一種三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，包括三相驅(qū)動(dòng)模塊，一相驅(qū)動(dòng)模塊包括分壓單元、穩(wěn)壓管、第一開關(guān)單元、穩(wěn)壓電源、波形整形電路、第二開關(guān)單元和第三開關(guān)單元；分壓單元的第一端與第一開關(guān)單元的第一端連接；穩(wěn)壓管的陰極連接至分壓單元的第二端，陽極連接至分壓單元的第三端；穩(wěn)壓電源的輸入端連接至分壓單元的第二端；波形整形電路的第一輸入端連接至穩(wěn)壓電源的輸出端正極，第二輸入端連接至分壓單元的第三端，接地端通過電阻接地；第二開關(guān)單元的第一端連接至穩(wěn)壓電源的輸出端正極；第三開關(guān)單元的第一端連接第二開關(guān)單元的第二端后作為驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。本實(shí)用新型提供的驅(qū)動(dòng)電路的工作電壓范圍可達(dá)28V-90V，電路簡單，易于實(shí)現(xiàn)。
【專利說明】一種三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于三相無刷直流電機(jī)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]針對(duì)現(xiàn)有的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，通常三相橋電路的工作電壓范圍是28V-36V，如果需要三相橋的上橋臂MOS管長時(shí)間工作，那么必須外加獨(dú)立的隔離電壓給上橋臂驅(qū)動(dòng)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路供電，那么這樣就造成電路復(fù)雜，元器件多，體積大，同時(shí)可靠性下降。大多采用自舉電容供電方式，自己電容容量有限，而且充放電需要工作在開關(guān)狀態(tài)，所以必須工作在開關(guān)狀態(tài)，上橋的MOS管不適應(yīng)長時(shí)間導(dǎo)通工作。電機(jī)不能低速選擇，三相橋電路上橋MOS管不能長時(shí)間導(dǎo)通。還有一種方式是采用電荷泵供電，其電荷泵供電電路也相當(dāng)復(fù)雜，電路體積大，可靠降低。
[0003]由于三相無刷直流電機(jī)可能出現(xiàn)低速轉(zhuǎn)動(dòng)或者停轉(zhuǎn)，所以三相橋輸?shù)纳蠘虮蹜?yīng)具備長時(shí)間開通狀態(tài)?，F(xiàn)有的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路工作電壓范圍窄，電機(jī)不能低速轉(zhuǎn)動(dòng)，而損壞驅(qū)動(dòng)電路。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本實(shí)用新型提供了一種三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，其目的在于使得三相橋電路工作電壓范圍寬，由此解決現(xiàn)有的三相橋電路的工作電壓范圍窄，電機(jī)不能低速轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)致?lián)p壞驅(qū)動(dòng)電路的技術(shù)問題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供了一種三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，包括三相驅(qū)動(dòng)模塊，其中一相驅(qū)動(dòng)模塊包括:分壓單元、穩(wěn)壓管D1、第一開關(guān)單元、穩(wěn)壓電源、波形整形電路U1A、第二開關(guān)單元和第三開關(guān)單元；第一開關(guān)單元的控制端用于連接高電平輸入端SAH ;分壓單元的第一端與所述第一開關(guān)單元的第一端連接；穩(wěn)壓管Dl的陰極連接至所述分壓單元的第二端，陽極連接至所述分壓單元的第三端；穩(wěn)壓電源的輸入端連接至分壓單元的第二端；波形整形電路UlA的第一輸入端連接至穩(wěn)壓電源的輸出端正極，波形整形電路UlA的第二輸入端連接至分壓單元的第三端，波形整形電路UlA的接地端通過電阻R12接地；第二開關(guān)單元的控制端連接至UlA的輸出端，第二開關(guān)單元的第一端連接至穩(wěn)壓電源的輸出端正極；穩(wěn)壓電源的輸出端負(fù)極連接至所述波形整形電路UlA的接地端；第三開關(guān)單元的控制端用于連接低電平輸入端SAL，第三開關(guān)單元的第一端連接所述第二開關(guān)單元的第二端后作為驅(qū)動(dòng)電路的輸出端U，第三開關(guān)單元的第二端接地。
