電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、dc-dc變換器及其電壓尖峰抑制電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型屬于電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，提供了一種電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、DC-DC變換器及其電壓尖峰抑制電路。本實(shí)用新型通過(guò)在DC-DC變換器中采用包括鉗位儲(chǔ)能模塊和電能轉(zhuǎn)移模塊的電壓尖峰抑制電路，鉗位儲(chǔ)能模塊將所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端所產(chǎn)生的電壓尖峰進(jìn)行鉗位處理并儲(chǔ)存電能，再由電能轉(zhuǎn)移模塊在控制器檢測(cè)鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端對(duì)地的電壓并相應(yīng)地輸出控制信號(hào)時(shí)，根據(jù)該控制信號(hào)將鉗位儲(chǔ)能模塊所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電壓尖峰的抑制，并將抑制電壓尖峰所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2，最后由電容C2向負(fù)載供電，降低了第一開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗，有助于延長(zhǎng)第一開(kāi)關(guān)管的壽命，并提高DC-DC變換器的直流電轉(zhuǎn)換效率和可靠性，且降低成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、DC-DC變換器及其電壓尖峰抑制電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，尤其涉及ー種電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、DC-DC變換器及其電壓尖峰抑制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著煤炭、石油、天然氣等不可再生資源的減少，能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題日益嚴(yán)重，因此，對(duì)清潔能源的開(kāi)發(fā)和有效利用就成為了ー個(gè)迫切需要解決的問(wèn)題。目前，太陽(yáng)能、風(fēng)能、地?zé)崮艿葻o(wú)污染的新能源已經(jīng)被廣泛利用并由相應(yīng)的發(fā)電系統(tǒng)轉(zhuǎn)換成電カ供給，而在對(duì)應(yīng)的光伏發(fā)電系統(tǒng)、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)、地?zé)崮馨l(fā)電系統(tǒng)等發(fā)電系統(tǒng)中，DC-DC變換器是ー個(gè)重要的組成部分，其用于將光能、風(fēng)能或地?zé)崮艿饶芰窟M(jìn)行轉(zhuǎn)換所獲取的電能進(jìn)行電壓變換后輸送至電池進(jìn)行儲(chǔ)能，或者將電池中的電能進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換后提供給用電設(shè)備。對(duì)于現(xiàn)有的新能源發(fā)電系統(tǒng)中的DC-DC變換器，由于耦合電感的漏感和引線(xiàn)電感等參數(shù)的影響，DC-DC變換器中的用于電壓變換的開(kāi)關(guān)管會(huì)在關(guān)斷時(shí)在其輸入端與輸出端(如果該開(kāi)關(guān)管為NMOS管，則NMOS管的漏極和源極分別為輸入端和輸出端)之間產(chǎn)生較高的電壓尖峰，該電壓尖峰會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗增大，并會(huì)進(jìn)而縮短其使用壽命，從而降低了直流電轉(zhuǎn)換效率和可靠性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供ー種DC-DC變換器的電壓尖峰抑制電路，g在對(duì)DC-DC變換器中的開(kāi)關(guān)管的輸入端實(shí)現(xiàn)電壓尖峰抑制，以達(dá)到減小開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗和延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)管的使用壽命，并進(jìn)而提升DC-DC變換器的直流電轉(zhuǎn)換效率和可靠性的目的。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，ー種DC-DC變換器的電壓尖峰抑制電路，與所述DC-DC變換器中的耦合電感Tl、第一開(kāi)關(guān)管、ニ極管D3、電容C2及控制器連接，所述耦合電感Tl的初級(jí)線(xiàn)圈的異名端和次級(jí)線(xiàn)圈的同名端共接于所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端，所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端在所述第一開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰；所述控制器控制所述第一開(kāi)關(guān)管的通斷；所述ニ極管D3的陰極和所述電容C2的正極共接向負(fù)載的輸入正端供電；所述電容C2的負(fù)極連接所述負(fù)載的輸入負(fù)端；
[0005]所述電壓尖峰抑制電路包括:
[0006]將所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端所產(chǎn)生的電壓尖峰進(jìn)行鉗位處理并儲(chǔ)存電能的鉗位儲(chǔ)能模塊；以及
[0007]在所述控制器檢測(cè)所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端對(duì)地的電壓并相應(yīng)地輸出控制信號(hào)時(shí)，根據(jù)所述控制信號(hào)將所述鉗位儲(chǔ)能模塊所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至所述電容C2的電能轉(zhuǎn)移模塊；
