專利名稱：同向陣列式整流橋堆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及對(duì)單相二極管整流橋堆芯片結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的單相二極管整流橋堆如圖2所示，其具有兩個(gè)引線框，由于結(jié)構(gòu)關(guān)系，芯片一 11和芯片四14的P面(小)朝下，芯片二 12、芯片三13的N面(大面)朝下。這種結(jié)構(gòu)形式在本領(lǐng)域沿用至今，在生產(chǎn)中需要操作者仔細(xì)分辨、擺放芯片，如有不慎擺放錯(cuò)誤，則該成品即報(bào)廢，需要操作者全神貫注，這使得操作者的勞動(dòng)強(qiáng)度較大，生產(chǎn)效率較低。盡管大面和小面的面積相差不大，但在使用時(shí)，大面接近散熱面能提升產(chǎn)品的散熱效果。本申請(qǐng)人2011-11-16遞交的，公開(kāi)號(hào):CN202332840U，名稱“單向整流橋堆”的專利文件中公開(kāi)了一種單相二極管整流橋堆的結(jié)構(gòu)。為克服了需要分辨芯片擺放方向的問(wèn)題，調(diào)整了框架的結(jié)構(gòu)，但是該案的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，一是需要識(shí)別所述的角部是段差面還是銳角角部平面，從而完成PN結(jié)的焊接工作；二是框架的整體結(jié)構(gòu)使得產(chǎn)品最終的平面面積大，體積大，結(jié)構(gòu)松散，消耗的資源更多，產(chǎn)品的成本仍處于高位。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)以上問(wèn)題，提供了一種結(jié)構(gòu)緊湊，整體布局更加合理，進(jìn)而有效降低產(chǎn)品體積和成本的同向陣列式整流橋堆。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:包括芯片一 四、框架一 四和跳線一 四，所述框架一 四由各自的本體和引腳構(gòu)成，四只所述的框架呈對(duì)側(cè)布局，其中所述框架一和框架三的本體呈矩形，相互之間保持絕緣距離、處于所述對(duì)側(cè)布局的一側(cè)；所述框架二和框架四的本體呈C形，相互之間 呈咬合位置關(guān)系、且保持絕緣距離、處于所述對(duì)側(cè)布局的另一側(cè)；所述芯片一布設(shè)在所述框架一本體的正面，所述芯片二和芯片四分別布設(shè)在所述框架四本體的正面，所述芯片三布設(shè)在所述框架三本體的正面，所述芯片一 四的極性朝向一致；所述跳線一連接芯片一的頂面和框架二的頂面，所述跳線二連接框架一本體的頂面和芯片二的頂面，所述跳線三連接框架二的頂面和芯片三的頂面，所述跳線四連接框架三的頂面和芯片四的頂面。所述芯片一 四的頂面和底面分別為P面和N面，當(dāng)所述芯片一 四的P面朝上時(shí)，框架一和三的引腳為交流引腳，框架二的引腳為負(fù)極、框架四的引腳為正極。所述框架二和框架四的C形本體由長(zhǎng)邊、短邊和連接邊構(gòu)成，所述框架二的引腳在所述長(zhǎng)邊的邊端向外延伸；所述框架四的引腳在所述長(zhǎng)邊的根端向外延伸；所述框架二的短邊設(shè)在所述框架四的C形口中，所述框架四的短邊設(shè)在所述框架二的C形口中。[0016]本實(shí)用新型在框架平面布局上，采取的對(duì)側(cè)布局，所有芯片的極性朝向一致。其中一側(cè)采用了咬合形的布局結(jié)構(gòu)，在更小的面積上實(shí)現(xiàn)整體橋路。在橋堆焊接加工時(shí)，將四個(gè)框架分別放置在規(guī)定位置，然后無(wú)需分辨極性將芯片一一焊接到位，最后再搭接跳線。整體的加工流程沒(méi)有任何翻轉(zhuǎn)步驟。本實(shí)用新型的優(yōu)化結(jié)構(gòu)布局精巧，大幅度降低了橋堆的平面面積，最終使產(chǎn)品更小巧、耗用的原料進(jìn)一步降低，焊接效率高，操作節(jié)省人工，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，成本大幅度降低。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中11是芯片一、12是芯片二，13是芯片三，14是芯片四，21是框架一，22是框架二，23是框架三，24是框架四，31是跳線一，32是跳線二，33是跳線三，34是跳線四。