[0006]更進(jìn)一步地，所述分壓單元包括依次串聯(lián)連接的電阻R4和電阻R5，電阻R4和電阻R5的串聯(lián)連接端作為分壓單元的第三端，電阻R5的非串聯(lián)連接端作為分壓單元的第一端，電阻R4的非串聯(lián)連接端作為分壓單元的第二端；所述電阻R4的阻值與所述電阻R5的阻值相等。
[0007]更進(jìn)一步地，第一開關(guān)單元包括:M0S管Ql和電阻Rl ;所述MOS管Ql的柵極作為第一開關(guān)單元的控制端，MOS管Ql的漏極作為第一開關(guān)單元的第一端，源極作為第一開關(guān)單元的第二端，電阻Rl連接在柵極和源極之間。
[0008]更進(jìn)一步地，所述穩(wěn)壓電源包括:依次串聯(lián)連接的電阻RlO和電阻R11，穩(wěn)壓元件D4以及并聯(lián)在所述穩(wěn)壓元件D4的第一端與第二端之間的電容Cl ;所述穩(wěn)壓元件D4的第一端與分壓單元的輸出端連接，所述穩(wěn)壓元件D4的第二端與所述波形整形電路UlA的接地端連接，所述穩(wěn)壓元件D4的第三端與所述電阻RlO和所述電阻Rll的串聯(lián)連接端連接。
[0009]更進(jìn)一步地，所述第二開關(guān)單元包括:M0S管Q4和電阻R13 ;所述MOS管Q4的柵極作為第二開關(guān)單元的控制端，MOS管Q4的漏極作為第二開關(guān)單元的第二端，源極作為第二開關(guān)單元的第一端，電阻R13連接在柵極和源極之間。
[0010]更進(jìn)一步地，第三開關(guān)單元包括:M0S管Q7和電阻R16 ;所述MOS管Q7的柵極作為第三開關(guān)單元的控制端，MOS管Q7的漏極作為第三開關(guān)單元的第一端，源極作為第三開關(guān)單元的第二端，電阻R16連接在柵極和源極之間。
[0011]更進(jìn)一步地，所述三相驅(qū)動(dòng)模塊采用混合厚膜集成電路制造工藝和BeO基板制成。
[0012]本實(shí)用新型提供的驅(qū)動(dòng)電路的工作電壓范圍可達(dá)28V-90V，電路簡單，易于實(shí)現(xiàn)?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路中一相的具體電路圖；
[0014]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路的具體電路圖。
[0015]在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。此外，下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0017]針對(duì)現(xiàn)有的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路工作電壓范圍窄，電機(jī)不能低速轉(zhuǎn)動(dòng)，而損壞驅(qū)動(dòng)電路，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路；通過控制三極管及施密特波形整形電路等元器件實(shí)現(xiàn)寬工作電壓范圍和解決電機(jī)低速轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)功能。可廣泛應(yīng)用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)，三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及高端PMOS管驅(qū)動(dòng)，控制電路等領(lǐng)域。
[0018]現(xiàn)設(shè)計(jì)一款工作電壓范圍為28V-90V的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路(通常我們的電壓范圍為28V-36V)。指標(biāo)要求最大傳輸功率:550W ;最大連續(xù)輸出電流:15A ;三相橋工作電壓:28V-90V ;同時(shí)三相橋應(yīng)具備長時(shí)間導(dǎo)通功能；工作溫度范圍:_55°C?125°C。而這款三相橋電路工作電壓范圍寬，可達(dá)28V-90V，甚至更寬的工作電壓范圍。