[0008]所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸入端連接所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端、所述耦合電感Tl的初級(jí)線(xiàn)圈的異名端和次級(jí)線(xiàn)圈的同名端，所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端連接所述控制器，所述鉗位儲(chǔ)能模塊的地端與所述第一開(kāi)關(guān)管的輸出端共接于地，所述電能轉(zhuǎn)移模塊的輸入端連接所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端，所述電能轉(zhuǎn)移模塊的輸出端連接所述電容C2的正極，所述電能轉(zhuǎn)移模塊的控制端連接所述控制器，所述電能轉(zhuǎn)移模塊的地端與所述電容C2的負(fù)極共接于地。
[0009]本實(shí)用新型還提供了ー種包括所述電壓尖峰抑制電路的DC-DC變換器。
[0010]本實(shí)用新型還提供了ー種包括所述DC-DC變換器的電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
[0011]本實(shí)用新型通過(guò)在DC-DC變換器中采用包括鉗位儲(chǔ)能模塊和電能轉(zhuǎn)移模塊的電壓尖峰抑制電路，鉗位儲(chǔ)能模塊將所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端所產(chǎn)生的電壓尖峰進(jìn)行鉗位處理并儲(chǔ)存電能，再由電能轉(zhuǎn)移模塊在控制器檢測(cè)鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端對(duì)地的電壓并相應(yīng)地輸出控制信號(hào)時(shí)，根據(jù)該控制信號(hào)將鉗位儲(chǔ)能模塊所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電壓尖峰的抑制，并將抑制電壓尖峰所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2，最后由電容C2向負(fù)載供電，有效地降低了第一開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗，有助于延長(zhǎng)第一開(kāi)關(guān)管的使用壽命，進(jìn)而提高了 DC-DC變換器的直流電轉(zhuǎn)換效率和可靠性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的包括電壓尖峰抑制電路的DC-DC變換器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的包括電壓尖峰抑制電路的DC-DC變換器的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0014]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的包括電壓尖峰抑制電路的DC-DC變換器的示例電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一歩詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0016]本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)在DC-DC變換器中采用包括鉗位儲(chǔ)能模塊和電能轉(zhuǎn)移模塊的電壓尖峰抑制電路，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電壓尖峰的抑制，并將抑制電壓尖峰所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2,最后由電容C2向負(fù)載供電,有效地降低了第一開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗，有助于延長(zhǎng)第一開(kāi)關(guān)管的使用壽命，進(jìn)而提高了 DC-DC變換器的直流電轉(zhuǎn)換效率和可靠性。
[0017]圖1示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的包括電壓尖峰抑制電路的DC-DC變換器的結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分，詳述如下:
[0018]DC-DC變換器包括耦合電感T1、第一開(kāi)關(guān)管200、ニ極管D3、電容C2及控制器300，耦合電感Tl的初級(jí)線(xiàn)圈的同名端I接入直流電DC，耦合電感Tl的初級(jí)線(xiàn)圈的的異名端3和次級(jí)線(xiàn)圈的同名端2共接于第一開(kāi)關(guān)管200的輸入端，耦合電感Tl的次級(jí)線(xiàn)圈的異名端4連接ニ極管D3的陽(yáng)極，第一開(kāi)關(guān)管200的控制端和地端分別連接控制器300和地，第一開(kāi)關(guān)管200的輸入端在第一開(kāi)關(guān)管200關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰；控制器300控制第一開(kāi)關(guān)管200的通斷；ニ極管D3的陰極和電容C2的正極共接向負(fù)載400的輸入正端供電；電容C2的負(fù)極連接負(fù)載400的輸入負(fù)端。
[0019]DC-DC變換器還包括電壓尖峰抑制電路100，電壓尖峰抑制電路100與耦合電感Tl、第一開(kāi)關(guān)管200、二極管D3、電容C2及控制器300連接。
[0020]電壓尖峰抑制電路100包括:
[0021]將第一開(kāi)關(guān)管200的輸入端所產(chǎn)生的電壓尖峰進(jìn)行鉗位處理并儲(chǔ)存電能的鉗位儲(chǔ)能模塊101;以及
[0022]在控制器300檢測(cè)鉗位儲(chǔ)能模塊101的輸出端對(duì)地的電壓并相應(yīng)地輸出控制信號(hào)時(shí)，根據(jù)該控制信號(hào)將鉗位儲(chǔ)能模塊101所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2的電能轉(zhuǎn)移模塊102。
