低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其包含有一電壓源提供供電電壓，耦接形成串聯(lián)的一分壓電阻及一熱敏電阻，并在耦接處定義為一節(jié)點(diǎn)，且形成串聯(lián)態(tài)樣的分壓電阻及熱敏電阻與電壓源為形成并聯(lián)態(tài)樣。耦接形成串聯(lián)的一保護(hù)電阻及一控制單元，控制單元并耦接于節(jié)點(diǎn)上，且形成串聯(lián)態(tài)樣的保護(hù)電阻及控制單元與該電壓源為形成并聯(lián)態(tài)樣。當(dāng)節(jié)點(diǎn)的電壓大于一預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，控制單元將被觸發(fā)使保護(hù)電阻形成電路導(dǎo)通狀態(tài)，因保護(hù)電阻與分壓電阻及熱敏電阻為并聯(lián)型態(tài)，故可降低此區(qū)域的整體電阻值，進(jìn)而對(duì)供電電壓作補(bǔ)償動(dòng)作，以提供相對(duì)穩(wěn)定的供電電壓準(zhǔn)位。
【專利說明】低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種運(yùn)用電源供應(yīng)器的設(shè)計(jì)，且特別是有關(guān)于一種具備低溫電壓 補(bǔ)償機(jī)制的電源供應(yīng)器。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前各種集成電路（1C)組件基本上都具有過溫保護(hù)功能以保護(hù)集成電路本身， 然，在實(shí)際應(yīng)用中，集成電路還必須與復(fù)數(shù)外圍電路配合工作，而在外圍電路設(shè)計(jì)中會(huì)應(yīng)用 到各種發(fā)熱量較高的電子元器件，如場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。而這些高發(fā)熱性的電子元器件的溫 度經(jīng)常會(huì)超過集成電路的溫度，導(dǎo)致在1C自身過溫保護(hù)功能發(fā)揮作用之前，該等高發(fā)熱性 電子元器件已經(jīng)燒毀，從而造成不必要的損失。
[0003] 但，除高溫容易造成電子元器件的毀損外，低溫的狀況下亦容易造成由電容提供 電壓的電路會(huì)有誤動(dòng)作的情況發(fā)生，主要是因?yàn)橛呻娙菟峁┑碾妷涸诘蜏貭顩r下容易上 升，造成電壓不穩(wěn)定。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種具備低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制的電源供應(yīng)器，確保 在低溫環(huán)境下對(duì)VCC電壓作補(bǔ)償，以提供相對(duì)穩(wěn)定的VCC電壓準(zhǔn)位，進(jìn)而確保電源供應(yīng)器正 常動(dòng)作。
[0005] 為達(dá)上述或其它目的，本發(fā)明提出一種低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其包含有一電壓源提 供供電電壓，耦接形成串聯(lián)的一分壓電阻及一熱敏電阻，并在耦接處定義為一節(jié)點(diǎn)，且形成 串聯(lián)態(tài)樣的分壓電阻及熱敏電阻與電壓源為形成并聯(lián)態(tài)樣。耦接形成串聯(lián)的一保護(hù)電阻及 一控制單元，控制單元并耦接于節(jié)點(diǎn)上，且形成串聯(lián)態(tài)樣的保護(hù)電阻及控制單元與該電壓 源為形成并聯(lián)態(tài)樣。
[0006] 綜上所述，當(dāng)節(jié)點(diǎn)的電壓大于一預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，控制單元將被觸發(fā)使保護(hù)電阻形 成電路導(dǎo)通狀態(tài)，因保護(hù)電阻與分壓電阻及熱敏電阻為并聯(lián)型態(tài)，故可降低此區(qū)域的整體 電阻值，進(jìn)而對(duì)供電電壓作補(bǔ)償動(dòng)作，以提供相對(duì)穩(wěn)定的供電電壓準(zhǔn)位。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007] 圖1系為本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的示意圖；
[0008] 圖2系為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的示意圖；以及
