專利名稱：一種過溫保護電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及集成電路技術，尤其涉及到過溫保護電路。
背景技術：
在開關電源集成電路中，整個電路在工作過程中會使溫度升高，如果不進行控制會使芯片燒壞，以此設置了過溫保護電路，在超過某個溫度時會使輸出關斷。
發(fā)明內容本實用新型旨在解決現(xiàn)有技術的不足，提供一種可設置溫度過高和過低時關斷的過溫保護電路。過溫保護電路，包括分壓電路、比較電路、輸出驅動電路:所述分壓電路通過分壓電阻產(chǎn)生出兩個門限電壓提供給所述比較電路；所述比較電路是把所述分壓電路產(chǎn)生的兩個門限電壓和外圍的熱敏電阻產(chǎn)生的溫度檢測電壓得到控制電壓；所述輸出驅動電路是把所述比較電路產(chǎn)生的控制電壓去控制輸出管得到溫度保護電壓。所述分壓電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻:所述第一電阻的一端接電源，另一端接所述第二電阻的一端和所述比較電路；所述第二電阻的一端接所述第一電阻的一端和所述比較電路，另一端接所述第三電阻的一端和所述輸出驅動電路；所述第三電阻的一端接所述第二電阻的一端和所述輸出驅動電路，另一端接所述第四電阻的一端；所述第四電阻的一端接所述第三電阻的一端和所述輸出驅動電路，另一端接所述第五電阻的一端和所述比較電路；所述第五電阻的一端接所述第四電阻的一端和所述比較電路，另一端接地。所述比較電路包括第一比較器和第二比較器:所述第一比較器的正輸入端接外圍溫度檢測電壓，負輸入端接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端，輸出端接所述輸出驅動電路；所述第二比較器的正輸入端接所述第四電阻的一端和所述第五電阻的一端，負輸入端接外圍溫度檢測電壓，輸出端接所述輸出驅動電路。所述輸出驅動電路包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第一 PMOS管:所述第一 NMOS管的柵極接所述第一比較器的輸出端和所述第三NMOS管的柵極，漏極接所述第二電阻的一端和所述第三電阻的一端和所述第二 NMOS管的漏極，源極接所述第三電阻的一端和所述第四電阻的一端和所述第二 NMOS管的源極；所述第二 NMOS管的柵極接所述第二比較器的輸出端和所述第四NMOS管的柵極，漏極接所述第二電阻的一端和所述第三電阻的一端和所述第一 NMOS管的漏極，源極接所述第三電阻的一端和所述第四電阻的一端和所述第一 NMOS管的源極；所述第三NMOS管的柵極接所述第一比較器的輸出端和所述第一 NMOS管的柵極，漏極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第四NMOS管的漏極,源極接地；所述第四NMOS管的柵極接所述第二比較器的輸出端和所述第二 NMOS管的柵極，漏極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第三NMOS管的漏極,源極接地；所述第一 PMOS管的柵極接偏置電壓，漏極接所述第三NMOS管的漏極和所述第四NMOS管的漏極，源極接電源。利用本實用新型提供的過溫保護電路能使整個電路的溫度控制更加可靠。

圖1為本實用新型的過溫保護電路的電路圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型內容進一步說明。過溫保護電路，如圖1所示，包括分壓電路、比較電路、輸出驅動電路:所述分壓電路通過分壓電阻產(chǎn)生出兩個門限電壓提供給所述比較電路；所述比較電路是把所述分壓電路產(chǎn)生的兩個門限電壓和外圍的熱敏電阻產(chǎn)生的溫度檢測電壓得到控制電壓；所述輸出驅動電路是把所述比較電路產(chǎn)生的控制電壓去控制輸出管得到溫度保護電壓。所述分壓電路包括第一電阻101、第二電阻102、第三電阻103、第四電阻104和第五電阻105:所述第一電阻101的一端接電源VCC，另一端接所述第二電阻102的一端和所述比較電路；所述第二電阻102的一端接所述第一電阻101的一端和所述比較電路，另一端接所述第三電阻103的一端和所述輸出驅動電路；所述第三電阻103的一端接所述第二電阻102的一端和所述輸出驅動電路，另一端接所述第四電阻104的一端；所述第四電阻104的一端接所述第三電阻103的一端和所述輸出驅動電路，另一端接所述第五電阻105的一端和所述比較電路；所述第五電阻105的一端接所述第四電阻104的一端和所述比較電路，另一端接地。所述比較電路包括第一比較器106和第二比較器107:所述第一比較器106的正輸入端接外圍溫度檢測電壓，負輸入端接所述第一電阻101的一端和所述第二電阻102的一端，輸出端接所述輸出驅動電路；所述第二比較器107的正輸入端接所述第四電阻104的一端和所述第五電阻105的一端，負輸入端接外圍溫度檢測電壓，輸出端接所述輸出驅動電路。