[0019]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路包括:三相驅(qū)動(dòng)模塊，如圖1所示，其中一相驅(qū)動(dòng)模塊包括:分壓單元10、穩(wěn)壓管D1、第一開關(guān)單元11、穩(wěn)壓電源12、波形整形電路U1A、第二開關(guān)單元13和第三開關(guān)單元14 ;第一開關(guān)單元11的控制端用于連接A相高電平輸入端SAH ;分壓單元10的第一端與所述第一開關(guān)單元11的第一端連接；穩(wěn)壓管Dl的陰極連接至所述至分壓單元10的第二端，陽極連接至所述分壓單元10的第三端；穩(wěn)壓電源12的輸入端連接至分壓單元10的第二端；波形整形電路UlA的第一輸入端連接至穩(wěn)壓電源12的輸出端正極，波形整形電路UlA的第二輸入端連接至分壓單元10的第三端，波形整形電路UlA的接地端通過電阻R12接地；第二開關(guān)單元13的控制端連接至UlA的輸出端，第二開關(guān)單元13的第一端連接至穩(wěn)壓電源12的輸出端正極，穩(wěn)壓電源12的輸出端負(fù)極連接至波形整形電路UlA的接地端；第三開關(guān)單元14的控制端用于連接A相低電平輸入端SAL，第三開關(guān)單元14的第一端連接所述第二開關(guān)單元13的第二端后作為驅(qū)動(dòng)電路的輸出端U，第三開關(guān)單元14的第二端接地。
[0020]其中，分壓單元10包括依次串聯(lián)連接的電阻R4和電阻R5，電阻R4和電阻R5的串聯(lián)連接端作為分壓單元10的第三端，電阻R5的非串聯(lián)連接端作為分壓單元10的第一端，電阻R4的非串聯(lián)連接端作為分壓單元10的第二端；所述電阻R4的阻值與所述電阻R5的阻值相等。
[0021]作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，第一開關(guān)單元11包括:M0S管Ql和電阻Rl ;所述MOS管Ql的柵極作為第一開關(guān)單元11的控制端，MOS管Ql的漏極作為第一開關(guān)單元11的第一端，源極作為第一開關(guān)單元11的第二端，電阻Rl連接在柵極和源極之間。
[0022]其中，穩(wěn)壓電源12包括:依次串聯(lián)連接的電阻RlO和電阻R11，穩(wěn)壓元件D4以及并聯(lián)在所述穩(wěn)壓元件D4的第一端與第二端之間的電容Cl ;穩(wěn)壓元件D4的第一端與分壓單元10的輸出端連接，所述穩(wěn)壓元件D4的第二端與所述波形整形電路UlA的接地端連接，所述穩(wěn)壓元件D4的第三端與所述電阻RlO和所述電阻Rll的串聯(lián)連接端連接。
[0023]作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，第二開關(guān)單元13包括:M0S管Q4和電阻R13 ;所述MOS管Q4的柵極作為第二開關(guān)單元13的控制端，MOS管Q4的漏極作為第二開關(guān)單元13的第二端，源極作為第二開關(guān)單元13的第一端，電阻R13連接在柵極和源極之間。
[0024]作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，第三開關(guān)單元14包括:M0S管Q7和電阻R16 ;所述MOS管Q7的柵極作為第三開關(guān)單元14的控制端，MOS管Q7的漏極作為第三開關(guān)單元14的第一端，源極作為第三開關(guān)單元14的第二端，電阻R16連接在柵極和源極之間。
[0025]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，波形整形電路UlA可以采用施密特波形整形電路。所有的開關(guān)單元還可以為其它能夠?qū)崿F(xiàn)開關(guān)功能的元器件。
[0026]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，本電壓范圍寬的三相橋高端PMOS管驅(qū)動(dòng)電路是基于⑶40106為核心的一款驅(qū)動(dòng)高端PMOS管的驅(qū)動(dòng)電路。在制造工藝上是采用BeO基板、混合厚膜集成電路工藝制成。
[0027]為了更進(jìn)一步的說明本實(shí)用新型實(shí)施例，現(xiàn)結(jié)合圖1詳述其單路工作原理如下:電路主要是驅(qū)動(dòng)上橋臂的PMOS管。兩路輸入，SAH端是一路高端PMOS管輸入控制，SAL端是一路低端NMOS管輸入控制，V+端是工作電源端，工作電壓范圍(28V-90V)。PGND端是對(duì)的電源地。通過前級(jí)信號(hào)輸入，控制橋路的兩個(gè)MOS管開通或關(guān)斷，失效對(duì)電機(jī)的控制。
