一種u盤端口的保護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種U盤端口的保護(hù)電路，它包括接口電路，所述的接口電路上連接有保護(hù)電路，所述的保護(hù)電路包括三極管，所述的三極管的集電極通過(guò)電阻R1連接在接口電路上，所述的三極管的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R2，所述的三極管的集電極連接在二極管D2的陽(yáng)極上，所述的二極管的陰極與三極管的發(fā)射極相連；所述的三極管的基極連接在二極管D1的陰極上，所述的二極管D1的陽(yáng)極與接口電路相連，所述的三極管的發(fā)射極上連接有過(guò)壓保護(hù)電路。其優(yōu)點(diǎn)是：在U盤的接口電路上連接有保護(hù)電路，對(duì)U盤進(jìn)行過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)，避免電壓過(guò)大或電流過(guò)大對(duì)U盤內(nèi)部的電子元件造成破壞，提高資料存儲(chǔ)的安全性。
【專利說(shuō)明】—種U盤端口的保護(hù)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及U盤端口的保護(hù)領(lǐng)域，更具體的說(shuō)是涉及一種U盤端口的保護(hù)電路?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]U盤是一種使用USB接口的無(wú)需物理驅(qū)動(dòng)器的微型高容量移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，通過(guò)USB接口直接與電腦相連，即插即用。由于它有高容量，便攜，即插即用等優(yōu)點(diǎn)，其使用十分普遍。人們使用U盤存儲(chǔ)文件，在使用過(guò)程中，U盤的安全性十分重要。U盤內(nèi)部包括主控芯片、電阻FLASH芯片等電子元件，在插拔的過(guò)程中很容易遭受破壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種U盤端口的保護(hù)電路，其在U盤的接口電路上連接有保護(hù)電路，對(duì)U盤進(jìn)行過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)，避免電壓過(guò)大或電流過(guò)大對(duì)U盤內(nèi)部的電子元件造成破壞，提高資料存儲(chǔ)的安全性。
[0004]為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種U盤端口的保護(hù)電路，它包括接口電路，所述的接口電路上連接有保護(hù)電路，所述的保護(hù)電路包括三極管，所述的三極管的集電極通過(guò)電阻Rl連接在接口電路上，所述的三極管的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R2，所述的三極管的集電極連接在二極管D2的陽(yáng)極上，所述的二極管的陰極與三極管的發(fā)射極相連；所述的三極管的基極連接在二極管Dl的陰極上，所述的二極管Dl的陽(yáng)極與接口電路相連，所述的三極管的發(fā)射極上連接有過(guò)壓保護(hù)電路。
[0005]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是:
作為優(yōu)選，所述的過(guò)壓保護(hù)電路包括二極管D3和可控硅VS，所述的三極管的發(fā)射極上通過(guò)電阻R3與內(nèi)部電路相連，所述的三極管的發(fā)射極連接在二極管D3的陰極上，所述的二極管D3的陽(yáng)極與可控硅VS的陰極之間連接有電阻R5，所述的可控硅VS的控制級(jí)通過(guò)電阻R4連接在二極管D3的陽(yáng)極上，所述的可控硅VS的陽(yáng)極連接在內(nèi)部電路上。
[0006]進(jìn)一步的，所述的電阻R2、電阻R3、電阻R5均為多晶硅電阻。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明的三極管及其外圍電路其限流作用，避免電流過(guò)大對(duì)U盤內(nèi)部電路造成破壞，二極管和可控硅及外圍電路起限壓作用，避免電壓過(guò)大對(duì)U盤內(nèi)部電路造成破壞，該電路連接在U盤的接口電路上，使得其具有過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)功能，對(duì)U盤內(nèi)部的資料安全進(jìn)行保護(hù)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0009]圖1為本發(fā)明的保護(hù)電路的電路原理圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。本發(fā)明的實(shí)施方式包括但不限于下列實(shí)施例。
