高壓啟動電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高壓啟動電路，包括啟動電容、檢測及控制電路、充電開關器件、偏置電路。所述檢測及控制電路檢測所述啟動電容的電壓，在所述電壓低于一個電壓閾值時，控制所述偏置電路給所述充電開關器件提供偏置電壓，以使得充電開關器件導通，進而使得電源通過充電開關器件給所述啟動電容充電，否則，控制所述偏置電路不給所述充電開關器件提供偏置電壓，以使得充電開關器件關斷，進而使得電源停止給所述啟動電容充電。本發(fā)明由于無需外置電阻，且系統(tǒng)集成度高，在降低啟動時間的同時也降低了待機功耗，具有高性能低溫漂特性，不但有助于維持啟動電路的電流穩(wěn)定，而且能提高電路的可靠性與穩(wěn)定性。
【專利說明】高壓啟動電路

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于集成電路【技術領域】，具體涉及一種電源轉(zhuǎn)換器中使用的具有恒流低溫 漂特性的高壓啟動電路。

【背景技術】
[0002] 眾所周知，集成電路的核心組成部分芯片的正常運行對保證電路的整體工作效果 有著重要的作用。隨著芯片的廣泛應用，人們對芯片的啟動要求越來越高，如要求啟動時間 快、損耗低和成本低等，而更為重要的是要求芯片啟動過程滿足一定的穩(wěn)定性，以保證芯片 的正常啟動和穩(wěn)定運行。
[0003] 目前常見的用高壓器件設計電源管理類芯片的啟動電路，一般采用外置啟動電阻 的方法，實現(xiàn)從高壓取電，完成降壓和芯片的啟動。請參考圖1所述的電源管理類芯片的啟 動應用電路圖，其中，1為整流器，2為濾波器，先將市電整流，再進行濾波，得到直流電平，3 為外置啟動電阻，4為啟動電容，5為電源管理芯片，所述電源管理芯片5通過啟動電阻4從 直流線網(wǎng)取電，為啟動電容4充電，當啟動電容4電平達到啟動電壓時，芯片開始工作。由 此可以看出來，啟動電阻3上的電流并不能被關斷，而這是一路持續(xù)消耗的電流，功率由高 壓線網(wǎng)的輸入電壓和啟動電阻3共同決定，

【權利要求】
1. 一種高壓啟動電路，其特征在于，其包括： 啟動電容； 檢測及控制電路，其檢測所述啟動電容的電壓，并且所述電壓高于一個電壓閾值時，輸 出完成啟動控制信號，否則輸出非完成啟動控制信號； 充電開關器件，其一個連接端與電源端HVDC相連，另一個連接端與所述啟動電容相 連，其控制端能夠控制所述充電開關器件的導通和關斷； 偏置電路，其與電源端HVDC相連接，其給所述充電開關器件的控制端提供偏置電壓， 并接收來自所述檢測及控制電路的控制信號； 其中，在來自所述檢測及控制電路的控制信號為非完成啟動控制信號且所述電源端 HVDC與電源連接時，所述偏置電路給所述充電開關器件的控制端提供一個偏置電壓以使得 所述充電開關器件導通，此時所述電源通過所述充電開關器件給所述啟動電容充電， 在來自所述檢測及控制電路的控制信號為完成啟動控制信號且所述電源端HVDC與電 源連接時，所述偏置電路給所述充電開關器件的控制端提供另一個偏置電壓以使得所述充 電開關器件關斷，此時所述電源不能通過所述充電開關器件給所述啟動電容充電。
2. 如權利要求1所述的高壓啟動電路，其特征在于：其還包括有控制開關管，其一個連 接端作為所述電源端HVDC，另一個連接端與所述偏置電路和所述充電開關器件相連，其控 制端接地，在所述電源連接至所述電源端HVDC時，所述控制開關管導通。
3. 如權利要求2所述的高壓啟動電路，其特征在于：所述控制開關管為N型結(jié)型場效 應晶體管，其柵極接地，漏極接所述電源端HVDC，源極接與所述偏置電路和所述充電開關器 件相連。
4. 如權利要求3所述的高壓啟動電路，其特征在于：所述充電開關器件為第一 MOS晶 體管，其漏極與所述N型結(jié)型場效應晶體管的源極相連，其源極與啟動電容的一端相連，其 柵極與所述偏置電路的輸出端相連。
5. 如權利要求4所述的高壓啟動電路，其特征在于：所述偏置電路包括：第一電阻型器 件、第二電阻型器件、第三電阻型器件、第四電阻型器件、第二MOS晶體管、第三MOS晶體管 和雙極型晶體管， 雙極型晶體管的集電極通過第一電阻型器件與所述N型結(jié)型場效應晶體管的源極相 連，其發(fā)射極通過第三電阻型器件接地， 第二MOS晶體管的漏極通過第二電阻型器件與所述N型結(jié)型場效應晶體管的源極相 連，其源極通過第四電阻型器件接地，其漏極作為所述偏置電路的輸出端與第一 MOS晶體 管的柵極相連，其源極還與雙極型晶體管的基極相連， 第三MOS晶體管的漏極與雙極型晶體管的集電極相連，其源極接地，其柵極接收自所 述檢測及控制電路的控制信號， 在來自所述檢測及控制電路的控制信號為非完成啟動控制信號且所述電源端HVDC與 電源連接時，第三MOS晶體管截止，第二MOS晶體管和雙極型晶體管導通，從而使得第一MOS 晶體管導通； 在來自所述檢測及控制電路的控制信號為完成啟動控制信號且所述電源端HVDC與電 源連接時，第三MOS晶體管導通，第二MOS晶體管和雙極型晶體管關斷，從而使得第一 MOS 晶體管關斷。
【文檔編號】H02M1/36GK104518654SQ201310466177
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年10月8日 優(yōu)先權日:2013年10月8日
【發(fā)明者】張楠 申請人:無錫華潤上華半導體有限公司