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型如圖1所示，包括芯片一 四If 14、框架一 四2廣24和跳線一 四3廣34，所述框架一 四If 14由各自的本體和引腳構(gòu)成，四只所述的框架呈對(duì)側(cè)布局，其中所述框架一 21和框架三23的本體呈矩形，相互之間保持絕緣距離、處于所述對(duì)側(cè)布局的一側(cè)；所述框架二 22和框架四24的本體呈C形，相互之間呈咬合位置關(guān)系、且保持絕緣距離、處于所述對(duì)側(cè)布局的另一側(cè)；所述芯片一 11布設(shè)在所述框架一21本體的正面，所述芯片二12和芯片四14分別布設(shè)在所述框架四24本體的正面，所述芯片三13布設(shè)在所述框架三23本體的正面，所述芯片一 四If 14的極性朝向一致；所述跳線一 31連接芯片一 11的頂面和框架二 22的頂面，所述跳線 二 32連接框架一 21本體的頂面和芯片二 12的頂面，所述跳線三33連接框架二 22的頂面和芯片三13的頂面，所述跳線四34連接框架三23的頂面和芯片四14的頂面。所述芯片一 四的頂面和底面分別為P面和N面，當(dāng)所述芯片一 四的P面朝上時(shí)，框架一和三的引腳為交流引腳，框架二的引腳為負(fù)極、框架四的引腳為正極。所述框架二和框架四的C形本體由長(zhǎng)邊、短邊和連接邊構(gòu)成，所述框架二的引腳在所述長(zhǎng)邊的邊端向外延伸；所述框架四的引腳在所述長(zhǎng)邊的根端向外延伸；所述框架二的短邊設(shè)在所述框架四的C形口中，所述框架四的短邊設(shè)在所述框架二的C形口中。
權(quán)利要求1.同向陣列式整流橋堆，包括芯片一 四、框架一 四和跳線一 四，所述框架一 四由各自的本體和引腳構(gòu)成，其特征在于，四只所述的框架呈對(duì)側(cè)布局，其中所述框架一和框架三的本體呈矩形，相互之間保持絕緣距離、處于所述對(duì)側(cè)布局的一側(cè)；所述框架二和框架四的本體呈C形，相互之間呈咬合位置關(guān)系、且保持絕緣距離、處于所述對(duì)側(cè)布局的另一側(cè)；所述芯片一布設(shè)在所述框架一本體的正面，所述芯片二和芯片四分別布設(shè)在所述框架四本體的正面，所述芯片三布設(shè)在所述框架三本體的正面，所述芯片一 四的極性朝向一致； 所述跳線一連接芯片一的頂面和框架二的頂面， 所述跳線二連接框架一本體的頂面和芯片二的頂面， 所述跳線三連接框架二的頂面和芯片三的頂面， 所述跳線四連接框架三的頂面和芯片四的頂面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同向陣列式整流橋堆，其特征在于，所述芯片一 四的頂面和底面分別為P面和N面， 當(dāng)所述芯片一 四的P面朝上時(shí)，框架一和三的引腳為交流引腳，框架二的引腳為負(fù)極、框架四的引腳為正極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的同向陣列式整流橋堆，其特征在于，所述框架二和框架四的C形本體由長(zhǎng)邊、短邊和連接邊構(gòu)成， 所述框架二的引腳在所述長(zhǎng)邊的邊端向外延伸； 所述框 架四的引腳在所述長(zhǎng)邊的根端向外延伸； 所述框架二的短邊設(shè)在所述框架四的C形口中，所述框架四的短邊設(shè)在所述框架二的C形口中。
專利摘要同向陣列式整流橋堆。提供了一種結(jié)構(gòu)緊湊，整體布局更加合理，進(jìn)而有效降低產(chǎn)品體積和成本的同向陣列式整流橋堆。包括芯片一~四、框架一~四和跳線一~四，所述框架一~四由各自的本體和引腳構(gòu)成，四只所述的框架呈對(duì)側(cè)布局，其中所述框架一和框架三的本體呈矩形，相互之間保持絕緣距離、處于所述對(duì)側(cè)布局的一側(cè)；所述框架二和框架四的本體呈C形，相互之間呈咬合位置關(guān)系、且保持絕緣距離、處于所述對(duì)側(cè)布局的另一側(cè)；所述芯片一布設(shè)在所述框架一本體的正面，所述芯片二和芯片四分別布設(shè)在所述框架四本體的正面，所述芯片三布設(shè)在所述框架三本體的正面，所述芯片一~四的極性朝向一致。本實(shí)用新型中的產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，成本大幅度降低。
文檔編號(hào)H02M7/00GK203165892SQ20132020750
公開(kāi)日2013年8月28日 申請(qǐng)日期2013年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月22日
發(fā)明者王雙, 王毅 申請(qǐng)人:揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司