[0011][實(shí)施例]
如圖1所示的一種U盤端口的保護(hù)電路，它包括接口電路，所述的接口電路上連接有保護(hù)電路，所述的保護(hù)電路包括三極管，所述的三極管的集電極通過(guò)電阻Rl連接在接口電路上，所述的三極管的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R2，所述的三極管的集電極連接在二極管D2的陽(yáng)極上，所述的二極管的陰極與三極管的發(fā)射極相連；所述的三極管的基極連接在二極管Dl的陰極上，所述的二極管Dl的陽(yáng)極與接口電路相連，所述的三極管的發(fā)射極上連接有過(guò)壓保護(hù)電路。在本發(fā)明中，三極管及其外圍電路構(gòu)成過(guò)壓保護(hù)電路，電阻R2起過(guò)流檢測(cè)作用，使得電阻R2兩端的電壓，即允許流過(guò)電阻R2的最大電流和電阻R2的乘積為三極管基極和發(fā)射極之間的電壓，二極管Dl始終處于導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)電流大于最大電流時(shí)，三極管基極和發(fā)射極之間的電壓大于導(dǎo)通值，三極管飽和導(dǎo)通，三極管發(fā)射極和集電極之間的電壓下降，使二極管Dl截止，從而起到過(guò)流保護(hù)作用。在三極管的發(fā)射極上連接過(guò)壓保護(hù)電路，使得該電路即起到過(guò)流保護(hù)作用又具有過(guò)壓保護(hù)作用，對(duì)U盤內(nèi)部的電子元件進(jìn)行保護(hù)，以增強(qiáng)U盤的安全性。
[0012]所述的過(guò)壓保護(hù)電路包括二極管D3和可控硅VS，所述的三極管的發(fā)射極上通過(guò)電阻R3與內(nèi)部電路相連，所述的三極管的發(fā)射極連接在二極管D3的陰極上，所述的二極管D3的陽(yáng)極與可控硅VS的陰極之間連接有電阻R5，所述的可控硅VS的控制級(jí)通過(guò)電阻R4連接在二極管D3的陽(yáng)極上，所述的可控硅VS的陽(yáng)極連接在內(nèi)部電路上。過(guò)壓保護(hù)電路包括二極管D3、可控硅VS，二極管D3起穩(wěn)壓作用，當(dāng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓值時(shí)，二極管D3擊穿導(dǎo)通，輸出電壓被切斷，起到過(guò)壓保護(hù)作用。
[0013]為了提高對(duì)電路的精度，所述的電阻R2、電阻R3、電阻R5均為多晶硅電阻。電阻R2、電阻R3、電阻R5均為多晶硅電阻，可增強(qiáng)其匹配性，使得對(duì)電壓電流檢測(cè)的精度高。
[0014]如上所述即為本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明不局限于上述實(shí)施方式，任何人應(yīng)該得知在本發(fā)明的啟示下做出的結(jié)構(gòu)變化，凡是與本發(fā)明具有相同或相近的技術(shù)方案，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種U盤端口的保護(hù)電路，它包括接口電路，其特征在于:所述的接口電路上連接有保護(hù)電路，所述的保護(hù)電路包括三極管，所述的三極管的集電極通過(guò)電阻Rl連接在接口電路上，所述的三極管的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R2，所述的三極管的集電極連接在二極管D2的陽(yáng)極上，所述的二極管的陰極與三極管的發(fā)射極相連；所述的三極管的基極連接在二極管Dl的陰極上，所述的二極管Dl的陽(yáng)極與接口電路相連，所述的三極管的發(fā)射極上連接有過(guò)壓保護(hù)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種U盤端口的保護(hù)電路，其特征在于:所述的過(guò)壓保護(hù)電路包括二極管D3和可控硅VS，所述的三極管的發(fā)射極上通過(guò)電阻R3與內(nèi)部電路相連，所述的三極管的發(fā)射極連接在二極管D3的陰極上，所述的二極管D3的陽(yáng)極與可控硅VS的陰極之間連接有電阻R5，所述的可控硅VS的控制級(jí)通過(guò)電阻R4連接在二極管D3的陽(yáng)極上，所述的可控硅VS的陽(yáng)極連接在內(nèi)部電路上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種U盤端口的保護(hù)電路，其特征在于:所述的電阻R2、電阻R3、電阻R5均為多晶硅電阻。
【文檔編號(hào)】H02H9/00GK103730886SQ201310587225
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月21日
【發(fā)明者】黃友華 申請(qǐng)人:成都市宏山科技有限公司