[0023]鉗位儲(chǔ)能模塊101的輸入端連接第一開(kāi)關(guān)管200的輸入端、耦合電感Tl的初級(jí)線(xiàn)圈的異名端3和次級(jí)線(xiàn)圈的同名端2，鉗位儲(chǔ)能模塊101的輸出端連接控制器300，鉗位儲(chǔ)能模塊101的地端與第一開(kāi)關(guān)管200的輸出端共接于地，電能轉(zhuǎn)移模塊102的輸入端連接鉗位儲(chǔ)能模塊101的輸出端，電能轉(zhuǎn)移模塊102的輸出端連接電容C2的正極，電能轉(zhuǎn)移模塊102的控制端連接控制器300，電能轉(zhuǎn)移模塊102的地端與電容C2的負(fù)極共接于地。
[0024]圖2示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的包括電壓尖峰抑制電路的DC-DC變換器的電路結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分，詳述如下:
[0025]作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，第一開(kāi)關(guān)管200可以是三極管、MOS管、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)或其他具備開(kāi)關(guān)特性的半導(dǎo)體器件；如圖3所示，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)管200為NMOS管Ql時(shí)，NMOS管Ql的柵極、漏極和源極分別為第一開(kāi)關(guān)管200的控制端、輸入端和輸出端,則電壓尖峰就是產(chǎn)生于NMOS管Ql的漏極，同時(shí)該電壓尖峰會(huì)使NMOS管Ql的漏極與源極之間的電壓應(yīng)力變大，并進(jìn)而增大NMOS管Ql的開(kāi)關(guān)損耗。
[0026]作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，鉗位儲(chǔ)能模塊101包括第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011和電容Cl，第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011的`輸入端為鉗位儲(chǔ)能模塊101的輸入端，第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011的輸出端與電容Cl的第一端的共接點(diǎn)為鉗位儲(chǔ)能模塊101的輸出端，電容Cl的第二端為鉗位儲(chǔ)能模塊101的地端。
[0027]其中，第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011具體可以是二極管、三極管、MOS管、IGBT或其他具備開(kāi)關(guān)特性的半導(dǎo)體器件；如圖3所示，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體開(kāi)關(guān)1011為二極管Dl時(shí)，二極管Dl的陽(yáng)極和陰極分別為第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011的輸入端和輸出端；而當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體開(kāi)關(guān)1011為三極管、MOS管、IGBT或其他具備開(kāi)關(guān)特性的半導(dǎo)體器件時(shí)，第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011還連接控制器300，并由控制器300進(jìn)行通斷控制(即控制器300控制第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011的通斷)，并以實(shí)現(xiàn)二極管特性為目的確定所選用的半導(dǎo)體器件的端極與第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011的輸入端和輸出端的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0028]作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，電能轉(zhuǎn)移模塊102包括:
[0029]電感L1、第二開(kāi)關(guān)管1021以及第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管1022 ；
[0030]電感LI的第一端為電能轉(zhuǎn)移模塊102的輸入端，電感LI的第二端與第二開(kāi)關(guān)管1021的輸入端共接于第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管1022的輸入端，第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管1022的輸出端為電能轉(zhuǎn)移模塊102的輸出端，第二開(kāi)關(guān)管1021的控制端和輸出端分別為電能轉(zhuǎn)移模塊102的控制〗而和地立而。
[0031]其中，第二開(kāi)關(guān)管1021具體可以是三極管、MOS管、IGBT或其他具備開(kāi)關(guān)特性的半導(dǎo)體器件；如圖3所示，當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)管1021為NMOS管Q2時(shí)，NMOS管Q2的柵極、漏極和源極分別為第二開(kāi)關(guān)管1021的控制端、輸入端和輸出端。