所述輸出驅動電路包括第一 NMOS管108、第二 NMOS管109、第三NMOS管110、第四NMOS 管 111 和第一 PMOS 管 112:所述第一 NMOS管108的柵極接所述第一比較器106的輸出端和所述第三NMOS管110的柵極，漏極接所述第二電阻102的一端和所述第三電阻103的一端和所述第二 NMOS管109的漏極，源極接所述第三電阻103的一端和所述第四電阻104的一端和所述第二NMOS管109的源極；所述第二 NMOS管109的柵極接所述第二比較器107的輸出端和所述第四NMOS管111的柵極，漏極接所述第二電阻102的一端和所述第三電阻103的一端和所述第一 NMOS管108的漏極，源極接所述第三電阻103的一端和所述第四電阻104的一端和所述第一NMOS管108的源極；所述第三NMOS管110的柵極接所述第一比較器106的輸出端和所述第一 NMOS管108的柵極，漏極接所述第一 PMOS管112的漏極和所述第四NMOS管111的漏極，源極接地；所述第四NMOS管111的柵極接所述第二比較器107的輸出端和所述第二 NMOS管109的柵極，漏極接所述第一 PMOS管112的漏極和所述第三NMOS管110的漏極，源極接地；所述第一 PMOS管112的柵極接偏置電壓,漏極接所述第三NMOS管110的漏極和所述第四NMOS管111的漏極，源極接電源VCC。本實用新型公開了一種過溫保護電路，并且參照附圖描述了本實用新型的具體實施方式
和效果。應該理解到的是:上述實施例只是對本實用新型的說明，而不是對本實用新型的限制，任何不超出本實用新型實質精神范圍內的實用新型創(chuàng)造，均落入本實用新型保護范圍之內。
權利要求1.過溫保護電路，其特征在于包括分壓電路、比較電路、輸出驅動電路: 所述分壓電路通過分壓電阻產(chǎn)生出兩個門限電壓提供給所述比較電路； 所述比較電路是把所述分壓電路產(chǎn)生的兩個門限電壓和外圍的熱敏電阻產(chǎn)生的溫度檢測電壓得到控制電壓； 所述輸出驅動電路是把所述比較電路產(chǎn)生的控制電壓去控制輸出管得到溫度保護電壓。
2.如權利要求1所述的過溫保護電路，其特征在于所述分壓電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻: 所述第一電阻的一端接電源，另一端接所述第二電阻的一端和所述比較電路； 所述第二電阻的一端接所述第一電阻的一端和所述比較電路，另一端接所述第三電阻的一端和所述輸出驅動電路； 所述第三電阻的一端接所述第二電阻的一端和所述輸出驅動電路，另一端接所述第四電阻的一端； 所述第四電阻的一端接所述第三電阻的一端和所述輸出驅動電路，另一端接所述第五電阻的一端和所述比較電路； 所述第五電阻的一端接所述第四電阻的一端和所述比較電路，另一端接地。
3.如權利要求1所述的過溫保護電路，其特征在于所述比較電路包括第一比較器和第二比較器: 所述第一比較器的正輸入端接外圍溫度檢測電壓，負輸入端接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端，輸出端接所述輸出驅動電路； 所述第二比較器的正輸入端接所述第四電阻的一端和所述第五電阻的一端，負輸入端接外圍溫度檢測電壓，輸出端接所述輸出驅動電路。
4.如權利要求1所述的過溫保護電路，其特征在于所述輸出驅動電路包括第一NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第一 PMOS管: 所述第一 NMOS管的柵極接所述第一比較器的輸出端和所述第三NMOS管的柵極，漏極接所述第二電阻的一端和所述第三電阻的一端和所述第二 NMOS管的漏極，源極接所述第三電阻的一端和所述第四電阻的一端和所述第二 NMOS管的源極； 所述第二 NMOS管的柵極接所述第二比較器的輸出端和所述第四NMOS管的柵極，漏極接所述第二電阻的一端和所述第三電阻的一端和所述第一 NMOS管的漏極，源極接所述第三電阻的一端和所述第四電阻的一端和所述第一 NMOS管的源極； 所述第三NMOS管的柵極接所述第一比較器的輸出端和所述第一 NMOS管的柵極，漏極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第四NMOS管的漏極，源極接地； 所述第四NMOS管的柵極接所述第二比較器的輸出端和所述第二 NMOS管的柵極，漏極接所述所述第一 PMOS管的柵極接偏置電壓，漏極接所述第三NMOS管的漏極和所述第四NMOS管的漏極，源極接電源。
專利摘要本實用新型公開了一種過溫保護電路。過溫保護電路包括分壓電路、比較電路、輸出驅動電路所述分壓電路通過分壓電阻產(chǎn)生出兩個門限電壓提供給所述比較電路；所述比較電路是把所述分壓電路產(chǎn)生的兩個門限電壓和外圍的熱敏電阻產(chǎn)生的溫度檢測電壓得到控制電壓；所述輸出驅動電路是把所述比較電路產(chǎn)生的控制電壓去控制輸出管得到溫度保護電壓。利用本實用新型提供的過溫保護電路能使整個電路的溫度控制更加可靠。
文檔編號H02H5/04GK203071554SQ20132008060
公開日2013年7月17日 申請日期2013年2月21日 優(yōu)先權日2013年2月21日
發(fā)明者王文建 申請人:浙江商業(yè)職業(yè)技術學院