增加5mm厚的環(huán)16b。包括仿真結(jié)構(gòu)的尺寸(單位為_)的平面圖示于圖13C中。DD發(fā)射器的結(jié)構(gòu)具有4行6個一組的鐵氧體板坯，而接收器具有4行8個一組的鐵氧體板坯。發(fā)射器襯墊和接收器襯墊之間的氣隙是125_，沒有偏置。
[0043]如圖14和15所示，圖13B和13C的襯墊結(jié)構(gòu)與背板沒有環(huán)并且不延伸到磁芯之外的結(jié)構(gòu)(在圖14和15中稱作“Orig”)進行比較。我們發(fā)現(xiàn)延長鋁將功率傳輸提高了 2.5%，而延長鋁并增加環(huán)將功率傳輸提高了 5%。兩種延長都抑制遠場的磁場泄露。然而，中心位置的磁場并沒有顯著變化一考慮到功率提高了這正如期望的那樣。
[0044]為了比較DD襯墊結(jié)構(gòu)的其它可能的設計變形，通過JMAG仿真測量兩個主要的量。Isc被測量以量化功率容量(Psu)，并在襯墊的平面上距離襯墊的中心I米處進行泄露場(B_泄露)的測量。
[0045]然而，當設計被優(yōu)化時，這些變量顯著變化。由于有兩個處于變化中的變量，因此通常難以全面量化優(yōu)化過程的總體效果。因此，結(jié)果被修改，使得每次這些變量中只有一個變化。這是通過縮放軌道電流來進行的，使得I米處的泄露場被維持在恒定水平。例如，當特定的設計參數(shù)變化時，獲得1%和[泄露。這之后，軌道電流被適當?shù)乜s放，這樣泄露場保持在參考水平。此參考水平被設置為由標準的雙D襯墊產(chǎn)生的泄露場。結(jié)果，各種提出的設計可以容易地與現(xiàn)有的 雙D襯墊比較。應當注意，縮放軌道電流的結(jié)果是，系統(tǒng)的Psu也被相應地縮放。下一部分顯示了考慮過的各種設計。
[0046]雙D同軸電纜(開始點)
同軸繞組10纏繞在磁芯2上，使得使用在背板/屏蔽板16中形成的籠子12屏蔽回路導線。板16在磁芯的縱向端上延長到磁芯2的周界之外，形成凸緣或端板14。設計旨在具有幾乎為圓形的磁通路徑，使得可以獲得最大磁通路徑高度和耦合。設計展示于圖6和7中。
[0047]雙D同軸電纜混合
接下來提出進一步的變形，并顯示于圖8和9中。此設計包含通過同軸籠子的同軸繞組(類似于圖7和8的雙D同軸電纜)以及雙D繞組(類似于上文參照圖5引用的雙D結(jié)構(gòu)的繞組a和b)。圖8和9中所示的設計旨在使用雙D繞組來進一步成形磁場，因此提高耦合并降低泄露場。
[0048]通過此設計進行優(yōu)化過程。在優(yōu)化過程中，改變幾個參數(shù)，并量化它們的效果。變化的參數(shù)在圖10中用圖形表示。結(jié)果，同軸繞組10被去掉，選擇的最優(yōu)值總結(jié)如下:
?雙D繞組的數(shù)量(最佳值N = 20，即與圖5的當前雙D類似的繞組)
?鋁(即背板)長度(最佳凹地長度=75mm,鋁角度=45度，以及端板長度=50mm)。
[0049]由優(yōu)化過程產(chǎn)生的設計示于圖11中。因此，鋁提供具有向上方向唇緣的外面部分和唇緣的凸緣邊或從唇緣下垂的凸緣邊。盡管示出，但在圖11的構(gòu)造中不要求有籠子。
[0050]結(jié)果
圖12示出了圖11的設計產(chǎn)生的磁通密度圖。背板結(jié)構(gòu)(鋁板材)在通過感生鋁結(jié)構(gòu)中的渦流來成形磁場方面起著重要作用。
[0051]使用之前概括的方法，提出的設計與當前的雙D襯墊進行比較。結(jié)果在下面示出:
【權(quán)利要求】
1.一種用于生成或接收磁通量的IPT系統(tǒng)磁通量設備，所述設備包括導磁磁芯裝置、與所述磁芯裝置磁關(guān)聯(lián)的至少一個線圈、和屏蔽裝置，所述屏蔽裝置排斥在所述磁芯裝置的相對面上提供的磁通量，使得所述屏蔽裝置包括延伸到所述磁芯裝置的至少一部分周界之外的外面部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述屏蔽裝置包括板材。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述外面部分具有周界邊緣，并且在所述磁芯周界和所述周界邊緣之間有間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述間隙被填充或被部分填充非磁性材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述外面部分基本上在所述磁芯的平面上從襯墊延伸，并且所述周界邊緣以相對于所述外面部分成角度地提供。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述角度基本上是90度，使得所述周界邊緣基本上包括唇緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述周界邊緣被設置成相對于所述外面部分成大于90度的角度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述角度在相對于所述外面部分的大約90度和150度之間。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述外面部分基本上包圍所述磁芯。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述外面部分進一步包括所述唇緣的凸緣邊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述凸緣在大致平行于第一部分的平面內(nèi)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述屏蔽裝置進一步包括籠子。
13.一種用于生成或接收磁通量的IPT系統(tǒng)磁通量設備，襯墊包括導磁磁芯、與所述磁芯磁關(guān)聯(lián)的至少一個線圈和籠子裝置，所述籠子裝置適于接收所述線圈的一個或更多個繞組。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述籠子提供于所述磁芯的第一面上，使得在所述磁芯的第一面上的一匝或更多匝線圈通過所述籠子。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的IPT系統(tǒng)磁通量設備，其中，所述設備包括襯墊。
【文檔編號】H02J7/00GK103947072SQ201280052907
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月7日
【發(fā)明者】約翰·塔爾博特·博伊斯, 格蘭特·安東尼·科維奇 申請人:奧克蘭聯(lián)合服務有限公司, 約翰·塔爾博特·博伊斯, 格蘭特·安東尼·科維奇