[0032]第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1022具體可以是二極管、三極管、MOS管、IGBT或其他具備開(kāi)關(guān)特性的半導(dǎo)體器件；如圖3所示，當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體開(kāi)關(guān)1022為二極管D2時(shí)，二極管D2的陽(yáng)極和陰極分別為第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1022的輸入端和輸出端；而當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體開(kāi)關(guān)1022為三極管、MOS管、IGBT或其他具備開(kāi)關(guān)特性的半導(dǎo)體器件時(shí)，第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1022還連接控制器300，并由控制器300進(jìn)行通斷控制(即控制器300控制第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1011的通斷)，并以實(shí)現(xiàn)二極管特性為目的確定所選用的半導(dǎo)體器件的端極與第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)1022的輸入端和輸出端的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0033]以下結(jié)合圖3對(duì)電壓尖峰抑制電路100在DC-DC變換器中的工作原理進(jìn)行說(shuō)明:
[0034]在DC-DC變換器工作時(shí)，由于耦合電感Tl的初級(jí)線(xiàn)圈的異名端3和次級(jí)線(xiàn)圈的同名端2存在漏感和引線(xiàn)電感等干擾因素，使得NMOS管Ql在關(guān)斷時(shí)其漏極會(huì)產(chǎn)生較高的電壓尖峰，這會(huì)無(wú)形中增大NMOS管Ql的漏極與源極之間的電壓應(yīng)力，進(jìn)而使NMOS管Ql的開(kāi)關(guān)損耗增大，并大大縮短其使用壽命。
[0035]由于電壓尖峰抑制電路100的存在，NMOS管Ql的漏極的電壓尖峰會(huì)通過(guò)二極管Dl被鉗位為電容Cl的電壓，同時(shí)電容Cl會(huì)將抑制電壓尖峰所獲得的電能進(jìn)行儲(chǔ)存，這樣就等于將電壓尖峰進(jìn)行了有效的吸收以降低NMOS管Ql的漏極與源極之間的電壓應(yīng)力；在此過(guò)程中，控制器300會(huì)對(duì)電容Cl兩端的電壓進(jìn)行檢測(cè)，并相應(yīng)地輸出控制信號(hào)使NMOS管Q2實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的通斷。由電感LUNMOS管Q2及二極管D2組成的電能轉(zhuǎn)移電路將電容Cl所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2，最后再由電容C2將這部分電能輸出為負(fù)載400供電。因此，通過(guò)上述電壓尖峰抑制電路100對(duì)NMOS管Ql漏極的電壓尖峰進(jìn)行抑制和吸收，降低了 NMOS管Ql的漏極與源極之間的電壓應(yīng)力，減小了 NMOS管Ql的開(kāi)關(guān)損耗，有利于延長(zhǎng)NMOS管的使用壽命，進(jìn)而使DC-DC變換器的直流電轉(zhuǎn)換效率和可靠性得到顯著的提高。
[0036]此外，從上述內(nèi)容可知，第一開(kāi)關(guān)管200 (如NMOS管Ql)的輸入端與輸出端之間的電壓(即NMOS管Ql的漏極-源極電壓Vds)減小，這就使得在對(duì)第一開(kāi)關(guān)管200進(jìn)行選型時(shí)可以選擇漏極-源極電壓應(yīng)力更小、導(dǎo)通電阻更小且成本較低的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件以實(shí)現(xiàn)相同的開(kāi)關(guān)功能，能夠降低電路成本。
[0037]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種包括上述DC-DC變換器的電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，該電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)可以是將市電轉(zhuǎn)換為直流電的交直轉(zhuǎn)換系統(tǒng)或者新能源發(fā)電系統(tǒng)，其中，新能源發(fā)電系統(tǒng)可以是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)或地?zé)崮馨l(fā)電系統(tǒng)等對(duì)可再生能源進(jìn)行利用以實(shí)現(xiàn)電力輸出的發(fā)電系統(tǒng)。
[0038]本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)在DC-DC變換器中采用包括鉗位儲(chǔ)能模塊和電能轉(zhuǎn)移模塊的電壓尖峰抑制電路，鉗位儲(chǔ)能模塊將所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端所產(chǎn)生的電壓尖峰進(jìn)行鉗位處理并儲(chǔ)存電能，再由電能轉(zhuǎn)移模塊在控制器檢測(cè)鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端對(duì)地的電壓并相應(yīng)地輸出控制信號(hào)時(shí)，根據(jù)該控制信號(hào)將鉗位儲(chǔ)能模塊所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電壓尖峰的抑制，并將抑制電壓尖峰所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至電容C2，最后由電容C2向負(fù)載供電，有效地降低了第一開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗，有助于延長(zhǎng)第一開(kāi)關(guān)管的使用壽命，進(jìn)而提高了 DC-DC變換器的直流電轉(zhuǎn)換效率和可靠性，且降低了成本。