[0009] 圖3系為本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010] 為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例， 并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
[0011] 請(qǐng)參閱圖1所示，其系為本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的示意圖。本發(fā)明包含有一電 壓源100、一分壓電阻110、一熱敏電阻120、一保護(hù)電阻130及一控制單元140。
[0012] 電壓源100主要以提供直流的供電電壓Vcc，電壓源100其主要先藉由能量?jī)?chǔ)存于 電容后再將能量釋放出來，以提供給與周邊電路160的電力來源。
[0013] 分壓電阻110與熱敏電阻120可耦接形成串聯(lián)的態(tài)樣，且在耦接處可定義有一節(jié) 點(diǎn)150,其中形成串聯(lián)態(tài)樣的分壓電阻110及熱敏電阻120與電壓源100為形成并聯(lián)態(tài)樣。 本實(shí)施例中的熱敏電阻120主要為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，而電壓源100的電流可依次先透 過分壓電阻110后再至熱敏電阻120,最后再接地。
[0014] 保護(hù)電阻130及控制單元140亦可耦接形成串聯(lián)的態(tài)樣，且形成串聯(lián)態(tài)樣的保護(hù) 電阻130及控制單元140與電壓源100為形成并聯(lián)態(tài)樣，并有形成接地。其中，保護(hù)電阻 130跟控制單元140的連結(jié)順序的先后在此均是具有相同功效，故不加以贅述。而控制單元 140另外有耦接于節(jié)點(diǎn)150上，而控制單元140可為M0SFET或其它等效的組件。
[0015] 當(dāng)環(huán)境溫度未低于一預(yù)設(shè)溫度值時(shí)，節(jié)點(diǎn)150的電壓值則無法高于預(yù)設(shè)電壓值而 無法使控制單元140形成觸發(fā)的狀態(tài)；反的當(dāng)環(huán)境溫度降至預(yù)設(shè)溫度值后，相對(duì)可使節(jié)點(diǎn) 150的電壓高于預(yù)設(shè)電壓值，藉此可使控制單140元形成觸發(fā)的狀態(tài)，緊接著保護(hù)電阻130 則可形成電路導(dǎo)通的狀態(tài)。因保護(hù)電阻130與分壓電阻110及熱敏電阻120為并聯(lián)型態(tài)， 故可降低此區(qū)域的整體電阻值，進(jìn)而對(duì)供電電壓作補(bǔ)償動(dòng)作，以提供相對(duì)穩(wěn)定的供電電壓 準(zhǔn)位。
[0016] 請(qǐng)參閱圖2所示，其系為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例僅描述與 前一實(shí)施例的不同處，其余相同的處不再加以贅述。本實(shí)施例的熱敏電阻120主要為正溫 度系數(shù)熱敏電阻，而電壓源100的電流可依次先透過熱敏電阻120后再至分壓電阻110,最 后再接地。當(dāng)環(huán)境溫度降至預(yù)設(shè)溫度值后，亦相對(duì)可使節(jié)點(diǎn)150的電壓高于預(yù)設(shè)電壓值，藉 此可使控制單140元形成觸發(fā)的狀態(tài)，緊接著保護(hù)電阻130則可形成電路導(dǎo)通的狀態(tài)。因 保護(hù)電阻130與分壓電阻110及熱敏電阻120為并聯(lián)型態(tài)，故可降低此區(qū)域的整體電阻值， 進(jìn)而對(duì)供電電壓作補(bǔ)償動(dòng)作，以提供相對(duì)穩(wěn)定的供電電壓準(zhǔn)位。
[0017] 請(qǐng)參閱圖3所示，其系為本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例僅描述與 前兩實(shí)施例的不同處，其余相同的處不再加以贅述。本實(shí)施例以第一熱敏電阻122及第二 熱敏電阻124取代前兩實(shí)施例的分壓電阻110及熱敏電阻120。本實(shí)施例的第一熱敏電阻 122主要為正溫度系數(shù)熱敏電阻，第二熱敏電阻124則主要為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，而電壓 源100的電流可依次先透過第一熱敏電阻122后再至第二熱敏電阻124,最后再接地。當(dāng)環(huán) 境溫度降至預(yù)設(shè)溫度值后，亦相對(duì)可使節(jié)點(diǎn)150的電壓高于預(yù)設(shè)電壓值，藉此可使控制單 140元形成觸發(fā)的狀態(tài)，緊接著保護(hù)電阻130則可形成電路導(dǎo)通的狀態(tài)。因保護(hù)電阻130與 第一熱敏電阻122及第二熱敏電阻124為并聯(lián)型態(tài)，故可降低此區(qū)域的整體電阻值，進(jìn)而對(duì) 供電電壓作補(bǔ)償動(dòng)作，以提供相對(duì)穩(wěn)定的供電電壓準(zhǔn)位。