[0028]當(dāng)V+端和PGND端加28V電壓時(shí)，當(dāng)SAH輸入端接高電平時(shí)，Ql管導(dǎo)通，電源V+經(jīng)過R4、R5、Ql到PGND形成回路。由于Ql導(dǎo)通后壓降很小，可忽略不計(jì)。R4和R5阻值一樣構(gòu)成分壓。Dl為15V的穩(wěn)壓管(暫時(shí)不工作)，是用于限制R4的電壓。R4兩端的電壓輸給U1A，UlA輸出低電平，使Q4的G極和S極為負(fù)15V電壓，Q4導(dǎo)通。UlA為一個(gè)反向的施密特波形整形電路，其電源端接V+，地端接電阻R12。D4為一個(gè)穩(wěn)壓器件，是通過RlO和Rll分壓穩(wěn)定在15V，Cl為15V的濾波電容，D4、R10、R11、C1構(gòu)成一個(gè)穩(wěn)壓電源，為UlA芯片供電。R12為一個(gè)功率電阻，接到地線上。R12上所承受的電壓為:V+減去UlA的供電電壓15V。當(dāng)V+升高時(shí)，UlA和R4兩端電壓始終保持在15V。改變的是R12和R5兩端的電壓。這樣就實(shí)現(xiàn)了高端PMOS管驅(qū)動(dòng)的開通功能。Rl為Ql的放電回路電阻，R13為Q4的放電回路電阻，R16為Q7的放電回路電阻。
[0029]當(dāng)V+端和PGND端加28V電壓時(shí)，當(dāng)SAH輸入端接低電平時(shí)，Ql管關(guān)斷，電源V+經(jīng)過R4、R5、Ql到PGND形成不回路。R4兩端的電壓輸給U1A，UlA輸出高電平，使Q4的G極和S極為OV電壓，Q4關(guān)斷。UlA為一個(gè)反向的施密特波形整形電路，其電源端接V+，地端接電阻R12。D4為一個(gè)穩(wěn)壓器件，是通過RlO和Rll分壓穩(wěn)定在15V，Cl為15V的濾波電容，D4、RIO、R11、Cl構(gòu)成一個(gè)穩(wěn)壓電源，為UlA芯片供電。R12為一個(gè)功率電阻，接到地線上。R12上所承受的電壓為:V+減去UlA的供電電壓15V。這樣就實(shí)現(xiàn)了高端PMOS管驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷功能。
[0030]當(dāng)V+端和PGND端加36V電壓時(shí)，當(dāng)SAH輸入端接高電平時(shí)，Ql管導(dǎo)通，電源V+經(jīng)過R4、R5、Q1到PGND形成回路。由于Ql導(dǎo)通后壓降很小，可忽略不計(jì)。R4和R5阻值一樣構(gòu)成分壓。Dl將R4兩端的電壓限制在15V。R4兩端的電壓輸給U1A，UlA輸出低電平，使Q4的G極和S極為負(fù)15V電壓，Q4導(dǎo)通。UlA為一個(gè)反向的施密特波形整形電路，其電源端接V+，地端接電阻R12。D4為一個(gè)穩(wěn)壓器件，是通過RlO和Rll分壓穩(wěn)定在15V，C1為15V的濾波電容，D4、R10、R11、C1構(gòu)成一個(gè)穩(wěn)壓電源，為UlA芯片供電。R12為一個(gè)功率電阻，接到地線上。R12上所承受的電壓為:V+減去UlA的供電電壓15V。當(dāng)V+升高時(shí)，UlA和R4兩端電壓始終保持在15V。改變的是R12和R5兩端的電壓。這樣就實(shí)現(xiàn)了高端PMOS管驅(qū)動(dòng)的開通功能。
[0031]當(dāng)V+端和PGND端加36V電壓時(shí)，當(dāng)SAH輸入端接低電平時(shí)，Ql管關(guān)斷，電源V+經(jīng)過R4、R5、Ql到PGND形成不回路。R4兩端的電壓輸給U1A，UlA輸出高電平，使Q4的G極和S極為OV電壓，Q4關(guān)斷。UlA為一個(gè)反向的施密特波形整形電路，其電源端接V+，地端接電阻R12。D4為一個(gè)穩(wěn)壓器件，是通過RlO和Rll分壓穩(wěn)定在15V，Cl為15V的濾波電容，D4、RIO、R11、Cl構(gòu)成一個(gè)穩(wěn)壓電源，為UlA芯片供電。R12為一個(gè)功率電阻，接到地線上。R12上所承受的電壓為:V+減去UlA的供電電壓15V。這樣就實(shí)現(xiàn)了高端PMOS管驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷功能。
[0032]當(dāng)V+電壓加到90V時(shí)，和36V時(shí)同樣的工作原理可實(shí)現(xiàn)。說明該電路可工作寬電壓范圍。
[0033]圖2示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路的具體電路圖；本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在實(shí)現(xiàn)了單相電路的基礎(chǔ)上結(jié)合圖2所示的電路結(jié)構(gòu)很容易實(shí)現(xiàn)三相電路，因此不再詳述。
[0034]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)電路的工作電壓范圍可達(dá)28V-90V，電路簡單，易于實(shí)現(xiàn)；三相橋的上橋臂可長時(shí)間導(dǎo)通；改善三相橋的上橋PMOS管的驅(qū)動(dòng)波形，開關(guān)管的工作效率。