[0039]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.ー種DC-DC變換器的電壓尖峰抑制電路，與所述DC-DC變換器中的耦合電感Tl、第ー開(kāi)關(guān)管、二極管D3、電容C2及控制器連接，所述耦合電感Tl的初級(jí)線(xiàn)圈的異名端和次級(jí)線(xiàn)圈的同名端共接于所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端，所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端在所述第一開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰；所述控制器控制所述第一開(kāi)關(guān)管的通斷；所述二極管D3的陰極和所述電容C2的正極共接向負(fù)載的輸入正端供電；所述電容C2的負(fù)極連接所述負(fù)載的輸入負(fù)端；其特征在于，所述電壓尖峰抑制電路包括: 將所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端所產(chǎn)生的電壓尖峰進(jìn)行鉗位處理并儲(chǔ)存電能的鉗位儲(chǔ)能模塊；以及 在所述控制器檢測(cè)所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端對(duì)地的電壓并相應(yīng)地輸出控制信號(hào)吋，根據(jù)所述控制信號(hào)將所述鉗位儲(chǔ)能模塊所儲(chǔ)存的電能轉(zhuǎn)移至所述電容C2的電能轉(zhuǎn)移模塊； 所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸入端連接所述第一開(kāi)關(guān)管的輸入端、所述耦合電感Tl的初級(jí)線(xiàn)圈的異名端和次級(jí)線(xiàn)圈的同名端，所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端連接所述控制器，所述鉗位儲(chǔ)能模塊的地端與所述第一開(kāi)關(guān)管的輸出端共接于地，所述電能轉(zhuǎn)移模塊的輸入端連接所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端，所述電能轉(zhuǎn)移模塊的輸出端連接所述電容C2的正極，所述電能轉(zhuǎn)移模塊的控制端連接所述控制器，所述電能轉(zhuǎn)移模塊的地端與所述電容C2的負(fù)極共接于地。
2.如權(quán)利要求1所述的電壓尖峰抑制電路，其特征在于，所述鉗位儲(chǔ)能模塊包括第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)和電容Cl，所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的輸入端為所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸入端，所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的輸出端與電容Cl的第一端的共接點(diǎn)為所述鉗位儲(chǔ)能模塊的輸出端，所述電容Cl的第二端為所述鉗位儲(chǔ)能模塊的地端。
3.如權(quán)利要求2所述的電壓尖峰抑制電路，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)是二極管、三極管、MOS管或絕緣柵雙極型晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的電壓尖峰抑制電路，其特征在于，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)為二極管時(shí)，所述二極管的陽(yáng)極和陰極分別為所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的輸入端和輸出端； 當(dāng)所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)為三極管、MOS管或絕緣柵雙極型晶體管時(shí)，所述第一半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)還連接所述控制器，并由所述控制器進(jìn)行通斷控制。
5.如權(quán)利要求1所述的電壓尖峰抑制電路，其特征在于，所述電能轉(zhuǎn)移模塊包括: 電感L1、第二開(kāi)關(guān)管以及第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管； 所述電感LI的第一端為所述電能轉(zhuǎn)移模塊的輸入端，所述電感LI的第二端與所述第二開(kāi)關(guān)管的輸入端共接于所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管的輸入端，所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管的輸出端為所述電能轉(zhuǎn)移模塊的輸出端，所述第二開(kāi)關(guān)管的控制端和輸出端分別為所述電能轉(zhuǎn)移豐吳塊的控制端和地端。
6.如權(quán)利要求5所述的電壓尖峰抑制電路，其特征在干，所述第二開(kāi)關(guān)管是三極管、MOS管或絕緣柵雙極型晶體管。
7.如權(quán)利要求5所述的電壓尖峰抑制電路，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)是二極管、三極管、MOS管或絕緣柵雙極型晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的電壓尖峰抑制電路，其特征在干，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)為二極管時(shí)，所述二極管的陽(yáng)極和陰極分別為所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的輸入端和輸出端；當(dāng)所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)為三極管、MOS管或絕緣柵雙極型晶體管時(shí)，所述第二半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)還連接所述控制器，并由所述控制器進(jìn)行通斷控制。
9.ー種DC-DC變換器，其特征在于，所述DC-DC變換器包括如權(quán)利要求1_8任一項(xiàng)所述的電壓尖峰抑制電路。
10.ー種電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，其特征在于，所述電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)包括如權(quán)利要求9所述的DC-DC變換器?！?br> 【文檔編號(hào)】H02M1/14GK203434869SQ201320516505
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】馬化盛, 張化偉 申請(qǐng)人:深圳桑達(dá)國(guó)際電源科技有限公司