[0018] 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技 藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)是權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其特征在于包括有： 一電壓源，是提供一供電電壓； 一分壓電阻； 一熱敏電阻，其是與該分壓電阻耦接形成串聯(lián)態(tài)樣，并在耦接處定義為一節(jié)點(diǎn)，且形成 串聯(lián)態(tài)樣之該分壓電阻及該熱敏電阻與該電壓源為形成并聯(lián)態(tài)樣； 一保護(hù)電阻；以及 一控制單元，其是與該保護(hù)電阻耦接形成串聯(lián)態(tài)樣，并耦接于該節(jié)點(diǎn)，且形成串聯(lián)態(tài)樣 之該保護(hù)電阻及該控制單元與該電壓源為形成并聯(lián)態(tài)樣。
2. 如權(quán)利要求1所述的低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其中該熱敏電阻為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻， 該電壓源依次透過該分壓電阻及該熱敏電阻接地。
3. 如權(quán)利要求1所述的低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其中該熱敏電阻為正溫度系數(shù)熱敏電阻， 該電壓源依次透過該熱敏電阻及該分壓電阻接地。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其中該節(jié)點(diǎn)之電壓大于一預(yù)設(shè)電壓值 時(shí)，該控制單元將被觸發(fā)使該保護(hù)電阻形成電路導(dǎo)通狀態(tài)。
5. 如權(quán)利要求4所述的低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其中該控制單元是為MOSFET。
6. -種低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其特征在于包括有： 一電壓源，是提供一供電電壓； 一第一熱敏電阻； 一第二熱敏電阻，其是與該第一熱敏電阻耦接形成串聯(lián)態(tài)樣，并在耦接處定義為一節(jié) 點(diǎn)，且形成串聯(lián)態(tài)樣之該第一熱敏電阻及該第二熱敏電阻與該電壓源為形成并聯(lián)態(tài)樣； 一保護(hù)電阻；以及 一控制單元，其是與該保護(hù)電阻耦接形成串聯(lián)態(tài)樣，并耦接于該節(jié)點(diǎn)，且形成串聯(lián)態(tài)樣 之該保護(hù)電阻及該控制單元與該電壓源為形成并聯(lián)態(tài)樣。
7. 如權(quán)利要求6所述的低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其中該第一熱敏電阻為正溫度系數(shù)熱敏電 阻，而該第二熱敏電阻為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，該電壓源依次透過該第一熱敏電阻及該第 二熱敏電阻接地。
8. 如權(quán)利要求7所述的低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其中該節(jié)點(diǎn)之電壓大于一預(yù)設(shè)電壓值時(shí)， 該控制單元將被觸發(fā)使該保護(hù)電阻形成電路導(dǎo)通狀態(tài)。
9. 如權(quán)利要求8所述的低溫電壓補(bǔ)償機(jī)制，其中該控制單元是為MOSFET。
【文檔編號(hào)】H02H9/04GK104104076SQ201310152463
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月15日
【發(fā)明者】李長(zhǎng)恩 申請(qǐng)人:亞榮源科技（深圳）有限公司