[0035]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種三相無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括三相驅(qū)動(dòng)模塊，其中一相驅(qū)動(dòng)模塊包括:分壓單元(10)、穩(wěn)壓管D1、第一開關(guān)單元(11)、穩(wěn)壓電源(12)、波形整形電路U1A、第二開關(guān)單元(13)和第三開關(guān)單元(14); 第一開關(guān)單元(11)的控制端用于連接高電平輸入端； 分壓單元(10)的第一端與所述第一開關(guān)單元(11)的第一端連接； 穩(wěn)壓管Dl的陰極連接至所述分壓單元(10)的第二端，陽極連接至所述分壓單元(10)的第三端； 穩(wěn)壓電源(12)的輸入端連接至分壓單元(10)的第二端； 波形整形電路UlA的第一輸入端連接至穩(wěn)壓電源(12)的輸出端正極，波形整形電路UlA的第二輸入端連接至分壓單元(10)的第三端，波形整形電路UlA的接地端通過電阻R12接地； 第二開關(guān)單元(13)的控制端連接至UlA的輸出端，第二開關(guān)單元(13)的第一端連接至穩(wěn)壓電源(12)的輸出端正極；所述穩(wěn)壓電源(12)的輸出端負(fù)極連接至所述波形整形電路UlA的接地端； 第三開關(guān)單元(14)的控制端用于連接低電平輸入端，第三開關(guān)單元(14)的第一端連接所述第二開關(guān)單元(13)的第二端后作為驅(qū)動(dòng)電路的輸出端U，第三開關(guān)單元(14)的第二端接地。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述分壓單元(10)包括依次串聯(lián)連接的電阻R4和電阻R5，電阻R4和電阻R5的串聯(lián)連接端作為分壓單元(10)的第三端，電阻R5的非串聯(lián)連接端作為分壓單元(10)的第一端，電阻R4的非串聯(lián)連接端作為分壓單元(10)的第二端；所述電阻R4的阻值與所述電阻R5的阻值相等。
3.如權(quán)利要求1或2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)單元(11)包括:MOS管Ql和電阻Rl ； 所述MOS管Ql的柵極作為所述第一開關(guān)單元(11)的控制端，所述MOS管Ql的漏極作為所述第一開關(guān)單元(11)的第一端，所述MOS管Ql的源極作為所述第一開關(guān)單元(11)的第二端，所述電阻Rl連接在所述MOS管Ql的柵極和源極之間。
4.如權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓電源(12)包括:依次串聯(lián)連接的電阻RlO和電阻Rl I，穩(wěn)壓元件D4以及并聯(lián)在所述穩(wěn)壓元件D4的第一端與第二端之間的電容Cl ； 所述穩(wěn)壓元件D4的第一端與分壓單元(10)的輸出端連接，所述穩(wěn)壓元件D4的第二端與所述波形整形電路UlA的接地端連接，所述穩(wěn)壓元件D4的第三端與所述電阻RlO和所述電阻Rll的串聯(lián)連接端連接。
5.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第二開關(guān)單元(13)包括:M0S管Q4和電阻R13 ； 所述MOS管Q4的柵極作為所述第二開關(guān)單元(13)的控制端，所述MOS管Q4的漏極作為所述第二開關(guān)單元(13)的第二端，所述MOS管Q4的源極作為所述第二開關(guān)單元(13)的第一端，所述電阻R13連接在所述MOS管Q4的柵極和源極之間。
6.如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第三開關(guān)單元(14)包括:M0S管Q7和電阻R16 ；所述MOS管Q7的柵極作為第三開關(guān)單元(14)的控制端，所述MOS管Q7的漏極作為所述第三開關(guān)單元(14)的第一端，所述MOS管Q7的源極作為所述第三開關(guān)單元(14)的第二端，電阻R16連接在所述MOS管Q7的柵極和源極之間。
7.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述三相驅(qū)動(dòng)模塊采用混合厚膜集成電路制造工藝和BeO基板制成。
【文檔編號(hào)】H02P6/16GK203457088SQ201320516467
【公開日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】陳建功, 劉錦富, 韓可, 元金皓, 李迪迦 申請(qǐng)人:深圳市振華微電子有限公司